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1、5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他示例：(1 铝电解电容器CD11 第四部分：序号 第三部分：特征分类（箔式） 第二部分：材料（铝） 第一部分：主称（电容器）(2 圆片形瓷介电容器CC11 第四部分：序号 第三部分：特征分类（圆片） 第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器）(3纸介金属膜电容器CZJX 第四部分：序号 第三部分：特征分类（金属膜） 第二部分：材料（纸介） 第一部分：主称（电容器）2电容器的主要技术指标(1 电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3

2、V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。(2 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。表7容许误差2%5%10%20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI(3 标称电容量：表8固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号E24E12E6容许误差5%（I）或（J）10%（II）或（K）20%（III）或（m）标称容量对应值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33

3、,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,68注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以，其中n为正整数或负整数，单位为pF。3电容器的标志方法(1 直标法容量单位：F（法拉）、F（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。1法拉=微法=微微法， 1微法=纳法=微微法1纳法=微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。(2 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10i，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10-1。如223J代表22103pF22000pF0.22F，允

4、许误差为5%；又如479K代表4710-1pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。（3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。三电感器1电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。2电感器的主要技术指标(1 电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比

5、例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：式中：磁通量 I电流强度(2 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。(3 品质因数：电感线圈的品质因数定义为：式中：工作角频率，L线圈电感量，R线圈的总损耗电阻(4 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。(5 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2电感器电感量的标志方法(1 直标法。单位H（亨利）、mH（毫亨）、H（微亨）、(2 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。(3 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误

6、差位。四半导体分立器件1半导体分立器件的命名方法（1） 我国半导体分立器件的命名法表9国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件电极的数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件序号用汉语拼音表示规格的区别代号符号意义符号意义符号意义符号意义23二极管三极管ABCDABCDEN型，锗材料P型，锗材料N型，硅材料P型，硅材料PNP型，锗材料NPN型，锗材料PNP型，硅材料NPN型，硅材料化合物材料PVWCZLSNUKXG普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管低频小功率管（3MHz,PC<1W

7、）高频小功率管（3MHzPC<1W）DATYBJCSBTFHPINJG低频大功率管（3MHz,PC1W高频大功率管（3MHzPC1W）半导体闸流管(可控硅整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN型管激光器件例：1 锗材料PNP型低频大功率三极管： 2 硅材料NPN型高频小功率三极管：3AD50C 3DG 201 B 规格号 规格号 序号 序号 低频大功率 低频大功率 PNP型、锗材料 PNP型、锗材料 三极管 三极管3 N型硅材料稳压二极管：4 单结晶体管：2CW51 BT3 3 E 序号 规格号 稳压管 耗散功率 N型、硅材料 三个电极二极管 特种管 半导体

8、（2）国际电子联合会半导体器件命名法表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加数字表示登记号用字母对同一型号者分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A锗材料A检波、开关和混频二极管M封闭磁路中的霍尔元件三位数字通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）ABCDE同一型号器件按某一参数进行分档的标志B变容二极管P光敏元件B硅材料C低频小功率三极管Q发光器件D低频大功率三极管R小功率可控硅C砷化镓E隧道二极管S小功率开关管F高频小功率三极管T大功率可控硅一个字母加两位数字专用半导体器件的登记

9、序号（同一类型器件使用同一登记号）D锑化铟G复合器件及其它器件U大功率开关管H磁敏二极管X倍增二极管R复合材料K开放磁路中的霍尔元件Y整流二极管L高频大功率三极管Z稳压二极管即齐纳二极管示例（命名）：AF239S AF239型某一参数的S档 普通用登记序号 高频小功率三极管 锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。2 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。3 第二个字母表示器件的类别和主

10、要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。4 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。5 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。6 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。(3 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的

11、是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类型用数字表示PN结的数目美国电子工业协会(EIA注册标志美国电子工业协会(EIA登记顺序号用字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN或J军用品1二极管N该器件已在美国电子工业协会注册登记多位数字该器件在美国电子工业协会登记的顺序号ABCD同一型号的不同档别2三极管无非军用品3三个PN结器件nn个PN结器件例：1 JAN2N29042 1N4001JAN2N2904 1N4

12、001 EIA登记序号 EIA登记序号 EIA注册标志 EIA注册标志 三极管 二极管 军用品美国晶体管型号命名法的特点：1 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。2 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。3 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。4 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件

13、可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。5 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。6 登记序号数大的通常是近期产品。(4 日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JISC702）命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性

14、，其常用的符号有：M松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。N松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。Z松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。H日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。K日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。G东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。表12

15、日本半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型或有效电极数S表示日本电子工业协会（EIAJ）的注册产品用字母表示器件的极性及类型用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号用字母表示对原来型号的改进产品符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义0光电(即光敏二极管、晶体管及其组合管S表示已在日本电子工业协会(EIAJ注册登记的半导体分立器件APNP型高频管四位以上的数字从11开始，表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号，不同公司性能相同的器件可以使用同一顺序号，其数字越大越是近期产品ABCDEF用字母表示对原来型号的改进产品BPNP型低频管CNPN型高频管DNPN型低

16、频管1二极管FP控制极可控硅2三极管、具有两个以上PN结的其他晶体管GN控制极可控硅HN基极单结晶体管JP沟道场效应管KN沟道场效应管3具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管M双向可控硅n-1具有n个有效电极或具有n-1个PN结的晶体管示例：1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管）2SC502A 2SC502型的改进产品 日本电子工业协会登记顺序号 NPN型高频三极管 日本电子工业协会注册产品 三极管（两个PN结）2）2SA495（日本夏普公司GF9494收录机用小功率管）2SA495 日本电子工业协会登记顺序号 PNP高频管 日本电子工业协会注册产品 三极管（两个PN结）日本半导

17、体器件型号命名法有如下特点：1 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。2 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。3 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，

18、登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。5 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。6 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。7 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。8 日本通常把Pcm1W的管子，称做大功率管。2常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数p 类型参数型号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降(在左栏电流值下/V反向击穿电压/V最高反

19、向工作电压/V反向电流/A零偏压电容/pF反向恢复时间/nsp 普通检波二极管2AP9162.5140202501fH(MHz150p 2AP75150100p 2AP1125101102501fH(MHz40p 2AP171510100p 锗开关二极管2AK1150130103200p 2AK24020p 2AK52000.960402150p 2AK1010170502150p 2AK132500.76040p 2AK147050p 硅开关二极管2CK70AE100.8A30B45C60D75E90A20B30C40D50E601.53p 2CK71AE204p 2CK72AE3015p

20、2CK73AE501p 2CK74AD100p 2CK75AD150p 2CK76AD200 类型参数型号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降(在左栏电流值下/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/A零偏压电容/pF反向恢复时间/ns整流二极管2CZ52BH20.1125600同2AP普通二极管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000

21、103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数参数型号不重复正向浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/A反向工作电压/V最高工作结温/oCQL110.051.210常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL86034.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数测试条件参型数号工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度<50oC稳定电流下稳定电流下环境温度10oC稳定电压/V稳定电流/mA最大稳定电流/mA反向漏电流动态电阻/

22、电压温度系数/10-4/oC最大耗散功率/W2CW512.53.51071560-90.252CW523.24.555270-82CW5345.841150-642CW545.56.5380.530-352CW5678.8271572CW578.59.8262082CW591011.85203092CW6011.512.5194092CW10345.850165120-6412CW11011.512.520760.52092CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.51030100.050.25.常用半导体三极管的主要参数

23、(1 3AX51(3AX31型PNP型锗低频小功率三极管表16 3AX51(3AX31型半导体三极管的参数原 型 号3AX31测 试 条 件新 型 号3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D极限参数PCM(mW100100100100Ta25oCICM(mA100100100100TjM(oC75757575BVCBO(V30303030IC1mABVCEO(V12121824IC1mA直流参数ICBO(A12121212VCB-10VICEO(A500500300300VCE-6VIEBO(A12121212VEB-6VhFE4015040150301002570VCE-1V IC5

24、0mA交流参数f(kHz500500500500VCB-6V IE1mANF(dB8VCB-2V IE0.5mA f1kHzhie(k0.64.50.64.50.64.50.64.5VCB-6V IE1mA f1kHzhre(102.22.22.22.2hoe(s80808080hfehFE色标分档(红2560；(绿50100；(蓝90150管 脚BE C（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型 号3AX81A3AX81B测 试 条 件极限参数PCM(mW200200ICM(mA200200TjM(oC7575BVCBO(V-20-30

25、IC4mABVCEO(V-10-15IC4mABVEBO(V-7-10IE4mA直流参数ICBO(A3015VCB-6VICEO(A1000700VCE-6VIEBO(A3015VEB-6VVBES(V0.60.6VCE-1V IC175mAVCES(V0.650.65VCEVBE VCB0 IC200mAhFE4027040270VCE-1V IC175mA交 流参 数f(kHz68VCB-6V IE10mAhFE色标分档(黄4055 (绿5580 (蓝80120 (紫120180 (灰180270 (白270400管 脚BE C （3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表18 3BX3

26、1型NPN型锗低频小功率三极管的参数型 号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测 试 条 件极限参数PCM(mW125125125125Ta=25oCICM(mA125125125125TjM(oC75757575BVCBO(V-15-20-30-40IC1mABVCEO(V-6-12-18-24IC2mABVEBO(V-6-10-10-10IE1mA直流参数ICBO(A2520126VCB6VICEO(A1000800600400VCE6VIEBO(A2520126VEB6VVBES(V0.60.60.60.6VCE6V IC100mAVCES(V0.650.650.650.65

27、VCEVBE VCB0 IC125mAhFE80400401804018040180VCE1V IC100mA交 流参 数f(kHz8f465VCB-6V IE10mAhFE色标分档(黄4055 (绿5580 (蓝80120 (紫120180 (灰180270 (白270400管 脚BE C(4 3DG100(3DG6 型NPN型硅高频小功率三极管表19 3DG100(3DG6 型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型 号3DG6测 试 条 件新型 号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D极限参数PCM(mW100100100100ICM(mA20202020BVCBO(V30

28、403040IC100µABVCEO(V20302030IC100µABVEBO(V4444IE100A直流参数ICBO(A0.010.010.010.01VCB10VICEO(A0.10.10.10.1VCE10VIEBO(A0.010.010.010.01VEB1.5VVBES(V1111IC10mA IB1mAVCES(V1111IC10mA IB1mAhFE30303030VCE10V IC3mA交流参数fT(MHz150150300300VCB10V IE3mA f100MHz RL5KP(dB7777VCB-6V IE3mA f100MHzCob(pF4444V

29、CB10V IE0hFE色标分档(红3060 (绿50110 (蓝90160 (白>150管 脚BE C(5 3DG130(3DG12 型NPN型硅高频小功率三极管表20 3DG130(3DG12 型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型 号3DG12测 试 条 件新型 号3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D极限参数PCM(mW700700700700ICM(mA300300300300BVCBO(V40604060IC100µABVCEO(V30453045IC100µABVEBO(V4444IE100A直流参数ICBO(A0.50.50.50.5

30、VCB10VICEO(A1111VCE10VIEBO(A0.50.50.50.5VEB1.5VVBES(V1111IC100mA IB10mAVCES(V0.60.60.60.6IC100mA IB10mAhFE30303030VCE10V IC50mA交流参数fT(MHz150150300300VCB10V IE50mA f100MHz RL5KP(dB6666VCB10V IE50mA f100MHzCob(pF10101010VCB10V IE0hFE色标分档(红3060 (绿50110 (蓝90160 (白>150管 脚BE C(5 90119018塑封硅三极管表21 90119

31、018塑封硅三极管的参数型 号(3DG9011(3CX9012(3DX9013(3DG9014(3CG9015(3DG9016(3DG9018极限参数PCM(mW200300300300300200200ICM(mA203003001001002520BVCBO(V20202025252530BVCEO(V18181820202020BVEBO(V5554444直流参数ICBO(A0.010.50,50.050.050.050.05ICEO(A0.1110.50.50.50.5IEBO(A0.010.50,50.050.050.050.05VCES(V0.50.50.50.50.50.50.3

32、5VBES(V111111hFE30303030303030交流参数fT(MHz1008080500600Cob(pF3.52.541.64KP(dB10hFE色标分档(红3060 (绿50110 (蓝90160 (白>150管 脚E B C 6常用场效应管主要参数表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流IDSS(mA0.3100.3100.3100.351.80.35100.35250.3510.5夹断电压VGS(V<19<19<19<19

33、191919正向跨导gm(V>2000>2000>1000>3000100040002000最大漏源电压BVDS(V>20>20>20>20>20>1220>20最大耗散功率PDNI(mW10010010010010025100100栅源绝缘电阻rGS(108108108108108108109100管脚G D或 S D S G五模拟集成电路1.模拟集成电路命名方法（国产）表23器件型号的组成第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件符合国家标准用字母表示器件的类型用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号用字母表示器件的

34、工作温度范围用字母表示器件的封装符号意义符号意义符号意义符号意义C中国制造TTTLC070oCW陶瓷扁平HHTLE-4085oCB塑料扁平EECLR-5585oCF全封闭扁平CCMOSM-55125oCD陶瓷直插F线性放大器P塑料直插D音响、电视电路J黑陶瓷直插W稳压器K金属菱形J接口电路T金属圆形例：C F 741 C T 金属圆形封装0 o 70 oC 器件代号 线性放大器中国国家标准2国外部分公司及产品代号表24国外部分公司及产品代号公司名称代号公司名称代号美国无线电公司(BCACA美国悉克尼特公司(SICNE美国国家半导体公司 (NSCLM日本电气工业公司(NECPC美国莫托洛拉公司(

35、MOTAMC日本日立公司(HITRA美国仙童公司(PSC杯。新媒介开发奖2名，发放价值300元的奖品，并颁发荣誉证书及奖杯。最佳人气设计奖1名，发放价值100元的奖品，并颁发荣誉证书及奖杯。新媒介分析论坛流程：a. 重庆市广告协会领导发言并致开幕辞。b. 与会人员开展论坛讨论（论题：新媒介开发与运用和新媒介在广告中的经济学价值挖掘）c. 由重庆市永辉超市重庆地区副总、重庆商社xx 副董事长宣布获奖名单，与会嘉宾为获奖者颁奖。d. 蔡敏教授发总结言并致论坛闭幕辞。注：由重庆商报和大渝网对论坛暨大赛进行全程报道和宣传。 B. “小桔灯杯冰心散文朗读公益活动”具体流程：由重庆市江北区教委在江北区各中

36、小学校选取30名学生代表，于2010年2月28日在重庆市江北区观音桥步行街开展小桔灯杯冰心散文朗读公益活动，邀请江北区文化局和江北区教委相关领导到场发表讲话。重庆商报、重庆晨报、大渝网负责活动的新闻报道。 时间：2010年2月28日地点：重庆市江北区观音桥步行街主办方：重庆市江北区文化局、重庆市江北区教委 承办方：重庆新消文化传播有限公司 宣传报道媒体：重庆商报、重庆晨报、大渝网任务四：超市购物车广告宣传。小桔灯项目组于2010年3月至6月在永辉超市观音桥店及解放碑店进行超市购物车广告宣传。鉴于超市购物车广告成本低，能够重复传播和强制传播的优点，项目组采用超市购物车广告作为项目推广上市的宣传手

37、段之一，将信息传递给同时具有社会和家庭双重身份的目标广告主。由我公司带头采用超市购物车广告宣传，形成服务产品有形展示，由此解决了由于服务产品的无形性而带来的不安全隐患，以便形成良好的口碑效应。小桔灯项目组采用超市购物车进行宣传的主要含义，说明我公司提供的是高质量、高效率的服务，同时提出合作请求。广告投放点为超市购物车正对购物车面，在此面粘贴宣传logo 。任务五：会议促销。小桔灯项目组于2010年6月1日至8月15日在君豪大酒店举办室内媒体宣传课题研究会。项目组自己独立的科研团队，建立自有公共关系网络，在项目推广策划中，项目组在研究部的策划下安排会议；会议邀请对象包括传播学学者和部分待开发广告

38、主，会议以“室内媒体宣传课题研究会 ”为突破口；能在学界和被邀请广告主所在行业产生舆论效应。此次会议拟定时间在2010年4月至5月，历时一个月时间，地点选择在重庆工商大学应用技术学院学术报告厅。任务六：人员促销。项目推广策略中人员促销策略主要指上门推销；项目组在新消文化传播有限公司长期建立和培训自己的业务班子，制定考核制度并严格管理；业务班子根据项目界定行业领域分片区进行撒网式捕鱼。上门推广人员不仅要遵循公司规章制度，同时接受公司培训，严格把握上门推销的每一个步骤。比如学会拜访顾客、慰问顾客、和顾客交谈并实现签约的最终目的。任务七：开业酬宾。为了小桔灯能够以最快的速度抢占市场，项目推广采用了开业酬宾的策略。自2010年3月2010年6月在永辉超市实行开业酬宾策略，此策略主要给予广告主，合作超市部分折扣、免费服务以促成合作。开业酬宾针对广告主的优惠主要在两方面，一方面是广告主在签约发生数据达到250次给予其9.7的折扣，另一方面是重要节日赠送礼品给广告主。任务八：新闻报道。新闻报道主要指时间营销，针对