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1、会计学1磁控溅射镀膜原理及工艺磁控溅射镀膜原理及工艺第1页/共44页第2页/共44页第3页/共44页第4页/共44页第5页/共44页子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）B（磁场）所指的方向漂移，简称EB漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。第6页/共44页第7页/共44页靶材靶材基片基片V (0)E+ArAr+-e-e-e+Ar+第8页/共44页第9页/共44页第10页/共44页DCMFRF电源价格电源价格便宜便宜一般一般昂贵昂贵靶材靶材圆靶圆靶/矩形靶矩形靶平面靶平面靶/旋转旋转靶靶试验室一般用圆平试验室一般用圆平面靶面靶靶材材质要靶材材质要求求导体导体无限

2、制无限制无限制无限制抵御靶中毒抵御靶中毒能力能力弱弱强强强强应用应用金属金属金属金属/化合物化合物工业上不采用此法工业上不采用此法可靠性可靠性好好较好较好较好较好第11页/共44页第12页/共44页第13页/共44页电路上的功率。在VONARDENNE镀膜产品中所采用的范围内，功率的提高与溅射速率的提高是一种线性的关系。第14页/共44页确保得到适当质量的同一膜层，工艺气体必须使用纯度为99.995%的高纯气体。在反应溅射中，在反应气体中混合少量的惰性气体（如氩）可以提高溅射速率。第15页/共44页第16页/共44页第17页/共44页第18页/共44页第19页/共44页第20页/共44页下的溅

3、射速率。这时候，为了得到优良的膜层，必须重新调整功率或传动速度。因为速度对于产品是至关重要的，所以标准而且适当的调整方法是提高功率。第21页/共44页第22页/共44页第23页/共44页第24页/共44页第25页/共44页第26页/共44页第27页/共44页第28页/共44页第29页/共44页惰性气体(Ar)，作为气体放电的载体。第30页/共44页原子发生碰撞，电离出大量的Ar+离子，与没有磁控管的结构的溅射相比，离化率迅速增加10100倍，因此该区域内等离子体密度很高。第31页/共44页第32页/共44页第33页/共44页第34页/共44页第35页/共44页第36页/共44页靶材靶材基底基底负偏压负偏压V 工作气压工作气压10-3torr传动速度传动速度m/min时间时间min厚度厚度nm沉积率沉积率nm/min纯铜陶瓷701.03620033.3纯铜陶瓷701.53626043.3纯铜陶瓷702.03632053.3纯铜陶瓷702.53631051.7纯铜陶瓷703.03629048.3纯铜陶瓷703.53626043.3纯铜陶瓷704.03622537.5第37页/共44页第38页/共44页第39页/共44页pdkT22第40页/共44页第41页/共44页在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的，但对其他不同靶材与基片的镀膜工艺研究也

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