江璐微电子实验四

1、微电子器件与电路实验报告姓名江璐学号1315212017合作人无实验时间2015.12.3实验成绩教师签名 实验名称实验四 MOSFET电学特性测试实验设备(1)计算机 (2)Multisim 12实验目的1.MOSFET IV 特性测试以及温度对IV特性的影响2.MOSFET RDS(线性区)和GM(饱和区)随栅源电压变化特性曲线3.MOSFET Kn（Kp）测试 4. MOS栅电容CV特性测试实验内容1. MOSFET IV特性测试(IV分析仪，DC扫描)2.温度对MOSFET IV特性影响3.RDS-VGS曲线测试，GM-VGS曲线测试4.Kn(Kp)测试 5.MOSFET CV特性测试

2、实 验 报 告 要 求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形)实 验 记 录：实验4.1 MOSFET IV特性测试(IV分析仪)使用IV分析仪对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析实验4.2 MOSFET IV特性测试(DC分析)使用DC扫描对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS IV特性分析实验4.3 温度对MOSFET IV特性的影响使用温度扫描分析对增强型NMOS、增强型PMOS进行扫描，分析温度对器件IV特性影响实验4.4 MOSFET RDS测试测试小信

3、号MOSFET和功率MOSFET源漏电阻随VGS变化曲线实验4.5 GM随VGS变化曲线测试小信号MOSFET在饱和区条件下，GM随VGS变化曲线实验4.6 MOSFET Kn和Kp测试设计一种方案，用于测试MOSFET的Kn和Kp实验4.7 MOSFET 栅电容CV特性测量设计一种方案，用于测试MOSFET的栅电容的CV特性曲线 微电子器件与电路实验(电子) LAB4 MOSFET电学特性测试实验实验报告 7 实验4.1 MOSFET IV特性测试(IV分析仪)2N7002 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰

4、】。PHP125 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。BSS129 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。实验4.2 MOSFET IV特性测试(DC扫描)2N7002 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。PHP125 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。B

5、SS129 IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。实验4.3 温度对MOSFET IV特性的影响2N7002 温度特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取指定温度点的电流大小【波形打印出来必须清晰】。PHP125 温度特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取指定温度点的电流大小【波形打印出来必须清晰】。实验4.4 MOSFET RDS测试2N7002 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。PHP125

6、 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。2N6755 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。BSP205 RDS随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个VGS电压点的RDS【波形打印出来必须清晰】。实验4.5 MOSFET gm随VGS变化曲线测试2N7002gm随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个指定VGS电压点的gm【波形打印出来必须清晰】。PHP125 gm随VGS变化曲线放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取每一个指定VGS电压点的gm【波形打印出来必须清晰】。实验4.6 MOSFET Kn和Kp测试设计的NMOS器件的Kn的测试方案如下所示（预习）： Kn=, =10mA, VGS=2.7474, VTP=2.474, =267E-6测试得的结果为Kn=124.2380mA/设计的PMOS器件的Kp的测试方案如下所示（预习）Kn=, =10mA,VSG=1.8926V, VTP= -1.8V,测试得的结果为Kp=1.0803 A/实验4.7 MOSFET 栅电容CV特性测试设计的NMOS器件的栅电容CV特性的测试方案