磁滞损耗计算方法-

1、!""#年$月第#卷第%期西北大学学报&自然科学版(*+,-./0+1234516,784+5719&0-1*+-.:;74,;4<=717,>*?!""#A .#0% 收稿日期B !""!C D !C D !基金项目B 教育部高等教育骨干教师科研基金资助项目&!"""E F 作者简介B 刘志存&D G E !C H男H 陕西韩城人H 陕西师范大学讲师H 从事材料物理学研究I 铁氧体材料的磁滞损耗特性刘志存&陕西师范大学物理学与信息技术学院H 陕西西安J

2、 D ""E !摘要B 对偏转磁芯所用的铁氧体材料的磁滞损耗特性进行了分析H 介绍了磁滞回线测量的方法原理H 由测试结果可计算出磁滞回线面积I 得出磁滞损耗功率与频率K 磁通密度及温度的经验公式I 对磁滞回线中涡流的影响进行了讨论H 指出目前应用的偏转频率下H 在磁芯损耗中磁滞损耗占主要部分I 关键词B 铁氧体材料L 磁滞损耗L 偏转磁芯中图分类号B M %$!F !N#文献标识码B >文章编号B D """C !J %O&!""#"%C "#G %C "#铁氧体材料是一种重要的磁

3、性材料H 被广泛应用于显像管偏转系统I 随着大屏幕高清晰度电视和高分辨率显示器的发展H 偏转线圈的扫描频率越来越高I 偏转频率的提高H 使偏转系统发热和能量损耗增大H 直接影响显像管性能H 并导致图像质量不稳定P D QI因此H 如何减小能量损耗是偏转系统设计中不可忽视的重要问题I偏转系统的能量损耗除了偏转线圈的损耗以外H 磁芯的损耗也很大I 偏转磁芯中的能量损耗主要是所用铁氧体材料的磁滞损耗和涡流损耗H 因此分析铁氧体的磁滞损耗特性H 对分析如何降低系统能量损耗十分有意义I本文通过测量铁氧体磁性材料的磁滞回线H 对偏转系统的能量损耗进行了分析IR 铁氧体材料的磁滞损耗特性磁性材料在交变磁场中

4、存在磁滞损耗H 磁性材料的磁滞回线如图D 所示I 图D 中虚线表示未磁化的磁性材料初次磁化时的S C T 的关系H 阴影部分的面积表示磁场交替变化时H 磁场每变化一周的能量损耗密度&即单位体积内的能量损耗I磁性材料中的磁滞损耗密度可以表示为U 2VWT=S I&D 当交变磁场的频率为X 时H 每秒钟的磁滞损耗密度即磁滞损耗功率密度Y 2可以表示为P !QY 2V U 2X I &!磁性材料中总的磁滞功率损耗Y 2为磁滞功率损耗密度对体积的积分HY 2VZ Y 2=I&#从式&!可以看出H 偏转系统的磁滞损耗功率密度是与偏转频率成正比的I 但是H 受到涡流

5、损耗的影响H 所测得的磁滞回线的面积将随频率而变化H 这样得到的偏转磁芯的功率损耗和频率将呈现非线性变化规律I图D 初始磁化曲线和磁滞回线7?D 2429514+4575.-,=7,717-._-?,417-17,;*+84偏转磁芯的涡流损耗Y 4和频率的关系为Y 4V a S !_-bX !H &%则每一周的涡流损耗密度可以表示为U 4V Y 4c XV a S !_-bX I &F 在交流或动态情况下测得的磁滞回线将包括磁滞损耗和涡流损耗!磁滞回线中纯磁滞损耗或直流磁滞损耗部分与频率无关!而涡流损耗部分与频率成正比"#$%在交流情况下根据磁滞回线和式&(计

6、算得到的磁滞损耗*+*&,-(可以表示为*+*&.-(/0+1*&.-(/102%&3(如果交变磁场的最大磁通密度为4567!则磁滞回线的面积也将随4567的增大而增大%因此!在交流情况下的磁滞损耗功率密度与2!4567的关系用以下的经验公式"8$来表示*+92:4;567!&<(式中=9为常数>:和;为经验值%下面将交流下测得的包含涡流损耗在内的磁滞损耗仍称为磁滞损耗!而将直流下测得的磁滞损耗称为直流磁滞损耗或纯磁滞损耗%对偏转系统所用磁性材料的标准磁环进行磁滞回线测量!作为计算磁滞损耗的参考参数%在一定磁通密度下改变测量频率!可

7、以得到磁滞损耗密度与频率的关系和指数:!在一定频率下改变磁通密度!可以得到磁滞损耗密度与最大磁通密度的关系和指数;%根据式&(就可以得到在参考磁通密度和一定频率下的磁滞损耗功率密度!并由此可计算式&<(中的9值%当式&<(中的各项系数都得到以后!可以将该公式应用于偏转系统磁滞损耗的估测%对于偏转系统!由于行偏转的频率远远高于帧偏转的频率!因此!对帧偏转的磁滞损耗可以忽略%如果采用计算和测量的方法可以确定行偏转情况下最大磁通密度4567的分布!则应用式&<(就可以计算出偏转系统中磁滞损耗功率的分布!对整个偏转磁芯的体积进行积分!可得到整个偏转磁芯

8、的磁滞损耗功率%?磁滞回线的测量在由铁氧体材料制成的标准环&内径为A !外径为(上绕B A 匝初级线圈和B 匝次级线圈!初级线圈加激励电流C !在标准环中产生的磁场D 可以表示为D +B A CE &F (+GC %&H (式中=G+B A E &F (为比例系数>+&A /(E 为平均直径%当C 为正弦交变电流时!在次级线圈中将感应感生电动势I 和磁通J 5%它们也将是正弦变化的!只是相位不同!C 和J 5之间的相位差将反映DK 4之间的相位差!即磁滞%信号作用一个周期形成一条磁滞回线%标准环中的4可以表示为4+J 5L +A B LMI N O

9、 %&P (这里L 为标准环的截面积%由式&H !P (!根据测得的激励电流Q 感应电动势和标准环的几何参数!就可以得到4K D 的关系!磁滞回线测试系统的原理图如图所示%图磁滞回线测量原理R S T U V W S X Y S Z 0*_0W 0_S _Z506_a W 050X 该系统由信号发生器Q 功率放大器Q 预放大器Q 积分器Q 电流表和示波器几部分组成%由信号发生器产生的正弦波信号!经功放放大以驱动初级线圈!使其达到一定的磁场强度!由电流表检测初级线圈激励电流!得到和磁场强度的关系>次级线圈产生的感应电压信号!经预放大器放大送积分器!从而得到和磁通密度的关系%

10、示波器上显示的仅仅是测量的电流和电压的相位滞后关系!如要得到4K D 的关系还要进行定标转换%为了更方便地得到磁滞回线面积!我们使用了b c K dc -型智能磁滞回线测试仪的数据采集系统!将样品尺寸和测量电路参数送入计算机进行计算!可以方便地画出磁滞回线并得到其面积%e 测试结果与分析从前面的分析中得知!直流下测出的值更准确地反映了纯磁滞损耗!而交流下测出的值更接近包括涡流在内的总损耗!因此!更具有实际意义%本文应用上述测量方法对监视器偏转系统的#-铁氧体材料的交流磁滞损耗进行分析%在f g5b 磁通密度下测得的磁滞回线面积随频率变化的关系曲线如图#所示%反向延长曲线与面轴&垂直轴(

11、相交!根据式&3(!该点表示每一周期的纯磁滞损耗密度!而该曲线与频率的乘积!则表示每一周期总的磁滞损耗密度%根据图#可以看出在hf P #h 第8期刘志存= 铁氧体材料的磁滞损耗特性最大频率下!涡流损耗约占总损耗的"#$!磁滞损耗占%#$&因此!在目前(*+以下扫描频率的偏转状态下!磁滞损耗所占的比例较大&图$磁滞回线面积随频率的变化,-./$01232456-7891-:;26<2286121=962329-9477:532558>612?32A28B-29磁滞功率损耗密度为面积值乘以频率!其与频率的关系如图(所示&如选择C D E F!

12、(G HI时的磁滞损耗功率密度为参考值!从图(的关系可以求得经验公式J K L中的8近似为"/"C&图(磁滞功率损耗密度与频率的关系,-./(01232456-7891-:;26<2286121=962329-9:7<23479958>612?32A28B-29在(*+条件下!磁滞回线面积与最大磁通密度的关系曲线如图C所示&如选择C D M0!(*+时的磁滞损耗功率密度为参考值!从图C的关系可得出式J K L中的E在NM5O P C DM0时近似为%/Q! N M5O R C D M0时约为%/(C&这样!经验公式中的S和E都得到了

13、&T值可以根据选择的参考点的磁滞回线面积和对应的频率U磁通密度计算得到&在长时间工作以后!偏转线圈发热和磁芯的磁滞损耗将引起偏转磁芯的温度升高!同时影响磁滞回线的面积!从而对总损耗的估测产生影响&因此!温度升高对磁滞损耗的影响是必须考虑的&磁滞回线面积随温度变化的关系如图所示&从图可以看出!磁滞回线面积随温度变化的关系可以近似认为是线性的!这个温度特性可以将其考虑进式J K L 的V中!进而在对偏转系统分析时!根据偏转磁芯的温度分布!对结果进行修正&图C磁滞回线面积随磁通密度的变化关系,-./C01232456-7891-:;26<2286

14、121=962329-9477:532558>612M5.826-B?4A O>289-6=图磁滞回线面积随温度的变化关系,-./01232456-7891-:;26<2286121=962329-9477:532558>61262M:2356A32通常认为磁滞回线面积随温度的升高将呈现减小趋势W C X!但这仅是指静态磁滞回线&实际测量数据表明!磁滞回线面积是随温度的升高而增加的!与通常的磁滞损耗的分析不同&这是由于$Y%材料的电阻率较小!因此在交流情况下!涡流随温度的增加将使测量得到的交流磁滞回线面积增加&Z结论偏转磁芯用铁氧体材料的磁滞损耗

15、!是偏转磁芯的主要损耗&磁滞功率损耗与频率U磁通密度和温度的关系可以用经验公式来表示&应用该经验公式和偏转磁场计算软件!可以计算偏转磁芯总的能量损耗!同时可得到磁滞损耗的分布&以此作为热源!结合热分布的计算!可以得到偏转磁芯的温度分布&因此!对偏转磁芯材料的磁滞损耗进行分析是很有意义的&J下转第Z页L以克服系统工况变化和非线性的严重影响!充分发挥模糊变参数"#$调节的优点!获得满意的动态过程控制!而且也保证了系统的稳定性%参考文献&(黄家栋*变结构模糊控制算法在电力系统频率控制中的应用+*电力系统及自动化学报!(,-!,.(/&

16、01(2*3欧阳威泰*一种变结构模糊逻辑控制器设计+*电气传动自动化!(,-!(,.3/&23124*2郭刚!朱建坤*模糊和"#$结合的控制器设计方法+*仪表技术与传感器!(,-!.2/&5215-*5赵震宇!徐用懋*模糊理论和神经网络的基础与应用6*北京&清华大学出版社!(,7*4于旭亮*一种自调整"#$调节器的应用+*炼油化工自动化!(,-!.7/&32137*7李友善*模糊控制理论在工业过程控制中的应用6*北京&国防工业出版社!(,2*.编辑曹大刚/89:;<=>?A B;A C D9E A B A F9G9B H

17、I8J>=G B>D D9BK L M+N O P1Q R P Q!K L S T U+V P1W V P.X Y Z R RR6O P P VO YVN P QX Y N_P Y_O Pa P Q N P_N P Q!X R VZ b_cM P N d_c NeRX Y N_P Y_O Pf_Y Z P RR Q e!6N O P e O P Q73(g g g!h Z N P O/i C:G B A J G&j ON O k_l OO m_"#$Y R PR_N cOV ON P Qb NZO e_cV YV_!b Z N Y ZY R P c N ccRO

18、P R Vc N_N P Q RONN R P O"#$Y R PRO PO P N P c N_N P Q Rl OO m_Q R d_P N P Q*#Y O P OW V c"#$ l OO m_R m O n_NV lO_O Y Y RN P QR b Rn N P Qc e c_m c O PR d_Y R m_Z_Yc_c VN P QR mZ_P R N P_ONeRc e c_m c*#Y O Pm O n_Z_Y R PNN R P c_ON d_ek_c*#N cN PN Y O_k ec N m VON R P_c VcZ O d ON O k_l O

19、O m_"#$Z O c k_e P O m N Y k_Z O d N Rc O PcO k NNeRc e c_mZ O PONN R P O"#$*o9pq>B r:&d ON O k_l OO m_s"#$sttttttttttttttttttttttttttttttttttttttttttttttttttV u u eY R PR.上接第v w x页/参考文献&(6S X M$S y!S z#y S6S f!z#f Sz S6!|!* $_d_R l m_PRT_b"_N_6O_N OR$_YN R Py R n_h R_

20、+*X#$,0$N Q_c!(,0!2521257*3北京大学物理系*铁磁学6*北京&科学出版社!(,-7*33g1333*2张锡纯*电子示波器及其应用6*北京&机械工业出版社!(,-*3701303*5戴京营*电源铁氧体中的磁滞损耗和涡流损耗研究+*磁性材料及器件!(,5!34.3/&(31(4*4jT Xj X z#Xj*6O Q P_N c m6*T_b y Rn&+R Z P #N_e$X R P c!(,-5*.编辑曹大刚/%9:9A B J&A=rA E E D;J A G;>=>?&p:G9B9:;:D>:J&am

21、p;A B A J G9B;:G;J:>?9B B;G9F A G9B;A D#M K Z N1Y V P.h R_Q_R"Z e c N Y c O P#PRm ON R Pf_Y Z P RR Q e!X Z O O P(N T Rm OM P N d_c Ne!N*O P-(g g73!h Z N P O/i C:G B A J G&f Z_Z e c_c N cR c cY Z OO Y_N cN Y cRZ_N_m O_N OV c_N P_YN R P e R n_N P Q cb_ cVN_*f Z_lN P Y N l_O Pm_Z RRZ e c_c

22、N cR R lm_O c V_m_PZ O d_k_PN PRV Y_*S P_m l NN Y O Rm VO_c YN k N P QZ_l_P_P Y_RZ_l R b_RZ e c_c N cR c c R P_+V_P Y e!m O Q P_N YV(_P c NeO P_m l_OV_b O c_N d_*f Z_N PV_P Y_RZ_eY V_PR PZ_Z e c_c N cR R lb O c Oc RN c Y V c c_*f Z_ _c Vcc Z R bZ OV P_Z_YN R PY R PNN R P!Z_Z e c_c N cR c cR m N P O_

23、cZ_ROR c cRZ_e R n_ N P Q*o9pq>B r:&_N_m O_N Os Z e c_c N cR c c s_YN R Pe R n_N P Q 铁氧体材料的磁滞损耗特性作者:刘志存作者单位:陕西师范大学,物理学与信息技术学院,陕西,西安,710062刊名: 西北大学学报(自然科学版英文刊名:JOURNAL OF NORTHWEST UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION年,卷(期:2003,33(4被引用次数:1次参考文献(5条1.Masuda Y.AKIYAMA T.KITAOKA M Development of New

24、 Ferrite Material for Deflection Yoke Core 19982.北京大学物理系铁磁学 19763.张锡纯电子示波器及其应用 19974.戴京营电源铁氧体中的磁滞损耗和涡流损耗研究 1994(025.VONSOVSKII S V Magnetism 1974相似文献(10条该文针对磁偏转系统能量损耗问题研究的现状,着重对磁芯的磁滞损耗进行分析.该文基于大量的实验数据,求得了磁滞损耗功率计算的经验公式.对于不同材料,详细讨论了磁滞损耗与工作频率f、最大磁感应强度B<,m>以及温度T的关系.通过对显示管磁偏转系统常用铁氧体材料磁性能的对比分析,为磁偏转系

25、统设计中材料的选择提供了重要依据.该文通过测量磁芯r-z截面上的平均磁感应强度和偏转区的二极场分布,对Philips 17CMT偏转系统的磁滞损耗进行了分析.此外,该文还对磁偏转系统的温度分布进行了实验测量.该文通过建立偏转系统的三维模型,强加边界条件,将电流激励按安匝数以余弦分布的方式离散于网格点上,同时考虑了激励沿锯龄波形的动态变化,采用基于有限元方法的EMAS软件对磁芯内部的磁感应强度分布进行了计算,进而分析了偏转系统的磁滞损耗,并与实验测量结果进行了对比.最后,该文讨论了磁滞损耗在不同磁芯结构下的变化情况,在实验和理论分析的基础上针对减小磁偏转系统的磁滞损耗提出了合理化建议.2.期刊论

26、文张晓兵.单德悦.尹涵春.Zhang Xiaobing.Shan Deyue.Yin Hanchun偏转磁芯铁氧体材料的磁滞损耗分析-真空科学与技术学报2001,21(2对偏转磁芯所采用的铁氧体材料的磁滞损耗特性进行了分析,得出了磁滞损耗功率与频率、磁通密度和温度的经验公式。对磁滞回线中涡流的影响进行了分析,得出在目前应用的偏转频率下,磁芯损耗中磁滞损耗占主要部分。根据经验公式,对计算磁滞损耗的方法和在计算温度分布中的应用进行了介绍。3.期刊论文李海华.冯则坤.何华辉.Li Haihua.Feng Zekun.He Huahui开关电源用MnZn铁氧体磁损耗研究-仪表技术与传感器2001,&q

27、uot;"(4文中研究了开关电源用MnZn铁氧体材料掺入SiO2-CaO、TiO2等杂质对电阻率、损耗的机制;分析了不同烧结温度、气氛对MnZn铁氧体材料功耗的影响;通过研究MnZn铁氧体材料在不同频率、温度下的功耗,表明了MnZn铁氧体材料工作在频率为100kHz时,磁滞损耗占磁芯损耗的主要成分。本文在分析了MnZn铁氧体磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗的基础上,指出制备高性能功率MnZn铁氧体材料的关键工艺在于掺杂和烧结工艺的控制,在此基础上,对制备高性能功率MnZn铁氧体材料的掺杂和烧结工艺进行了深入研究。首先,研究了各种杂质CaCO3、SiO2、TiO2等对功率铁氧体磁损耗的影响

28、,并对杂质的作用机理进行了研究。研究结果发现加入适量的上述杂质均可以有效降低功率铁氧体材料的磁损耗,其原因在于杂质离子在铁氧体的晶界处大量聚集,在晶界形成了1-10um厚的高电阻率晶界绝缘层,提高了铁氧体的电阻率,从而降低铁氧体的磁损耗。其次,研究了SnO2杂质对铁氧体材料的磁性能的影响,并改进了铁氧体工艺,将加入SnO2杂质时间提前,并降低预烧温度,改进后的工艺可以进一步降低MnZn铁氧体的高频损耗。其原因在于部分的Sn4+离子部分取代Fe3+离子进入铁氧体晶格,提高了铁氧体晶粒内部的电阻率;另一部分的Sn4+离子与Ca2+、Si4+、Nb5+和V5+等离子一起形成具有高电阻率晶界层,提高了

29、铁氧体晶界的电阻率,降低了铁氧体的涡流损耗。然后,研究了纳米CaCO3和SiO2对MnZn功率铁氧体材料的影响,研究结果表明加入纳米材料有助于MnZn功率铁氧体材料的晶粒均匀生长,并阻止其他杂质离子进入铁氧体材料的晶格,而在晶界层富集,形成高电阻率的晶界层,降低了铁氧体材料的涡流损耗,提高了铁氧体材料的性能。5.期刊论文张晓兵.尹涵春减小磁滞损耗的偏转磁芯设计-真空科学与技术学报2003,23(1本文通过对偏转磁芯用的铁氧体材料的磁滞损耗特性的分析,提出了通过改变偏转磁芯外表面形状以减小磁滞损耗的方法.优化计算结果表明,对于Philips 17 CMT的3C2材料5 mm壁厚的磁芯,改用椭圆外

30、表面的磁芯后,磁滞损耗降低了27.5%.6.学位论文黄爱萍锰锌铁氧体损耗、磁导率和阻抗特性及制备技术研究2006MnZn 铁氧体是现代电子工业及信息产业的基础材料。MnZn 铁氧体按应用特征可以分为三大类型:功率MnZn铁氧体、高磁导率MnZn铁氧体和抗电磁干扰(EMIMnZn 铁氧体。近年来,随着通讯技术、计算机技术的飞速发展,促使电子产品向小型化、高频化、轻量化和高性能方向发展,MnZn 铁氧体材料的发展由单一性能的纵深提高转向多项指标同时提高的横向拓展。本文将主要对功率MnZn铁氧体、高磁导率MnZn铁氧体和宽频高阻抗贫铁MnZn铁氧体的机理及技术进行研究。首先,总结分析了高性能MnZn

31、铁氧体材料的国内外发展状况、研究进展和基础理论。从亚铁磁性的奈耳分子场理论出发,在理论上计算了MnZn铁氧体的分子饱和磁矩和亚铁磁居里温度。分析了MnZn铁氧体的电磁性能与材料组分、工艺参数之间的关系。分析探讨损耗和起始磁导率等基本概念及其机理,为制备高性能MnZn铁氧体奠定理论基础。采用氧化物法制备MnZn铁氧体,研究了MnZn铁氧体的制备工艺过程,总结了MnZn铁氧体常用参数的检测方法。其次,对功率MnZn铁氧体的损耗机理、损耗分离、直流叠加特性及其制备技术进行了深入研究。根据磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗与频率的关系进行损耗分离,结果发现:100 kHz,200 mT 下材料的损耗主要由磁

32、滞损耗和涡流损耗组成,剩余损耗可以忽略不计,500 kHz,50 mT下剩余损耗不可忽略,且JPP-44材料和JPP-5材料的损耗组成有很大的不同。采用合适的原材料、主配方、预烧温度、二次砂磨的球料比和砂磨时间、适当的烧结工艺可以制备出JPP-44材料。JPP-5材料与JPP-44材料的不同主要是主配方采用高铁高锰低锌、掺杂量可以适当提高、烧结温度可以低至1160 ,晶粒尺寸小、电阻率高,涡流损耗小。在直流叠加场下,材料的磁导率称为增量磁导率,MnZn 铁氧体磁芯的增量磁导率随外加直流场的增大先略有增大而后才减小;通过适当调整主配方及掺杂可以得到直流叠加特性良好的材料;较大的B=Bs-Br是软

33、磁铁氧体磁芯具有良好的直流叠加特性的前提。然后，探讨分析了MnZn铁氧体起始磁导率的机理，并研究了起始磁导率的温度及频率稳定性、直流叠加特性和低谐波失真特性及相关制备技术。 适当添加MoO3、Bi2O3、SnO2，结合低温长时间（1365 ×9 h）烧结工艺和适当的排坯方式可以制得i>15,000 的高磁导率MnZn 铁氧体。起始磁导 率的温度特性可以通过调整主配方、Co2O3 掺杂、优化烧结工艺来改善；起始磁导率的频散与吸收特性，包括涡流损耗、尺寸共振、磁力共振、畴壁 共振及自然共振，掺Nb2O5能有效改善材料起始磁导率的频率特性。高磁导率MnZn 铁氧体的增量磁导率随直流叠

34、加场的变化规律与功率MnZn铁氧体相 同；当x(Fe2O3= 52.8 时，减少ZnO含量可以提高材料的常温增量磁导率；少量添加Co2O3、V2O5能改善材料直流叠加特性。变压器的总谐波失真特 性与磁芯的材料本征特性（磁滞常数）、磁芯的形状尺寸、变压器的设计均有密切关系。 研制低谐波失真MnZn 铁氧体最主要的目标是降低材料的磁滞常数B h 。研究了主配方、TiO2、V2O5、Co2O3、Bi2O3、Nb2O5掺杂对材料磁滞常数 的影响。 最后，研究了贫铁MnZn铁氧体的居里温度、电阻率、起始磁导率及其频散特性、阻抗特性及相关制备技术。与富铁MnZn 铁氧体相比，Fe2O3和ZnO 含量变化对

35、贫铁MnZn 铁氧体居里温度的影响相对缓慢，在富铁MnZn 铁氧体居里温度的经验计算公式的基础上，提出贫铁MnZn 铁氧体居里温度的经验 计算公式。贫铁MnZn 铁氧体的电阻率明显高于富铁MnZn 铁氧体，甚至可高达104 ·m，研究了主配方中Fe2O3含量和TiO2、SiO2、CaCO3掺杂对材料 电阻率的影响。贫铁MnZn 铁氧体起始磁导率的频散特性可用三段型频散特性模型进行模拟。磁芯的阻抗可以通过公式由磁导率实部与虚部、磁芯尺寸 、线圈匝数和频率计算出来，对于相同尺寸的磁芯，在测量线圈匝数相等的情况下，磁芯阻抗的频率特性仅与材料复数磁导率的频率特性相关。贫铁 MnZn 铁氧体几

36、乎兼具了富铁MnZn 铁氧体的低频特性和NiZn 铁氧体的高频特性，且居里温度也不低，是一种很有应用潜力的软磁铁氧体材料。 7.期刊论文 宋小沛.张怀武.杨宗宝.苏桦.SONG Xiao-pei.ZHANG Huai-wu.YANG Zong-bao.SU Hua 用于MHz频段 的镍锌功率铁氧体损耗特性 -磁性材料及器件2005,36(4 制备了缺铁、正分、过铁配方的镍锌功率铁氧体材料,分析了其损耗频率特性、损耗温度特性.发现在0.5MHz以下该材料的损耗机理主要是磁滞损 耗,在0.5MHz以上主要是磁滞后效损耗.当铁含量改变时NiZn铁氧体具有不同的最低损耗温度,一般而言正分配方具有最高的最低损耗温度,缺铁配方次 之,过铁配方具有最低的最低损耗温度. 8.会议论文 黄攀登 MnZn功率铁氧体功耗特性分析 2004 以某公司两种商品化的铁氧体材料A、B为例,探讨MnZn功率软磁铁氧体材料在高磁通密度下的功耗特性及功耗的分