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1、1.某CPU有16根地址线(A15A0), 8根数据线(D7Do), MRE你为访存的控制电平、低电平有效。R/W作为读写控制信号,R/W=1,读允许;R/W=0,写允许。现有芯片如下:RAM : 1KX4, 4K 8;ROM : 2KX8;3-8译码器及少量逻辑门。(1)若用户工作区地址范围为8800H8BFFH ,合理选择芯片,画出存储器与3-8译码器及CPU的连接。(2)若将存储器的片选信号错连在Y5端,试问它的地址范围是多少?(3)考虑到系统程序的安装,除了用户工作区外,装载系统的程序安装在8000H87FFH地址空间。选择适当芯片,画出存储器与38译码器及CPU连接。解答:(1)选择
2、芯片及片数: 8800H8BFFH = 3FFH ,则选 RAM , 1KX4, 2片选片逻辑:将地址范围写成二进制形式:AoA 15 A14 A13 A12 A 11 A10A 90 1 000000000001- 1K0 1 0XX(2) 丫5: 9400H 97FFH 若 8000H 87FFH ROM 2K (A 10 A0)8800H 8BFFH RAM 1K (A9 A0),则片选逻辑为:A 15 A 14A 13A12 A11A10A9A01 00 0 0000000000002K1 00 0 01XX1 00 0 10r0000000000.1K1 00 0 10XX2.假如第
3、1题中工作区使用的是 DRAM (1KX4)存储芯片,芯片内部结构为6444。(1)采用异步刷新,若最大的刷新周期为2ms,则刷新的时间间隔是多少?(2)若采用集中式刷新,假设T为读写周期(单位Ms),存储器刷新一遍最少用多少个读写周期? 死区占多少?(3)若存储器读写周期 T=500ns, CPU在1%内访问一次,若采用分散式刷新,两次刷新的最 大时间间隔是多少?全部刷新一遍所需实际时间是多少?(4)正常读写时间是多少?解答:2ms / 64三31.25 Ms取刷新信号周期为 31 Ms存储器刷新一遍最少用 64T;死区率:64T / (2 1000) M00%两次刷新最大时间间隔为:1 M
4、s >64 = 64 Ns全部刷新一遍所需时间为:1 Ms >64 = 64 Ns正常读写时间为:500ns 84 = 32 Ms3. 若一个存储单元排列成 8KX8K的SDRAM 。(1)假设访问一行需要 4个时钟周期,那么它刷新所有行需要多少个时钟周期?(2)在133MHz的时钟频率下,在一般的 SDRAM中,典型的刷新周期是 64ms。若采用集中式 刷新,试计算它的刷新开销。解答:(1)刷新所有行需要:8192 >4=32768个时钟周期(2)在133MHz时钟频率下,刷新所有行需要的时间是:32768 / (133 10期=246 10-6 s=0.246ms采用集中
5、式刷新,每 64ms间隔内刷新过程占用 0.246ms刷新开销:0.246ms / 64ms 100% 0.38%4 .某计算机系统有16位地址总线和8位数据总线,不采用单独I/O。它有8K字节的EEPROM(8K< 8 芯片构成),起始地址为0000H ;有8Kx8的RAM ,起始地址为2000H ;还有一个双向I/O端口, 地址为8000H o试画出该系统的设计图,要包括所有的使能逻辑和装载逻辑。CPU相对简单只含地址线、数据线、CPU读、CPU写。5 .某计算机地址总线16根(A15A。),双向数据总线 8根(D7-Do),控制总线与主存有关的有存 储器t#求MREQ(允许访存.低
6、电平有效),读写控制R/W (高电平读,低电平写)。主存地址 分配如下:08191为系统程序区;819232767为用户工作区;最后2K地址为系统工作区。上述地址空间为十进制表示,存储器按字节编址,现有存储器芯片如下:ROM: 4K X8, 8KX8RAM: 16KX1, 2KX8, 4KX8, 8KX8从上述芯片中选择适当芯片,设计该计算机的主存储器。(1)说明选择哪些芯片,各需多少片?(2)采用全译码方式画出主存储器逻辑框图。解答:Al5Al4Al3Al2A11Ai0A0MREQCPU7 3 2 1 0-Y-Y-Y-Y-Y2译码器CBA/iA12A11 A 10A0CSROM一 8K 8OED7D0/lA12A11 A10A0 CSRAM 8K 8R/WD7D0不A12A11 A10A0CSRAM8K 8R/W 口血/11A12A11 A10A0 I RAM CS 8K 8R/WID7D0/8Ai0A0CS1 RAM2K 8R/WID7D0不D7D0R/W6 .某CPU有20根地址线(A19Ao), 16根数据总线(D15Do)。由两片带片选 SEL勺512Kx8位的RAM芯片,组成符合下列要求的存储器。(1)其中1片为低电平工作,读/写为偶地址字节,另一片
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