MOS制程论坛经验

1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH

2、4OH 12. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷

3、21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽

4、，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。

5、一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 41. Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。 42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中

6、多数载流子是空穴。 43. Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。 44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45. Correlation：相关性。 46. Cp：工艺能力，详见process capability。 47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。 48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。 49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。 50. De

7、fect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。） 52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 53. Depletion width：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。 54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。 55. Depth of focus（DOF）：焦深。 56. design of exp

8、eriments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 57. develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程） 58. developer：）显影设备； ）显影液 59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。 61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于

9、硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。 62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 63. dielectric：）介质，一种绝缘材料； ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。 64. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。 65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 66.

10、drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 67. dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 70. epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。 71. equipment

11、 downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。 72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。 73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 74. fab：常指半导体生产的制造工厂。 75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。 77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。 78. flat：平边 79. flatband capac

12、itanse：平带电容 80. flatband voltage：平带电压 81. flow coefficicent：流动系数 82. flow velocity：流速计 83. flow volume：流量计 84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 85. forbidden energy gap：禁带 86. four-point probe：四点探针台 87. functional area：功能区 88. gate oxide：栅氧 89. glass transition temperature：玻璃态转换温度 90. gowning：净化服 91. gray area：

13、灰区 92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪 93. hard bake：后烘 94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 95. high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒 97. host：主机 98. hot carriers：热载流子 99. hydrophilic：亲水性 100. hydrophobic：

14、疏水性 101. impurity：杂质 102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体 103. inert gas：惰性气体 104. initial oxide：一氧 105. insulator：绝缘 106. isolated line：隔离线 107. implant : 注入 108. impurity n : 掺杂 109. junction : 结 110. junction spiking n :铝穿刺 111. kerf :划片槽 112. landing pad n AD 113. lithography n 制版 114. main

15、tainability, equipment : 设备产能 115. maintenance n :保养 116. majority carrier n :多数载流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. matrix n 1 :矩阵 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :测得漏率 122. median n :中间值 123. memory n : 记忆体 124. metal n :金属 125. nanometer (nm) n ：纳米 126.

16、 nanosecond (ns) n ：纳秒 127. nitride etch n ：氮化物刻蚀 128. nitrogen (N2 ) n： 氮气，一种双原子气体 129. n-type adj ：n型 130. ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻 131. orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向 132. overlap n ： 交迭区 133. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 134. phosphorus (P) n ：磷 ，一种有毒的非金属元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版 1

17、36. photomask, negative n：反刻 137. images：去掉图形区域的版 138. photomask, positive n：正刻 139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 140. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体 141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺 14

18、3. pn junction n：pn结 144. pocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语 146. polycide n：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构 147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。 148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象 149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和

19、检测设备。 150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。 152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。 153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。 154. quartz carrier n :石英舟。 155. random access memory (RAM) n :随机存储器。 156. random logic

20、device n :随机逻辑器件。 157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。 158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。 159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。 160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。 161. resist n :光刻胶。 162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。 163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。

21、164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。 165. scribe line n :划片槽。 166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。 167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。 168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。 169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。 170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅

22、的原片 171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。 172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。 173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。 174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。 175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。 177.

23、 steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。 178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。 179. stepper: 步进光刻机（按BLOCK来曝光） 180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。 181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。 182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。 183. tack weld:间断焊，通常在角落上

24、寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。 184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。 185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。 186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。 187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。 188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 钛。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、

25、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。 192. tungsten(W): 钨。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。 194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf

26、)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量单位。 197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。 201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。 202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接

27、。 203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。 204. torr : 托。压力的单位。 205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 过渡金属MASK光罩 MASK之原意為面具，而事實上，光罩在整個IC製作流程上，所扮演之角色，亦有幾分神似。 光罩主要之用途，在於利光阻製程，將我們所需要之圖形一直複印在晶片上，製作很多之IC晶方。 而光罩因所用之對準機台， 也分為1X, 5X, 10X, MAS

28、K（即1:1, 5:1, 10:1）等，而根據其製作之材質又可分為石英光罩（QUARTY），綠玻璃光罩等。 Micro, Micrometer, Micron微，微米Micro 為10-6, 1 Micro10-61 Micrometer10-6 m1 Micron1m通常我們說1即為10-6 m。又因為1Å10-8 cm10-8 m （原子大小）故110,000 Å 約為一萬個原子堆積而成的厚度或長度。Misalign對準不良 定義：這層光阻圖案和上層（即留在晶片上者）圖案疊對不好，超出規格。；原因：人為，機台，晶片彎曲，光罩種類：例如:下列對準狀況，可依照不同層次的規格

29、決定要不要修改。 MOS金屬半導體 構成IC的電晶體結缸可分為兩型一雙載子型(bipolar)和MOS型(Metal-Oxide-Semiconductor)。雙載子型IC的運算速度較快但電力消耗較大，製造工程也複雜，並不是VLSI的主流。 而MOS型是由電場效應電晶體(FET)集積化而成。先在矽上形成絕緣氧化膜之後，再由它上面的外加電極(金屬或複晶矽)加入電場來控制某動作，製程上比較簡單，也較不耗電，最早成為實用化的是P-MOS，但其動作速度較慢，不久，更高速的N-MOS也被採用。一旦進入VLSI的領域之後NMOS的功率消耗還是太大了，於是由P-MOS及N-MOS組合而成速度更高、電力消耗更

30、少的互補式金氧半導體(CMOS，Complementary MOS) 遂成為主流。 MPY Multi Probe Yield多功能針測良率針測出符合電器特性要求的晶片，以便送到封包工廠製成記憶體成品;此測試時得到的良品率稱之。每片晶圓上並不是每一個晶片都能符合電器特性的要求，因此須要多功能針測以找出符合要求的晶片。 MTBF Mean Time Between Failure故障平均時間MTBF為設備可靠度的評估標準之一，其意指設備前後發生故障的平均時間。MTBF時間愈短表示設備的可靠度愈佳，另外MTTR為Mean Time to Repair為評估設備修復的能力。 N2, Nitrogen

31、氮氣 空氣中約4/5是氮氣，氮氣是一安定之惰性氣體，由於取得不難且安定，故Fab內常用以當作Purge管路，除去髒污、保護氣氛、傳送氣體(Carrier Gas)、及稀釋(Dilute)用途，另外氮氣在零下 196(77°F)以下即以液態存在，故常被用做真空冷卻源。 N P type SemiconductorN P型半導體 一般金屬由於阻值相當低(10-2-cm以下)，因此稱之為良導體而氧化物等阻值高至105-cm以上稱之非導體或絕緣體。若阻值在10-210-5-cm之間則名為半導體。 IC工業使用的矽晶片，阻值就是在半導體的範圍，但由於Si(矽)是四價鍵結(共價鍵)的結構，若摻雜

32、有如砷(As)磷(P)等五價元素，且佔據矽原子的地位(Substitutional Sites)則多出一個電子，可用來導電使導電性增加，稱之為N型半導體。若摻雜硼(B)等三價元素且仍佔據矽原子的地位，則鍵結少了一個電子，因此其它違結電子在足夠的熱激發下，可以過來填補，如此連續的電子填補稱之為定電洞傳導，亦使矽之導電性增加，稱之為P型半導體。 因此N型半導體中，其主要常電粒子為帶負電的電子，而在P型半導體中，則為常正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。 NSG Nondoped Silicate Glass無滲入雜

33、質矽酸鹽玻璃 NSG為半導體積體電路中之絕緣層材料，通常以化學氣相沉積的方式生成，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質。主要應用於閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產生均勻的覆蓋及良好的絕緣，並且有助於後續平坦化製程薄膜的生成。Numerical Aperture. NA數值孔徑 N.A NA值是投影式對準機，其光學系統之解析力(Resolution)好壞的一項指標。NA值愈大，則其解析力也愈佳。 亦即，鏡片愈大，焦距愈短者，解析力就愈佳，但鏡片的製作也就愈難，因為易產生色差(Chromatic Aberration)及像畸變(Distorsion)，以CANON Stepper為例，

34、其NA=0.42，換算成照像機光圈值，f/#1/2×0.421.19，如此大的光圈值，Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。 OEB Oxide Etch Back氧化層平坦化蝕刻將Poly-1上之多餘氧化層(Filling 0X)除去，以達到平坦化之目的。Ohmic Contact歐姆接觸 歐姆接觸是指金屬與半導體之接觸，而其接觸面之電阻值遠小於半導體本身之電阻，使得元件操作時，大部分的電壓降在於活動區(Active region)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：（1）金屬與半導體間有低的界面能障(Barrier Height)（2）半導體有高濃度的雜質摻入(N

35、 1012 cm-3)前者可使界面電流中熱激發部分(Thermionic Emission)增加;後者則使界面空乏區變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。 若半導體不是矽晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當的金屬可用)，必須於半導體表面摻雜高濃度雜質，形成Metal-n-n or Metal-p+-p等結構。 ONO Oxide Nitride Oxide氧化層-氮化層-氧化層半導體元件，常以ONO三層結構做為介電質 (類似電容器)，以儲存電荷，使得資料得以在此處存取。在此氧化層-氮化層-氧化層

36、三層結構，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷 (如pinhole)的延展，故此三層結構可互補所缺。 OPL （Op Life） Operation Life Test使用期限（壽命） 任何物件從開始使用到失效所花時間為失效時間 (Time of Failure: TF)， 對產品而言， 針對其工作使用環境 (Operation)，所找出的TF， 即為其使用期限(Operation Life Time)。其方法為 :AF = exp (Estress-Eop) * exp Ea/K (l/Top -1/Tstress ) (1) K8.63 * 10-5Failure

37、 Rate （t） no. of Failure * 109/ Total Test Time * AF *Device , Total Test Time * AF Operation HoursOXYGEN氧氣 無色，無氣味，無味道雙原子氣體。在-183液化成淺藍色的液體，在-218固化。在海平面上，空氣中約佔20%體積的氧，溶於水和乙醇，不可燃，可以助燃。 在電漿光阻去除中，O2主要用來去除光阻用。 在電漿乾蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。 目前O2氣主要用途在於電漿光阻去除。利用O2在電漿中產生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機物反應產生CO2和H

38、2O氣體蒸發，達到去除光阻的效果。P磷自然界元素之一。由15個質子及16個中子所組成。離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經燈絲加熱分解得到的P+離子，藉著Extraction抽出氣源室經加速管加速後佈植在晶片上。是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入等，PARTICLE CONTAMINATION塵粒污染“塵粒污染”：由於晶片製造過程甚為漫長，經過的機器、人為操作處理甚為繁雜，但因機器、人為均或多或少會產生一些塵粒PARTICLE，這些塵粒一旦沾附到晶片上，即會造成污染影響，而傷害到產品品質與良率，此即“塵粒污染”。我們在操作過程中，應時時防著各項塵粒污染來源。 Particle Co

39、unter塵粒計數器 潔淨室之等級是以每立方呎內之微粒數為分類標準，而計算微粒數的儀器即稱塵粒計數器， Passivation OXIDE P/O護層 為IC最後製程，用以隔絕Device和大氣。可分兩種材料：a大部分產品以PSG當護層(P Content 2-4%)，b.少部分以PECVD沉積之氮化矽為之。 因與大氣接觸，故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack（龜裂）、Pin Hole(針孔)之防冶。 除了防止元件為大氣中污染之隔絕之外，護層可當作下層Metal層之保護，避免Metal被刮傷。 P/D Particle Defect塵粒缺陷 Particle Defect塵粒缺陷為

40、當今影響4M DRAW製程良率的最大主因，一般而言，Particle size如大於design rule的二分之一，足以造成元件的損壞。放在 clean room 的潔淨度要求，操作人員的潔淨紀律、設備本身的結構以及製程的條件和設備維修的能力，無一不為了降低particle 和提升良率而做最大的努力。 PECVD電漿CVD CVD 化學反應所需之能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化之CVD稱做PECVD。PECVD的好處是反應速率快、較低的基板溫度及Step Coverage；缺點是產生較大的應力，現Feb內僅利用PECVD做氮化矽護層。PECVD英文全名為Plasma Enhanceme

41、nt CVD。Pellicle光罩護膜 一般在光罩曝光過程中，易有微塵掉落光罩上，而使chip有重覆性缺陷，放在光罩上下面包圍一層膜，稱之Pellicle。好處如下： 1微塵僅只掉落在膜上，光繞射結果對於此微塵影響圖按程度將降至最低。 2無須經清洗過程而只須用空氣槍吹去膜上異物即可將異物(微塵)去除。PELLICLE光罩保護膜 顧名思義，光罩保護膜之最大功能，即在保護光罩，使之不受外來髒污物之污染，而保持光罩之潔淨；一般使用之材料為硝化纖微素，而厚度較常用的有2.85U，0.86U兩種。 一般而言，可將PELLICLE分為兩部份I)FRAME:骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度稱為STAND-

42、OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高，但須配合機台之設計使用，(II)FILM：透明之薄膜，其厚度之均勻度，透光率是使用時重要之參數。PELLICLE之壽命，除了人為損傷外，一般均可曝光數十萬次，透光率衰減後才停用並更換。光罩PELLICLE膜LENSSYSTEMPARTICLEWAFERPELLICLE面之成像 PH3氫化磷一種半導體工業用氣體。，經燈絲加熱供給能量後，可分解成:P'，PH，PH2。(及 H+)通常 P+最大。可由質諳諳場分析出來，做N-type之離子 佈植用。PHOTORESIST光阻 "光阻"為有機材料，係利用光線照射，使有

43、機物質進行光化學反應而產生分子結構變化，再使用溶劑使之顯像。目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子樹脂(2)光活性物質，依工作原理不同可分為正，負型二類:(1)正型:光活性物質為DIAZOQUINOUE類，照光前難溶於鹼液中，有抑制溶解樹脂功能，照光後產生酸，反有利於鹼液溶解，因此可區分曝光區與非曝光區。(2)負型:光活性物質為DIAZlDE類，照後生成極不安定之雙電子自由基，能與高分子樹脂鍵結，而增加分子量，選擇適當溶劑便可區分分子量不同之曝光區與非曝光區。 Pilot Wafer試作晶片Pilot Wafer為試作晶片，並非生產晶片 (Prime Wafer)。在操作機器前，為了確定機器

44、是否正常所作的試片，或機器作完維修、保養後所作的測試用晶片均稱為Pilot Wafer, 由於Pilot Wafer 所作出來的結果將決定該批的製程條件，故處理Pilot Wafer時， 所抱持的態度必須和處理Prime Wafer一樣慎重。PIN HOLE針孔 在光阻製程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時，光阻薄膜無法完全蓋住晶片表面，而留有細小如針孔般的缺陷，在蝕刻製程時，很可能就被蝕刻穿透，而致晶片的報廢。 在以往使用負光阻製程時，由於負光阻黏稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現針孔，故有些層次(如 CONTACT)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發生。 目前製程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無針孔

45、的問題存在，QC亦不做針孔測試。Piranha Clean過氧硫酸清洗過氧硫酸 (Peroxymonosulfuric Acid)又稱為CARO's acid，其主要由硫酸加雙氧水反應生成，反應式如下: H2SO4+H2O2 H2SO5+H2OH2SO5為一強氧化劑，可將有機物氧化分解為CO2+H2O，因此在 IC 製程中常用來去除殘餘之光阻，另外對金屬污染及微塵污染也有相當好的清洗效果。Piranha原意為食人魚，在這裡則是用來形容過氧硫酸與光阻之間的劇烈反應。PIX聚醯胺膜PIX作用為緩衝護層，可保護CELL於封裝時緩衝封裝所造成之應力，且可隔絕-Particle, PIX本身為一

46、負光阻，其製造過程如附圖。Plasma Etching電漿蝕刻 在乾蝕刻(Dry Etch)技術中 ，一般多採用電漿蝕刻(Plasma Etching)與活性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)，通常電漿蝕刻使用較高之壓力(大於200mT)及較小之RF功率，當晶片浸在電漿之中，曝露在電漿之表層原子or分子與電漿中之活性原子接觸並發生反應而形成氣態生成物而離開晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿(Plasma)即為氣體分子在一電場中被游離成離子(正、負電荷)、電子、及中性基(Radical)等，在純化學反應中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時，取活性離子作為蝕刻

47、因子。PM Preventive Maintenance定期保養設備正常運轉期間停機，實施定期 (每天、每週、每月或每季等)的設備保養。例如:檢修，上油，潤滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發揮高的設備運轉效率，發揮設備最高的使用率。POCL3三氯氧化磷一種用做N+擴散用之化合物。通常以N2為"載氣"(Carrier Gas)，帶著POCL3和O2 (氧氣)一起進入高溫爐管，然後產主下列反應： 4POCL3 + 3O2 2P2O5 + 6Cl2 5P2O5 + 5Si 4P + 5SiO2在反應過程中，磷沉澱於矽表面，同時矽表面亦形成一氧化層。POLY SILICON複晶矽

48、 SILICON是IC製造的主要原料之一。通常其結構都是單晶(單一方向的晶體)。而本名詞也是SILICON，只是其結構是複晶結構。即其結晶的結構是多方向的，而非單一方向。 POLY SILICON通常用低壓化學氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極及單元的連接。P0X聚醯胺膜含光罩功能 POX為PIX/PO Reticle Combine 之略寫，即PIX除具緩衝 護層之作用，同時可做PO Pattern 用之光阻。PIX, 本身為一負光阻。 其製造過程如附圖。Preheat預熱 做金屬濺鍍時。第一個Station是用來預熱晶片其目的有二:使晶片在大氣中吸附的氣體，藉加熱加速其在真

49、空中之排除(Outgas)，濺鍍時，可以有較乾淨的界面。¬晶片溫度高，濺鍍之金屬原子可以有較高的移動率，而使表面擴散較完全，有較好的表面覆蓋性(Step Coverage)。 但預熱的溫度有其限制，高的濺鍍溫度使得金屬與矽之接觸電阻(Rc)升高，也使得金屬突起(Hillock)變得嚴重，而讓表面反射率變差。在金屬閘(Metal Gate)產品，也發現溫度不同會造成其臨界電壓(VT)的改變。pressure壓力 氣體分子撞擊反應室之器壁所產生之力量。氣體分子愈少、壓力愈低。反之氣體分子愈多、壓力愈高。如壓力之大氣壓力(1 atm)時，表示真空，其壓 力單位即為真空度。 1大氣壓=lat

50、m=760mmHg水銀柱壓力 1 Torr (托) = 1/760 atm=lnnHg 如壓力大氣壓力時，即用單位面積所受的重 量表示。 如Kg/cm2，或psi(lb（磅）/in2（吋）。 一般電漿蝕刻機之壓力為5Omillitorr 0.5rorr 一般使用之氣瓶之壓力約為5OOpsi 2OO0psi。Reactive Ion Etching R.I.E活性離子蝕刻 在電漿蝕刻時，電漿裡包含了活性原子、活性離子 (正離子)及電子，當壓力較低(小於100mT)且氣體兩端所加之電壓(RF Power)夠高時，活性離子即被迅速加速衝向電極上之晶片，。而撞擊晶面上曝露在電漿中的表層，將表層之原子擊

51、出，再與活性原子反應因而造成蝕刻，此類之蝕刻即稱之為活性離子蝕刻。RECIPE程式 RECIPE在字典的解釋是醫生的處方，廚師的食譜。在IC製程中，則意指製程的程式。IC製造中各個步驟都有不同的要求:如溫度要多少?某氣體流量多少?反應室的壓力多少?等等甚多的參數都是RECIPE內容的一部份。REFLOW回流 回流是IC製程中一種特殊技術。作法是將磷或硼或兩者合一，摻入二氧化矽中(常用CVD方式)。之後，將晶片推入高溫爐管一段時間，該二氧化矽層(PSG BPSG或 BSG) 即會"流動"，使晶片表面變得較平坦。此即回流平坦化技術。回流取該氧化層"重新流動"

52、之意。Registration Error註記差 IC晶片的兩個層次之間，必須要正確地疊在一起，此二層次圖案離完全正確對準之差距，即稱為Registration Error (註記差)；如下圖之游標(Vernier)即為顯示註記差之程度：RELIABILITY可靠性 可靠性實在有很多方法來描述，但我們只針對兩個觀點來討論。一般來說，可靠性就是客戶對我們的產品，在他們使用一段很長的時間之後，仍能符合他們的信賴與期待。更精確的描述就是我們的產品在我們所要求的特殊環境的測試，經過一段很長時間之後，仍能確保IC功能，函數的正常操作稱之為可靠性合格產品。測試的項目很多，但總離不開，電壓、溫度機械應力，溼

53、度及壓力等。Repeat Defect重複性缺點 重複性缺點 (Repeat Defect)係指同一晶片內每一個Field(曝光區)的相同位置均出現相同之缺點。 重複性缺點僅發生於Stepper曝光之產品。 重複性缺點所產生的現象可分為二種：1. 1.光罩圖案缺失:造成晶片圖案缺失；2. 2.光罩表面或Pellicle表面污染:造成重複性顯影不良。 重複性缺點對產品良率有很大的殺傷力，例如一個Field內有8個晶方，若有一個晶方圖案有缺失，就會造成產品良率1/8之損失，因此重覆性缺點是VLSI的頭號殺手。Resistivity阻值物理學上定義阻值(，即歐姆)為 RV/I在物體兩截面上通以定電流

54、V，量得電壓降V，則V /I即為這物體的阻值。但在半導體工業上，這樣定義阻值並無太大實用價值。我們只關心晶片表面薄薄一層"動作區" (Active Area)的阻值。於是另外定義一"薄層阻值" (Sheet Resistance)，以四點針測的方法量取V及I(見四點針測一文)。 Rs = V/I (V /口)定義為晶片的阻值。Resolution解析力 解析力在IC製程的對準及印刷(Align & Print)過程中佔著相當重要的地位，尤其演進到VLSI後，解析力的要求就更高了，它是對光學系統(如對準演、顯微鏡、望遠鏡等)好壞的評估標準之一，現今

55、多以法國人雷萊(Rayleigh)所制定的標準遵循之。 定義-物面上兩光點經光學系統投於成像面上不會模糊到只被看成一點時，物面上兩點間之最短距離。若此距離愈小，則解析力愈大(通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也愈大) 解析力不佳時，例如對準機對焦不清(Defocus)時，就會造成CD控制不良，Metal橋接，Contact瞎窗或開窗過大等。Reticle光罩 為使 IC 各個線路在晶片上成形(PATTERN)，則必須有規範露光及遮光區域 (規範曝光成形) 的罩子， 此稱為光罩。Rework/Scrap/Waive修改/報廢/簽過 修改: 分ADI修改，AEI修改 ADI修改：將光阻去除，重新上新光阻， 以定義新的或精確的圖形。 AEI修改：將己沉積或氧化的厚厚膜或薄 層去除，重新沉積或氧化。 報廢:晶片受污染或流程不合規範上之規定，造 成晶片有無良率之可能，則停止流程不繼 續生產。謂之。 簽過:當晶片流程至某步驟時，發現圖形或規格 不合於規範內之規定，但其影響不致使晶 片達報廢之程度，可由工程師簽署，繼續 流程。Run in/out擠進,擠