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1、拟电子技术胡宴如(第3版)自测题第1章半导体二极管及其基本应用1. 1填空题1 .半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。2 .本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N型半导体,其多数 载流子是 电子 ;若掺入微量的三价元素,则形成 P型半导体,其多数 载流子是空穴 。3 . PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止,这种特性称为 单向导电 性。4 .当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 增大、正向压降将 减小。5 .整流电路是利用二极管的单向导电 性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6 .发光二极管是一种通以正向 电流就会 发光的二

2、极管。7 .光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号、它工作时需加 反向 偏置 电压。8 .测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流 电阻等于650 Q交流电阻等于 26 Qo1 . 2单选题1 .杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 (C )。A .温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2 . PN结形成后,空间电荷区由(D )构成。A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3 .硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而 (B )。A.减小B.基本不变C.增大4 .流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将 (C )。A.增大B.基本不变C.减小5

3、.变容二极管在电路中主要用作(D )。、A .整流B .稳压C .发光D.可变电容器1. 3是非题1 .在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素, 可将其改型为P型半导体。 (v )2 .因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(X )3 .二极管在工作电流大于最大整流电流 If时会损坏。(X )4 .只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(X )1. 4分析计算题1 .电路如图T1. 1所示,设二极管的导通电压 UD(on)=0.7V,试写出各电路 的输出电压Uo值。&v()3 kH沁06V10V6V ()】0V()用TL 1解:(a)二极管正向导通,所以输出电压 U0=(

4、60.7)V=5.3 V。(b)令二极管断开,可得Up=6 V、Un=10 V, Up<Un,所以二极管反向 偏压而截止,U0=10 V。令 VI、V2 均断开,UN1 = 0V、Un2 = 6V、Up=10V, UpUNi>Up UN2,故Vi优先导通后,V2截止,所以输出电压 U0=0.7 Vo2 .电路如图T1. 2所示,二极管具有理想特性,已知 ui = (sincot)V,试对 应画出Ui、U0、iD的波形。图 TL2TL316 / 24解:输入电压Ui为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零, 即U0=0,而流过二极管的电流iD = Ui/R,为半波正弦波,其

5、最大值lDm=10 V /1 kQ=10 mA;当ui为负半周时,二极管反偏截止,iD=0, u0=ui为半波正弦 波。因此可画出电压U0电流iD的波形如图(b)所示。TL2及其工作波形3 .稳压二极管电路如图 T1. 3所示,已知Uz = 5 V, Iz = 5 mA,电压表中 流过的电流忽略不计。试求当开关s断开和闭合时,电压表和电流表。1、(A2读 数分别为多大?解:当开关S断开,R2支路不通,IA2 = 0,此时Ri与稳压二极管V相串联, 因此由图可得, Ui U2(18 5)VI ai6.5mA I zRi2K可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5 V。当开关S闭合,令稳压

6、二极管开路,可求得R2两端压降为R20.5UR2 2 U118 3.6 UzR1 R22 0.5故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,Ri、R2构成申联电路,电流表Ai、A2的读数相同,即, Uii8VI ai IA2"7.2mARi R2 (2 0.5)K而电压表的读数,即R2两端压降为3.6 V。第2章半导体三极管及其基本应用2. i填空题1 .晶体管从结构上可以分成PNP 和 NPN 两种类型,它工作时有2种截流子参与导电。2 .晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结 反偏。3 .晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是 放大、饱和、 截止 。4

7、 .当温度升高时,晶体管的参数B增大、ICBO增大、导通电压Ube减小 。5 .某晶体管工作在放大区,如果基极电流从i0pA变化到20小时,集电极 电流从imA变为i.99 mA,则交流电流放大系数B约为99。6 .某晶体管的极限参数 IcM=20mA、PcM=i00mW、U(br)ceo=30V,因此, 当工作电压Uce=10V时,工作电流Ic不得超过0_mA;当工作电压Uce=1V 时,Ic不得超过 20 mA:当工作电流Ic=2 mA时,Uce不得超过30 V。7 .场效应管从结构上可分为两大类:结型 、 MOS :根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、P沟道 两类;对于MOSFET,根

8、据栅源电 压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型 、 增强型 。8 .UGS(off)表示 夹断 电压,IDSS表示 他和漏极 电流:它们是 耗尽 型 场效应管的参数。2. 2单选题1 .某NPN型管电路中,测得Ube=0 V,Ubc= -5 V,则可知管子工作于(C ) 状态。A.放大 B.饱和D.不能确定C.截止2 .根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3口66为(B )。A. NPN型低频小功率硅晶体管B. NPN型高频小功率硅晶体管C. PNP型低频小功率错晶体管D. NPN型低频大功率硅晶体管3 .输入(C )时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A.正弦小

9、信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号4 . ( D )具有不同的低频小信号电路模型。A. NPN型管和PNP型管 B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管D.晶体管和场效应管5 .当Ugs= 0时,(B )管不可能工作在恒流区。A. JFETB.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 D. NMOS管6 .下列场效应管中,无原始导电沟道的为(B )。A. N 沟道 JFETB.增强 AI PMOS 管C.耗尽型NMOS管 D.耗尽型PMOS管2. 3是非题1 .可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。(X )2 . MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低

10、、热稳定性好等优点。(V )3 . EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。(X )4 .结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的 PN结反偏。(V )5 .场效应管用于放大电路时,应工作于饱和区。(V )2. 4分析计算题1 .图T2. 1所示电路中的晶体管为硅管,试判断其工作状态。0 V3 V3V图 T2. 1解:(a)UBE=UBUE = 0.70=0.7V,发射结正偏; Ubc=UbUc=0.73 = 2.3 V,集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。(b) Ube=UB Ue = 23 = 1V,发射结反偏; Ubc=Ub Uc=2 5= 3 V,集电结反偏 因此晶体管工作

11、在截止状态。(c) Ube=UbUe = 32.3= 0.7V,发射结正偏;Ubc=UbUc=32.6= 0.4V,集电结正偏 因此晶体管工作在饱和状态。(d)该管为PNP型晶体管Ueb=Ue Ub = (2)一(2.7)= 0.7V,发射结正偏;Ucb=UcUb= (5)一( 2.7)= - 2.3V,集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。2.图T2. 2所示电路中,晶体管均为硅管,B =100,试判断各晶体管工 作状态,并求各管的Ib、Ic、Uce。(b)(d用 T2.2解:(a)方法一:,(6 0.7)VI b - 0.053mA100K设晶体管工作在放大状态,则有Ic= BB= 100

12、X0.053 = 5.3mAUce= 125.3X 3= 3.9 V<0说明上述假设不成立,晶体管已工作在饱和区。令晶体管的饱和压降UCE(Sat)=0.3 V,则集电极电流为I CSVCCU CE(sat)Rc12 0.313.9 mA因此可得晶体管的方法二:Ib = 0.053 mA、Ic = Ics= 3.9 mA、Uce= UcE(Sat)= 0.3 V(6 O7)V100K0.053mACSVCCU CE(sat)Rc12 0.313.9mAI BSI CS3.9一 0.039mA100因为Ib>Ibs,所以晶体管处于饱和状态,因而有Ib = 0.053 mA、Ic=Ic

13、s= 3.9 mA、Uce= UcE(Sat)= 0.3 V心 (6 0.7)V(b) I B0.0084mA 8.4 A510K设晶体管工作在放大状态,则有Ic= 100X0.008 4 mA= 0.84 mAUce = 5 V0.84X 3= 2.48 V> UcE(Sat)说明晶体管工作在放大状态,故上述假设成立,计算结果正确。(c)基极偏压为负电压,发射结和集电结均反偏,所以晶体管截止,则IB =0, Ic=0, Uce = 5 V3.放大电路如图T2. 3所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零, 试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。图 T2. 3解:(a)将

14、Ci、C2断开,即得直流通路如下图(a)所示;将Ci、C2短路、直流 电源对地短接,即得交流通路如下图(b)所示;将晶体管用小信号电路模型代人, 即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。行的直流通路与交域等效电拈(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、所示。M(b)(c)£动的直流遹路与交流等效电路4.场效应管白符号如图T2. 4所示,试指出各场效应管的类型,并定性画 出各管的转移特性曲线。图 T2.4解:(a)为P沟道耗尽型MOS管,它的转移特性曲线如下图(a)所示,其特点是 UGS=0 时,iD = I DSS(b)为N沟道增

15、强型MOS管,它的转移特性曲线如下图(b)所示,其特点是 UGS=0 时,iD = 0(c)为N沟道结型场效应管,它的转移特性曲线如下图(c)所示,其特点是 UGS=0 时,iD = lDSS,且 UGs00(b)©场效应管的转移特性曲线第3章放大电路基础3. 1填空题1 .放大电路的输入电压Ui = 10 mV,输出电压U0=1 V,该放大电路的电压 放大倍数为 100、电压增益为 40dB。2 .放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电压也就越 大 :输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越 小 , 放大电路的负载能力就越 强 。3 .共集电极放大电路的输出

16、电压与输入电压同 相,电压放大倍数近似为,输入电阻大,输出电阻小 。4 .差分放大电品&的输入电压 Ui1 = 1 V, Ui2=0.98 V,则它的差模输入电压 Uid= 0.02 V.共模输入电压 UiC= 0.99V。5 .差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用、对 共模 输 入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点漂移很小 。6 .乙类互补对称功放由NPN 和 PNP两种类型晶体管构成,其主要优点是效率高 。7 .两级放大电路,第一级电压增益为40 dB,第二级电压放大倍数为10倍, 则两级总电压放大倍数为1000 倍,总电压增益为 60 dB08 .集成运算放大

17、器输入级一般采用差分 放大电路,其作用是用来减小零点漂移。9 .理想集成运算放大器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等 ,称为 虚短;输入电流近似为0,称为 虚断 。10 .集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端反相,后者的极性与输出端同相 。3. 2单选题1 .测量某放大电路负载开路时输出电压为 3 V,接入2 kQ的负载后,测得 输出电压为1 V,则该放大电路的输出电阻为(D )kQ0A. 0.5 B. 1.0 C. 2.0 D. 42 .为了获得反相电压放大,则应选用(A )放大电路。A.共发射极B .共集电极C.共基极 D.共栅极3 .为了使

18、高内阻的信号源与低阻负载能很好配合,可以在信号源与负载之 间接入(B )放大电路。A.共发射极B.共集电极C.共基极 D.共源极4 .放大电路如图T3. 1所示,已知Rs=Rd,且电容器容量足够大,则 该 放大电路两输出电压U01与U02之间的大小关系为(B )。A . U01 = U02 B. U01 = U02C. U01>U02D . U0l < U02图 T3, I5 .选用差分电路的原因是(A )。A.减小温漂B.提高输入电阻 C.减小失真 D.稳定放大倍数6 .差分放大电路中适当增大公共发射极电阻,将会使电路的 (D )增大。A.差模电压增益D,共模电压增益 C.差模输

19、入电阻D,共模抑制比7 .功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高 (B )。A .输出功率B.放大器效率C.放大倍数D,负载能力8 .由两管组成的复合管电路如图 T3. 2所示,其中等效为PNP型的复合管 是(A ) oAB图 T3. 2D9 . OTL电路负载电阻Rl = 10Q,电源电压Vcc=10 V,略去晶体管的饱和压降,其最大不失真输出功率为(B )WA. 10B, 5C, 2.5 D. 1.2510 .集成运算放大器构成的放大电路如图 T3. 3所示,已知集成运算放大器 最大输出电压Uom=±10 V, ui = 5 V,则该放大电路的输出电压为(C )V。A. -5B

20、. 0C. 5D. 103. 3是非题1 .放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。(X )2 .共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相,输入电阻不是很大而 且输出电阻又较大,故很少应用。,(X )3 .单端输出的具有电流源的差分放大电路,主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。(V )4 .乙类互补对称功率放大电路输出功率越大,功率管的损耗也越大,所以 放大器效率也越小。(x )5 . OCL电路中输入信号越大,交越失真也越大。(X )6 .直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。(V )3. 4分析计算题1 .放大电路如图T3.4所示,已知晶体

21、管的Ubeq = 0.7 V, B =99, rbb,=200Q, 各电容在工作频率上的容抗可略去。试:(1)求静态工作点Icq、Uceq;(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路,求出rbe;(3)求电压放大倍数Au = uo/u i及输入电阻Ri、输出电阻R0o图 T3.4解:(1)求 Icq、Uceq、Ibq电路构成分压式电流负反馈偏置电路,所以Rb210UBQ RTEVCC6行 12V 279VU BQ U BEQI CQ I EQ-RE2.79 0.721mAU CEQVCCICQ(RCRE) 12 1 (1.7 2) 5.3VI cq 1mA990.01mA 10 AI BQ(2

22、)画出放大电路的交流通路和微变等效电路,分别如图(a)、(b)所示。(4!他)交潼通路和微变等效电路26(1 99) 2.8K1rberbb(1) 26mV200I EQ求 Au, Ri、Ro 由图(b)可得AuU0UiRc / Rlrbe994.7/5.12.887RiRb1/RB2/rbe 33/10/2.8 2KRoRc 4.7K2 .差分放大电路如图T3. 5所示,已知1。= 2 mA。试:(1)求放大电路的静态工作点ICQ2、UCQ2;(2)当u i =10 mV时,ici=1.2 mA,求V2管集电极电位uc2、输出电压 U0以及电压放大倍数 Au = uo/ u i。解:(1)求

23、 I CQ2 和 UCQ2I 2由图 3. 42 可知:Icq2 1mA22U CQ2VCCI CQ2 RC6 1 3 3V求uC2、u。及Au根据差分放大电路的传输特性可知当 ici=1.2mA 时,ic2=l0 ici = 2-1.2 = 0.8 mA所以V2管集电极电位为uc2 = Vcc ic2 Rc= 6 V 0.8X 3= 3.6 V 放大电路的输出电压u0为u0 = uc2 Ucq2= 3.6 3=0.6 V所以,电压放大倍数为Au电出匕60ui 10mV3 .放大电路如图T3. 6所示。试:(1)说明二极管V3、V4的作用;(2)说明晶体管Vi、V2工作在什么状态?(3)当Ui

24、m = 4 V时,求出输出功率P0的大小。解:(1)V3、V4正向导通,其压降提供给功率管 VI、V2作为发射结小正向偏 置电压,用以克服交越失真。(2)因VI、V2管发射结加有小正向偏置电压,所以它们工作在甲乙类状态。(3)因Uom=Uim=4 V,所以输出功率为Pom "2)2 里立 0.08WRL1004 .集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T3. 7所示,试分别求出它们的电压放大倍数 Au=Uo/u i及输入电阻Rio60 kQ40 kQ图 T3.7解:图(a)为反相放大电路,所以Ri = 30KQA 60230图(b)为同相放大电路,所以u0 uP u04040Au

25、- -P - (1) 2Vuiui uP 20 4020Ri = 20+40= 60 KQ第4章负反馈放大电路4. 1填空题1,将反馈引入放大电路后,若使净输入减小,则引人的是 _£一反馈,若 使净输入增加,则引入的是 正 反馈。2 .反馈信号只含有直流量的,称为 百流 反馈、反馈信号只含有交流量 的,称为交流 反馈。3 .反馈放大电路中,若反馈信号取自输出电压,则说明电路引入的是电压 反馈,若反馈信号取自输出电流,则是 电流 反馈;在输入端, 反馈信号与输入信号以电压方式进行比较, 则是 串联 反馈,反馈信号与输入 信号以电流方式进行比较,则是 并联 反馈。4 .负反馈虽然使放大电

26、路的增益 减小,但能使增益的 稳定 提高、通频带展宽.非线性失真减小 。5 .电压负反馈能稳定 输出电压 ,使输出电阻 减小 ;电流负反馈能稳定输出电流,使输出电阻 增大 。6 .放大电路中为了提高输入电阻应引入一联 反馈,为了降低输入电阻应引入并联反馈。7 .负反馈放大电路中,其开环电压放大倍数Au=90,电压反馈系数Fu=0.1, 则反馈深度为 10 ,闭环放大倍数为 9 。8 .深度负反馈放大电路有:x产 xf ,即xid= 0 。4. 2单选题1 .放大电路中有反馈的含义是(C )。A .输出与输入之间有信号通路B .输出与输入信号成非线性关系C.电路中存在反向传输的信号通路 D.除放

27、大电路以外还有信号通路2 .直流负反馈在放大电路中的主要作用是(D )。A.提高输入电阻B.降低输人电阻C.提高增益D.稳定静态工作点3 .并联负反馈能使放大电路的(B )。A .输人电阻增大B.输入电阻减小C.输入电阻不变D.输出电阻减小4 .在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响很小,同时对信号源的影 响也要小,则需引入负反馈的类型为(A )。A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联5 .负反馈放大电路中,A为开环放大倍数,F为反馈系数,则在深度负反馈 条件下,放大电路的闭环放大倍数且,近似为 (B )。A. F B. 1/FC. A D. 1+AF4. 3是非题1 .直流负反馈

28、只存在于直接耦合电路中,交流负反馈只存在于阻容耦合电 路中。(X )2 .若放大电路的A>0,则接入的反馈一定是正反馈,若 A<0,则接入的 反馈一定是负反馈。(X )3 .共集电极放大电路,由于且 Au<1,故该电路没有负反馈。(X )4 .当输入信号是一个失真的正弦波,加人负反馈后能使失真减小。(X )5 .负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能,对反馈环路之外电路无效。(,)6 .在深度负反馈放大电路中,只有尽可能地增大开环放大倍数,才能有效地提高闭环放大倍数。(x )4. 4分析计算题1 .反馈放大电路如图T4. 1所示,试指出电路的反馈类型,判断其反馈极 性。解:

29、(a)在图T4. 1(a)中标出反馈信号uf,如下图(a)所示,可见uf= uo,反馈 信号取样于输出电压U0,故输出端为电压反馈。由图(a)可见,Ui、uid、Uf三者用 联,形成电压比较关系Uid =ui Uf,故输入端为串联反馈。令Ui为。,则得输 出电压U0 O Uf为,如图(a)所示,反馈电压Uf使净输入Ui减小,故为负反馈。 所以图T4. 1 (a)所示电路为电压串联负反馈放大电路。(b)由图T4. 1 (b)可见,负载Rl、反馈网络、基本放大电路(即集成运放) 三者为串联,故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的 反相端加入,故为并联反馈,因此可在图中标出反馈电

30、流if如下图(b)所示。令输入电压Ui为©,如下图(b)所示,此时集成运放输出端对地电位为 Q ,因此 电压UR3为Q , if由输入端流向输出端,如下图(b)所示,可见札的=一if,反 馈使净输入端减小,故为负反馈。因此,图 T4. 1 (b)所示电路为电流并联负反 馈放大电路。(c)由图T4. 1 (c)可见,放大电路的输出端 Rl、基本放大器、反馈网络 三者并联,故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联,故 为并联反馈。令输入信号Ui为。,根据共发射极放大电路特性,可知U0为Q, 反馈信号if由输入端流向输出端,由下图(c)可得iid = ii if,反馈使净输

31、入位减小, 故为负反馈。因此,图T4. 1所示电路为电压并联负反馈放大电路。2 .深度负反馈放大电路如图 T4. 2所示,在图中标出反馈信号xf,指出反 馈类型,求出闭环电压放大倍数 AUf=Uo/U io解:(a)为电压并联负反馈,反馈信号为if ,标于下图(a)中。在深度电压并 联负反馈电路中有 ii=if,而 ii= (UiUN)/Rl= Ui/Rl, if= (UNU0)/Rl = U0/R2, 因此可得.U0ifR2R2Au T2U ii i R1R1(b)为电流串联负反馈,反馈信号为Uf,标于下图(b)中。在深度电流用联负反馈电路中有:upufo又由图下(b)可得:uo=ioRL,

32、 Uf = ioR2。所以可得 Uo UoRlAuUiUfR2(c)为电压串联负反馈,反馈信号为Uf,标于下图(c)中。在深度电压用联负反馈放大电路中有:Ui-Ufo现由下图可知Uf=U0,所以可得AuU0UiUoUf反镰信恃第5章集成运算放大器的应用电路5. 1填空题1 .运算电路中的集成运算放大器应工作在线性 区,为此运算电路中必须引入 深度负 反馈。2 .反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 :运算放大器共模输 入信号为 零:同相比例运算电路的主要特点是输入电阻 很大,运算放 大器共模输入信号较大 。3 .简单RC低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的0.707倍,即 衰减 3

33、dB,相移为 -45° 。4 .晶体管有三个频率参数 fe称为 共射截止频率,fa称为共基截止频H, fT称为特征频率 。5.集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降 3 dB所对应的信号 频率称为开环带宽,开环差模电压增益值下降到 0dB所对应的信号频率称 为单位增益带宽 。6.集成运算放大需交流放大电路采用单电源供电时,运算放大器两个输入 端的静态电位不能为零,运算放大器输出端必须接有输出电容 。5. 2单选题1 .图T5. 1所示比例运算电路中,设 A为理想运算放大器,已知运算放大 器最大输出电压U0m=±12 V,当ui=1 V时,则输出电压 为(C )V。A

34、. 24 B. 21C. 12 D、-1220 kQ图 T5. 12,若实现函数U0= ui1+4ui2 4ui3,应选用(B )运算电路。A .比例B.加减C.积分D .微分3 .欲将方波电压转换成三角波电压,应选用(B )运算电路。A.微分B.积分C.乘法D.除法4 .集成运算放大器开环电压增益为 106,开环带宽BW=5 Hz,若用它构 成 闭环增益为50倍的同相放大电路,则其闭环带宽 BWE( B )Hz0A. 5X 105B. 105C. 250 D. 55 . 3是非题1 .凡是集成运算放大器构成的电路,都可用“虚短”和“虚断”概念加以 分析。(X )2 .放大电路低频段没有转折频

35、率,则说明该电路采用了直接耦合方式。(,)3 .某集成运算放大器开环带宽为 5 Hz,由于其非常低,所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。(X )4 .与无源滤波器相比较,有源滤波器具有可提供通带内增益,负载对滤波 特性影响小等优点。(V )5 . 4分析计算题1.电路如图T5. 2所示,试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式 并指出电路名称。图 T5.2解:(a) u n u pRfRiRfUiiUI2 uN uN u0RiRf图 T5.318 / 24经整理可得Uo 生(Uli U12),为减法运算电路Rit(b)u0 uIdt ,为积分运算电路0RiCf 0 I(C)UoKuIi

36、UI2,为乘法运算电路? U(d)U0 一,为一阶有源低通滤波器1 j 一H2.运算电路如图T5. 3所示,试求各电路输出电压的大小10 kQTV01sg解:(a)采用叠加定理,则得U020K10K0.6V20K (20K (2V) 0.8V26 / 24(b )采用叠加定理,则得Up(15K/15K)15K (15K/15K)6V(15K/15K)(3V) 1V15K (15K/15K)Uo3.电路如图(1 年up 2/T5. 4所示,试用比例运算关系求出输出电压。o-T图 T5.4解:(a)采用叠加定理,将ui分别从反相端和同相端输入,使之构成反相比 例运算电路和同相比例运算电路,则得RU

37、0 RUi (1彘)(b)采用叠加定理,将UoRRUI(1ui分别从反相端和同相端输入,则得R、第6章信号产生电路6. 1填空题1 .正弦波振荡电路主要由放大二路稳幅环节四部分组成。正反馈网络 、诜频网络2.设放大电路的放大倍数为人反馈网络的反馈系数为Fu则正弦波振荡电路的振幅平衡条件是Au Fu位平衡条件是a f 2n (n 0,1,2,3 )Fu =1/3 、放大3 . RC桥式振荡电路输出电压为正弦波时,其反馈系数电路的电压放大倍数Au=/;若RC串并联网络中的电阻均为 R,电容均为C,则振荡频率f0= 1/(2 tiRC)。4 . RC桥式正弦波振荡电路中,负反馈电路必须采用 非线性

38、元件构成, 其主要目的是为了稳幅 。5 .用晶体管构成的三点式LC振荡电路中,谐振回路必须由 三个 个 电抗元件组成,在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须同 性质,不与发射极相接的电抗元件必须与之 异 性质,方能满足振荡的相位条件。6 .石英晶体在并联型晶体振荡电路中起电感兀件作用,在串联型晶体振荡器中起 短路元件作用、石英晶体振荡器的优点是频率稳定度高 。7 .电压比较器输出只有 高电平 和 低电平两种状态,由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在非线性 状态。8 .迟滞比较器中引人中引入了正 反馈.它有两个门限电压。9 .三角波产生电路由 迟滞比较器和 线性RC积分电路 组成。

39、6. 2单选题1 .信号产生电路的作用是在(B )情况下,产生一定频率和幅度的正弦或 非正弦信号。A.外加输入信号B.没有输入信号C.没有直流电源电压D.没有反馈信号2,正弦波振荡电路的振幅起振条件是(D )。?A.Au Fu1B.Au Fu0 C.Au Fu1 D.Au Fu13 .正弦波振荡电路中振荡频率主要由(D )决定。A.放大倍数B.反馈网络参数C.稳幅电路参数D.选频网络参数4 .常用正弦波振荡电路中,频率稳定度最高的是 (D )振荡电路。A . RC桥式B .电感三点式C.改进型电容三点式D.石英晶体5 .电路如图T6. 1所示,它是(C )正弦波振荡电路。A .电容三点式B .

40、电感三点式C.并联型晶体D.串联型晶体图 T6. L图 T6. 26 .电路如图T6, 2所示,它称为(C )。A. RC振荡电路B.单限电压比较器C.迟滞比较器D.方波产生电路6. 3是非题1 .信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号,所以信号产生电路工 作时不需要接入直流电源。(X )?2 .电路存在反馈,且满足 Au Fu 1,就会产生正弦波振荡。(X )3 . RC桥式振荡电路中,RC串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。(V )4 .选频网络采用LC回路的振荡电路,称为LC振荡电路。(V )5 .电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态,输入高电平时,输出 为高电平;输入低电平时输

41、出为低电平。(X )6 .非正弦波产生电路中没有选频网络,其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现。(V )6. 4分析题1 .振荡电路如图T6. 3所示,试回答下列问题:(1)指出电路名称;(2)反馈信号uf取自哪个元件的电压?(3)画出电路的交流通路,判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件, 求出振荡频率。解:(1)画出交流通路如图(b)所示,由图可见,反馈信号 uf取自反馈电容?C2两端电压。设基极输入电压Ui瞬时极性为 (对参考点地电位),在回路谐?振频率上放大电路输出电压U0的瞬时极性为 O ,所以,反馈电压Uf的瞬时极 性为©,可见Uf与Ui同相,电路构成正反馈

42、(2)为电容三点式LC振荡电路,其振荡频率f0等于fo12 LC1L C1C21.85MHz,C1C22 ;62 H200P 300P200P 300P2.方波产生电路如图T6. 4所示,试指出图中三个错误并改正图m a图m 4解:图(a)中的错误有如下三处:集成运放输出端缺稳压管的限流电阻;(2)积分电路中R和C的位置接反;(3)集成运放同相与反相输入端接反。 改正电路如图(b)所示。图 T6. 43.电路如图T6. 5所示,试回答下列问题:(1)集成运算放大器Ai、A2各构成什么电路?(2)设U0i的幅值为2V,对应画出U01、U02的波形;求出U01的频率。图 J 6. 5解:(1)Ai构成RC桥式振荡电路,A2构成过零电压比较器。(2)u0i为幅度为2 V的正弦波,波形如图(a)所示。当U0i>0时,A2比较 器

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