光电检测器件的类型复习 ppt课件

1、光电检测器件的类型光电检测器件的类型 光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件. 光电检测器件分为两大类: 光子(光电子)检测器件 热电检测器件探测器件探测器件热电探测元件热电探测元件光子探测元件光子探测元件外光电效应外光电效应内光电效应内光电效应非放大型非放大型放放 大大 型型光电导探测器光电导探测器光磁电探测器光磁电探测器光生伏特探测器光生伏特探测器本征型本征型掺杂型掺杂型非放大非放大放大型放大型真空光电管真空光电管充气光电管充气光电管光电倍增管光电倍增管变像管变像管摄像管摄像管像加强器像加强器光敏电阻光敏电阻红外探测器红外探测器光电池光电池光电二极管光电二极管光电三极管

2、光电三极管光电场效应管光电场效应管雪崩型光电二极管雪崩型光电二极管光电器件分类及特点光子探测器光子探测器探测器探测器响应波长有选择性，一般有截止波长，超过该波长，器件无响应。无波长选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短， 一般为纳秒到几百微秒响应慢，一般为几毫秒4.1 4.1 光电器件的性能参数光电器件的性能参数 呼应特性 噪声特性 量子效率一、呼应特性一、呼应特性呼应度或称灵敏度：是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描画的是光电探测器件的光电转换效率。呼应度是随入射光波长变化而变化的呼应度分电压呼应率和电流呼应率呼应时间：呼应时间是

3、描画光电探测器对入射光呼应快慢的一个参数如图。 脉冲呼应特性上升时间tr：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需求的时间。10%90%下降时间tf ：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需求的时间。 90%10%、信噪比 信噪比是断定噪声大小的参数。 是负载电阻上信号功率与噪声功率之比 假设用分贝dB表示，为2222NSLNLSNSIIRIRIPPNSNSNSIIIINSlg20lg1022、噪声等效功率(NEP) 定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率 这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压或电流等于探测器本身的噪声电压或电流 普

4、通一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。 NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。()eNEPWSNR第二节 光电发射器件 光电发射效应：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的任务原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。一、光电效应及元件 用光照射某一物体，可以看作物体遭到一连串具有能量每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率，即E=h的光子的轰击，组成这物体的资料吸收光子能量而发生相应电效应的物理景象称为光电效应。 分类： 外光电效应 光导效应 光生伏特效应一外光电效应 外光电效应：在光线的作用下能使电子逸出物体外表的景象称为外光电效应。

5、 元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。E=h=m2/2 +A 1光电子能否产生，取决于光子的能量能否大于该物体的外表逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为红限频率，用0表示。 0=A/h 假设入射光的频率小于红限频率，光子的能量缺乏以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，假设入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。E=h=m2/2 +A 2当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。 3光电子逸出物体外表时的初动能决议于入射光的频率。对于一定

6、的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量h越大，那么电子的初动能越大。光电倍增管及其根本特性由光阴极、次阴极(倍增电极)以及阳极三部分组成。光阴极是由半导体光电资料锑铯做成；次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯资料而构成的，次阴极多的可达30级；阳极是最后用来搜集电子l;k入射光光电阴极第一倍增极阳极第三倍增极的，搜集到的电子数是阴极发射电子数的105106倍。即光电倍增管的放大倍数可达几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万倍到几百万倍。因此在很微弱的光照时，它就能产生很大的光电流。光电倍增管光电倍增管(PMT)光电倍增管是利用外光电效应制成的一种光光电倍增管是利用外光电

7、效应制成的一种光电探测器件。其光电转换分为光电发射和电探测器件。其光电转换分为光电发射和电子倍增两个过程。电子倍增两个过程。 把微弱的光输入转化为光电子，并使把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电探测器件。光电子获得倍增的一种光电探测器件。光电倍增管运用留意要点光电倍增管运用留意要点 不宜用强光，容易引起疲劳不宜用强光，容易引起疲劳 额定电压和电流内任务额定电压和电流内任务 入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应 电场屏蔽和磁屏蔽电场屏蔽和磁屏蔽 测交变光时，负载电阻不宜过大测交变光时，负载电阻不宜过大光电导效应 定义：光照变化引起半

8、导体资料电导变化的景象。内光电效应 内光电效应产生的自在电子停留在物体内内光电效应产生的自在电子停留在物体内部，不发生电子逸出。部，不发生电子逸出。器件：光敏电阻、由光敏电阻制造的光导管。器件：光敏电阻、由光敏电阻制造的光导管。分类：本征光电导效应与杂质光电导效应光敏电阻 利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。 光敏电阻资料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉CdS，锑化铟InSb等。任务机理：任务机理： 当入射光子使半导体中的电子由价带当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减中

9、的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导添加。小，电导添加。光敏电阻分类价带导带电子空穴Eg价带导带电子空穴施主本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。 本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体资料的禁带宽度Eg时，激发一个电子空穴对，在外电场的作用下，构成光电流。杂质型：对于型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，构成光电流。 7、暗电阻和暗电流：、暗电阻和暗电流： 光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，光敏电阻在黑暗时的阻值称为暗电阻，普通情况下，暗电阻都大于普通情况下，暗电阻都大于10兆，受光兆，受光照时的阻值称为亮阻

10、。暗阻与亮阻的比照时的阻值称为亮阻。暗阻与亮阻的比值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越值也可作为衡量灵敏度的高低，比值越大，灵敏度越高。大，灵敏度越高。 8、前历效应：、前历效应：光敏电阻的运用 根本功能：根据自然光的情况决议能否开灯。 根本构造：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路 根本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器任务，灯关。照明灯自动控制电路K220V灯常闭CdS三种主要的热电效应 温差电效应：温差产生电动势温差电效应：温差产生电动势 热电偶和热电堆热电偶和热电堆 电阻温度效应：辐射引起电阻率变化电阻温度效应：辐射引起电阻率

11、变化 测辐射热计测辐射热计(Bolometer)(Bolometer) 热释电效应热释电效应 ：辐射变化引起外表电荷变化：辐射变化引起外表电荷变化 热释电探测器热释电探测器 原理：基于光辐射与物质相互作用的热电效应制原理：基于光辐射与物质相互作用的热电效应制造的器件。造的器件。 入射辐射入射辐射- -器件温升器件温升- -资料参量变化。资料参量变化。 优点：大部分不需制冷、在很宽的光谱波段有平优点：大部分不需制冷、在很宽的光谱波段有平坦的呼应两大持点。坦的呼应两大持点。 缺陷：探测率较低和时间常数较大。要同时获得缺陷：探测率较低和时间常数较大。要同时获得灵敏度高、呼应快的性能是困难的。新型热电

12、探灵敏度高、呼应快的性能是困难的。新型热电探测器测器热释电探测器的出现及其近年来的开展，热释电探测器的出现及其近年来的开展，逐渐处理了这一矛盾。逐渐处理了这一矛盾。二、热电探测器的特点二、热电探测器的特点 来源：来源：18261826年年 红外探测器件。红外探测器件。 运用：高、低温的温度探测领域。运用：高、低温的温度探测领域。 根本原理：基于温差电第一效应根本原理：基于温差电第一效应塞贝克效应。塞贝克效应。两种不同资料或资料一样而逸出功不同的物体，两种不同资料或资料一样而逸出功不同的物体，当它们构成回路时，假设两个接触点的温度不同，当它们构成回路时，假设两个接触点的温度不同，回路中就会产生温

13、差电动势。只需两触点间的温回路中就会产生温差电动势。只需两触点间的温差不变，温差电动势将得到坚持。差不变，温差电动势将得到坚持。 许多个热电偶串联起来即成为热电堆。许多个热电偶串联起来即成为热电堆。4.6.2 温差电偶温差电偶 三、热电偶的根本参数三、热电偶的根本参数1. 温差电势率温差电势率M当冷端开路时，开路电当冷端开路时，开路电压压UOC与入射辐射产与入射辐射产生的温升生的温升T的关系为的关系为TMUocu原理：吸收辐射，产生温升，从而引起资料原理：吸收辐射，产生温升，从而引起资料电阻的变化。电阻的变化。u主要资料类型：金属、半导体和超导体。主要资料类型：金属、半导体和超导体。u共同点：

14、都敏感于辐射，光谱呼应根本上与共同点：都敏感于辐射，光谱呼应根本上与入射辐射的波长无关。入射辐射的波长无关。吸收辐射吸收辐射温升温升-电阻变化电阻变化热敏电阻热敏电阻在电子电路中的符号在电子电路中的符号 光电成像器件光电成像器件Photoelectronic Imaging Devices 定义：一类可以输出图像信息图像或视频信号的功能器件，也称为光电图像传感器 。 分类：直视型、摄像型。 直视型光电成像器件 具有图像的转换、加强、显示等功能部件和高真空管壳，通常简称为像管。 摄像型光电成像器件 将二维空间的光强分布光学图像转换为一维时序电信号，不直接输出图像只需对时序电信号进展再处置后才可获

15、得目的图像。 光电成像器件的分类 变像管 直视型： 像管 像加强器 光电发射型光电成像器件 电真空摄像管 光电导式 热释电摄像guan 摄像型： 电荷耦合器件 固体摄像器件 CMOS图像传感器 红外焦平面阵列器件 像管 变像管像加强管一、典型构造与任务原理物镜目镜阴极阳极荧光屏目的物所发出某波长范围的辐射经过物镜在半透明光电阴极上构成目的的像，引起光电发射。阴极面每一点发射的电子束密度正比于该点的辐照度。这样，光阴极将光学图像转变成电子束密度图像。经过阳极的电子透镜作用，使阴极发出的光电子聚焦成像在荧光屏上。荧光屏在一定速度的电子轰击下发出可见的荧光，最终，在荧光屏上便可得到目的物的可见图像。

16、变像管：光阴极面上的资料红外或紫外光线敏感；像加强管光阴极面上的资料微弱可见光敏感。像管成像物理过程 1.辐射图像的光电转换:利用外光电效应.光敏面采用光电发射型资料.发射的电子流分布正比于人射的辐射通量分布.由此完成辐射图像转换为电子图像的过程. 2.电子图像加强:电场加速 或微通道板中二次电子发射. 3电子图像的发光显示高能电子轰击荧光屏,发出可见光.摄像管 电视摄像过程是将两维空间分布的光学图电视摄像过程是将两维空间分布的光学图像转换为一维时间变化的视频电信号。像转换为一维时间变化的视频电信号。 步骤：步骤： 摄像管的光敏元件接受输入图像的辐照进摄像管的光敏元件接受输入图像的辐照进展光电

17、转换，将两维空间分布的光强转变展光电转换，将两维空间分布的光强转变为两维空间分布的电量；为两维空间分布的电量； 摄像管的电荷存贮元件在一帧的周期内延摄像管的电荷存贮元件在一帧的周期内延续积累由光敏元件产生的电量，并坚持电续积累由光敏元件产生的电量，并坚持电荷量在空间的分布。这一存贮电荷的元件荷量在空间的分布。这一存贮电荷的元件称之为靶；称之为靶； 摄像管的电子枪产生空间两维扫描的电子摄像管的电子枪产生空间两维扫描的电子束，在一帧的周期内完成全靶面的扫描。束，在一帧的周期内完成全靶面的扫描。逐点扫描的电子束到达靶面的电荷量与靶逐点扫描的电子束到达靶面的电荷量与靶面储存的电荷量相关，因此扫描电子束

18、的面储存的电荷量相关，因此扫描电子束的电流被靶面电荷量所制，从而在输出电路电流被靶面电荷量所制，从而在输出电路上即可得到视频信号。上即可得到视频信号。 普通摄像管普通摄像管应具有的构应具有的构造造它主要由两它主要由两大部分组成大部分组成光电变换与光电变换与存贮部分存贮部分信号阅读部信号阅读部分。分。 1光电变换与存贮部分光电变换与存贮部分 (1) 光电变换部分光电变换部分构成：光敏元件。构成：光敏元件。根据资料分类：根据资料分类： 光电发射体光电发射体 光电导体光电导体视像管。视像管。 (2)电荷存贮与积累部分电荷存贮与积累部分帧周期内要求信号不能漏走帧周期内要求信号不能漏走存贮元件存贮元件具有足够的绝缘才干。具有足够的绝缘才干。2信号阅读部分信号阅读部分 阅读部