表面处理镀铜

1、4.1 !的性值：色潭：玫瑰航色原子量：63.54原子序：29重于鲍熊:1S22S22P63d104S1比重：8.94熔黑占:1083 C沸黑占：2582 CBrinell 硬度 43-103阻：1.673 l W -cm , 20 C抗拉弓鱼度：220420MPa12. 位：Cu+e-一Cu舄+ 0.52 V;Cu+ + 2e-Cu 舄+ 0.34V。K款而勒1,延展性好，易塑性加工辱雷性及辱熟性僵良良好的抛光性易氧化，尤其是加熟更易氧化，不能做防性#和空中的硫作用生成褐色硫化畲和空麻中二氧化碳作用形成畲和空K中氯形成氯化!粉末孵渡屑具有良好均匀性、U密性、附著性及抛光性等所以 可做其他之底

2、可做舄防止渗碳氮化H唯一可用於至辛!件雷打底用!的来源充足!容易容易控制S!的iOS量彳堇次於回目4.2 液配方之可分舄二大SI:1. 酸性液：僵黑占有:成份筒罩毒性小，糜液虔理容易浴安定，M、需加熟W流效率tWj僵廉、WS低WjiBM密度，生Ji速率Wj缺黑占有:晶粗大不能直接在金鼬戴上均一性差2. 割化液配方:岫有:如1卿均一性良好可直接在金鼬戴上缺黑占有:毒性弓®糜液虔理麻炉雷流效率低僵格避嘱HI高雷流密度小，生效率低液段不安定，需加熟P.S配合以上二椒配方僵黑占，一般探用割化液打底彳麦，再 用酸性液尤其是iSJW厚度需厚 的件。回目4.3 硫酸胡浴(Copper Sulfat

3、e Baths)硫酸飙浴的配5! (prepare)、操作(operate)及陌夜虔理都 很*至评可雁用於印刷路(printed circuits)、W；子(electronics)、印刷板(photogravure)、MB (electroforming)、装(decorative) 及塑膝W；St (plating on plastics)。其化孥成份筒罩，含硫酸飙及硫酸，液有良好雷性，均一性差但目前有特殊配方及添加蒯可以改善。金裁件必先用割化飙浴先打底或用先打底(strike),以避免置瘦渡JW (replacement diposits)及低附著性形成。至新件及其他酸性敏感金要充份打底

4、，以防止被硫酸浸食虫。浴都在室温下操作，陶桎必高度厘窥H ,没有氧化物及磷化(0.02 到 0.08wt % P) , 墟(copper anode nuggets) 可装入蜘(titanium baskets)使用， 桎必加陶桎袋(anode bag),陶桎典陪桎面稹比雁2： 1,其流效率可it100%,不要取出。4.3.1 硫酸®浴(standard acid copper plating)(1) 一般性配方(general formulation)(2) 半光W (semibright plating) : Clifton-Phillips 配方Sulfuric acid 11

5、 g/lChloride 50-120 ppmThiourea 0.00075 g/lWetting agent 0.2 g/l(3) 光孑WS洛(bright plating) : beaver 配方Copper sulfate 210 g/lSulfuric 60 g/lChloride 50-120 ppmThiourea 0.1 g/lDextrin 糊精 0.01 g/l(4)光孑睾正:(bright plating):Clifton-Phillips 配方Copper sulfate 199 g/lSulfuric acid 30 g/lChloride 50-120 ppmThi

6、ourea 0.375 g/lWolasses 糖密 0.75 g/l4.3.2高均一性酸性浴配方(High Throw Bath)用於印刷f!路，潦桶iOS及其他需高均一性之OB用Copper sulfate 60-90 g/lSulfuric acid 172-217 g/lChloride 50-100 ppmProprietary additive暮利商品添加膂！按指示量4.3.3酸性浴之及控制(Maintenance and Control)1. 鲍成：硫酸!是溶液中mt子的来源，由於ft桎及陶桎 雷流效率正常情况接近100%,所以充ms子 是相富安定的。硫酸增溶液1!度及减小陶桎及

7、ft桎 的桎化作用(polarization)业防止UH!沈溅和提高均一性 (throwing power)。高均一性U浴中H典硫酸比率要保持 1： 10。硫酸含量超11vol %|iJM流效率下降。氯H 子在高均一性及光孑墨渡浴中，可减少桎化作用及消除高 雷流密度之徐沈?t (striated deposits)。#温度:太部份浴在室温下操作，如果流 效率及H (plating range) XM少。如果光孑睾性 不需要，热J可将浴温度提升到50 C以提高B用於毒# (electroforming),印刷J路或印刷板等。#授拌：可用空B械、溶液喷射(solution jet)或移IftiS件

8、等方法授拌，授拌愈好热J容言牛流密度 (allowable current density)愈大。#亲隹K :有BBfi是酸性浴最常JO勺、其来源有光潭蒯(brighteners)的分解生成物，槽31、陶桎袋未滤到物阻止物(stopoffs)、防鳞物fi (resists)及酸和兽之不物。浴建备彖色表示相富量之有檄物污染，必需用活性碳虔理去除有檄物亲隹|,有日寺氧化氢及(potassium permanganate)有助於活性碳去除有檄亲隹值, St衡鲫!器(cellulose filter)不能被使用。金亲隹K及其作用如下：®(antimony) : 10-80 g/l ,粗糙及脆

9、化®加Bl(gelatin)或罩棒酸(tannin)可抑制共同析出(codeposition)。碑(arsenic)20-100 ppm :同。M(bismuth):同。(cadmium) >500ppm :畲引起浸U沈?t(immersion deposit)及化作用，能用氯子控制。M> 1000 ppm :同金裁。«> 1000 ppm :减低均一性及度。500-1500ppm :同S!。至辛500ppm :同1. 灼在高流密度匾:II含量太少有檄物污染温度太低氯雕子太少授拌不例J2. 失去光潭:光潭洌太少温度太高有檄物污染II含量太少低氯雕子澧度3.

10、 精糙固醴粒子污染品k不佳陶桎袋破裂氯#子含量不足4. 金十孔:有檄物污染氯雕子太少陶桎袋腐蜩5俺流太低:有檄物污染氯含量太多硫酸含量不多可流密度太小添加膂!不足温度高6. 化作用:易、金污染氯含量太多温度太低硫酸含量通i多品k不好硫酸!含量不足4.3.5酸性浴之添加膂！有很多添加蒯如H、糊精、硫 、界面活性膂叭染料、尿素等，其主要目的有:平滑期W减少樟f枝状结晶提高雷流密度光潭硬度改建防止金十孔回目4.4 化浴(Copper Cyanide Baths)意化iSSi人醴健康危害及糜物虔理冏题，在厚iSJf已减少使用但在打底雷仍大量使用。割化iSHIS浴之化孥鲍成最重要的是自由割化物(free

11、 cyanide)及全割化物(total cyanide)含量，其算方程式如下:K2Cu(CN) 3全割化金甲量=割化斐!需要量X1.45 +自由割化金甲需要量K2Cu(CN) 3全割化金内量=割化斐!需要量X1.1 +自由割化金内需要量例:浴需2.0g/l的割斐化!及0.5g/l自由割化金甲，求需多少割化金甲?解 需割化金甲量=2.0 X 1.45 0.5 = 3.4g/l用没有氧化物之,它可以!板或袋包住陶桎板用的含量。陪桎典陶桎面稹比B1: 1勤1 : 2。4.4.1化飙低澧度浴配方(打底浴配方)割化金内(sodium cyanide)NaCN 30g/l碳酸金内(sodium carb

12、onate)Na2CO3pH 值 11.5温度40 C雷流效率 3060%雷流密度 0.51A/cm24.4.2 化If中澧度浴配方割化(coprous cyanide)CuCN 60g/l割化金内(sodium cyanide)NaCN 70g/l苛性金内(sodium hydroxide)NaOH 1020g/l自由割化金内(free cyanide) 515g/lpH 值 12.4温度6070 C雷流密度 12A/dm2雷流效率 8090%4.4.3割化!高澧度浴配方割化颌 NaCN 135g/l苛性金内NaOH 42g/l光潭膂！ Brightener 15g/l自由割化金内 free

13、 sodium cyanide) 3.75 11.25g/lpH 值 12.4 12.6雷流密度 1.211A/dm 2雷流效率 9099%4.4.4割化全金甲浴配方割化斐If CuCN 60g/l割化金甲KCN 94g/l碳酸金甲15g/l氢氧化金甲KOH 40g/l自由割化金甲515g/lpH 值 V 13浴温7885 C雷流密度 37A/dm 2雷流效率95%4.4.5化全金甲浴之僵黑占之缺黑占高流密度也可得光潭峰氟度局光WSM带出损失量少光潭好桑品帙置平滑作用佳4.4.6酒石酸金甲金内割化浴配方割化斐If CuCN 26g/l割化颌NaCN 35g/l碳酸颌Na2CO3酒石酸金甲金内N

14、aKC4H4O6?6H2O 45g/l自由割化纳 510g/lpH 值 12.4 12.8浴温6070 C雷流密度 1.56A/d m2雷流效率 5070%4.4.7化浴各成份的作用及影警1. 主兽：NaCu(CN) 2和Na2Cu(CN) 3二形式存在，其作用有:CuCN + NaCN = NaCu(CN) 2 CuCN + 2NaCN = Na2Cu(CN) 3 Na2Cu(CN) 3 ? 2Na + (aq) +Cu(CN) 3-(aq) Na2Cu(CN) 3 ? 2Na + (aq) +Cu(CN) 3-(aq) Cu(CN) 3- ? Cu +3CN -Cu(CN) 2- ? Cu

15、 +2CN -由於!的疆麟子Cu(CN) 2-及Cu(CN) 3-的雷®常数非常小，使ft桎之桎化作用很大，使!不易置换析出，所以可直接但 使f!流效率降低，有SM®生，量降低。主化作用影很大，主兽澧度提高J1U可降低化作用，K助陶桎溶解，防止陶 桎金屯熊形成。2. 自由割化物，NaCN , KCN, If助陶桎溶解，防止鳍兽沈Y殿, 安定浴。含量太多畲加深桎化作用走生大量10(使1!流效率降低。3. 碳酸金内，防止割化金内水解，降低化作用，K助溶解。4. 苛性颌，降低氢雕子澧度，增加1!度，提高1!流效率及使用的H 流密度。5. 酒石酸金甲金内，可提高化HI始的流密度。6

16、. 斐硫酸兽或次斐硫酸兽，可防止割化颌典空中的氧作用而分解， 穗定斐mt子Cu业有光潭作用，但含量多JW生成硫化7. WH，少量日寺使亮，超0.002g/l JW建脆。8. Wfi，使结晶粗大，含量大於 0.005g/l日寺呈海备帛状和榭刻I炯F晶9. 有檄物BH#使不均匀，建暗色，精糙或金十孔，陶桎亦10. 化，通常以活性碳虔理去除之。10. 六WWfi#使低流密度匾的起泡或不均匀，防止六僵金各的危害的最好方法是阻止它的来源或者用一些利遢元蒯加以遢元成三W#o11. mtfi,畲使iSJW不均匀及黄色出现，可用低1!流密度(0.20.4A/d m2 )雷解去除。12. 硫及硫化合物，暗色，在

17、低流密度匾出色此现象在新的浴容易生，其原因是不的割化物及槽31。13. 其他使粗糙，可用滤或弱1OS去除之。14. 碳酸颌可用冷方沈Y殿去除之，或用氧化金丐、氢氧化金丐、硫酸 沈溅去除之。4.4.8化浴之配H(1) 用冷水溶解所需之割化颌。2. 将所需之割化慢加入割化金内水溶解中，此程舄放熟 反雁,不能度加熟。(2) 加入其他添加蒯，授拌均匀，取檬分析。(3) 根tit分析结果，袖充和校正各成份。(4) 低雷流密度下弱雷解去除亲隹勺数小日寺。4.4.9化iglf之缺陷及其原因USB呈暗航色，黑，氢氧剌烈析出，其原因制雷流密度太高浴温太低H兽太少割化碑太多2.>B不均匀，有些没渡上，其原因

18、舄:正:流太小装挂卜不富3撤屑起泡、起皮、附著性不佳，其原因有:表面前虔理小完全，有油膜，氧化物膜浴温太低W流太人4.®yw有白色膜屑，出现1色结晶、液hi色，其原因有:陶桎面稹小酒石酸金甲金内不足割化金内不足4.4.10化潦桶配方(1)割化颌NaCN 6589g/l割化斐If CuCN 45 60g/l碳酸颌Na2CO3氢氧化金内 NaOH 7.522.5g/l酒石酸金甲金内(rochelle salt) 45g/l 自由割化金内1522.5g/l浴温6070 C(2) 全金甲浴割化斐If CuCN 45 60g/l碳酸金甲K2CO3氢氧化金甲 KOH 7.522.5g/l酒石酸金

19、内金甲(rochelle salt) 45g/l自由割化金内1222.5g/l浴温6070 C4.4.11光潭割化1. 添加光O1!：(1) ® :用碳酸或醋酸溶於水0.0150.03g/l(2) 硫代硫酸金内：用海波溶於水1.92g/l(3) 硫：用硫 溶於水0.10.5g/l(4) 碑：用斐碑酸溶於 NaOH 0.050.1g/l(5) :用斐 酸溶於NaOH 11.5g/l(6) 硫割化金甲：硫割化金甲溶於水310g/l2. 用流波形(1)PR f!流:a.平滑化：囹i 35秒，陶桎15秒b.光潭化：15秒，5秒。(2) 交直流合用：a. 平滑化：直流25秒，交流10秒。b.

20、光潭化：直流20秒，交流6秒，交流之遇期篇1.2510cycle(3) 直流中Bf：瞬冏中Bff!流再行恢彳复1!流。回目4.5焦磷酸浴它需多的控制及但溶液割化飙浴毒性小，其主要雁 用在印刷it路塑BW及Hi!。金期载及金辛I!件畲走生置,附著 性不良，必先用割化浴或 P2O7Cu篇10 : 1之低焦磷酸H 浴先打底(strike)。4.5.1焦磷酸飙打底浴配方(Strike Bath)焦磷酸IfW Cu2P2O7?3H2O 2分 30g/l焦磷酸金甲K2P2O7 95.7176g/l醋酸金甲 potassium nitrate 1.5 3g/l氢氧化皴 Ammonium Hydroxide1

21、ml/lpH值88.5浴温2230 C雷流密度 0.61.5A/d m2授拌檄械或空K飙含量 910.7g/l焦磷酸兽 63107g/lP2O7/Cu 比值 7 10.14.5.2 印刷雷路浴(Printed Circuit Bath) 配方焦磷酸If Cu2P2O7?3H2O 57.873.3g/l焦磷酸金甲K2P2O7316.5g/l醋酸金甲8.215.8g/l氢氧化皴2.77.5m1/1添加蒯(改良屑延性及均一性)依指示量pH值88.4浴温4954雷流密度2.56A/d m2授拌檄械式或空兼4.5.3焦磷酸H 浴之控制1.成份:氨水(ammonia),常助陶桎溶解，使结晶名田觥 每天需袖

22、充蒸的M失。(2) 醋酸兽(nitrate),增加f!流密度操作簸圉及去除化作用。(3) pH值由焦磷酸或氢氧化金甲控制。2.温度：温度超60C畲使焦磷酸兽水解成磷酸H(ortho phosphate)o3.»拌：需充足的8!拌，普通用空JWf拌或檄械式8!拌，也可用超音波及溶液喷射方法。4.Bfi：封有檄物亲隹K很敏感如油及有檄添加蒯之分解物，畲使igBa亲隹也畲使屑不均匀及操作簸 圉建小。有檄物亲隹K用活性碳虔理。暗色及不均匀，操作小割化物及虔理前先加氧化氢或红酸金甲可去除割化物。可用弱解去除之。5.磷酸兽：温度太高，pH值太低畲使磷酸兽快速增加。回目4.6 硼氟酸浴(Coppe

23、r Fluoborate Bath)由於硼氟酸H兽可大量溶於水，其溶解度很大，所以可用高1!流密度增加O®率(plating speed)。其缺黑占是腐食虫性，使用材料限制用 硬橡H (hard rubber) , polypropylene 及 PVC 塑81 或碳。4.6.1硼氟酸浴配方焦磷酸If Cu2P2O7?3H2O 57.873.3g/l有檄物Bfi#影IWSJW外«(,均匀性及檄械性特别是延性 此IS浴需速式活性碳滤。添加蒯通常不用有檄物，糖蜜畲使硬及减少效雁(edge effects)。有些硫酸浴添加膂!可被使用。4.6.2 硼氟酸Hig浴之僵黑占O-"-谷言牛WfH流密度平滑夕卜良好O柔勒c易研磨O可用添加膂!增加硬度及瞳度O陪桎雷流效率近100%O低化作用O槽内不结晶O配IS浴容易OU浴定、易控制、高速率WW可网一般性流程1.蒸知挽脂前检 (R)溶蒯洗浮(R)装挂卜(R)化孥脱脂(R)熟水洗(R)冷水洗(R)酸浸(R)1. 1!解脱脂冷水洗(R)雷解脱脂(R)熟水洗(R)活化(R)中和(R)冷水洗(R)割化(R)冷水 洗(R)酸性 Ol (R)冷水洗(