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1、会计学1PECVD减反膜技术减反膜技术第一页,共31页。2第1页/共30页第二页,共31页。3第2页/共30页第三页,共31页。4第3页/共30页第四页,共31页。5第4页/共30页第五页,共31页。6第5页/共30页第六页,共31页。7第6页/共30页第七页,共31页。8第7页/共30页第八页,共31页。9第8页/共30页第九页,共31页。10PECVD第9页/共30页第十页,共31页。11第10页/共30页第十一页,共31页。12第11页/共30页第十二页,共31页。13第12页/共30页第十三页,共31页。14第13页/共30页第十四页,共31页。15第14页/共30页第十五页,共31页

2、。16第15页/共30页第十六页,共31页。17第16页/共30页第十七页,共31页。18第17页/共30页第十八页,共31页。19第18页/共30页第十九页,共31页。20第19页/共30页第二十页,共31页。21第20页/共30页第二十一页,共31页。22第21页/共30页第二十二页,共31页。23第22页/共30页第二十三页,共31页。24第23页/共30页第二十四页,共31页。25第24页/共30页第二十五页,共31页。26第25页/共30页第二十六页,共31页。27第26页/共30页第二十七页,共31页。28第27页/共30页第二十八页,共31页。29第28页/共30页第二十九页,共31页。30第29页/共30页第三十页,共31页。NoImage内容(nirng)总结会计学。折射率n随x增加而增加。等离子体从宏观来说也是电中性,但是在局部可以为非电中性。直接式基片位于一个电极上,直接接触(jich)等离子体(低频放电10-500kHz或高频)。间接式基片不接触(jich)激发电极(如微波激发等离子)。厚度的均匀性(nominal 约70 nm)。二氧化硅膜和氮化硅膜的比较。若表面氧钝化采用在氢气氛围中退火,钝化效果会有所改善。安

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