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文档简介

二极管级单晶硅片 技术参数 项目 生长方式 导电类型 参杂剂 晶向 电阻率（.cm） 电阻率径向不均匀性 直径（mm） 切方规格（mm） 少子寿命（s） 氧含量（atoms/cm3） 碳含量（atoms/cm3） 位错密度（m2） 硅片形态 硅片厚度（m） 厚度公差（m） 总厚度偏差（m） 弯曲度（m） 表面质量 二极管级单晶硅片 CZ / MCZ N 磷P <111> 5-100 15%（MCZ） 75-103 N/A 100 1×1018 6×1017(MCZ 5×1016 1×1016(MCZ 100 磨片 150-600 ±5 10 10 无孔洞、无裂纹、 无氧化花纹及用户其他 要求 （隆基硅产业集团产品规格） 31 第一单元 内容总结 n n n n n n n 硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞 基本参数 111晶面解理性 硅晶体缺陷 结团作用；缺陷的去除 硅中杂质；固溶体；固溶度 相图 硅单晶片制备 多晶硅制备；直拉法原理；提拉速 度；分凝； 硅片制备流程；主要晶向、晶面的定位方式 32

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