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文档简介
1、模拟电子技术习题第一章 二极管1、在N型半导体中,多数载流子为_D_,P型半导体_。A、空穴 带正电 B、自由电子 带负电 C、空穴 不带电 D、自由电子 不带电2、本征半导体中,自由电子的浓度_C_空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定3、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将_B_。A、减小 B、增大 C、不变 D、不能确定 4、杂质半导体中,少子的浓度取决于A_。A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷5、二极管符号中的箭头方向与_C_方向一致。A、外加电压 B、载流子运动 C、正向电流 D、反向电流6、稳压二极管通常工作在_A_状态下,能够稳定电压。A、反向击
2、穿区 B、正向导通区 C、反向截止区 D、正向截止区7、如下图,硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为_B_。A、10V B、6V C、16V D、-6V8、有关二极管的伏安特性,下列说法错误的是:D A、二极管施加大于死区电压的正向电压时导通; B、二极管施加反向电压时截止; C、二极管反向电压增加到一定值时反向击穿; D、二极管反向击穿时,通过的电流大小为0A。9、半导体二极管的最主要特性是_A_。A、单向导电性 B、温度特性 C、击穿特性 D、导通后管压降不变特性10、下列_C_不属于半导体特性。A、半导体中有两种载流子参与导电B、半导体的导电性能随温度、光照发生变化C、半
3、导体的原子最外层存在价电子D、掺入杂质可改变半导体的导电性能11、关于本征半导体说法错误的是_B_ _。A、热激发产生空穴B、热激发产生自由电子,导致半导体带负电C、自由电子、空穴数目相等D、电子空穴对越多,复合的概率也越大12、在本征半导体中加入 A 元素可以获得N型半导体。A、五价 B、四价 C、三价 D、任何杂质13、PN结的形成是由于_C_。A、多子扩散作用 B、少子漂移作用C、多子扩散与少子漂移共同作用 D、天然形成14、当PN结反向加电时(反偏),下列结论正确的是_A_。A、外电场加强内电场,耗尽层变宽B、外电场加强内电场,耗尽层变窄C、外电场削弱内电场,耗尽层变窄D、外电场削弱内
4、电场,耗尽层变宽15、二极管电路如图所示,二极管D1和D2的工作状态是_A_。A、D1、D2均截止 B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止 D、D2导通、D1截止16、频率200M Hz、电流20mA的信号要通过二极管,可选用二极管为_B_。A、面接触型 B、点接触型 C、以上两者都可(问题)17、二极管外加正向电压时,其电阻性表现为_B_。A、不随电压变化,为定值B、随电压增加而减小C、随电压增加而增加14、关于稳压二极管,下列说法错误的是_C_。A、稳压二极管的正向特性与普通二极管相同B、稳定电压UZ为反向击穿电压C、稳定电流只需规定最大值D、动态电阻越小,稳压性能越好(问题)15、两
5、个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V,将它们组成如图所示电路,设输入电压 U1值是20V,则输出电压 U0为_B_。A、9V B、7V C、0V D、8V16、半导体中的载流子是(D)。A、自由电子 B、空穴 C、离子 D、自由电子和空穴17、硅二极管的死区电压为(C)V。A、0.1 B、0.3 C、0.5 D、0.7 18、由理想二级管组成的电路如图所示,其A、B两端的电压为(C)。A.-12V B.+6V C.-6V D.+12VB19、二极管的反向击穿电压为200V,它的反向最高工作电压是_。(p6)A、50V B、100V C、200V D、150V20、硅二极管的死区电压为_B_V,
6、导通压降为_V。A、 0.3 , 0.5 B、 0.5 , 0.7 C、 0.3 , 0.7 D、 0.7 , 0.5第二章 三极管与单级放大电路1、在共发射极放大电路中,PNP三极管的发射级电位_B_。A、最低 B、最高C、为正电位 D、为负电位2、晶体管具有放大作用的外部条件是_D_。A、发射结正偏,集电结正偏 B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结正偏,集电结反偏3、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流,这三个电流之间的关系是_C_。A、IB=IC+IE B、IC=IB+IE C、IE=IB+IC D、无法确定4、NPN三极管正常工作时,电流的方向是_D_
7、。A、IE和IB流入、IC流出 B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出 D、IB和IC流入、IE流出5、某晶体管发射极电流为1mA,基极电流为20A,则集电极电流为_A_mA。 A、0.98 B、1.02 C、0.8 D、1.2 (问题)6、测量放大电路某三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V,则此三极管为_B_。A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管7、PNP与NPN三极管符号的区别是_A_画法不同。A、发射极 B、基极 C、集电极 D、管壳8、当温度升高时,晶体管输出特性曲线_A_,线与线之间间隔_。 A、上移 变大
8、B、下移 变大 C、上移 变小 D、下移 变小(问题)9、测量三极管三个电极对地电位如图所示,则三极管的工作状态为_C_。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态 10、饱和失真是由于静态工作点设置过C_而产生的;截止失真是由于静态工作点设置过_而产生的。A、高 高 B、低 高 C、高 低 D、低 低11、某一NPN管组成的单管共射放大电路,输入电压为正弦波时,输出电压波形如下图示,该输出电压波形属于_B_。A、截止失真 B、饱和失真 C、频率失真 D、交越失真12、关于射极输出器的正确叙述是_A_。A、电压放大倍数略小于1,电压跟随性好 B、输入电阻低,输出电阻高C、具有一定
9、的电流放大能力,但没有功率放大能力 D、它是共发射级放大电路13、NPN管共射基本放大电路,当静态工作点设置的过低,会产生_D_,可以通过_基极电阻RB改善静态工作点。A、饱和失真 增大 B、饱和失真 减小 C、截止失真 增大 D、截止失真 减小14、在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波,则输出与输入电压的相位_C_ 。 A、同相 B、相差90度 C、相差180度 D、相差270度15、所谓直接耦合放大器就是用_A_把放大器的前后极连接起来。A、导线 B、电容器 C、变压器 D、电阻器16、电压放大电路的作用是_A_。 A、放大微弱的电压信号 B、放大微弱的电流信号C、在允许的失真范围内,
10、使负载得到尽可能大的输出功率。17、放大电路主要有哪些元器件组成? CA、电阻和晶体管 B、电阻、电容和晶体管 C、电阻、电容、电源和晶体管18、直接耦合放大器的输入级通常是_D_放大器。A、谐振 B、宽带 C、OTL互补对称 D、差动19、根据放大电路的连接方式,半导体三极管放大电路的组态有_B_。 A、共发射极放大电路和共基极放大电路 B、共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路 C、共基极放大电路和共集电极放大电路 D、共发射极放大电路和共集电极放大电路20、在三种组态的放大电路中既能够放大电流,又能够放大电压的是_C_。A、共基放大电路 B、共集放大电路 C、共射放大电路 D
11、、射极输出器21、可以放大电压,但不能放大电流的是_C_放大电路。A、共射极 B、共集电极 C、共基极 D、无法确定22、关于三极管下列说法正确的是_B_。A、发射区参杂杂质浓度低,面积适中B、基区参杂杂质浓度低,面积小C、集电区参杂杂质浓度高,面积大D、发射极与集电极可以随意互换23、关于电压放大电路直流通路和交流通路的画法,下列说法正确的是_B_。 A、直流通路中电容视为短路,交流通路中电容视为开路B、直流通路中电容视为开路,交流通路中电容视为短路C、直流通路中电容视为短路,交流通路中电容视为短路D、直流通路中电容视为开路,交流通路中电容视为开路如图所示晶体三极管放大电路,设晶体管=37.
12、5,UBE忽略不计,完成第2432题选择答案。 24、该放大电路属于_A_。 A、共发射极放大电路 B、共集电极放大电路 C、共基极放大电路 D、分压式偏置放大电路 25、静态工作点I BQ_B_。 A、20A B、40A C、60A D、80A 26、静态工作点I CQ_C_。 A、0.5mA B、1mA C、1.5mA D、2mA 27、静态工作点UCEQ_C_。 A、12V B、9V C、6V D、3V 28、三极管动态输入电阻rbe_。 A、400 B、650 C、1.2K D、950 29、该电路的电压放大倍数Au_B_。 A、-70 B、-79 C、-158 D、-169 30、输
13、入电阻Ri_A_。 A、950 B、1.5K C、300 K D、4 K 31、输出电阻Ro_D_。 A、950 B、1.5K C、2K D、4 K32、若增大基极偏置电阻Rb,则输出信号会出现_B_。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、线性失真 33、已知三极管的极限参数为:ICM = 20 mA,PCM = 100 mW,U(BR)CEO = 20 V,则下列各静态工作参数属正常范围内的是 CA、ICQ = 25mA,UCEQ = 4V B、ICQ = 4mA,UCEQ = 25V C、ICQ = 10mA,UCEQ = 10V D、ICQ = 10mA,UCEQ = 15V3
14、4、单级基本共射、共集放大电路,输入电阻Ri与负载电阻RL之间的关系,正确的是_B_。A、共射放大电路中,Ri与RL相关B、共集放大电路中,Ri与RL相关C、都相关 D、都无关35、若在输出特性曲线上做出交流负载线,则其斜率应为_D_。A、 B、 C、 D、36、温度升高时,下面关于三极管的参数变化描述错误的是_C_。A、增大 B、ICBO增大 C、UBE增大 D、IC增大三极管构成的放大电路如图所示,请选择3739题答案。37、该三极管放大电路,以下说法不正确的是_D_。A、共集电极放大电路 B、射极输出器 C、电压跟随器 D、输入信号从集电极取出38、该放大电路的电压放大倍数和输入输出相位
15、关系,正确的说法是_C_。A、电压放大倍数为,且输出信号与输入信号相位相反B、电压放大倍数为,且输出信号与输入信号同相位C、电压放大倍数约为1,且输出信号与输入信号同相位D、电压放大倍数约为-1,且输出信号与输入信号相位相反39、该放大电路的输入电阻_B_,输出电阻_,多用于输入级、输出级或缓冲级。A、高 高 B、高 低 C、低 高 D、低 低40、对于电压放大电路,为获得较高的输出电压信号,我们希望_A_。A、输入电阻Ri越大越好,输出电阻Ro越小越好; B、输入电阻Ri越小越好,输出电阻Ro越小越好;C、输入电阻Ri越大越好,输出电阻Ro越大越好;D、输入电阻Ri越小越好,输出电阻Ro越大
16、越好;41、 某放大电路的输出电阻为2 K,测得未接负载时输出电压为3V,当接上2 K的负载时,输出电压为 B V。A、0 B、1.5 C、2 D、342、放大电路的输出电阻Ro越小,当负载变动时,放大电路的输出电压变动 A 。A、越小 B、越大 C、不变43、基本共射放大电路最常用的调整静态工作点的方法是调节(B)。A、Rc B、RB C、UCC44、以下_C_不属于电压放大器的理想指标。A、电压放大倍数大B、输入电阻大C、输入电阻小D、输出电阻小45、放大电路是否带负载将会影响其特性,下列说法错误是的_C_。A、带上负载,电压放大倍数更小B、带上负载,负载线的斜率更大C、带上负载,负载线不
17、通过静态工作点D、带上负载,输出电压的动态范围变小46、某放大电路正常工作是,测得UB = 1.5V,UE = 2.2V,则所用晶体管的类型及材料为_B_。A、NPN硅管 B、PNP硅管 C、NPN锗管 D、PNP锗管47、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示,测出,由此可知对应电极是_B_。A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定48、测量三极管三个电极对地电位如图所示,则三极管的工作状态为_B_。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态49、晶体三极管的反向饱和电流ICBO是由_B_运动形成。A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子与少数载流子共同作用 D、
18、自由电子50、温度升高,晶体三极管的参数会发生变化,下列说法错误的是_D_。A、放大倍数 增大 B、UBEQ降低C、反向饱和电流增大 D、所构成基本放大电路的Q点下降第三章 多级放大电路1、一个三级放大电路,测得第一级的电压增益为20dB,第二级的电压增益为40dB,第三级的电压增益为20dB,则总的电压增益为_C_。 A、0dB B、60dB C、80dB D、800dB 2、多级放大电路与其中每一级相比,频带_B_。 A、变宽 B、变窄 C、基本不变3、哪一种耦合方式会产生零点漂移?CA、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合4、组成多级放大器的目的是_C_。A、提高输入电阻 B、提高输出
19、电阻 C、提高放大能力 D、展宽频带5、集成运放的耦合方式是_C_。A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合6多级放大器的电压放大分别是10、25、40,总电压放大倍数为_D_。A、40 B、400 C、250 D、100007、两个相同的单级共射放大电路,空载时电压放大倍数均为30,现将它们连成一个两级放大电路,则总的电压放大倍数为_C_。A、等于60 B、等于900 C、小于900 D、大于9008、组成多级放大器的目的是_C_。A、提高输入电阻 B、提高输出电阻C、提高放大能力 D、展宽频带9、关于多级放大电路,下列说法错误的是D_。A、多级放大电路的前一级输出信号,可以看成是后一级的
20、输入信号B、多级放大电路的输入电阻为从第一级看进去的输入电阻C、后一级的输入电阻是前一级的负载电阻D、多级放大电路的输入电阻为第一的输入电阻,肯定与最终负载无关10、差模输入信号是差动放大电路两个输入端信号的_B_。A、和 B、差 C、比值 D、平均值11、要想使多级放大电路的各级电路的静态工作点稳定、相互独立,应该选择(A )方式。A.阻容耦合 B. 直接耦合 C. 变压器耦合 D.无法确定12、多级放大电路中,零点漂移大的是(B)耦合方式。A.阻容耦合 B. 直接耦合 C. 变压器耦合(问题)13、电路放大倍数为1000,其分贝数是_C_。 A、10dB B、20dB C、60dB D、8
21、0dB14、多级放大器总的输入阻抗应等于_B_A、信号源电阻 B、输入级的输入阻抗 C、中间级的输入阻抗 D、输出级的输入阻抗15、关于多级放大电路的耦合方式,说法正确的是CA、阻容耦合方式对低频信号影响小B、阻容耦合方式被广泛应用在集成电路中C、直接耦合的静态工作点不相互独立D、直接耦合方式简单,电路静态工作点计算也简单第四章 反馈放大电路1、反馈放大电路的含义是_B_。A、输入与输出之间有信号通路 B、电路中存在反向传输的信号通路 C、除放大电路之外还有信号通路2、放大电路为稳定静态工作点,应引入_A_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈3、放大电路为稳定增益,
22、应引入_B_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈4、放大电路为减少非线性失真,应适当引入_B_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈5、放大电路为扩展频带,应适当引入_B_。A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流正反馈6、某负反馈放大电路,输出端接地时,电路中的反馈量仍存在,则表明该反馈是_A_反馈。A、电流 B、电压 C、串联 D、并联7、如果希望减小放大电路向信号源索取的电流,则宜采用_C_负反馈。A、电压 B、电流 C、串联 D、并联8、若反馈深度1+FA1,则放大电路工作于_B_状态。 A、正反馈 B、负反馈 C、
23、自激振荡 D、无反馈9、若反馈深度1+FA0,则放大电路工作于_C_状态。 A、正反馈 B、负反馈 C、自激振荡 D、无反馈10、如图电路的反馈类型为_B_负反馈。A、电压并联 B、电压串联 C、电流并联 D、电流串联11、如果希望负载变化时输出电流稳定,则应引入_B_负反馈。A、电压 B、电流 C、串联 D、并联12、射级跟随器是_A_负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联13、引入_D_负反馈后,将使放大器的输出电阻增大,输入电阻减小。A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联14、如图电路中通过R4引入_B_负反馈。A、电压串联 B、电压并联 C、电
24、流串联 D、电流并联15、如下图电路的反馈类型为_B_负反馈。A、电压并联 B、电压串联 C、电流并联 D、电流串联16、如图所示的电路,R5引入的反馈类型为_B_。 A、电流串联负反馈 B、电压串联负反馈 C、电压串联正反馈 D、电流串联正反馈17、如图所示的电路,RF引入的反馈类型为_C_。 A、电流串联负反馈 B、电压并联正反馈 C、电压串联负反馈 D、电流并联正反馈18、如图所示电路,Rf引入的反馈类型为_C_。 A、交直流电压串联负反馈 B、交直流电流并联负反馈 C、交流电压串联负反馈 D、交流电流并联负反馈 19、如上题图所示的电路,R1引入的反馈类型为_B_。 A、交流电压串联负
25、反馈 B、直流电流并联负反馈 C、交流电流并联负反馈 D、直流电压并联负反馈20、已知负反馈放大器的300,0.01,则闭环增益应为_C_。A、3 B、4 C、75 D、10021、要稳定输出电压,使输出电阻降低,应引入的反馈为_A_。A、电压 B、电流 C、串联 D、并联22、关于负反馈对放大电路性能的影响,下列说法错误的是_D_。A、降低放大倍数 B、减小非线性失真 C、展宽频带 D、使输入电阻提高23、关于电路性能对负反馈效果的影响,下列说法正确的是_A_。A、电压负反馈,负载越大,效果越好 B、电流负反馈,负载越大,效果越好C、串联负反馈用于信号源内阻大的场合 D、并联负反馈用于信号源
26、内阻小的场合24、如图所示电路,在深度负反馈条件下,闭环电压增益为_B_。A、 B、 C、 D、25、如图所示的电路,R3引入的反馈类型为_C_。A、电流串联负反馈 B、电压串联负反馈 C、电压串联正反馈 D、电流串联正反馈26、为了提高增益,可适当引入(C)。A、交流负反馈 B、直流负反馈 C、交流正反馈第五章 集成放大电路1、集成运算放大器实质是_B_。A、单级放大器 B、直接耦合的多级放大器 C、阻容耦合的多级放大器 D、变压器耦合的多级放大器(问题)2、如下图所示的电路,Uo=_C_。A、2V B、4V C、6V D、10V3、组成加法器的运放工作在_A_状态。A、线性 B、非线性 C
27、、饱和 D、截止4、如图所示运算放大器电路,则_A_。A、 B、 C、 D、5、_B_比例运算电路的输入电阻低。A、同相 B、反相 C、同相与反相6、欲实现Au=100的放大电路,应选用_A_运算电路。A、反相比例 B、同相比例 C、积分 D、微分7、集成运算放大器工作在线性状态特点有_B_。 A、虚短、虚地 B、虚短、虚断 C、虚断、虚地 D、短路、断路 8、如图所示理想运算放大器电路工作在_A_。 A、线性区域 B、非线性区域 C、UU0状态 D、II0状态9、理想集成运算放大电路中,以下关系式正确的是_A_。 A、UU B、UU C、UU=0 D、II0 10、关于比例运算电路的说法,不
28、正确的是_C_。 A、同相比例运算电路存在共模信号 B、反相比例运算电路不存在共模信号,即共模信号为零 C、同相和反相比例运算电路都存在虚地 D、同相比例运算电路比反相比例运算电路输入电阻高11、如图所示电路中理想集成运算放大器最大输出电压为10V,则输出电压Uo=_D_。 A、0V B、5V C、+10V D、-10V12、如图所示电路,已知R1=10kW,RF =50kW ,则Auf_C_为,R2为_kW。RFuiR2R1+DA、-5, 10 B、5, 10 C、-5, 8.3 D、5, 8.313、下列关于理想集成运算放大器的叙述,错误是_A_。 A、输入电阻为零,输出电阻也为零 B、输
29、入信号为零时,输出信号也处于零电位 C、频带宽度从零到无穷大 D、开环电压放大倍数无穷大14、如图所示电路,若理想集成运放最大输出电压幅值为12V,ui0,若将R3断开,则uo=_B_。 A、+12V B、-12V C、0V D、15、关于集成运放输出级,描述正确的是(A)。A、带负载能力强 B. 输出电阻大 C、非线性失真大 D、输出电压电流比较小16、集成运放工作在线性区的条件为A。A、带有负反馈 B、处于开环状态 C、带有正反馈或处于开环17、有用信号的频率低于4KHZ,则应该选用_B_滤波电路。 A、高通 B、低通 C、带通 D、带阻 18、希望抑制50HZ的交流电源干扰,则应该选用_D_滤波电路。 A、高通 B、低通 C、带通 D、带阻19、如图所示电路,若理想集成运算放大器最大输出电压幅值为12V,双向限幅稳压管的稳定电压为UZ=6V,当输入电压ui=4V时,uo=_D_。 A、+12V B、-12V C、+6V D、-6V20、集成运算放大器一般有两个工作区域,它们分别是_C_工作区域 A、虚短和虚断 B、正反馈和负反馈 C、线性和非线性 D、截止和饱和 21、如图所示的理想运算放大器电路工作在_B_
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