电力电子题库

1、电力电子技术机械工业出版社命题人王翠平第一章功率二极管和晶闸管知识点：功率二极管的符号，特性，参数晶闸管的符号、特性、参数、工作原理双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理一、填空题1、自从 _1956_ 年美国研制出第一只晶闸管。2、晶闸管具有 体积小、 重量轻、 损耗小、 控制特性好等特点。3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、 门极。4、晶闸管导通的条件： 在晶闸管的阳极和 阴极间加正向电压， 同时在它的 阴极和 门极间也加正向电压，两者缺一不可。5、晶闸管一旦导通， 门极即失去控制作用。6、晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于 维持电流。7、

2、双向晶闸管的四种触发方式：I +触发方式 I- 触发方式 +触发方式 -触发方式。8、 GTO 的开通时间由延迟时间和上升时间组成。9、 GTO的关断时间由存储时间、 下降时间、和尾部时间。10、功率二极管的导通条件：加正向电压导通，加反向电压截止。11、对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL在数值大小上有IL_ _>_IH。12、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO 数值大小上应为，UDSM_ _<_UBO13、普通晶闸管内部有 两个PN 结,，外部有三个电极，分别是阳极 A极阴极 K极和门极 G极。14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压

3、，晶闸管就导通。15、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向 导通状态和反向阻断状态。16、某半导体器件的型号为KP50 7 的，其中 KP 表示该器件的名称为普通晶闸管，50 表示额定电流 50A，7 表示额定电压 100V。17、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。18、当增大晶闸管可控整流的控制角，负载上得到的直流电压平均值会减小。二、判断题1、第一只晶闸管是1960年诞生的。（错 ）2、 1957年至 1980 年称为现代电力电子技术阶段。（ 错 ）13、功率二极管加正向电压导通，加反向电压截止。（对）4、平板型元件的散热器一般不应自行拆装。（对）5、晶闸管一旦导

4、通，门极没有失去控制作用。（错）6、双向晶闸管的四种触发方式中灵敏度最低的是第三象限的负触发。（ 错 ）7、 GTO 的缓冲电路具有保护作用。 （ 对）8、在额定结温条件， 取元件反向伏安特性不重复峰值电压值的80%称为反向重复峰值电压。（ 对）9、阳极尖峰电压过高可能导致GTO 失效。（对 ）10、 GTO 在整个关断过程分为两个时间段：存储时间和下降时间。（错）11、普通晶闸管内部有两个PN 结。（错）12、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（错）13、型号为 KP50 7 的半导体器件，是一个额定电流为50A 的普通晶闸管。 （）14、只要让加在晶闸管两端的电压减小为

5、零，晶闸管就会关断。（错）15、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（错）16、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（对）17、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V 。（错）18、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（错）19、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（错）20、增大晶闸管整流装置的控制角，输出直流电压的平均值会增大。（错）三、选择题1、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(A)A.干扰信号B. 触发电压信号C. 触发电流信号D. 干扰信号和触发信号2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极

6、加何种极性触发电压，管子都将工作在(B )A. 导通状态B. 关断状态C. 饱和状态D. 不定3、逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B)A.大功率三极管B. 逆阻型晶闸管C. 双向晶闸管D. 可关断晶闸管4、晶闸管的伏安特性是指(C)A.阳极电压与门极电流的关系B. 门极电压与门极电流的关系C. 阳极电压与阳极电流的关系D. 门极电压与阳极电流的关系5、晶闸管电流的波形系数定义为(B)A 、 Kf =ITAV/ITB 、 Kf = IT/ITAVC、 Kf = ITAV·ID 、 Kf = ITAV- ITT6、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个

7、，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( D)A.转折电压B. 反向击穿电压C.阈值电压D. 额定电压7.具有自关断能力的电力半导体器件称为( A)A.全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 触发型器件8、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作何处理才能使其开通 （ C）A.并联一电容B. 串联一电感2C.加正向触发电压D. 加反向触发电压9.晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（A）A.阳极电流B. 门极电流C. 阳极电流与门极电流之差D. 阳极电流与门极电流之和10、在 IVEAR 定义条件下的波形系数kfe为 (C)A.B.

8、2/ C. /2D.211.晶闸管的额定电压是这样规定的，即取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并经如下处理( D)A. 乘以 1.5 倍B. 乘以2 倍C. 加 100D. 规化为标准电压等级12.晶闸管不具有自关断能力，常称为( B)A.全控型器件B. 半控型器件C. 触发型器件D. 自然型器件13、 晶闸管内部有（C ）PN结。A 一个，B二个，C三个，D四个14、 单结晶体管内部有（A）个 PN结。A 一个，B二个，C三个，D四个三、简答题1、晶闸管的导通条件是什么？晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极之间加正向电压，同时在它的门极和阴极之间也加正向电压，两者缺一不可。

9、2、晶闸管的关断条件是什么？晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。3、说明晶闸管型号规格KP200-8E 代表的意思？K ：表示晶闸管P：表示普通200：表示晶闸管的额定电流是200A8：表示晶闸管的额定电压的级别E：表示晶闸管正向通态平均电压的组别4、双向晶闸管的触发方式有哪些？四种触发方式：I + 触发方式I- 触发方式 +触发方式 - 触发方式5、对晶闸管的触发电路有哪些要求？答：为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率； 门极正向偏压愈小愈好； 触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求；要能满足主电路移相范围的要求；触发脉冲必须与晶闸管

10、的阳极电压取得同步。四、绘图1、画出晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管的符号？3五、计算题1、一晶闸管接在 220V 交流回路中，通过器件的电流有效值为 100A ，问应选择什么型号的晶闸管？解：晶闸管的额定电压：Utn=(23)Utn= （ 23）2 *220=622933V按晶闸管参数系列取800V ，即 8 级晶闸管的额定电流I T(AV) =(1.52)*IT=(1.52)*100/1.57=95128A1.57按晶闸管参数系列取100A ，所以选取晶闸管型号 KP100-8E 。2、型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图1-1 所示电路中是否合理，为什么？（

11、不考虑电流的裕量）不合理不合理4合理3、如图所示，试画出负载Rd 上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。答案：解：由上述电路图和 U2，Ug 的波形图可知，因 T 是一个半控型器件晶闸管，当 Ug 是高电平时晶闸管 T 导通，一直到 U2 变为负电平时晶闸管截止， 与二极管类似， Rd电压波形图如下：第二章电力晶体管知识点：电力晶体管的符号、特性曲线、主要参数电力晶体管的工作原理5一、填空题：1、目前常用的电力晶体管有: 单管 GTR、 达林顿管、 GTR 模块。2、电力晶体管的三个极分别为：发射极、集电极、基极。3、放大区的特点是发射结正偏，集电结反偏。4、截止区的特点是发射结反偏，集电结反

12、偏。5、可关断晶闸管 （ GTO ）的电流关断增益 off的定义式为 off =_I TAO/|IgM_|_6、晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的_ 80%_7、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速恢复 _ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。8、动态特性描述 GTR的开关过程的瞬态性能，又称开关特性。9、 GTR能够安全运行的范围称为安全工作区。10、 I CBO随温度升高而 增大，对于硅管，为当温度生升高8时， I CBO增加 一 倍 左右二、判断题1、I CBO随温度升高而减小，对于硅管，为当温度生升高8时， I CBO减小一 倍 左右。（错）2、一次击穿具

13、有可逆性，一般不会引起晶体管的特性变坏。（对）3、集电极电压上升率是动态过程中的一个重要参数。（对）4、电力晶体管是具有自关断能力的全控型器件。（对）三、简答题1、达林顿GTR管和单管GTR的主要区别是什么？单管 GTR的电流增益低；达林顿GTR管是有两个或多个晶体管复合而成，电流增益高2、电力晶体管有几个区？各有什么特点？放大区：放大区的特点是发射结正偏，集电结反偏。截止区：截止区的特点是发射结，集电结反偏 。饱和区：饱和区的特点是发射结，集电结正偏3、 GTO和普通晶闸管同为 PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答： GTO能够自动关断，而普通晶闸管不能自动关断的原因是

14、：GTO的导通过程与普通的晶闸管是一样的，有同样的正反馈过程，只不过导通时饱和程度不深。其中不同的是，在关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，则晶体管V2 的济济电流 Ib2 减小，使 Ik和 IC2 减小， IC2 减小又使 IA 和 IC1 减小，又进一步减小V2 的基极电流，如此形成强烈的正反馈。当两个晶体管发射极电流IA 和 IK 的减小使 a1+a2<1 时，器件退出饱和而关断。第三章 功率场效应晶体管知识点：功率场效应晶体管的符号功率场效应晶体管的主要参数功率场效应晶体管的应用电路一、填空题1、功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路2

15、、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速恢复 _ 型二极管， 以便与功3、率晶体管的开关时间相配合。4、功率场效应晶体管的三个极分别为栅极、源极、漏极5、功率场效应晶体管的导电沟道分为N 沟道和 P沟道。6、转移特性是指功率场效应管的输入栅极电压 与输出 漏极电流 之间的关系。67、应用 SSOA 的条件是：结温小于150， 器件的开通和关断时间均小于1US8、功率 MOSFET 的保护分为 静电保护 和工作保护9、功率 MOSFET 的安全工作区分为三种情况：正向偏置安全工作区、开关安全工作区换向安全工作区。10、功率 MOSFET 参数主要有： 电压额定值、漏极连续电流、漏极峰值电

16、流等11、功率 MOSFET 的保护 ： 静电保护、 工作保护。二、判断题1、功率场效应晶体管的三个极分别为C 极、 E 极、 B 极 .(错 )2、功率场效应晶体管具有驱动功率小，控制线路简单、工作频率高的特点。（对）3、功率 MOSFET 无反向阻断能力。 （对）4、换向安全工作区是功率 MOSFET 寄生二极管或集成二极管反向恢复性能所决定的极限工作范围。（对）5、功率 MOSFET 的栅极是绝缘的，不属于电压控制器件，属于开关器件。（错）6、为防止功率MOSFET 误导通，截止时最好对其提供负的栅偏压。（对）7、安装时，工作台和电烙铁不需要接地。（错）8、测试时，测量仪器和工作台要良好

17、接地，器件的三个极必修都接入测试仪器或电路，才能施加电压。改换测试时，电压和电流要恢复到零。（对）三、简答题1、什么是转移特性？转移特性是指功率场效应管的输入栅极电压与输出漏极电流之间的关系。2、功率场效应晶体管的主要参数？漏极击穿电压漏极连续电流和漏极峰值电流栅极击穿电压开启电压极间电容3、简述 N 沟道增强型功率MOSFET 的工作原理？当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅极之间电压为零或为负时，漏极之间无电流流过。当 UGS 为正且大于开启电压时，出现漏极电流。4、功率 MOSFET 的保护有几种？两种：静电保护工作保护5、功率 MOSFET 并联使用时应注意什么问题？（ 1）在每个栅极

18、上串联一个小电阻、（ 2）在每一个栅极导线上套一个小磁环（ 3）必要时在漏极和源极之间接入数百皮法的小电容（ 4）尽可能降低驱动信号源的内阻。四、画图1、绘制功率MOSFET 晶体管的符号？7第四章 绝缘栅双极晶体管知识点：绝缘栅双极晶体管的工作原理绝缘栅双极晶体管的主要参数绝缘栅双极晶体管的安全工作区一、填空题1、 绝缘栅双极晶体管称为IGBT。2、 IGBT的静态传输特性描述集电极电流 和栅射电压 之间的互相关系。3、 IGBT的输出特性描述以栅射电压 为控制变量时，集电极电流与射极间电压之间的互相关系。4、 IGBT的输出特性分为 正向阻断区 、有源区 、饱和区。5、关断时间包括 关断延

19、时 和电流下降时间 两部分。6、安全工作区可分为正向偏置安全工作区和反向偏置安全工作区。7、射极电压在 1015V 之间工作时， 集电极电流可在 510US 以内超过额定电流的410 倍。8、过电压保护措施主要是利用缓冲电路 抑制过电压的产生。9、 IGBT缓冲电路，也称为吸收电路 。10、缓冲电容的计算公式CS =LI 2 /(U CEP-U CC)缓冲电路电阻 RS 的选择公式R <=1/2*3CSf 。S11、 IGBT 的最高允许结温为150二、判断题1、过电压保护措施主要是利用驱动电路抑制过电压的产生。（错）2、 IGBT 的安全工作区较小。 （错）3、 IGBT的驱动电路小。

20、 （对）4、过电流保护措施措施主要通过检出过电流信号后切断栅极控制信号的办法来实现。（对）5、 IGBT 的通态压降 UCES 基本稳定，不随温度而变。 （对）6、驱动电路与整个控制电路在电位上应严格隔离，具有对IGBT 的自保护功能，并有较高的抗干扰能力。 （对）7、 IGBT的关断过程是从正向导通状态转换到反向阻断状态的过程。（错）8、当 IGBT集电极通态电流的连续值超过临界值ICM 时产生的擎住效应称为静态擎住效应（对）三、简答题1、什么是擎住效应？当 IGBT集电极通态电流的连续值超过临界值ICM 时产生的擎住效应称为静态擎住效应2、什么是过电流保护？过电流保护措施措施主要通过检出过

21、电流信号后切断栅极控制信号的办法来实现83、什么是过电压保护？过电压保护措施主要是利用缓冲电路抑制过电压的产生。四、绘图题1、绘制绝缘栅双极晶体管的符号。第五章其他新型电力电子器件MOS 控制晶闸管的符号，特性SIT 的主要参数静电感应晶闸管的符号、特性静电感应晶体管的符号、特性一、填空题1、 MOS 控制晶闸管是一种单极型 和双极型 组合而成的复合器件。2、 MCT 的三个极分别为：阳极、阴极、门极3、一般使 MCT 导通的负脉冲电压为-5V-15V ，使 MCT 关断的正脉冲电压为 +1020V 。4、 MCT 驱动电路的特点是当温度超过150时，会自动降低输出。5、伏安特性是指SIT 的

22、漏极电压 与漏极电流 之间的关系。6、静电感应晶体管SIT 也是采用 垂直导电型式 的多胞集成结构7、 SIT 器件不仅可以工作在开关状态 ，而且还可以工作在放大状态。8、 PIC 按结构型式可分为两类：一类：智能功率集成电路，另一类 是高压集成电路9、当测试条件为阳极电压1250V ，阳极电流 1000A ，结温为 25时，开通时间为2 微秒，关断时间为 3.1 微秒。10、电压监视电路使 IC 和电动机在 UCC 大于 18V时不工作， 推荐的正常使用电压在17.4V一下。二、判断题1、 SIT 器件不仅可以工作在开关状态，而且还可以工作在放大状态。（对）2、伏安特性是指SIT 的漏极电压

23、与漏极电流之间的关系。(对)3、功率 MOSFET 的栅极是绝缘的，不属于电压控制器件，属于开关器件。（错）4、在 SIT 的驱动电路中，负栅偏电压的大小决定了漏源阻断电压的高低。(对 )5、高压集成电路是由纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路以及传感器、保护电路等集成。（错）6、智能功率集成电路是由横向高压器件与逻辑或模拟控制电路所集成。（错）7、电压监视电路使IC 和电动机在UCC 大于 18V 时工作。（错）8、 MOS 控制晶闸管是一种双极型器件。（错）9、 MOS 控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。（对）10、 MCT 的门极是由MOSFET 管引出，属于电压控制器件。(

24、对 )三、问答题91、 MCT 管有什么特点？1）、阻断电压高，峰值电流大。2）、通态压降小。3）、工作温度高。4）、开关速度快，开关损耗小，工作频率高。5）、门极驱动电路简单。6）、即使关断失败，MCT 也不会损坏。2、 SIT 有哪些参数？1）、栅源击穿电压2）、栅漏击穿电压3）、最大漏极电流4）、允许功耗四、绘图1、绘制 MOS 控制晶闸管的符号？2、绘制静电感应晶体管的符号？3、静电感应晶闸管的符号？10第六章可控整流电路知识点：整流的定义单相半波可控整流电路的工作原理单相桥式全控整流电路的工作原理.三相半波可控整流电路的工作原理.三相桥式全控整流电路的工作原理输出电压晶闸管的电流一、

25、填空题1、可控整流电路是应用广泛的电能变换电路，它的作用是将 交流电 变换成大小可以调节的直流电 。2、电阻负载的特点是负载两端电压波形和流过的电流波形相似，电流、 电压均允许突变。 在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 的最大移相范围是0。3、在单相半波可控整流电阻性负载电路中，移相角的控制范围为 0 ，对应的导通角 的可变范围是 0，两者关系为 +=。4 、在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 的最大移相范围是 _180_度 _，其承受的最大正反向电压均为_2 U2_ _，续流二极管承受的最大反向电压为_ 2 U2_（设 U2 为相电压有效值） 。5

26、、单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，角移相范围为 _180 度 _ _ ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_2 /2U2_ _ 和_ 2 U2_ ；带阻感负载时， 角移相范围为 _90_度 _ ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_2 U2_ _和 _2 U2_ _ 。6、可从各角度对整流电路进行分类，主要分类方法有：按组成的器件可分为：不可控、半控、全控 ；按电路结构可分为桥式 和零式 电路；按交流输入相数分为 单相电路 和多相电路 ；按变压器一次测电流的方向是单向或双向 ，又分为 单拍电路 和双拍电路 。7、 . 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲

27、相位按相序依次互差120 度 _，当它带阻感负载时，的移相范围为 _90度_ 。8、电阻性负载的三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于 _ 2 U2_，晶闸管控制角 的最大移相范围是_150 度_，使负载电流连续的条件为 _度_ _(U2 为相电压有效值 ) 。9、三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角 >30°时，负载电流出现 _断续 _。晶闸管所承受的最大反向电压为_2 U2_。10、三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角30°，每个晶闸管的导通11角 =_120 度 _。此电路的移相范围为_150 度_ 。11、晶闸管的

28、保护有：过电压保护、过电流保护 。12、三相全控桥电路的等效内阻和晶闸管导通时的管压降均是三相半波电路的两倍13、三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为_6f_三相半波可控整流，其输出电压的脉动频率为_3f_ _ 。二、判断题1、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz 。(错 )2、三相半波可控整流电路，不需要用大于60o 小于 120o 的宽脉冲触发，也不需要相隔60o的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120o的三组脉冲触发就能正常工作。3、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障时会发生失控现象。 对4、三相桥式全控整流电路，输出电压波

29、形的脉动频率是150HZ错。5、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则的移相范围只有120o。错6、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。（错）7、在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2 。（ 错 ）8、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。 错9、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（对）10、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（ 错）

30、11、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（错）12、 逆变角太大会造成逆变失败。（错）13、 并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（对14、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（错15、 有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（错）16、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（ 错）三、选择题1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。A 、 180 °， B 、 60°， c、 360 °， D 、 120 °2、 为 C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0

31、 度， B，60 度，C，30 度，D，120 度，3、可实现有源逆变的电路为A。A 、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D 、单相半控桥整流电路。4、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角 的最大移相范围是 ( D)A 、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、 0o-180°5、= C度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。A、0 度；B、60 度；12C、30 度；D、120 度；6、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为

32、825V，则该晶闸管的额定电压应为（A）A 、700VB、750VC、800VD、850V7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角 的最大移相范围是 ( D)A 、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、 0o-180°8、在单相全控桥整流电路中， 两对晶闸管的触发脉冲， 应依次相差A度。A 、180 度；B、60 度；C、360 度；D、120 度；9、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角 的大小与哪几个参数有关B。A、 I d、 X L、U2；B 、 I d；C、 U2；D、 U2、 X L；10、单相半波可控整流电路，阻性负载，

33、导通角的最大变化范围是0°( D)A、90°B、 120°C、 150°D、 180°11、单相全波可控整流电路，电感性负载，控制角°，每个周期内输出电压的平均值为(B)A 、 Ud=0.45U2cos B、 Ud=0.9 2cosC、 Ud=1.17 2cosD、 Ud=2.34 2cos12、三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角的最大变化范围是0° (B)A、90°B、 120°C、 150°D、 180°13、三相全控桥式整流电路，阻性负载，控制角的最大移相范围是0°

34、 (A)A、90°B、 120°C、 150°D、 180°14、三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点()A 、超前 30°B、滞后 30°C、超前 60°D、滞后 60°15、 .三相全控桥式整流电路，电感性负载，控制角>30 °，负载电流连续，整流输出电流的平均值为I d，流过每只晶闸管的平均值电流为()A、I /2B、 I/3ddC、 2Id/3D、 I d1316、单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角为()A 、°°B、°

35、°C、°°D、°°18、三相全控桥整流装置中一共用了（B ）晶闸管。A三只，B 六只，C 九只。19、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。A一个，B 两个，C 三个，D 四个。20、若可控整流电路的功率大于4kW ，宜采用（ C ）整流电路。A单相半波可控B 单相全波可控C三相可控21、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B ）。A三相的大，B 单相的大，C 一样大。四、计算题1、 单相半波可控整流电路，电阻性负载。要求输出的直流平均电压为5092V 之间连续可调，最大输出直流电流为30A，由交流 220V

36、供电，求晶闸管控制角应有的调整范围为多少？选择晶闸管的型号规格（安全余量取I2 倍，T=1.66）。解：单向半波可控整流电路的1COSUL=0.45U22当 UL=50V时COS = 2U L 1=250 10045U 2045220则 =90°当 UL=92V时COS = 2U L 1=292 1=0.87045U 2045220则 =30°控制角的调整范围应为0 90°由 I T =1.66 知I dI=1.66Id=1.66× 30=50A为最大值 IT(AV)=2 × I TM=2× 50 =64A取 100A1.571.57

37、又 Uyn=2UTM=2× 2 ×220=624V取 700V晶闸管的型号为： KP100-7 。142、单相半波可控整流电路中，已知变压器次级U2 =220V，晶闸管控制角=45°，负载 RL=10。计算负载两端的直流电压平均值、负载中电流平均值和每只晶闸管流过的电流平均值。 (P91)解： UL=0.45U2 1COS2IL=UL/RLITV=IT3、 单相全控桥式整流电路带大电感负载时，若已知 U2=220V。负载电阻Rd=10， 求=60°时，电源供给的有功功率、视在功率以及功率因数为多少？（P=980.1W,S=2.178VA,cos =0.4

38、5 ）（ P97）解：第七章晶闸管的触发电路知识点：晶闸管的触发电路的结构电路图晶闸管的触发电路的工作原理一、填空题1、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。2、晶闸管整流装置的功率因数定义为、交流侧有功功率与视在功率之比。3、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个 控制电压的叠加，利用改变、控制电压的大小，来实现移相控制。4、晶闸管装置的容量越大，则高次谐波越大，对电网的影响越大。5、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有 无功功率 补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。6、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过

39、程。二、判断题1、 只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（错）2、 晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（对）3、 加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。（错4、 单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（错）5、 晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（错）6、 增大晶闸管整流装置的控制角，输出直流电压的平均值会增大。（错）7、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（对）8、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（错）9、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（错）10、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用

40、了。（错）1511、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（对）三、选择题1、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A高，B低，C好。2、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（ B）的。A连续，B断续，C不变。3、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。A有效值B最大赛值C平均值4、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。A一只，B二只，C三只，D四只。5、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A愈大，B愈小，C不变6、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）。A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。7、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。第八章、交流电力控制电路一、填空题1、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有定频调宽式，定