力晶半導體和美商超捷微電子Silicon Storage Technology SST 正式宣

1、超捷(SST）与力晶半导体 (PSC)共同开发第三代超快闪(SuperFlash)存储器技术第三代超快闪技术将使 NOR架构 2Gbits 快闪产品应用于高容量的数据储存美国加州硅谷12月1日电，快闪存储器(Flash)技术的领导厂商超捷(SST）(Silicon Storage Technology, Inc., NASDAQ: SSTI)，与台湾动态存储器(DRAM)的领导厂商力晶半导体(股)公司(Powerchip Semiconductor Corp, PSC)正式对外发布共同开发第三代超快闪(SuperFlash)存储器技术。双方已在力晶半导体的晶圆厂，以0.11微米工艺流程技术开发

2、自行对准(Self-Aligned)第三代超快闪技术。未来计划更进一步将工艺流程技术微缩至90到65奈米。超捷的新一代超快闪技术可以生产NOR架构的高容量存储器产品，适用于被传统NAND架构独占的数据储存应用领域。第一个开发产品将是2Gb快闪存储器，其管脚及电气规格将与业界标准的NAND产品兼容。双方已完成新一代超快闪存储器存取单元结构及电性功能的验证。并预计在2004年内完成工艺流程及产品开发，以便在2005年量产2Gb 产品。根据该协议，双方同意使用力晶十二吋晶圆厂生产超捷品牌及力晶品牌的超快闪数据储存产品。 力晶将会根据力晶品牌超快闪数据储存产品的销售额，支付超捷权利金。超捷的超快闪是快

3、闪存储器产业领先且广被采用的技术。除了生产自己产品外，超捷亦授权其超快闪技术给世界级的公司包括 IBM、摩托罗拉、NEC、三星电子、东芝(Toshiba) 与台积电。从1993年至今，超捷与其授权厂商已生产超过25亿颗超快闪产品。1993年发表的第一代超快闪已经被用于量产256Kb 至 16Mb的产品。第二代超快闪也于今年开始量产，并将用于最高至256Mb的产品。2002年开始研发的第三代超快闪，将用于256Mb至16Gb的产品。超捷相信超快闪是可广泛使用于嵌入式，程序储存及数据储存三大领域的最多用途快闪存储器技术。超捷总裁及执行长叶炳辉(Bing Yeh)表示： “ 新一世代的超快闪技术是以

4、NOR架构取代目前产业界中NAND架构快闪存储器的重要关键 。我们相信经由与力晶半导体的合作关系，将可延伸超快闪低成本且可微缩的技术至深次微米层次，及提供客户符合下一代消费产品及通讯产品所需的容量及功能。我们相信数据储存快闪存储器将超越动态存储器成为最大的存储器市场。藉由与力晶的联盟和扩展超捷的第三代 超快闪存储器技术，我们相信超捷将成为高容量数据存储器的 一主要供货商。“力晶董事长黄崇仁博士表示： “力晶半导体是现在台湾最大的动态存储器制造商，以我们目前的成长率，相信很快就会排名全世界前四大。 藉由实际量产的十二吋晶圆厂及成长中的世界级晶圆代工服务，力晶在半导体生产的专业技能是独一无二的。从

5、事存储器产业以来，我们一直非常关注快闪技术的发展，力晶和超捷的合作关系是自然而然建立的以配合两公司的专长：超捷先进的快闪技术和力晶低成本的生产及运销能力。力晶将致力于扩展生产能力，超快闪将会帮助力晶进入高阶的数据快闪存储器的市场。“力晶总经理谢再居博士表示： “藉由力晶先进存储器工艺流程技术转为大量生产的实战经验，我们确信有能力与超捷共同发展及提供超捷领先业界的超快闪技术的生产服务。超快闪 (SuperFlash) 技术简介超捷 (SST)的超快闪技术属于NOR型分裂闸（split-gate）单元架构，其采用厚氧化物制程，并不需要过多生产步骤，即可生产出数据储存能力优越与高可靠度的低成本、非挥

6、发性存储器解决方案。分裂闸NOR 超快闪架构提供简单、富弹性的设计，适用于高效能、高可靠度、中或小尺寸、系统内或外程序与各种不同密度的单一CMOS兼容技术。超捷 (SST) 公司简介总部设于加州森尼维耳市，超捷以自有的超快闪技术，产销多种非挥发性存储器解决方案，并广泛应用于数字消费性产品、网络、无线通讯与网络运算市场。超捷旗下产品包括高功能快闪存储器组件、大容量快闪储存产品与整合单芯片快闪存储器的8位微控制器。另外，超捷亦授权其超快闪技术给超捷全球各大合作厂商，以开发嵌入式应用产品。授权厂商包括IBM、摩托罗拉、国家半导体、NEC、冲电气工业、三星电子、三洋电机、Seiko Epson、东芝(

7、Toshiba) 、1st Silicon (Malaysia) Sdn. Bhd. 、 宏力半导体、上海华虹NEC 、台积电与华邦电子。台积电所提供的SuperFlash技术名为Emb-FLASH。欲获取更详细信息可至超捷网站。力晶半导体(PSC)公司简介力晶半导体是动态存储器制造及晶圆代工服务的领导厂商、力晶成立于1994年于新竹科学工业园区、并于台湾证交所上柜 (股票代号: 5346) 、从力晶成立以来、力晶 与三菱电子保有密切合作关系、 进而导致与 Elpida Memory Inc.及 Renesas Technology Corp.的联盟、力晶是著名的存储半导体生产先锋、并且是最先

8、成立十二吋晶圆厂的厂商之一、力晶目前有一座八吋晶圆厂从事代工服务、有一座十二吋厂从事先进动态存储器生产、而另一座新的十二吋厂于第三季破土开工、更进一步的资料请参阅力晶网站 : .tw/预测声明除了文章中关于过去的相关信息之外，此份新闻稿中还包含一些对于未来快闪存储器市场之情况、公司未来财务状况、新产品之效能，以及公司将新产品导入市场之能力的预测声明；而这些声明均有一定的风险和不确定性。这些风险可能包括耗时的开发作业、新产品的接收度与价格、权利金的相关规定和条件、各项竞争产品和价格的冲击，以及全球的经济情况；这些因素都会对公司的客户造成影响。而其它的风险因素，则会随时详列于公司的SEC报告中（包括2002年12月31日公布之10-K格式年度报告，以及2003