教你认识计算机硬件及相关参数的识别(2--内存篇)

1、二、内存（RAM） 1、什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组

2、具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行

3、检查，若电量大于满电量的12，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于12，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。 从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢？我们可以这样去理解-CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行，并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上，数据就丢失了。也就是说并不是CPU

4、速度越快，计算机的运行速度就越快，计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号 内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存 例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位芯片类型4，代表dram。 第3位芯片的更进一步的类型说明，s代 量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度 。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也 是最容易的。 hyb39s128400即1

5、28mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它 也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即 256mb/8bits。 infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5表示该内存的工作频率是133mhz； -8表示该内存的工作频率是100mhz。 例如： 1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128mbits（兆数位）×

6、;16片/8=256mb（兆字节）。 1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits （兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。 kingmax、kti kingmax内存的说明 kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到 采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。 在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： ksva44t4

7、a0a64mbits，16m地址空间×4位数据宽度； ksv884t4a0a64mbits，8m地址空间×8位数据宽度； ksv244t4xxx128mbits，32m地址空间×4位数据宽度； ksv684t4xxx128mbits，16m地址空间×8位数据宽度； ksv864t4xxx128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。 kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7apc133/cl=2； -7pc133/cl=3； -8apc100/cl=2； -8pc100/cl=3。 例如一条k

8、ingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位 ）×16片/8=128mb（兆字节）。 micron（美光） 以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： mtmicron的厂商名称。 48内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。 lc供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。 16m8内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。 a2内存内核版本号。 tg封装方式，tg即tsop封装。 -75内存工作速率，-75即133mhz；

9、-65即150mhz。 实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每 个bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。 winbond（华邦） 含义说明： wxxxxxxxx 12345 1、w代表内 存颗粒是由winbond生产 2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h； 4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装 5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、1

10、25mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、 166mhz；5：5ns、200mhz mosel（台湾茂矽） 台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为 v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/88mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit ，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五 位。这颗显存编号

11、为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量 8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。 v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt 内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大， 所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码

12、命名的。这其中用 户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位芯片类型4，代表DRAM。 第3位芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、 63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。

13、第6、7位数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位连线“-”。 第14、15位芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3；7C为7.5ns (CL=2 ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR 内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits， 第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据 带宽，这样我们可以计算出该内存条的容

14、量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算 ，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另 一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两 位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存 条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Micron内存颗

15、粒 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来 说明美光内存的编码规则。 含义： MTMicron的厂商名称。 48内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2内存内核版本号。 TG封装方式，TG即TSOP封装。 -75内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的

16、颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每 个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。 西门子内存颗粒 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量 为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都 是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它 也

17、是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5表示该内存的工作频率是133MHz； -8表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的

18、HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。 Kingmax内存颗粒 Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该 封装模式是专利产品，所以我们 看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和 128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； KSV884T4A0A64Mbits

19、，8M地址空间 × 8位数据宽度； KSV244T4XXX128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度； KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7APC133 /CL=2； -7PC133 /CL=3； -8APC100/ CL=2； -8PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造

20、，其容量计算为： 64Mbits（兆数 位）×16片/8=128MB（兆字节）。 回答者：cybcool - 试用期 一级 6-6 09:00 一般在内存的标签上都注有详细的内存型号、容量等技术数据。插在电脑上也可以看见内存大小。具体 方法：右键点我的电脑-属性即可显示出内存大小。 4、如果上述信息记不住怎么办？ 你可以在网上下载一个叫CPU-Z的软件。此软件可以在天空软件园、华军软件园及太平洋在线等网站上面下载。它可以轻松识别出CPU及内存等相关硬件的厂家、频率等相关数据信息。 5、内存接口有哪些？ 台式机内存类型(术语解释 指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，

21、在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。 SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又

22、分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电 压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。 DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR S

23、DRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM

24、相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新

25、的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 DDR2的详解 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生

26、代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式， FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200

27、经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 RDRAM详解 RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就

28、高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来

29、以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MH

30、z，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、 封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的

31、频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2

32、采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样

33、的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后

34、面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。 服务器内存 服务器内存也是内存(RAM ，它与普通PC（个人电脑）机内存在外观和结构上没有什么明显实质性的区别，主要是在内存上引入了一些新的特有的技术，如ECC、ChipKill、热插拔技术等，具有极高的稳定

35、性和纠错性能。 服务器内存主要技术： (1ECC 在普通的内存上，常常使用一种技术，即Parity，同位检查码（Parity check codes）被广泛地使用在侦错码（error detectioncodes）上，它们增加一个检查位给每个资料的字元（或字节），并且能够侦测到一个字符中所有奇（偶）同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。基于上述情况，产生了一种新的内存纠错技术，那就是ECC，ECC本身并不是一种内存型号，也不是一种内存专用技术，它是一种广泛应用于各种领域的计算机指令中，是一种指令纠错技术。ECC的英文

36、全称是“ Error Checking and Correcting”，对应的中文名称就叫做“错误检查和纠正”，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。之所以说它并不是一种内存型号，那是因为并不是一种影响内存结构和存储速度的技术，它可以应用到不同的内存类型之中，就象前讲到的“奇偶校正”内存，它也不是一种内存，最开始应用这种技术的是EDO内存，现在的SD也有应用，而ECC内存主要是从SD内存开始得到广泛应用，而新的DDR、RDRAM也有

37、相应的应用，目前主流的ECC内存其实是一种SD内存。 (2Chipkill Chipkill技术是IBM公司为了解决目前服务器内存中ECC技术的不足而开发的，是一种新的ECC内存保护标准。我们知道ECC内存只能同时检测和纠正单一比特错误，但如果同时检测出两个以上比特的数据有错误，则一般无能为力。目前ECC技术之所以在服务器内存中广泛采用，一则是因为在这以前其它新的内存技术还不成熟，再则在目前的服务器中系统速度还是很高，在这种频率上一般来说同时出现多比特错误的现象很少发生，正因为这样才使得ECC技术得到了充分地认可和应用，使得ECC内存技术成为几乎所有服务器上的内存标准。 但随着基于Intel处理器架构的服务器的CPU性能在以几何级的倍数提高，而硬盘驱动器的性能同期只提高了少数的倍数，因此为了获得足够的性能，服务器需要大量的内存来临时保存CPU上需要读取的数据，这样大的数据访问量就导致单一内存芯片上每次访问时通常要提供4（32位）或8（64位）比特以上的数据，一次 性读取这么多数据，出现多位数据错误的可能性会大大地提高，而ECC又不能纠正双比特以上的