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文档简介
1、1.材料是由物质构成的,因而物质就是材料。 V XX2.3.(A)(B)(C)(D)C材料是指用来制造某些有形物体的基本物质。V X V按照化学组成,可以把材料分为三种基本类型 金属材料、硅酸盐、有机高分子材料 陶瓷材料、高分子材料、钢铁 有机高分子材料、金属材料、无机非金属材料 有机材料、无机非金属材料、金属材料4. 在四个量子数中,X5. 在四个量子数中,X6. 在四个量子数中,V7. 在四个量子数中, 对称性。Vms是确定体系角动量在磁场方向的分量(ml)。mi决定电子自旋的方向(ms)。n是第一量子数,它决定体系的能量。l是第二量子数,它决定体系角动量和电子几率分布的空间&原子
2、中每个电子必须有独自一组四个量子数。n,l,ml,msV9. 泡利不相容原理、能量最低原则和洪特规则 是电子在原子轨道中排列必须遵 循的三个基本原则。V10. Na原子中11个电子的填充方式为1s22s共价键中两个成键电子的自旋方向必须相反。V 元素的电负性是指元素的原子在化合物中把电子引向自己的能力。2p53s2。1s22s22p63s1X11. 按照方框图,N原子中5个价电子的填充方式为rm itJif丨2p2sX12. Cu原子的价电子数是_3_。X13. S原子的价电子数是5个。X1. 晶体物质的共同特点是都具有金属键。X2 .金属键既无方向性,也无饱和性。5.6.7.8.9.V 两元
3、素的电负性相等或接近,易形成离子键,不易形成共价键。X 两元素的电负性差较大,易形成离子键,不易形成共价键。V 离子键的基本特点是以离子而不是以原子为结合单元 。V 范德华力既无方向性亦无饱和性,氢键有方向性但无饱和性。X 范德华力既无方向性亦无饱和性,氢键有方向性和饱和性 。V10. 绝大多数金属均以金属键方式结合,它的基本特点是X 11共价键既有饱和性又有方向性。V 12两种元素电负性差值决定了混合键合中离子键的比例。V 13范德华力包括取向力、色散力和氢键三种类型。 VX14原子的基本键合中不一定存在着电子交换。 V XX15氢键具有方向性,但无饱和性。 V XX16.三种基本键合的结合
4、强弱顺序为金属键离子键共价键。V XX 17金属键是由众多原子最(及次)外层电子释放而形成的电子气形成的, 具有最高的键能。 V XX 1随着两个原子间距离减小,相互间的吸引力下降,排斥力增加。X 2两个原子处于平衡间距时, 键能最大, 能量最高。 V XX 3同一周期中,原子共价半径随价电子数的增加而增加。VX(C-0.771, N-0.70, O-0.66, F-0.64)4同一族中,原子共价半径随价电子到原子核的距离增加而减小。X 5正离子的半径随离子价数的增加而减小。V6. 原子半径大小与其在晶体中配位数无关。X电子共有化。VXVXVX因而7. 所谓原子间的平衡距离或原子的平衡位置是吸
5、引力与排斥力的合力最小的位 置。V XX8. 共价键是由两个 或多个 电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。V XV ? X (只能是两个原子间)9离子化合物的配位数取决于离子最有效的堆积。V XX10.在氧化物中,02-的配位数主要有4、6 12三种类型。V XX11金属原子的配位数越大, 近邻的原子数越多, 相互作用越强, 原子半径越小。VXX12金属原子半径随配位数增加而增加。V13. 金属半径是原子间平衡间距的一半。A1当中心原子的杂化轨道为 sp3dx2 时, (A )四方锥形(B)三方双锥形BVX(A) V, (B) X, (C), (D)其配位原子的空间排列为(C)
6、八面体形2. 原子轨道杂化形成杂化轨道后,其 轨道数目、 空间分布和能级状态均发生改 变。 V XX3. 杂化轨道是原子不同轨道线性组合后的新原子轨道,而分子轨道则是不同原 子轨道线性组合成的新轨道。 V XV4. S轨道是由两个d轨道线性组合而成,它们是(A) dx2、 dx2(B) dx2-y2、 dx2-y2(C) dxy、 dxyB5. 费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述。V XX(T = 0K 时)6. 费米能级是,在T= 0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。 V XX7. 按照费米分布函数,T工0时,f (E)= 1/2(A) E= Ef(
7、 B) EV Ef(C) E> EfA8. 在固体的能带理论中,能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽,取决于聚集的原子数目。 V XXV ?X10. 价带未填满( A)B11. 满带与空带重叠C9. 能带是许多原子聚集体中, 由许多原子轨道组成的近似连续的能级带。 V X (原子轨道裂分的分子轨道)(A)绝缘体,(B)半导体,(C)导体,(D)绝缘体,(B)导体,(C)半导体,(D)12. 满带与空带不重叠 (A)绝缘体,(B)导体,(C)半导体,(D)A,C13. 能带宽度与原子数目无关,仅取决于原子间距,间距大,带宽大。 V,(B)X,(C),(D)B(A) V, (B) X ,
8、14. 原子数目越多,分裂成的能带宽度越大。B15. 能带宽度与原子数目无关,仅取决于原子间距,间距小,带宽大。 V,(B)X,(C),(D)AI. 具有一定有序结构的固态物质就是晶体。X同一晶面族的晶面形状相同,面上原子密度相同,彼此相互平行。X在实际应用的工业金属中都存在各向异性。XVX2.3.VX4.空间点阵相同的晶体,它们的晶体结构不一定相同。V5.空间点阵有14种,它们每个点阵都代表一个原子。X6.7.8.9.如果空间点阵中的每一个阵点只代表一个原子时,则空间点阵与晶体点阵是 同一概念。V XV 由液态转变为固态的过程称为凝固亦称结晶 oX 在立方晶系中点阵(晶格)常数通常是指 oa
9、)最近的原子间距,(B)晶胞棱边的长度,B空间点阵中每个阵点周围具有等同的环境。VVX(C)棱边之间的夹角VX10. 空间点阵只可能有中型式。(A)12,(B)14,(C)16,( D)18B个晶系。(A) 5, ( B) 6, (C) 7, (D) 8II. 空间点阵结构中只可能划分出C12. 晶格常数常用 表示。(A) a,b,c; (B) a , 3,丫; (C) a,b,c和 a , B,丫;(D)都不是Co (A)配位数,(B)致密度,(C)点13. 晶胞中原子占有的体积分数称为 阵常数,(D )晶格常数B1. fcc 密排面的堆垛顺序是 _o(A)A BA B,(B)A BCD,(
10、C)A BCA C2. fcc 结构的致密度为 _o(A)0.62,(B)0.68,(C)0.74,(D)0.823.4.5.6.Cfee 结构的配位数是 _。(A)6,(B)8,(C)10,(D)12Dfee 晶胞中原子数为 _。(A)6,(B)4,(C)3,(D)2Bfee 晶胞中原子的半径是 。(A)21/2 a / 2, (B)21/2 a / 4,B1/2C)31/2 a / 2,1/2D)31/2 a / 4以原子半径R为单位,fee晶体的点阵常数a是。(A)2 (2)1/2 R, (B)4 (2)1/2 R,(C)4 (3)1/2 R,Abee结构的致密度为_。(A)0.62,(
11、B)0.68,(C)0.74,(D)B bee结构的配位数是_。(A)6,(B)8,(C)10,(D)12Bbee晶胞中原子数为。( A) 6,(B) 4,(C) 3,(D)2D10. bee晶胞中原子的半径是_。(A)21/2 a / 2,(B)21/2 a / 4,C11. 以原子半径R为单位,bee晶体的点阵常数D)4 (3)1/2 R / 37.8.9.0.82C)31/2 a / 4,C)4 (3)1/2 R/2,D)31/2 a / 2(A)2 (2)1/2 R, (B)4 (2)1/2 R, D12. hep密排面的堆垛顺序是 。(A)A BA B,(B)A BCD ,(C) A
12、13. hep结构的致密度为_。(A)0.82,(B)0.74,(C) B14. hep 结构的配位数是 _。(A)12,(B)10,(C)8,A15. hep晶胞中原子数为。(A)3,(B)4,(C)5,D16. 在体心立方晶胞中,体心原子的坐标是(A)1/2,1/2,0;(B)1/2,0,1/2; (C)(D)0,1/2,1/2C17. 在 fee 晶胞中,八面体间隙中心的坐标是 。(A)1/2,1/2,0;(B)1/2,0,1/2; (C)D)4R / (3)1/2A BCA0.68,D)6D)6D)0.621/2,1/2,1/2;0,1/2,1/2;(D) 1/2, 1/2, 1/2
13、D18.每个面心立方晶胞有14个原子。X19.密排六方晶胞共有十七个原子。ABC面的指数是。1.X下图为简单立方点阵晶胞,其中2.3.下图为简单立方点阵晶胞,其中ABCD面的指数是。下图为简单立方点阵晶胞,AD的晶向指数是,(B) 110, (C) 101, (D) 0114. 下图为简单立方点阵晶胞,A B的晶向指数是11(A) 111, (B) 100, (C)101 , (D) 0015. 下图为简单立方点阵晶胞,A C的晶向指数是。C(A) 111, (B) 110, (C) 101, (D) 0106. 在下图的简单立方晶胞中,指数为(0 1 -1 )的晶面是(C) ACE, ( D
14、) CHF(A) ADE , (B) CDE ,=CEG (F为原点),以F为原点若X轴为FB,贝U C正确。7.在下图的简单立方晶胞中,指数为(1 1 -1 )的晶面是(A) AFD , (B) ACH ,(C) ACE , ( D) CHE BEGB 乘负号(-1,-1,1),(1, 1, -1),原点为 F,原点为D,由于是晶面族,X轴方向变,可BEG8.在下图的简单立方晶胞中,,的晶向指数为1 1-1。(A) AF, ( B) HA ,(C) CE, (D) FD的晶向指数为1 - 0。HA(C) CE, (D) GEF为原点可?9.在下图的简单立方晶胞中,(A) BG , ( B)
15、CH ,A X,(HA H为原点, 也可是GB, G点为原点,A点坐标为1, -1, 0)B点坐标为1, -1, 0 )10. 在简单立方晶胞中画出的(1-2 1)晶面为x(A) BGN , ( B) BEM , (C) CFM , (D) AFNC11. 在简单立方晶胞中画出的2 2 -1晶向为xBT(A) OS, (B) BR, (C) OR, (D) GSB12. 在简单立方晶胞中画出的2 1 0晶向为(A)13. 在简单立方晶胞中画出的0 2 -1晶向为(A)BR,( B) BS,( C) BQ,(D)BTD14. 画出立方晶胞中具有下列指数(111)的晶面和指数111的晶向,可以发现
16、 它们彼此。(A)平行,(B)垂直,(C)既不平行也不垂直,(D)B15. 晶面指数通常用晶面在晶轴上截距的互质整数比来表示。X改正:晶面在晶轴上截距倒数的互质整数比16. 晶面指数较高的晶面通常具有 的原子密度排列。(A)较高,(B)较低,(C)居中1.B 原子排列最密的晶面,其面间距 。a)最小, (B)最大, (C)居中B2.3.4.5.6.在fee和bee结构中,一切相邻的平行晶面间的距离可用公式: d = a /(h2+k2+l2)1/2V XX2 2 2 1/2 .晶面间距公式d=a/(h +k+l )适用于的一切晶面(h, k, l为密勒指数)。(A)立方晶系所包含的三种点阵,(
17、B)立方和四方所包含的各种点 阵,(C)简单立方点阵C若在晶格常数相同的条件下体心立方晶格的致密度V XX面心立方与密排六方晶体结构,其致密度、配位数、间隙大小都是相同的 密排面上的堆垛顺序也是相同的。V XX在下列堆积方式中,属于最紧密堆积的是 。(A)体心立方,(B)面心立方,(C)简单立方,(D)B,原子半径都最小。7. 在下列堆积方式中,属于最紧密堆积的是 。( A) 简单立方, ( B) 体心立方, ( C) 密排六方, ( D) C8. 氯化钠具有面心立方结构,其晶胞分子数是 。(A)5 ,(B) 6 , (C) 4 , (D) 8 C9. Al为面心立方结构,其点阵常数为 0.4
18、049nm,其晶胞中原子体积是_ (A)0.04912 nm3, ( B) 0.06638 nm3, (C)0.04514 nm3, (D)0.05032 nm3A10. Al的点阵常数为0.4049nm,其晶胞中原子体积是0.04912 nm3,其结构为 (A)密排六方,(B)体心立方,(C)面心立方,(D)简单立方C11. Al为面心立方结构,晶胞中原子体积是0.04912 nm3,其点阵常数为_(A)0.3825 nm, (B)0.6634 nm, (C) 0.4523 nm, (D) 0.4049nmD1. 面心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为 。(A)4, (B)8,(C)2,(D)
19、1A2. 面心立方结构每个晶胞中四面体间隙数为 。(A)2, (B)4,(C)6,(D)8D3. 面心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为(A)4, (B)3,(C)2,(D)1D4. 面心立方结构每个原子平均形成的四面体间隙数为(A)4, (B)3,(C)2,(D)C0125. 体心立方结构每个晶胞中八面体间隙数为(A)4, (B)6,(C)8,(D)B0126. 体心立方结构每个晶胞中四面体间隙数为(A)4, (B)6,(C)8,(D)D7. 体心立方结构每个原子平均形成的八面体间隙数为(A)1, (B)2,(C)3,(D)4C8. 体心立方结构每个原子平均形成的四面体间隙数为(A)4
20、, (B)6,(C)8,(D)B9. 每一个面心立方晶胞中有八面体间隙 (A)m=4, n=8, (B) m=6, n=8,A10. 每一个体心立方晶胞中有八面体间隙 (A)m=4, n=8, (B) m=6, n=8,C12m 个,四面体间隙 n 个,其中:(C)m 个,(C)m=2, n=4 ( D) m=4, n=12四面体间隙 n 个,其中: m=6, n=12 (D) m=8,n=1211. Fee和bee结构中的八面体间隙均为正八面体。V XX 12.面心立方结构的总间隙体积比体心立方小。V13.等径球最紧密堆积时,四面体空隙的体积 _( A) 大于, ( B) 等于, ( C)
21、小于, ( D)C 二元相图中三相平衡时温度恒定,而平衡三相成分可变。 V XX 在二元相图中,LTS1+ S2叫专变。(A)共晶,(B)共析,(C)包晶A在二元相图中,S- S1+ S2称为变。(A)共晶,(B)共析,(C)包晶B 在二元相图中,S L+ Si称为变。(A)共晶,(B)共析,(C)包晶C共晶线代表共晶反应温度其物理意义是(A)(B)八面体空隙的体积。1.2.3.4.5.6.7.8.9.0无论何种成分的液相冷却至共晶温度就发生共晶反应 , 无论何种成分的液相冷却至共晶温度时, 如剩余的液相具有共晶成分 就发生共晶反应 , ?表达不确切 无论何种成分的液相冷却至共晶温度时, 全部
22、会变成具有共晶成分的 液相而发生共晶反应B X A共晶反应发生在三相平衡的水平线上 , 可利用杠杆定理计算相组成物与组织 组成物相对量,所以杠杆定理也可以在 三相平衡区使用。V X共晶反应发 生在三相平衡点,不能用 .V ?X根据相律,二元系三相平衡时自由度为 0,即表明三相反应是在恒温下进行 , 三个平衡相的成分也是相同的,不可改变。V XV 所谓相,即是系统中具有均匀成份而且性质相同并与其他部分有界面分开的 部分。V XV 在界面两侧性质发生突然变化的是两个不同的相,否则是同一相。V10. 用杠杆规则进行过程量的计算,得到的是 。(A) 累积量 ( B) 瞬时量 ( C) ( D)A11.
23、 等压条件下,二元合金中最大平衡相数为V3。VX12. 二元合金处于单相平衡时,自由度为 2,这就是说温度变化时,成份随之变 化。 V XX13. 在热力学平衡条件下,二元凝聚系统最多可以 3 相平衡共存,它们是一个固相、一个液相和一个气相。 V XX 改正:两个固相和一个液相。14. 相数即为系统内性质相同且均匀的部分的种类数。(D)A15. 自由度数是指相平衡系统中可独立改变而不引起相变的变量数。X,(C),(D)? A 在一定范围内改变,故 B(A) V,(A) V, (B)点缺陷表现有两种类型:(A )置换原子、晶格间隙;(B)子;(C)空位、晶格间隙B晶体中存在着许多点缺陷,例如 粒
24、子,(C)空位C柏格斯矢量是位错的符号,它代表 。(A)位错线的方向 线的运动方向,(C)晶体的滑移方向B XC,应为C实际金属中都存在着点缺陷 , 即使在热力学平衡状态下也是如此。V柏格斯矢量就是滑移矢量。V 位错线的运动方向总是垂直于位错线。V ? 该题有问题空间点阵有14种,它们每个点阵都代表一个原子。X刃型位错线与其柏氏矢量平行,且其运动方向垂直于该柏氏矢量, 线与其柏氏矢量垂直,且运动方向平行于该柏氏矢量。 VX刃型位错的柏氏矢量与位错线平行,螺型位错的柏氏矢量与位错线垂直。V XX10. 晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而(A) 增加, (B) 不变, (C) 降低,A11. 属于
25、晶体中的热缺陷有 。(A) 空位,1.2.3.4.5.6.7.8.9.空位、间隙原.。(A)被激发的电子,(B)沉淀相口号,VXV X去掉(D)(B)位错VX(B) 非化学计量缺陷,(C) 杂质缺陷, (D)12. 替代式固溶体中,X13. 间隙式固溶体中,V1. 扩散是原子在固体物质内部无规的运动产生定向迁移的过程。?Xd 溶质d溶质/d溶剂 > 0.59。VVX2. 扩散的推动力是浓度梯度,所有扩散系统中,物质都是由高浓度处向低浓度 处扩散。 V X3.4.5.6.7.8.X改正:扩散也可以从低浓度向高浓度进行。 (从自由能考虑 )扩散系数一般表示为 D=0Exp(-Q/RT),显然
26、扩散激活能与扩散系数呈正比,Q 值愈大,D值愈大。 V X? X不是正比最常见的扩散机理是 。(A)间隙扩散,(B)空位扩散,(C)易位扩散,(D)B一般说来,扩散系数越大扩散通量也越大。V XX ?V还有浓度差,(按照Fick第一定律,该表述应是正确的) 菲克第一定律只适用于稳态扩散,而菲克第二定律 只适用于非稳态扩散。 VXX ? V (按照教材的内容,该表述应是正确的) 稳态扩散就是指扩散通量不随时间变化仅随距离变化的扩散。 VXX扩散通量是指单位时间通过任意单位面积的物质量。X金属的自扩散的激活能应等于 。(A)空位的形成能与迁移能的总和, 空位的形成能,(C)空位的迁移能A10. 伴
27、有浓度变化的扩散或者说与溶质浓度梯度有关的扩散被称为是 (A)反应扩散,(B)互扩散,(C)自扩散B ?确实有问题,题目的目的不明确。 去掉11. 在扩散过程中,原子的流量直接正比于 。(A)温度,(B)浓度梯度,(C)时间B12. 原子越过能垒的激活能为Q,则扩散速率。(A)随Q增加而减小,(B)随Q增加而增加,(C)与Q无关 A13. 当液体与固体的真实接触角大于 容易, ( B) 不易, (C) ,B14. 当液体与固体的真实接触角小于容易, (B) 不易, (C),A由于粗糙度涉及到,未讲,建议去掉15. 温度升高,熔体的表面张力一般将(A)不变,(B)减少,(C)增加,B16. 液体
28、与固体的接触角大于B17. 液体与固体的接触角小于A9.B)1. Percent ionic character90°。90°。90 度时,粗糙度愈大,就愈润湿。(D)90 度时,粗糙度愈大,就愈润湿。(D)0( D)A)(A)(A)润湿,(B)不润湿,(C), ( D)(A)润湿,(B)不润湿,(C), ( D)(A)离子的特点,(B)键的离子性结合比2.3.4.例,(C),(D)BEnergy BandCValence band 带,( D)A, CUnit Cel lAsolid solution(A)能级,(B)能隙,(C)能带,(D)(A)价带,(B)能带,(C)
29、价电子能级展宽成的能晶胞,(B)单位矢量,(C), (D)(A)固溶体,(B)杂质原子等均匀分布于基质晶体的固体,(C)固体溶解液,(D) A,B?5.Io nic Bo nd( A)共价键,(B )次价键,(C)离子键,(D)氢键C6.7.Covale nt Bond( A)氢键,(B )离子键,(C)次价键,(D)共价键DEquilibrium Spacing ( A )平衡力, ( B )平衡间距, ( C )原子间斥力和引 力相等的距离,(D) B,CCoordination Number( A)配位数,(B)原子具有的第一邻近原子数,(C)价电子数,(D) A,BAtomic Pac
30、king Factor(A) 晶胞内原子总体积与晶胞体积之比,(B)原子体积(C)致密度,(D) 原子堆积因子 A,C,DDirectio nal In dices( A)点阵,(B)晶体方向,(C)晶向指数,(D)晶向CMiller in dices( A)晶向指数,(B)晶面指数,(C)密勒指数,(D) B,Cinterplanar spacing(A)晶面8组中最近两晶面间的距离,(B)晶面指数,(C)原子间距,(D)晶面间距D (A)面心立方,(B)密排六方,(C)体心立方,(D) A( A)面心立方,(B)密排六方,(C)体心立方,(D) C(A)面心立方,(B)密排六方,(C)体心
31、立方,(D) BPoint Defect (A)点阵,(B)体缺陷,(C)面缺陷,(D)点缺陷 Din terfacial Defects( A)位错,(B )点缺陷,(C) 面缺陷,(D)体缺陷CEdge Dislocation (A)螺旋位错,(B)刃位 错,(C)点缺陷,(D)BScrew Dislocation (A )棱位错,(B)刃位错,(C)螺旋位错,(D) CInterstitial position(A)间隙,(B)空位,(C)空隙,(D)空洞A9. vacancy(A)空洞,(B)空位,(C)空隙,(D)间隙Bself-diffusio n(A )互扩散,(B )自扩散,(
32、C)慢扩散,(D)Bin terdiffusi on(A )互扩散,(B )自扩散,(C)慢扩散,(D)ADiffusion Coefficient(A)扩散作用,(B)扩散通量,(C)扩散系数,(D)扩散通道C(A)扩散作用,(B)扩散通量,(C)扩散系数,(D)扩10. Diffusion Flux散能, B11. Contact Angle(A)三相交界处,自固液界面经气体至液气界面的夹角,(B)三相交界处,自固液界面经固体内部至液气界面的夹角,(C)三相交界 处,自固液界面经液体内部至液气界面的夹角,(D)接触角C, D1体心立方金属晶体具有良好的塑性和韧性。 VX2面心立方金属晶体具
33、有较高的强度、硬度和熔点。X3CuZn 合金为电子化合物,其电子浓度(价电子数 ( A) 21/14( B )21/13( C) 21/12AVX/原子数)为56铁素体是碳溶解在丫铁中的固溶体,X奥氏体是碳溶解在丫铁中的固溶体,V ? X(C% < 2%。)C%< 0.02%。V XC%< 0.2%。V X4铁碳合金有六种组织结构, 它们是7珠光体是由铁素体和渗碳体组成的共析混合物。 V XV8渗碳体是铁和碳的化合物,Fe/C= 2/1。V XX9从图3-47可以知道,共析钢在1420C时的组织结构是(A)奥氏体+铁素体(B)奥氏体+液体 (C)铁素体+液体B 10钢是碳含量
34、低于 2%的铁碳合金。 V XV 11铝和紫铜都是面心立方晶体结构。V XV12非晶态合金 TTT 曲线的右侧为晶体结构区域。 V XV 13在再结晶过程中,晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长而长大。VXV14当金属材料的塑性变形度大于 10%时,再结晶所形成的是细晶粒。 V XV 15共析钢中的碳含量为(A) 0.02180.77%(B) 0.77%(C) 0.772.11%(D) 6.67%_,小晶粒 。( B) 变小、长大; (C) 长大、变小; (D) 去掉CX B 为 B16. 二次再结晶是大晶粒(A) 长大、长大;A ?有问题,1在离子晶体中,当正负离子半径比值在 0.225
35、0.414的范围内时,形成(A)四面体配位(B)八面体配位(C)平面三角形配位(D)立方体配位A2. 在离子晶体中,当正负离子半径比值在 0.7321.0的范围内时,形成(C)简单立方或面心立方配(A)简单立方配位(B)面心立方配位位C X A (在等电荷时,面心立方离子晶体的正负离子为八面体配位, 半径比是 0.414-0.732)间隙中。3. 面心立方ZnS中的Zn原子位于由S原子构成的_(A)八面体(B)四面体(C)立方体B 4单晶硅为立方晶胞的共价晶体,每个晶胞中共有硅原子(A) 6 个(B) 8 个 (C) 4 个A X B,是 B5. 面心立方ZnS晶胞中的Zn原子和S原子数量分别
36、为(A) 4 和 4( B) 14 和 4(C) 8 和 4A6. 钙钛矿晶体CaTiO3属于立方晶系,Ca2+的配位数是12°V XV7. 尖晶石晶体属于立方晶系,每个单位晶胞由相同体系的4个A块和4个B块所构成,共有32个八面体间隙和64个四面体间隙。V XV8. 硅酸盐晶体是由 SiO44- 四面体两两共顶相连而成,有 5 种排列方式,其中在层状结构中,每个 SiO44- 四面体的桥氧原子数为(A)2(B)1(C)3(D)4C9. 石墨、金刚石、富勒烯和巴基管均为碳同素异构体,具有相同的晶体结构。VXX10. 单晶硅和金刚石具有完全相同的晶体结构。V XV11. 玻璃是各向同性
37、的固体。V12. 绝大多数芳杂环聚合物都是杂链聚合物。 V XV13. 与聚乙烯相似,聚四氟乙烯的结晶链也是平面锯齿形。 VX14. 聚乙烯晶体属于体心立方晶系。 V XX15. 聚合物晶体都是半晶结构。X1. Ferrite234A)Beutectoid steelBNon-iron metalCrecrystalliny渗碳体(B)铁素体(C)奥氏体亚共析钢(B)共析钢(A)非金属(A)再结晶(B)铁合金(B)结晶(C)(D)珠光体过共析钢(C)非铁合金多晶体5渗碳体A(A )austenite ( B )ferriteCC)cementiteD)pearlitic6、陶瓷B7amorph
38、ousB8. morphologycarbon (B)ceramicsC)fullerenesD)gel(a)晶体(A)组成B9构型(A) conformationcompositionBorientationA10(A)取向(b)非晶体(c)固溶体(B)形态(C)形状(D)形式B)configuration ( C) morphology (D)(B)拉伸(C)结晶 (D)交联aggregation structure交联结构Asyndiotactic(C13嵌段共聚物 (A)random (B)blockB14screwy conformation(伸直链构象B复合材料基体和增强相的化学成
39、分不能完全相同。(X)天然复合材料是现代复合材料的重要分支。(X)基体相与增强相化学和物理性质差异愈大,愈具复合价值。(V)复合材料中增强相的模量一定高于基体相的模量。(X)复合材料有三种增强方式:粒子增强,纤维增强和结构增强。( X ) ? V 蜂窝夹层复合材料属于结构增强。(V)复合材料所有的复合效应都是通过界面相实现的。V)复合材料的界面相可以薄到单分子层。11121.2.3.4.5.6.7.(A)聚集态结构(B)分子链结构(C)(A)全同结构(B)无规结构(C)间同结构copolymer(C)graft (D)(A)平面锯齿形构象alternating螺旋形构象(C)9.1.2.3.4
40、.5.6.7.8.(X ) 复合材料的界面区至少包括:基体表面层、增强表面层和基体 / 增强体界面层 三个部分。V X(V )Valence band 价带;价电子能级展宽成的带 ; 位错线的运动方向总是垂直垂直于位错线。 正确 费米能级是,在 T=0K 时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全 满,以上能级全空。 正确以原子半径R为单位,fee晶体的点阵常数a是2 (2) 1/2R fee金属晶体具有较高的强度、硬度和熔点。晶体物质的共同特点是都具有金属键。错误错误9.10.在界面两侧性质发生突然变化的是两个不同的相,否则是同一相。正确石墨、富勒烯、巴基管和金刚石都是碳的同素异形体,
41、均有相同的晶体结构。错误 钢是含碳量低于 2%的碳铁合金。正确绝大多数的金属均以金属键的方式结合,它的基本特点是电子共有化。确APF 是 致密度;晶胞内原子总体积与晶胞体积之比;原子堆积因子。11.12. 价带未填满 是 导体。13. 每一个bee晶胞,八面体间隙6个,四面体间隙12个。14. 金属原子的配位数越大,邻近的原子数越多,相互作用越强,原子半径越小。 错误 扩散系数一般表示为D=D。Exp(-Q/RT),显然扩散激活能与扩散激系数成正比,Q值越大,D值越大。错误在四个量子数中,ms是确定体系角动量在磁场方向的分量。 立方晶胞中,晶面指数( 111)和晶向指数【 111】 氯化钠是面
42、心立方结构,其晶胞分子数是 4 。 由液态转变为固态的过程称为凝固,亦称结晶。 同一周期中原子共价半径随电子数的增加而增加。bee结构的配位数是8。15.16.17.18.19.20.21.错误是垂直的。错误错误22. 元素的电负性是指元素的原子在化合物中把电子引向自己的能力。23. 满带与空带重叠是 半导体。24. eovalent bond 是指共价键。25. 尖晶石晶体属于立方晶系,每个单位晶胞由相同体系的块所构成,共有 32 个八面体间隙和 64 个四面体间隙。26. diffusion flux 是指扩散通量。正确4 个 A 块和 4个 B正确27. 当液体与固体的真实接触角大于 9
43、0度时,粗糙度愈大,就愈 不易润湿。28. 刃型位错的柏氏矢量与位错线平行,螺旋型位错的柏氏矢量与位错线垂直。错误29. 珠光体是由铁素体和渗碳体组成的共析混合物。30. interfaeial defeets 是指面缺陷。正确31. 随着两原子间距减小,相互间的吸引力下降,排斥力增加。错误32. S轨道是有两个d轨道线性组合而成,他们是 dx2-y2、dx2-y2。33. 如果空间点阵中的每一个阵点只代表一个原子时,同一个概念。正确34. amorphous的意义是非晶体。35. 绝大多数芳杂环聚合物都是杂连聚合物。36. fee 结构中每个原子平均形成的四面体间隙数为37. 原子半径大小与
44、其在晶体中配位数无关。38. interstitial position是指 间隙。则空间点阵与晶体点阵是正确2 0错误39. 晶面指数通常用晶面在晶轴上截距的互质整数比来表示。40二元相图中三相平衡时温度恒定,而平衡三项成分可变。41 .扩散是原子在固体物质内部无规的运动产生定向迁移的过程。42 .材料是指用来制造某些有形物体的基本物质。正确错误错误正确43. 从铁碳合金相图可知,共析钢在 1420 r时的组织结构是 奥氏体+液体。44. 原子数目越多,分裂成的能带宽度越大。错误45. 菲克第一定律只适用于稳态扩散,而菲克第二定律只适用于非稳态扩散。错误46. 离子化合物的配位数取决于离子最
45、有效堆积。47. 晶格常数常用a,b,c和a,p,丫 表示。48. ferrite的意义是铁素体。49. directi onal in dices的意义 晶向指数。50. 用杠杆规则进行过程量的计算,得到的是积累量。51. vacancy 的意义是空位。52. 空间点阵中每个阵点周围具有等同的环境。53. orientation的意义是取向。错误正确正确54. 实际金属中都存在着点缺陷,即使在热力学平衡状态下也是如此。55. 奥氏体是碳溶解在丫铁中的固溶体,C% 0.2%。正确56. 替代式固溶体中,d溶质 d溶剂。错误57. 面心立方ZnS中的Zn原子位于S原子构成的 四面体 间隙中。58
46、. 所谓相,即是系统中具有均匀成分而且性质相同并与其他部分有界面分开的部分。正确59. 原子排列最密的晶面,其间距 最大。60. 两原子处于平衡间距时,键能最大,能量最高。61. 与聚乙烯相似,聚四氟乙烯的结晶链也是平面锯齿形。62. 范氏力既无方向性亦无饱和性,氢键有方向性和饱和性。63. 再扩散过程中,原子的流量直接正比于浓度梯度。64. 一般说来,扩散系数越大扩散通量也越大。错误65. 按照费米分布函数,TM 0时,E=EF,f (E) =1/2。66. 共析钢中的碳含量为0.02180.77%。67. 根据相律,二元系三相平衡时自由度为0,即表明三项反应是在恒温下进行,三个平衡相的成分
47、也是相同的,不可改变。正确68. fcc 晶胞中,八面体间隙中心的坐标是 1/2,1/2,1/2。69. 四个量子数中,I是第二量子数,它决定体系角动量和电子几率分布的空间对称性。正确70. 共价键是由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。正确错误错误正确71. 面心立方ZnS晶胞中的Zn原子和S原子数量分别为4和4。72. 空间点阵相同的晶体,它们的晶体结构不一定相同。正确73 .原子的基本键合中不一定存在着电子交换。错误74. 相数即为系统内性质相同且均匀的部分的种类数。正确75. 同一族中,原子共价半径随价电子到原子核的距离增加而减小。76. 费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述。正确77. 在再结晶过程中,晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长而长大。确78. 空间点阵有14种,他们每个点阵都代表一个原子。错误79. Solid solution是指固溶体;杂质原子等均匀分布于基体晶体的固体80. 渗碳体英文是ceme ntite。81. Diffusion coefficient 是指扩散系数。82. 在二元相图中,S L+S1成为 包晶
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