电源及晶丰明源IC培训教程

1、电源及晶丰明源IC培训教程一、输入电压、功率因数。1、通常输入电压分为单电压输入及全电压输入。电压是指 85-132V 与 176-265V。85-135V电源或灯具会销往 美国、日本、台湾、加拿大、朝鲜、巴拿马、古巴、黎巴嫩、墨西哥 ;等地方。其它国家输入电压都是在 176-265V。2全电压是指85-265V o2、 功率因数（PFC）"率因数分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。高功率因数指 PFC三0.9 低功率因数指PFC在0.5左右, 功率因素值越大，代表其电力利用率越高。2功率因数可通过功率计测出。二、晶丰明源IC解析。1、晶丰明源IC主要分为、隔离电源IC、非隔离电

2、源IC、非隔离线雄恒流IC、调非IC、低压DC DC 。隔离电源IC又分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。晶丰BP33X些列为高功率因数隔离 IC , BP31X BP90X 些列为低功率因数隔离IC。芯片型号输入电压PF功率驱动电源特点BP9020A176-264VAC0.53W内置功率MOSFET双绕组变压器；仅10个外围元件；原边 反馈；低成本BP9021A100-264VAC0.53W内置功率MOSFET双绕组变压器；仅10个外围元件；原边 反馈；低成本BP9022A100-264VAC0.55W内置功率MOSFET双绕组变压器；仅10个外围元件；原边 反馈；低成本BP312210

3、0-264VAC0.55W内置功率MOSFET双绕组变压器；原边反馈；低成本。BP3123100-264VAC0.55W内置功率MOSFET双绕组变压器；原边反馈；过认证。BP3132A100-264VAC0.55W内置功率MOSFET双绕组变压器；原边反馈；过认证。BP3133A100-264VAC0.55-7W内置功率MOSFET原边反馈；低成本BP3135100-264VAC0.55-7W内置功率MOSFET原边反馈；低成本BP3115100-264VAC0.57-9W内置功率MOSFET原边反馈；低成本BP3125100-264VAC0.58-12W内置功率MOSFET原边反馈；低成本

4、BP3116100-264VAC0.512-18W内置功率MOSFET原边反馈；低成本BP3126100-264VAC0.518-24W内置功率MOSFET原边反馈；低成本BP3135D100-264VAC0.58-12W内置功率MOSFET双绕组变压器；仅10个外围元件；原边 反馈；低成本BP3136D100-264VAC0.512-18W内置功率MOSFET双绕组变压器；仅10个外围元件；原边 反馈；低成本BP3137D100-264VAC0.5内置功率MOSFET双绕组变压器；仅10个外围元件；原边 反馈；低成本BP3105100-264VAC0.524-50W原边反馈、恒流一致性好、低

5、成本。BP3106100-264VAC0.524-50W原边反馈、恒流一致性好、低成本。BP3315100-264VACM 0.95-7W原边反馈APFC内置高压功率MOSFET温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证BP3316D100-264VACM 0.98-12W原边反馈APFC内置高压功率MOSFET温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证BP3309100-264VACM 0.912-36W原边反馈APFC启动时间小于200mS过认证BP3319100-264VACM 0.912-60W原边反馈APFC温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证BP3319M100-264VACM 0.91

6、2-60W原边反馈APFC温度控制技术确保高温工作不闪烁；过认证p隔离电源IC也分为 高功率因数 和 低功率因数两种晶丰BP23X些列为高功率因数非隔离IC , BP28XBP98X低功率因数IC.芯片型号输入电压PF功率驱动电源特点BP2831ABP9831A176-264VAC0.515WIM 110MA内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁； 单绕组电感；自带OVP保护；仅10个外围元件；符合ERP 指令；成本可以和阻容相当BP2832ABP9832A176-264VAC0.520WIM 160MA内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感；自带OVP

7、保护；仅10个外围元件BP2833ABP9833A176-264VAC0.525WIM 160MA内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁；单绕组电感；自带OVP保护；仅10个外围元件BP2833DBP9833D176-264VAC0.530WI 三230MA内置高压功率MOSFET ;单绕组电感；内置 OVP保护。BP2836D176-264VAC0.545WI 三280MA内置高压功率MOSFET ;单绕组电感；内置 OVP保护。BP2325ABP2327A100-264VACM 0.913WIM170MAAPFC技术；内置高压功率MOSFET ;温度控制技术确保高 温工作不闪

8、烁；单绕组电感；自带 OVP保护；怛流精度极高；通过 EMI测 试BP2326A100-264VACM 0.915WI 三200MAAPFC技术；内置高压功率MOSFET ;温度控制技术确保高 温工作不闪烁；单绕组电感；自带 OVP保护；怛流精度极高；通过 EMI测 试BP2328D176-264VACM 0.924WI 三300MAAPFC技术；内置高压功率MOSFET ;温度控制技术确保高 温工作不闪烁；单绕组电感；自带 OVP保护；怛流精度极高；通过 EMI测 试。BP2329A100-264VACM 0.950WI 三500MAAPFC技术；温度控制技术确保高温工作不闪烁； 单绕组电感

9、；自带 OVP保护；怛流精度极高；罪隔离线性恒流IC.芯片型号输入电压PF功率驱动电源特点BP5112200-240VAC0.76WI 三40MA内置功率MOSFET ;温度控制技术确保高温工作不闪烁；无需EMI器件；光电一体引擎方便生广；相比 CRD而言，有更好的效率和 更小的输入功率波动到光IC芯片型号输入电压PF功率驱动电源特点BP321190132VAC0.96W 40V/150mA内置功率MOSFET ;自带OVP保护；外围元器件少；单绕 组电感；BOM成本低；兼容绝大部分低压调光器；PWM、Analog、可控硅调光；过认证BP321290132VAC0.910W 42V/240mA内置功率MOSFET自带OVP呆护；外围元器件少；单绕组电 感；BOMK本低；兼容绝大部分低压调光器；PWM Analog、可控硅调光；过认证BP321890132VAC0.937V/400mA自带OVP呆护；夕卜围元器件少；单绕组电感；BOMS本低；兼容绝大部分低压调光器；PWM Analog、可控硅调光；过认证BP231890264VAC0.980V/240m