MEMS各种仿真软件的比较分析

1、MEM湍件、仿真与系统集成期中测验（三）（占考试成绩的20%中英文答题均可，5月30日交电子版。任课教师：陈剑鸣）研究生：段海军（签字）学号：2010211014MEM段计、仿真软件的综合比较。（占本课程的20%。具体要求：1） 用表格形式对MEM睹用的软件进行比较。比较的软件四大类：TannerPro （主要是 L-edit ） , HFSS, CoventorWare , IntelliSense , ANSYS2） 比较的内容：?公司、厂家；?软件的总体描述；?软件的模块关系（模块组成）；?按模块来阐述的主要用途；?按模块来阐述的性能参数；?软件所做的实例图（分模块）。?你对此软件（或者

2、是具体模块）的看法和评价，不少于 5个模 块。作业作答如下：由于制作表格不是很方便，每个软件包含的内容非常 多，所以我采用如下形式的方式来分析比较上面五个软件。 TannerPro （主要是 L-edit ）1.1 公司、厂家：Tanner Research 公司1.2 软件的总体描述Tanner集成电路设计软件是由 Tanner Research 公司开发的基于 Windows 平台的用于集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大，易学易用，包括 S-Edit , T-Spice , W-Edit, L-Edit与LVS从电路设计、分析模拟到电路布局 一应俱全。其中的L-Edit版图编辑器在

3、国内应用广泛，具有很高知名度。L-Edit Pro 是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高 性能软件系统模块，具有高效率，交互式等特点，强大而且完善的功能包括从 IC设计到输出，以及最后的加工服务，完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。 L-Edit Pro包含IC设计编辑器（Layout Editor）、自动布线系统（Standard Cell Place & Route）、线上设计规则检查器（ DRC、组件特性提取器（ Device Extractor ）、设计布局与电路 netlist 的比较器（LVS）、CMOS Library > Marco Li

4、brary ,这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。L-Edit Pro 丰 富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。Tanner Tools Pro 是一套集成电路设计软件，包含以下几种工具：S-Edit （ 编辑电路图）。T-Spice （电路分析与模拟）。W-Edit （显示T-Spice模拟结果）。L-Edit（编辑布局图，自动布局布线，DRC电路转化）。LVS （版图和电路图对比）。1.3 软件的模块关系及其主要用途与实例图S-Edit模块：可以继续在Core模块中继续寻找更低一级的模块，直至到 MOS 晶体管。T-Spice模块：是电路仿真与

5、分析的工具，文件内容除了有元件与节点的描 述外，还必须加上其他的设定。有包含文件（include file ）、端点电压源设置、 分析设定、输出设置。L-Edit模块：是一个布局图的编辑环境功能包括设计导航、分析图层、截 面观察、设计规则检查、转化等。LVS模块：是用来比较布局图与电路图所描述的电路是否相同的工具，也就是说比较S-Edit绘制的电路图与L-Edit绘制的布局图是否一致。图1 S-Edit模块界面图图2 S-Edit 实例图图3 (a) T-Spice模块等效电路图(b)模拟仿真结果1.4 Tanner Pro 软件的设计流程Tanner Pro软件的设计流程可用如下图4所示；将

6、要设计的电路先以S-Edit 编辑出电路图，再将该电路图输出成SPICE文件。接着利用T-Spice将电路图模 拟并输出成SPICE文件，如果模拟结果有错误，N回S-Edit检查电路图，如果 T-Spice模拟结果无误，则以L-Edit进行布局图设计。用L-Edit进行布局图设 计后要以DRC*能做设计规则检查，若违反设计规则，再将布局图进行修改直到 设计规则检查无误为止。将验证过的布局图转化成SPICE文件，再利用T-Spice模拟，若有错误，再回到L-Edit修改布局图。最后利用LVS将电路图输出地SPICE 文件与布局图转化的SPICE文件进行对比，若对比结果不相等，则回去修改L-Edi

7、t或S-Edit的图；直到验证无误后，将L-Edit设计好的布局图输出成 GDSII 文件类型，再交由工厂去制作半导体过程中需要的光罩。如下是Tanner数字ASIC设计流程图：S Edit电路图设LVS布局与原始电路比较，T-Spice 侪百W-Edil显示波形*L Eciil/SPRL-EdibEXTR. ACT-L-FdiT/PRC*图4 Tanner数字ASIC设计流程图1.5 L-Edit模块介绍（1） L-Edit画图布局详细步骤1）打开L-Edit程序，保存新文件。2）取代设定（File-Rep lace Setup ）。3）环境设定（Setup-Design ）。4）选取图层。

8、5）选择绘图形状绘制布局图。6）设计规则设定（MOSIS/OPBIT 2.OU和设计规则检查（DRC7）检查错误，修改（移动）对象。8）再次进行设计规则检查。（2）使用L-Edit画PMOS?局图1）用到和图层包括 N Well,Active, N Select, P Select, Poly, Metal1,Metal2,Active Contact,Via 。2）绘制N Well图层：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，不需定义P型 基板范围，要制作PMOS首先要作出N Well区域。根据设计规则 Well区电最 小宽度的要求（10 ）,可画出N Well区。3）绘制Active图层：

9、定义MOS?的范围。PMO的Active图层要绘制在N Well 图层之内。根据设计规则要求， Active的最小宽度为3 。可在N Well中画出 Active 图层。4）绘制P Select图层：定义要布置P型杂质的范围。绘制前进行 DRCT发 现相应错误。绘制时注意遵守规则： Not Selected Active 。绘制时注意遵守规 则：Active to P-Select Edge 最小2 。同时还要注意 pdiff 层与N Well层要 遵守5 。5）绘制Poly图层：定义成长多晶硅，最小宽度 2 。6）绘制Active Contact图层：源极、漏极接电极需要。标准宽度2 。7）

10、绘制Metal1图层：最底层的金属线。图5使用L-Edit 画PMOS?局图（3）使用L-Edit编辑标准逻辑元件1）标准元件库中的标准元件的建立符合某些限制，包括高度、形状与连接 端口的位置。标准元件分为逻辑元件与焊垫元件。2）操作流程：进入L-Edit-建立新文件-环境设定-绘制接合端口 -绘制多种 图层形状-设计规则检查-修改对象-设计规则检查3）绘制接合端口:每一个标准元件一个特殊的端口叫做接合端口，它的范围定交出元件的尺寸及位置即元件的边界。4）绘制电源与电源接口 ：典型标准元件的电源线分布在元件的上端和下端。 注意标准单元库中的每一个标准元件其电源端口必须有相同的真对高度，且电源端

11、口的宽度必须设定为0,位置必须贴齐Abut范围的两边。5）绘制N Well层：在P型基板上制作PMOS（勺第一步流程。横向24格, 纵向38格。6）编辑N Well节点：因为PMO专板也需要电源，故需要在 N Well上建立 一个欧姆节点。在Abut端口的上方，绘制出Active, NSelect > Active Contact 这3种图层。7）编辑P型基板节点：NMOSS板也需要接地,故此需要在 P base上建立 一个欧姆节点。在Abut端口的下方，绘制出Active、P Select、Active Contact 这3种图层。8）绘制P Select图层。植入P型杂质需要。两部分

12、：一是在 N Select右 边加上一块横向11格、纵向10格；一是在下方再加上横向18格，纵向22格。9）绘制NMO&ctive图层：定义MOS勺范围，Active以外的地方是厚氧化 层区（或称场氧化层）。一是在原上部Active下接一块横向12格，纵向4格的 方形Active , 一是在其下方再画横向14格、纵向18格的方形Active。10）绘制N Select图层：植入 N型杂质需要。一是在 Abut下部PSelect 右边加横向11格，纵向10格；一是在刚上方加横向18格，纵向22格。11）绘制PMOActive图层：一是在原下部 Active上接一块横向12格，纵 向4格的

13、方形Active , 一是在其上方再画横向14格、纵向18格的方形Active。12）绘制Poly层：Poly与Active相交集为栅极所在位置。横向2格，纵 向70格。绘制完此步，请先进行 DRC£误后再继续。13）绘制输入信号端口（ A）:标准元件信号端口（除电源和地）的绕线会通 过标准元件的顶端或底部。一个标准元件信号端口要求高度为0,且宽度最好为整数值。自动绕线时用Metal2 ,故需先将输入端口由Metal2通过Via与Metal1 相连，在通过 Metal1通过Poly Contact与Poly相连。DRCC!认无误。14）绘制PMO既极接线：需要将PMO乳端P型扩散区与

14、Vdd相连。利用 Metal1 与 Vdd相连，Metal1 与 Active 间通过 ActiveContact 相接。15）绘制NMOSM极接线：需要将NMOSS边N型扩散区与Gnd相连。利用 Metal1 与 Gnd相连，Metal1 与 Active 间通过 ActiveContact 相接。16）连接PMOSf NMOS勺基极：将NMO的右边扩散区和 PMOS勺右边扩散区 利用Metal1相连，并在Metal1与Active 重叠区打上节点。17）绘制输出信号端口（ OUT。18）更改元件名称为INV,转化为spice文件（TOOLS- Extract）。1.6 L-Edit的实际范

15、例L-Edit是一个布局图的编辑环境，在此以 Tanner Tools Pro 所附的范例 Lights.tdb 文件为例，进行L-Edit基本结构的介绍。Lights.tdb 文件中有很多 组件（cell ）, Lights组件、core组件、IPAD组件、OPADfi件等，每一个组件都是一个布局图，一个组件可以应用其他组件而形成层次式结构Lights.tdb文件是个标准组件组动配置与绕线( SPR的范例。此范例是利用 S-Edit的 Lights.tdb 文件输出地TRP文件来进行标准组件自动配置与绕线而产生 Lights 组件的。图6范例电路图(b)截面观察二 HFSS2.1 公司、厂家

16、：美国Ansoft 公司2.2 软件的总体描述Ansoft HFSS (全称 High Frequency Structure Simulator,高频结构仿真器)是Ansoft公司推出的基于电磁场有限元方法 (FEM的分析微波工程问题 的三维电磁仿真软件，可以对任意的三维模型进行全波分析求解，先进的材料类型，边界条件及求解技术，使其以无以伦比的仿真精度和可靠性， 快捷的仿真速 度，方便易用的操作界面，稳定成熟的自适应网格剖分技术使其成为高频结构设 计的首选工具和行业标准，已经广泛地应用于航空、航天、电子、半导体、计算 机、通信等多个领域，帮助工程师们高效地设计各种高频结构，包括：射频和微 波

17、部件、天线和天线阵及天线罩，高速互连结构、电真空器件，研究目标特性和 系统/部件的电磁兼容/电磁干扰特性，从而降低设计成本，减少设计周期，增强 竞争力。2.3 软件的模块组成及其主要用途DESIGNER1:在DESIGNERTM结合二维版图，工艺流程，和材料特性， CoventorWareTM可以生成三维模型，进行网格的自动划分。ANALYZER真块：针对客户所关心的问题，分析人员可以调用ANALYZERTM里专门针对MEMSS件分析开发的多个求解器，对MEMSS件的三维模型进行结构 力学、静电学、阻尼、电磁学、多物理场耦合(含压电,及压阻问题)、微流体(主要涉及Biochip和Inkjet

18、)等物理问题的详细分析。 ANALYZERTM可对 边界条件、材料特性、三维模型几何形状等进行参数分析，研究这些参数对器件 性能的影响。INTEGRATOR块：禾用INTEGRATORTM计人员可以从三维分析结果提取 MEMSS件宏模型，反馈回ARCHITECT!-M进行系统性能的验证，从而完成 MEMS 的设计。支持的格式包括：Verilog-A (Cadence), MAST(Architect), and MATLAB 同时，用户也可以利用INTEGRATORTM立自己MEM审品涉及到的宏模型库，为 新产品的开发提供技术储备。2.4 Ansoft HFSS 的应用领域2.4.1 天线(1

19、)面天线：贴片天线、喇叭天线、螺旋天线(2)波导：圆形/矩形波导、喇叭、波导缝隙天线(3)线天线：偶极子天线、螺旋线天线(4)天线阵列：有限阵列天线阵、频率选择表面(FSS、(5)雷达散射截面(RCS2.4.2 微波(1)滤波器：腔体滤波器、微带滤波器、介质滤波器(2 ) EMC ( Electromagnetic Compatibility ) /EMI ( Electromagnetic Intergerence ):屏蔽罩、近场一远场辐射(3)连接器：同轴连接器 底板、过渡(4)波导：波导滤波器、波导谐振器、波导连接器(5) Silicon/GaAs :螺旋电感器、变压器2.5 HFSS

20、的操作界面和菜单功能介绍Ansoft HFSS的界面主要包括：菜单栏(Menu bar)、工具栏(Toolbars )、 工程管理(Project Manage 窗口、状态栏(Status bar)、属性窗口(Properties window)、进度窗口( Progress window )、信息管理(Message Manage 窗口和 3D 模型窗口 (3D Modeler Window)。图8 Ansoft HFSS 的操作界面菜单栏(Menubar):绘图、3D模型、HFSS工具和帮助等下拉式菜单组成。工具栏(Tool bar ):对应菜单中常用的各种命令，可以快速方便的执行各 种命

21、令。工程管理(Project Manage ):窗口显示所以打开的HFSST程的详细信息 包括边界、激励、剖分操作、分析、参数优化、结果、端口场显示、场覆盖图和 辐射等。状态栏（Status bar ）:位于HFS阴面底部，显示当前执行命令的信息。属性窗口（ Properties window ）:显示在工程树、历史树和 3D模型窗口中 所选条目的特性或属性。进度窗口（Progress window）:监视运行进度，以图像方式表示进度完成比 例。信息管理（Message Manage :窗口显示工程设置的错误信息和分析进度信 息。3D模型窗口（3D Modeler Window ）:是创建几何

22、模型的区域，包括模型视 图区域和历史树（记录创建模型的过程）。三 CoventorWare3.1 公司、厂家：美国Coventor公司3.2 软件的总体描述CoventorWare是在著名的MEMCAD件上发展起来的，目前业界公认的功能 最强、规模最大的MEM%用软件。拥有几十个专业模块，功能包含MEM系统/器件级的设计与仿真，工艺仿真/仿效。其主要用于四大领域：Sensors/Actuators, RF MEMS, Microfluidics, Optical MEMS 。CoventorWare具有系统级、器件级的功能的 MEM%用软件，其功能覆盖设 计、工艺、器件级有限元及边界元分析仿真

23、、微流体分析、多物理场 耦合分析、 MEM系统级仿真等各个领域。CoventorWare因其强大的软件模块功能、 丰富的 材料及工艺数据库、易于使用的软件操作并与各著名 EDA次件均有完美数据接 口等特点给工程设计人员带来极大的方便。3.3 软件的模块组成及其主要用途CoventorWare 软件主要包括四个模块： ARCHITECT T DESIGNE RANALYZE R INTEGRATO RARCHITECT块：提供了独有的PEM机电）、OPTICAL忧学）、FLUIDIC（流体） 库元件，可快速描述出MEMSS件的结构，并结合周围的电路进行系统级的机、 电、光、液、热、磁等能量域的分

24、析，找到最优的结构、尺寸、材料等设计参数， 从而生成器件的版图和工艺文件。DESIGNE模块：可进行版图设计、生成器件三维模型、划分网络单元。ANALYZE模块： 可采用FEM （有限元法）、BEM边界元法）、BPM光速传播 法）、FDM皆限差分法）、VOF体积函数法）等分析方法进行结构分析、电磁场分析、压电分析、热分析、微流体分析、光学分析及多物理场的全耦合分析等。INTEGRATC模块：最后从三维分析结果中提取 MEM器件的宏模型，反馈回 ARCHITEC进行系统或器件性能的验证，完成整个设计。3.4 CoventorWare的基本内容CoventorWare由可单独使用以补充现有的设计流

25、程，或者共同使用以提供一 个完整的MEMSJ计流程的4个主要部分组成。其中包括 Architect, Designer, Analyzer和Integrator 。该工具套件的完整性和模块间高度的一体化程度提高了整体效率和易用性，使用户摆脱了在多个独立工具设计间手工传递数据的负 担。IL设计开始其事的加工工艺戮霜 材日届性编辑器 工jIArehiteetM E M531E寓 的酸潮埼De5tg仗r设计靖束.坂圉后寿器120咨_ 一 一上实空型版图铺上模理圜嗝辑器倒度代 I L方展的真器腐处理器分析器二)， 一设计遥代MEMSg普禁囱理算器1IAnalyzer我裔器iIntegrator数据展出

26、宏观模型廨K群图9 CoventorWare工作流程图3.5 CoventorWare分析的基本步骤CoventorWare分析的基本步骤包括：定义材料属性；生成工艺流程； 生成二维版图；通过二维版图生成三维模型；划分网格生成有限元模型； 设定边界条件、加载；求解；提取、查看结果。以下我们以实例介绍该软件的整个仿真过程：悬臂梁与硅基底间电容的计算和悬臂梁的受力分析3.5.1 工艺过程(1)在硅基底上沉积一层氮化物(绝缘层)(2)再在其上沉积一层硼磷硅玻璃(BPSG)乍为牺牲层(用于沉积铝)(3)刻蚀出支座(anchor)将要沉积的位置(4)采用等边沉积法沉积铝层(5)留下支座(anchor)和

27、悬臂梁(beam)部分，刻蚀其余的铝层(6)释放BPSG西牲层3.5.2具体设计过程(1)启动CoventorWare2003,在用户设置中设定 Directory(目录)，包括 WorkDirectory、Scratch Directory 、Shared Directory 。 只需设定工作目录， 下面两个目录是默认的，系统会自动将它设定到相应的工作路径下， CoventorWare所有运行生成的文件都会写在该目录下(该目录必须是已经存在 的目录，在启动时是无法新建工作目录的)。许可文件的位置，包括 Coventor License > CFD license、Saber licen

28、se ,在安装时就已设定，默认即可。(2)单击OK后，系统进入 Projects Dialog Window( 工程对话窗口)，新 建工程名称为 BeamDesign的文件夹，单击 Open进入Function Manager(功能 管理器)界面。(3)进入DESIGNE校块，在 Materials 中定义材料属性，选择 Aluminum (film ),根据题设修改其参数；再选择 Silicon ,方法相同。单击Close,就可 编辑工艺过程。(4)进入Process Editor( 工艺编辑器)，新建一个工艺文件 c, 根据上述工艺过程在工艺编辑器中设计整个流程，如图7所示

29、。设计完后，单击Close ,就可进行版图设计。图10工艺过程(5)进入Layout Editor(版图编辑器)，新建beam.cat文件，根据预先设计的形状设计整个模型的二维版图，如图11所示。设计完后，单击 Close即(6)在model/mesh下拉栏里选择上步设计的二维版图文件beam.cat,单击Build a New 3D Model 。通过工艺文件 c设定的厚度和模型在二维版图文件beam.cat中的形状，就可生成三维实体模型，如图 12所示。(a)在牺牲层上沉积铝层(b)释放牺牲层得到模型图12三位实体模型(7)然后选取悬臂梁和基底，划分网络单元。因为要使用有限

30、元求解器，必须将选择的实体模型划分网格使生成若干单元体，这与ANSYS的处理过程相同。(8)再次回到Function Manager(功能管理器)界面 ，进入 ANALYZER!块，选才？ MemElectro求解器，点击Analysis运行后，就可以选择提取所需的电 容和电量值及电量密度的彩云图；同样要求解悬臂梁的应力和变形，选择MemMech解器，同样可以提取悬臂梁的变形和应力值及彩云图(9)提取、查看结果。所求得的电量和电容值如图13(a)、(b);所示所求得的应力和变形值如图14(a)、(b)所示电容值图13 (a)电荷密度(b)图14 (a)Z向最大位移为0.16(b)悬臂梁所受最大

31、等效应力值为39MPa图14悬臂梁变形和应力图四 ANSYS4.1 公司、厂家：美国ANSY宓司4.2 软件的总体描述ANSYS1由美国ANSY公司开发的、功能强大的有限元工程设计分析及优化 软件包，是迄今为止唯一通过ISO9001质量认证的分析设计类软件。该软件是美 国机械工程师协会(ASME、美国核安全局(NQA及近二十种专业技术协会认证 的标准软件。与当前流行的其他有限元软件相比，ANSYST明显的优势及突破。ANSY里有能实现多场及多场耦合分析的功能，是唯一能够实现前后处理、 分析求解及多场分析统一数据库的大型有限元软件，和其他有限元软件相比， ANSYS(勺非线性分析功能更加强大，网

32、格划分更加方便，并具有更加快速的求解 器。同时，ANSYS!最早采用并行计算技术的有限元软件，它支持从微机、工作 站、大型机直至巨型机等所有硬件平台，并可与大多数的CAEB件集成并有交换 数据的接口，ANSYSK拟分析问题的最小尺寸可在微米量级，同时，国际上也公 认其适于MEMSS件的模拟分析，这是其他有限元分析软件所无法比拟的。ANSYST限元软件是融结构、热、流体、电磁、声学于一体的大型通用有限 元分析软件，可广泛用于核工业、机械制造、电子、土木工程、国防军工、日用 家电等一般工业及科学研究领域。 ANSY配国际公认的适用于 MEMS(拟分析的 软件工具。其主要分析功能包括以下几个方面。(

33、1)结构分析包括线性、非线性结构静力分析，结构动力分析(包括模态和瞬 态)，断裂力学分析，复合材料分析，疲劳及寿命估算分析，超弹性材料的分析 等。(2)热分析包括稳态温度场分析，瞬态温度场分析，相变分析，辐射分析等。(3)高度非线性结构动力分析包括接触分析，金属成形分析，整车碰撞分析， 焊接模拟分析，多动力学分析等。(4)流体动力学分析包括层流分析，湍流分析，管流分析，牛顿流与非牛顿流 分析，内流与外流分析等。(5)电磁场分析包括电路分析，静磁场分析，变磁场分析，高频电磁场分析等。(6)声学分析包括水下结构的动力分析，声波分析，声波在固体介质中的传播 分析，声波在容器内的流体介质中传播分析等。

34、(7)多场耦合分析包括电场-结构分析，热-应力分析，磁-热分析，流体-结构 分析，流体流动-热分析，电-磁-热-流体-应力分析等。(8)其他如设计灵敏度及优化分析，子模型及子结构分析等。图15结构分析NODAL 3OLUT IDK3TE>-1 3VE =工T 1HE-X TISMF TEPC-_ ZflT MVI H1 0M f5BMX. S3ADO B 士JLQ4二 L EwQZ3 * 5U±Vy 3 * S3图16热分析的温度分布图17线圈周围磁场的分布图4.3 软件的模块组成及其主要用途前处理模块：实体建模，网格划分，加载。前处理模块提供了一个强大的 实体建模及网格划分工

35、具，用户可以方便地构造有限元模型；分析计算模块：分析计算模块包括结构分析（可进行线性分析、非线性 分析和高度非线性分析）、流体动力学分析、电磁场分析、声场分析、压 电分析以及多物理场的耦合分析，可模拟多种物理介质的相互作用，具有 灵敏度分析及优化分析能力；后处理模块：通用后处理模块：显示计算结果（等直线，剃度，矢量，透明， 动画效果等），输出计算结果（图表，曲线）；时间历程响应检查在一个时间段或 子步历程中结果。4.4 ANSYS使用中几个应注意的问题（1）单位制ANSY歆件使用的单位制包括国际单位制（SI）,厘米克秒制（cgs）、英寸 制（bin）、英尺制（bft ）、自定义单位制（user

36、）。在使用软件分析问题时，要 保证输入的所有数据都是使用同一单位制里的单位。单位制的定义只能通过命令 方式实现，缺省为国际单位制。（2）材料库ANSY歆件提供了一些材料参数，建议不使用，主要由于单位制选用和标准 不同，这是一点使用经验。可以建立自己的材料库，这将使分析更加方便，但要 注意单位制的问题。（3）坐标系总体和局部坐标系，用来定位几何形状参数的空间位置，包括笛卡儿坐标系、 柱坐标系和球坐标系。显示坐标系用于几何形状的列表和显示。节点坐标系用于 定义每个节点的自由度和节点结果数据。单元坐标系用于确定材料数据主轴和单 元结果数据。结果坐标系用来列表、显示或在通用后处理器操作中将节点或单元

37、结果转换到一个特定的坐标系中。止匕外， ANSY蓟以定义工作面，工作面的功能 较强，利用好工作面将方便建模。（4）文件类型db文件数据文件包括模型尺寸、材料特性及载荷等数据文件。 emat文件为单元矩 阵文件，err文件为错误和警告信息文件，10g文件为命令输入历史文件，rst 文件为结构分析结果文件，rfl文件为FLOTRA纳果文件，rmg文件为电磁场分 析结果文件，rth文件为热分析结果文件，grph文件为图形文件。由于有限元分 析的数据量较大，经常要删除一些文件，但 db文件和结果文件一般不要删除。4.5 ANSYS的分析步骤ANSY分析过程中三个主要的分析步骤：(1)创建有限元模型，包

38、括创建或读入几何模型、定义材料属性、划分单(2)施加载荷进行求解，包括施加载荷及载荷选项、求解。(3)查看结果，包括察看分析结果、检验结果(分析是否正确)。VifS 1bMltf 2片什 *tie ghH LH B* Hgfiirts to-+Mi* *厘1匕6 口" 曲 Ufh-I闺11口|阍国小才三副副tflSTcdbar 到工三司PTMJTf?L 曰神7部13 flkmimrt. Tjih- 国皿I FwlW3 Hathidl 需14 国 *Jt4m 同年1面*修司中WiQ 同 tlw-ckiiif (.bH? 1 0，咻言日/*力， 吊 arrhwr ikxH 国 Lojny

39、 - L«pi Q fl riTHAR Zl Dip 司悟EHL由力 Hultrleid *t Ugj 9 LuhIv司3 Path Upcf Akuis 0 Mluwi田 irfwd FYictHnr13 IlmeHM- KfttfpnLH 1阵0垢/"I Dpt 田 HAMTrilB Dtu)n Qpt田趾口115" E 由B 50cm Mbn fwUbKiL'KSftiiJ grtN 才 AKF产 5xd:.E，|n-JEEE 2£ ZCO?西匈妁创剑匈四匈图18 ANSYS软件界面五 IntelliSuite5.1 公司、厂家：美国Int

40、elliSense 公司5.2 软件的总体描述IntelliSuite 是由美国IntelliSense 公司创造的全球第一个 MEM%业设 计与模拟仿真软件。软件模块包括版图建模、材料特性、工艺、各向同性和各向 异性腐蚀模拟仿真、多物理场量(电、机械、热、磁等)耦合分析(包括线性、 非线性分析，静态、动态分析等)以及系统级分析。提供从概念设计到产品制造的MEM解决方案。可进行多物理量的分析，其模拟和分析模块使用户无须进入实际生产即可评估所设计器件的工艺可行性和工作性能。它的突出特点是将著名 的开发工具与先进的流水相结合，使 MEM；T品迅速走向市场。具有多项领先技 术和首要发明创新。软件可广

41、泛运用于 MEM密个环节，是设计、分析、模拟仿 真传感器、加速度计、激励器、生物微流体芯片、射频开关以及光学MEM件的强大工具。5.3 软件的模块组成及其主要用途与实例图IntelliSuite软件是由如下八个基本模块组成：3D Builder、AnisE、IntelliFab 、 IntelliMaskMEMaterial 、 MicroFluidicThermoElectroMechnical 、synple。3D Builder 模块：Intellisuite中的建模模块，采用堆积的方式一步一步地将模型建立起来。AnisE模块：各向异性蚀刻仿真软件，可即进观看蚀刻过程的图案变化，将 其存储成动画档，并测量图案上的距离