高压电容器引起-过电压及其对策(续)

1、高压电容器引起-过电压及其对策(续)论文作者：沈文琪 郭天兴 杨景南 张爱莉 张建平摘要： 对内熔丝电容器中，因内熔线动作引起的作用在完好元件上的过电压进行了定性、定量分析。进行了试验验证。提出了解决办法。 关键词：内熔丝 内熔丝电容器 元件 直流分量 过电压 放电电阻 加上熔丝动作后故障串联段所分担的交流电压的升高，实际所受到的电压峰值可能会更高些。通过以上分析可知，在高压内熔丝电容器中的内熔丝动作之后，在其各个串联段上会出现直流电压分量。在高压内熔丝电容器中内熔丝动作之后之所以会在各串联段上出现过电压，就是由这些直流电压分量与交流电压分量叠加引起的。对于内部电气联结如图1所示的高压内熔丝电

2、容器，不难看出存在于各个串联段上的直流电压分量，只有通过其本身的绝缘电阻慢慢下降。在故障串联段上的直流电压分量与时间的关系为： t=RsCsln(U0UR) (11)式中:t故障串联段上直流电压分量的持续时间(s)； Rs、Cs分别为故障串联段的极间绝缘电阻和电容； UR熔丝动作后，经时间t，在故障串联段上剩余的直流电压分量 在式(11)中，Rs、Cs是一个与电容器极间材料的介电性能有关的常数，通常可用来表示，即： RsCs= 2007-05-11(12)对于用二芳基乙烷浸渍的PP膜介质，=5104S，对于UR可以取0.1U0，即当故障串联段上的直流电压分量降到其起始值的1/10时，就可认为其

3、对电容器的影响可以忽略不计了。把上述值代入式(11)，可得： t=5104ln10s32 h (13) 也就是说，在如图1那样结构的BFM型高压全膜内熔丝电容器中由内熔丝动作所引起的过电压，在其故障串联段上将持续32h，在这个过电压持续时间内极可能会给电容器介质造成伤害。3 解决办法3.1 在高压内熔丝电容器的每一个串联段上并接一个内放电电阻，如图5所示，这样，由内熔丝动作产生的分布在各个串联段上的“陷阱电荷”就有了一个释放通道，在故障串联段上的直流电压分量与时间的关系变为： t=rsCsln(U0U2007-05-11R)(14) 如果我们设定U0/UR=10；t=300s，则我们可得到：

4、rs=300(2.3Cs)(15) 例如：对于内部有4个串联段的BAM11/4 试验 试验在如图7所示的模拟电路上进行。 图中C1、C2构成了一台内部有4个串联段的高压并联电容器的等值电路，C2为其中一个串联段的等值电路，其中f模拟内部熔丝，K模拟与内熔丝串联的击穿元件，当故障元件击穿，K合上，在电容C2上储存的能量向f放电，将f熔断，在C2上的电压波形如图2007-05-118、图9所示。图8是在负半波时熔丝动作，所形成的直流电压为正值，U0=3(小格)而Um=8(小格)，所以熔丝动作后，正半周电压幅值Um=3+8=11(小格)。UmUm=118=1.38。图9是在正半周时熔丝动作，所以U0为负值，电压波形下移，U0=-4(小格)，所以在负半周的电压幅值为UUm=8+4=12(小格)，UmUm=1.5。2007-05-11 图10和图11是在Us=1kV的情况下得到的波形图。由于所施加的电压较低，在C2上所储存的能量仅为Us=3kV时的1/9。在真空开关合上后，在C2上所储存的能量不足以使熔丝f熔断，此后在交流电流的作用下，经若干个周波后熔丝熔断。这时，由于在电容C2上的电荷已完全放净，所以