阜阳年产xx个IGBT器件项目可行性研究报告-模板参考

1、CMC·泓域咨询 /阜阳年产xx个IGBT器件项目可行性研究报告阜阳年产xx个IGBT器件项目可行性研究报告xx投资管理公司目录第一章 项目绪论11一、 项目名称及建设性质11二、 项目承办单位11三、 项目定位及建设理由13四、 大力推进“三地一区”建设，促进经济社会高质量发展13五、 项目实施的可行性14六、 报告编制说明14七、 项目建设选址16八、 项目生产规模16九、 原辅材料及设备17十、 建筑物建设规模17十一、 环境影响17十二、 项目总投资及资金构成17十三、 资金筹措方案18十四、 项目预期经济效益规划目标18十五、 项目建设进度规划19主要经济指标一览表19第二

2、章 背景及必要性21一、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代21二、 加快推进长三角一体化发展，着力打造现代化区域性中心城市22三、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大23第三章 公司基本情况28一、 公司基本信息28二、 公司简介28三、 公司竞争优势29四、 公司主要财务数据31公司合并资产负债表主要数据31公司合并利润表主要数据32五、 核心人员介绍32六、 经营宗旨34七、 公司发展规划34第四章 市场预测36一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新36二、 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上40三、 模块封装为核心竞争力之一，适用于各种高电压场景

3、41第五章 产品规划方案44一、 建设规模及主要建设内容44二、 产品规划方案及生产纲领44产品规划方案一览表45三、 IGBT基本情况45四、 新能源汽车：IGBT是核心零部件，单车价值量达到上千人民币47五、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解50六、 晶圆产能持续紧缺，IGBT供不应求或延续较长时间51第六章 项目选址分析52一、 项目选址原则52二、 建设区基本情况52三、 坚定实施扩大内需战略，在服务构建新发展格局中展现更大作为55四、 坚持创新核心地位，加快建设科技成果转化聚集地56五、 坚持全面对接合作，扎实推进长三角一体化高质量发展57第七章 原辅材料及成品分析5

4、9一、 项目建设期原辅材料供应情况59二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理59第八章 建筑工程方案61一、 项目工程设计总体要求61二、 建设方案61三、 建筑工程建设指标62建筑工程投资一览表62第九章 工艺技术设计及设备选型方案64一、 企业技术研发分析64二、 项目技术工艺分析66三、 质量管理68四、 设备选型方案69主要设备购置一览表70第十章 项目环保分析71一、 编制依据71二、 建设期大气环境影响分析72三、 建设期水环境影响分析75四、 建设期固体废弃物环境影响分析75五、 建设期声环境影响分析76六、 环境管理分析76七、 结论77八、 建议77第十一章 节能方案79一、

5、 项目节能概述79二、 能源消费种类和数量分析80能耗分析一览表80三、 项目节能措施81四、 节能综合评价82第十二章 人力资源分析84一、 人力资源配置84劳动定员一览表84二、 员工技能培训84第十三章 项目规划进度87一、 项目进度安排87项目实施进度计划一览表87二、 项目实施保障措施88第十四章 劳动安全分析89一、 编制依据89二、 防范措施91三、 预期效果评价97第十五章 投资方案分析98一、 投资估算的依据和说明98二、 建设投资估算99建设投资估算表101三、 建设期利息101建设期利息估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 总投资104总投资及构成一览

6、表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十六章 经济效益及财务分析107一、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表111二、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114三、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116第十七章 项目招标及投标分析118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求119四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十八章 风险风险及应对措施122一、 项目风险分析122二、 项目

7、风险对策124第十九章 总结评价说明126第二十章 补充表格128建设投资估算表128建设期利息估算表128固定资产投资估算表129流动资金估算表130总投资及构成一览表131项目投资计划与资金筹措一览表132营业收入、税金及附加和增值税估算表133综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表135项目投资现金流量表136报告说明IGBT下游应用包含工控、家电、新能源汽车等，02020年市场规模达到454亿美元。根据Yole，2020年，全球IGBT市场规模约为54亿美元，预计将于2026年增长至84亿美元。IGBT具有多个下游应用市场

8、，主要包括工控、家电、新能源汽车、新能源发电、轨道交通等。其中，工控是IGBT最大的下游应用市场，2020年，工控在全球IGBT下游应用中占比约为31.48%、家电占比约为24.07%、EV/HEV占比约为9%。根据谨慎财务估算，项目总投资49909.76万元，其中：建设投资40416.55万元，占项目总投资的80.98%；建设期利息908.31万元，占项目总投资的1.82%；流动资金8584.90万元，占项目总投资的17.20%。项目正常运营每年营业收入97600.00万元，综合总成本费用76971.67万元，净利润15088.06万元，财务内部收益率22.85%，财务净现值22371.62

9、万元，全部投资回收期5.73年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压

10、UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。第一章 项目绪论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称阜阳年产xx个IGBT器件项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目二、 项目承办单位（一

11、）项目承办单位名称xx投资管理公司（二）项目联系人曹xx（三）项目建设单位概况公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心

12、，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内

13、在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。三、 项目定位及建设理由IGBT市场空间广阔，海外巨头占据垄断地位。据ASMC研究显示，全球IGBT市场规模预计在2022年达到60亿美元，全球IGBT市场规模在未来几年间仍将继续

14、保持稳定增长的势头。据英飞凌和斯达半导的年报数据推算，2020年我国IGBT模块达百亿级市场空间，约占全球需求量的40%。IGBT市场长期被英飞凌、富士电机等海外公司垄断，其中英飞凌占据绝对领先地位。根据英飞凌官网，2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，器件产品全球市占率32.5%，IGBT模块领域国内斯达半导是唯一进入前十的企业，市占率2.5%，IGBT器件领域国内士兰微是唯一进入前十的企业，市占率2.2%。国内产品供需缺口大，“国产替代”将是未来IGBT行业发展的主要方向。四、 大力推进“三地一区”建设，促进经济社会高质量发展突出创新核心地位，打造全省具有重要影响力的科技成果转化聚

15、集地。深入实施科教兴市、人才强市、创新驱动发展战略，到2025年，研究与试验发展经费投入强度达到1.5%以上。实施人工智能、绿色食品、生物医药和新材料等领域关键技术攻坚战，组建产业技术研究院，争取国家和省级科技重大专项、重点研发计划。进一步健全以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，推动重大科技成果在我市转化。持续优化人才发展环境，全方位培养、引进、用好人才，不断激发人才创新活力。支持阜阳师范大学等高校建设地方性、应用型、开放式高水平大学。加快发展现代产业体系，打造全省具有重要影响力的特色产业承接聚集地。深入推进产业发展五年行动计划，大力实施工业企业“13581”龙头培育工程，

16、统筹土地、金融、科技、人才等要素资源向制造业倾斜。五、 项目实施的可行性（一）长期的技术积累为项目的实施奠定了坚实基础目前，公司已具备产品大批量生产的技术条件，并已获得了下游客户的普遍认可，为项目的实施奠定了坚实的基础。（二）国家政策支持国内产业的发展近年来，我国政府出台了一系列政策鼓励、规范产业发展。在国家政策的助推下，本产业已成为我国具有国际竞争优势的战略性新兴产业，伴随着提质增效等长效机制政策的引导，本产业将进入持续健康发展的快车道，项目产品亦随之快速升级发展。六、 报告编制说明（一）报告编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项

17、目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）报告编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工

18、艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。（二） 报告主要内容按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影

19、响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。七、 项目建设选址本期项目选址位于xx园区，占地面积约100.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。八、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx个IGBT器件的生产能力。九、 原辅材料及设备（一）项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括xx、xx、xxx。（二）主要设备主要设备包括：xxx、xx等。十、 建筑物建设规模本期项目建筑面积119630.75，其中：生产工程75827.19，仓储工程24001.31，行政办公及生活服务设

20、施12848.08，公共工程6954.17。十一、 环境影响本项目的建设符合国家的产业政策，该项目建成后落实本评价要求的污染防治措施，认真履行“三同时”制度后，各项污染物均可实现达标排放，且不会降低评价区域原有环境质量功能级别。因而从环境影响的角度而言，该项目是可行的。十二、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资49909.76万元，其中：建设投资40416.55万元，占项目总投资的80.98%；建设期利息908.31万元，占项目总投资的1.82%；流动资金8584.90万元，占项目总投资的17.20%。（二

21、）建设投资构成本期项目建设投资40416.55万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用35348.05万元，工程建设其他费用4107.72万元，预备费960.78万元。十三、 资金筹措方案本期项目总投资49909.76万元，其中申请银行长期贷款18536.80万元，其余部分由企业自筹。十四、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：97600.00万元。2、综合总成本费用（TC）：76971.67万元。3、净利润（NP）：15088.06万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.73年。2、财务内部收益率：22.8

22、5%。3、财务净现值：22371.62万元。十五、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积66667.00约100.00亩1.1总建筑面积119630.751.2基底面积39333.531.3投资强度万元/亩390.452总投资万元49909.762.1建设投资万元40416.552.1.1工程费用万元35348.052.1.2其他费用万元

23、4107.722.1.3预备费万元960.782.2建设期利息万元908.312.3流动资金万元8584.903资金筹措万元49909.763.1自筹资金万元31372.963.2银行贷款万元18536.804营业收入万元97600.00正常运营年份5总成本费用万元76971.67""6利润总额万元20117.41""7净利润万元15088.06""8所得税万元5029.35""9增值税万元4257.70""10税金及附加万元510.92""11纳税总额万元9797.97&q

24、uot;"12工业增加值万元32868.73""13盈亏平衡点万元38592.30产值14回收期年5.7315内部收益率22.85%所得税后16财务净现值万元22371.62所得税后第二章 背景及必要性一、 制造工艺正从8英寸晶圆朝向12英寸升级迭代以特色工艺需要工艺与设计的积累，海外企业以MIDM为主。功率半导体主要以特色工艺为主，器件的技术迭代像逻辑、存储芯片依靠尺寸的缩小，因此特色工艺的要求更多需要行业的积累与know-how，包括工艺、产品、服务、平台等多个维度；功率器件产品性能与应用场景密切相关，导致平台多、产品类型多，因此更注重工艺的成熟度和稳定性，工

25、艺平台的多样性。在这样的背景下，由于IDM可以按需生产不同电性功能的功率器件，加速技术及应用积累，在深度及广度上覆盖客户不同的需求，因此IGBT海外的企业大多的生产模式以IDM为主，国内相比海外发展较晚，因此催生出Fabless找代工厂生产的模式，专业化分工加速对海外的追赶。代表IDM型IGBT厂商包括英飞凌、瑞萨、Vishay、罗姆、安森美、富士电机、士兰微、华微电子等；Fabless型IGBT厂商包括斯达半导、新洁能、宏微科技等。IGBT代工厂则包括高塔、华虹、东部高科等厂商。IGBT主要采用成熟制程，目前生产大多以以88英寸晶圆为主。IGBT产品对产线工艺依赖性较强，目前国际IGBT大厂

26、主要采用8英寸生产线。为进一步提升产品性能与可靠性，IGBT制造厂正积极布局可用于12英寸晶圆的相关工艺。英飞凌作为IGBT龙头企业，已于2018年推出以12英寸晶圆生产的IGBT器件。同时，斯达半导12英寸IGBT产能也已实现量产。未来，随着各家IGBT厂商工艺的进步，IGBT产品也将转向12英寸晶圆，并采用更先进的制程。IGBT需求增长扩厂计划持续推进，朝向300mm（12英寸）晶圆发展。英飞凌2021年9月公告其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营，随着数字化和电气化进程的加快，公司预计未来几年全球对功率半导体器件的需求将持续增长，因此当前正是新增产能的最好时

27、机。2021年3月东芝公告准备开工建设300mm晶圆制造厂，由于功率器件是控制和降低汽车、工业和其他电气设备功耗的重要部件，公司预计电动汽车、工厂自动化和可再生能源领域的增长将继续推动功率器件的需求增长。2020年12月士兰微12英寸芯片生产线项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营，第一条12英寸产线，总投资70亿元，工艺线宽90纳米，计划月产8万片。本次投产的产线就是其中的一期项目，总投资50亿元，规划月产能4万片；项目二期将继续投资20亿元，规划新增月产能4万片。第二条12英寸生产线预计总投资100亿元，将建设工艺线宽65纳米至90纳米的12英寸特色工艺芯片生产线。二、 加快推进长三

28、角一体化发展，着力打造现代化区域性中心城市紧扣一体化、高质量，加强与长三角中心区理念、机制、项目对接，深化与中原城市群高效互动，协同推进淮河生态经济带建设，打造带动皖北、支撑中原城市群发展的重要增长极，加快建设长三角一体化区域重点城市。构建“一核三区”优势产业发展格局，主动参与产业分工协作，用足国家24条支持政策，支持阜合现代产业园区（阜阳经开区）省级试验区建设，打造“17”承接产业转移平台体系，高水平建设皖北承接产业转移集聚区。加快构建市域“三纵四横”高速路网，谋划实施阜城至5县（市）第二快速通道及连接周边市县重大交通项目，推动“米”字型高铁网及城市轨道交通建设，加快现代能源、水治理体系建设

29、，提升基础设施互联互通水平。深入实施基地建设“116”行动计划，高质量建设长三角绿色农产品生产加工供应基地。建立健全合作对接机制，深化与合肥市的结对合作，加强与上海市徐汇区、松江区等中心区城市战略合作。统筹推进基本公共服务便利共享，强化社会事业领域协同，加强全面链接合作。三、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以分为HEV（混合电动汽车）、PHEV（插电式混合电动汽车）、BEV（纯电动汽车）。其中，HEV是最常见的混合动力类型，它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大，由较长的

30、纯电续航里程，且有充电接口，一般需要专用的供电桩进行供电，在电能充足的时候，采用电动机驱动车辆，而电能不足时，发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机，只需要依靠电池提供能量，所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的双碳计划，BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球，02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-volumes公布的数据，2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆，2020年达到324万辆，2014-2020年复合增长率为47%；根据中国汽车工业协会公布的数据，2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆，2

31、020年达到136.7万辆，2014-2020年复合增长率为62%；整体来看全球与中国新能源汽车销量皆快速增长，且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展，新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标，可能性路径包括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标，新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段，新能源汽车的碳减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比，单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低，新能源电力使用比例提高，新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍，

32、全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volumes预测，2021年全球新能源汽车销量预计达到640万，相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复，同比增长28%。2021年上半年部分地区新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长，欧洲同比增长157%，中国同比增长197%，美国同比增长166%，其余市场同比增长达到95%；除日本外，所有主要市场在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出，新能源汽

33、车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右；此外中汽协预测2025年中国汽车销量或到3000万辆，根据保守线性推算，我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆，年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均增速40%以上的预测，2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、AutomotiveGroup等多家机构测算，2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元，相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元，单车半导体价值量翻倍成长；相较于48V轻混合车，单车半导体价值量增加4

34、5.8%。预计2025年，48V轻混车、FHEV/PHEV/BEV销量分别将达到1880万辆、2100万辆，基于2020年单车半导体BOM静态测算，2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加，保守估计52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展，半导体在单车上的整体价值也越来越高，根据Gartner预测的数据，2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元，根据前四年的年复合增长率预测，预计2025年达到1046美元，中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量，经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有

35、望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产化率仅10%，前八大欧美日企业占整体市场的63%。根据ICVTank数据，2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司，包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等，占整体市场规模的63%。从自主汽车芯片产业规模来看，欧美日占据整体市场的93%，欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额；中国公司仅为3%，根据中国汽车芯片产业创新战略联盟数据显示，国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%，国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断，并且具备90%的替代空间。第三章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx投资管理公司2、法定代

36、表人：曹xx3、注册资本：1290万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-3-157、营业期限：2011-3-15至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管

37、理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享

38、，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能

39、环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公

40、司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，

41、能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额18504.4814803.5813878.36负债总额8105.616484.496079.21股东权益合计10398.878319.107799.15公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入50518.8740415.1037889.15营业利润10308.098246.477731.07利润总额8971.867177.496728.90净利润6728.90524

42、8.544844.81归属于母公司所有者的净利润6728.905248.544844.81五、 核心人员介绍1、曹xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。2、孔xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、戴xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006

43、年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。4、任xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。5、尹xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。6

44、、尹xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。7、韦xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、汤xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。六、 经营宗旨公司经营

45、国际化，股东回报最大化。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务

46、的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第四章 市场预测一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，Insulat

47、edGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又

48、有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技

49、术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第1

50、5年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频

51、率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC

52、-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许

53、这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷

54、却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在

55、缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在

56、SiC领域布局。二、 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上根据英飞凌年报，2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，斯达半导2.5%，英飞凌IGBT器件产品市占率32.5%，士兰微2.2%。2019年斯达半导IGBT模块营业收入7.6亿元，士兰微IGBT器件营业收入约1亿元，由此可推算2019年全球IGBT模块市场规模约300亿元，IGBT器件市场规模约45亿元。根据ASMC研究显示，全球IGBT市场规模预计在2022年达到60亿美元，全球IGBT市场规模在未来几年时间仍将继续保持稳定增长的势头。根据中国产业信息网和头豹研究院数据整理，2014年，我国IGBT行业市场规模为79.8亿元，预测到2020年，我国IGBT行业将实现197.7亿元的收入，年复合增长率达16.32%。预计到2023年中国IGBT行业整体市场规模有望达到290.8亿元，市场前景广阔。根据Y