晶体硅电池制作过程

1、会计学1晶体硅电池制作过程晶体硅电池制作过程23456电池（电池（cell）；模组（）；模组（module）；阵列（）；阵列（array） 78基本的晶体硅太阳电池结构基本的晶体硅太阳电池结构 910111213晶体硅基板的厚度与太阳电池效率的关系晶体硅基板的厚度与太阳电池效率的关系（Ld为扩散长度）为扩散长度） 1415利用表面的粗糙结构可以降低光线的反射程度原理图利用表面的粗糙结构可以降低光线的反射程度原理图 1617利用利用NaOH或或KOH的碱性蚀刻液，产生出的逆金字塔状凹槽的碱性蚀刻液，产生出的逆金字塔状凹槽 1819202122232425基本的太阳电池制造流程示意图基本的太阳电池

2、制造流程示意图 2627Scanning electron microscope photograph of a textured multicrystalline silicon surface 282930利用机械切割方式制造出的利用机械切割方式制造出的V型凹槽，可以降低多晶硅电池的表面反射程度型凹槽，可以降低多晶硅电池的表面反射程度 3132石英管扩散炉示意图石英管扩散炉示意图 33322524POCl +3O =2P O +6Cl2522P O +5Si=2P+6SiO2262SiO +6HF=H SiF +2H O34石英管扩散炉实际照片石英管扩散炉实际照片 35传输带式炉管示意图传

3、输带式炉管示意图 3637383940415253OP3PCl5POClC6004P5SiO5SiO2P25242了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。2522510ClO2P5O4PCl2过量O322524526POClOPOCl46)(altatlR47n当l=a（即为一个方块）时，R= /t。可见，（/t）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R= /t (/)电流注入时，样品内部各点将产生电位，里面一对探针用来测量2、3点间的电位差。484950515253利用利用PECVD法生产氮化硅抗反射层的示意图法生产氮化硅抗反

4、射层的示意图 545556网印技术示意图网印技术示意图 575859尼龙丝网印刷基本流程尼龙丝网印刷基本流程 6061不锈钢丝网印刷基本流程不锈钢丝网印刷基本流程 Close up of a screen used for printing the front contact of a solar cell. During printing, metal paste is forced through the wire mesh in unmasked areas. The size of the wire mesh determines the minimum width of the fi

5、ngers. Finger widths are typically 100 to 200 m. Close up of a finished screen-printed solar cell. The fingers have a spacing of approximately 3 mm. An extra metal contact strip is soldered to the busbar during encapsulation to lower the cell series resistance. Front view of a completed screen-print

6、ed solar cell. As the cell is manufactured from a multicrystalline substrate, the different grain orientations can be clearly seen. The square shape of a multicrystalline substrate simplifies the packing of cells into a module. 64Rear view of a finished screen-printed solar cell. The cell have a gri

7、d from a single print of Al/Ag paste with no BSF, The cell have a coverage of aluminium that gives a BSF but requires a second print for solderable contacts. （1） 切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。（2） 清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去伤层除去3050um。（3） 制

8、备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。（4） 磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN结，结深一般为结，结深一般为0.30.5um。（5） 周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。（6） 去除背面去除背面PN结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面结。

9、常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN结。结。（7） 制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。（8） 制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。法或喷涂法等。（9） 烧结：将