全国各大高校线性电子线路习题集-答案

1、一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)1. PN结的反向击穿有雪崩和_两种击穿。2. 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由_产生的。3. 衡量双极型三极管放大能力的参数是_。4. 已知某晶体三极管的fT和，则f=_。5. 根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为_区、饱和区、截止区和击穿区。6. MOS场效应管按导电沟道划分为N和_两大类。7. 对放大器偏置电路的要求有两个：一是合适，二是_。8. 放大电路的失真按失真机理分为线性失真和_失真两大类。9. 若引入反馈使放大器的增益_，这样的反馈称为负反馈。10. 放大电路中，为稳定静态工作点，应引入_

2、反馈。11. 如图所示两级放大电路，其中级间采用 耦合方式，T1接成 组态，T2接成 组态， R1和R2的作用是 。 12. 差分放大器的基本特点是放大 、抑制 。13. 集成运放主要包括输入级、 、 和偏置电路。14. 放大电路静态工作点设置过高，则输出电压波形容易出现 失真。15. 理想运放工作在线性区域的两个重要特性是 、_。16. 已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时，输出电压为1V；当加上负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mV。由此可知基本放大器的电压增益为_，反馈系数为_。17. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从1mA变为2m

3、A,那么它的约为 。 18. 在单级共射电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察UO和UI的波形，则UO和UI的相位关系为 ；若为共集电路，则UO和UI的相位关系为 。19. 在多级放大电路中，放大倍数等于_,后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 。20. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚 _ 。两个输入端的电位相等称为虚 _。21. 差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 ，共模信号是两个输入信号的 。22. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量 ，则说明引入的反馈是负反馈。23. 如图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V，则二极管

4、处于_状态，电流ID=_。2k10V5V3kDID24. 1PN结的反向击穿有雪崩和_两种击穿。25. 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由_产生的。26. 衡量双极型三极管放大能力的参数是_。27. 已知某晶体三极管的fT和，则f=_。28. 放大电路静态工作点设置过高，则输出电压波形容易出现 失真。29. 已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时，输出电压为1V；当加上负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mV。由此可知基本放大器的电压增益为_，反馈系数为_。30. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量 ，则说明引入的反馈是负反馈。31. 放大电路的失真

5、按失真机理分为线性失真和_失真两大类。32. 若引入反馈使放大器的增益_，这样的反馈称为负反馈。33. 放大电路中，为稳定静态工作点，应引入_反馈。34. 在半导体中是依靠_和_两种载流子导电的。35. PN结正偏（P接正，N接负），内电场_，空间电荷区变窄，_运动加强，PN结导通，呈现的电阻小。36. 为保证三极管工作在放大状态，应使其发射结_，集电结_。37. 当某三极管VBE=-0.7V，VCE=-0.3V，则该管工作在_区，是_型三极管。38. 差分放大器的基本特点是放大 、抑制 。39. 集成运放主要包括输入级、 、 和偏置电路。40. 共集电极放大电路具有输入电阻_输出电阻_的特点

6、。41. 差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 ，共模信号是两个输入信号的 。42. 反馈量来自放大电路的输出电流，而又以电压信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是_负反馈。这种反馈可以使放大电路的输出电阻_。43. 要使放大电路减小输出阻抗，应引入_负反馈，若要增加输入阻抗应引入_负反馈。44. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量 ，则说明引入的反馈是负反馈。45. 如图所示两级放大电路，其中级间采用 耦合方式，T1接成 组态，T2接成 组态， R1和R2的作用是 。46. 放大电路的失真按失真机理分为线性失真和_失真两大类。47. 若引入反馈使放大器的增益_，这样

7、的反馈称为负反馈。48. 放大电路中，为稳定静态工作点，应引入_反馈。 49. 理想运放工作在线性区域的两个重要特性是 、_。50. 已知某开环放大电路在输入信号电压为1mV时，输出电压为1V；当加上负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mV。由此可知基本放大器的电压增益为_，反馈系数为_。51. 衡量双极型三极管放大能力的参数是_。52. 在半导体中是依靠_和_两种载流子导电的。53. PN结正偏（P接正，N接负），内电场_，空间电荷区变窄，_运动加强，PN结导通，呈现的电阻小。54. 为保证三极管工作在放大状态，应使其发射结_，集电结_。55. 当某三极管VBE=-0.7V，VC

8、E=-0.3V，则该管工作在_区，是_型三极管。56. 场效应管属于 型器件，而双极型半导体三极管则是_型器件。57. 在UGS=0时，ID=0，为_型场效应管，在UGS=0时，ID0，为_型场效应管。58. 共集电极放大电路具有输入电阻_输出电阻_的特点。59. N沟道JFET组成放大电路时，必须保证PN结_偏置，而且漏源电压VDS必须是_条件，才能使JFET工作在饱和区。60. 反馈量来自放大电路的输出电流，而又以电压信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是_负反馈。这种反馈可以使放大电路的输出电阻_。61. 要使放大电路减小输出阻抗，应引入_负反馈，若要增加输入阻抗应引入_

9、负反馈。62. 温度升高时，晶体二极管的Is将_，VD(on)将_。63. NPN型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_极电位最高，_极电位最低。64. 晶体三极管工作在饱和区的条件是发射结_，集电结_。65. 三种晶体管基本组态放大电路中，_组态输入电阻最高，_组态输入电阻最低。66. 电流源电路的主要参数是_和_。67. 在输入端，将输入端短接后，如果反馈信号加不到放大器输入端，则为_反馈，否则为_反馈。68. 负反馈放大电路自激的幅度条件是_，相位条件是_。69. 集成运算放大器用于_时，要求运放必须工作在线性区，而用作_时，运放实际上已工作在非线性区。70. 杂质半导体中的多数载流子

10、是由掺杂产生的，少数载流子是由_产生的。71. 衡量双极型三极管放大能力的参数是_。72. 已知某晶体三极管的fT和，则f=_。73. 根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为_区、饱和区、截止区和击穿区。74. MOS场效应管按导电沟道划分为N和_两大类。75. 对放大器偏置电路的要求有两个：一是合适，二是_。76. 放大电路的失真按失真机理分为线性失真和_失真两大类。77. 若引入反馈使放大器的增益_，这样的反馈称为负反馈。78. 放大电路中，为稳定静态工作点，应引入_反馈。79. 当PN结外加正向电压时，耗尽层的宽度将_。80. .在比例运算电路中，_比例运算电路的闭环增益大

11、于等于1。81. 理想集成运放的输出电阻为_，因此具有很强的带负载能力。82. 晶体三极管的三种基本组态放大电路中，_具有倒相作用。83. 负反馈放大电路的开环放大倍数为100，而闭环放大倍数为10，则该电路的反馈深度为_。84. 在差分放大电路中，常用_来表示抑制共模信号的能力，希望它越大越好。85. 晶体三极管工作在饱和区时，发射结正偏，集电结_。86. 根据栅源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为_和耗尽型。87. 反馈放大器是一个由基本放大器和_构成的闭合环路。88. 在差分放大器中，已知Vi1=20mv，Vi2=10mv，则共模电压Vic=_。89. 变容二极管是利用PN结的

12、势垒电容而制成的，应工作在_状态。90. 晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V，VB=-2.2V，VC=-6V，则该管的管型是_。91. 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_。92. 晶体管的高频参数fT是指()下降到_dB时所对应的频率。93. 6成运算放大器最大输出电压为±Vom，若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是_。94. 在放大电路中，要稳定输出电压，应引入_负反馈。95. 在差分放大器中，已知Vi1=15mv，Vi2=10mv，则输入差模电压Vid=_。96. 理想集成运放的共模抑制比为_，因此具有很强的抑制共模信号的能力。97. 场效应管工作在饱和区时

13、，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈_关系。98. 在P型半导体中，导电时以_为主。99. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_。100. 晶体三极管工作在放大区时，IC=_IB。101. .晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和_结反向偏置。102. 场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈_关系。103. 通常将开始形成反型层所需的VGS值称为_电压。104. 三种晶体三极管基本组态放大电路中，_组态输入电阻最小。105. 已知某晶体三极管的高频参数fT、，则共基截止频率f约为_。106. 需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入_负反馈电路。107. 为充分

14、提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻_。108. 温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将_。109. 半导体有两种导电方式：在外加电场作用下将形成_电流。110. 晶体三极管ICEO的中文含义是_。111. 晶体三极管工作在放大区时具有_作用。112. 三种基本组态晶体管放大电路中，_组态输入电阻最低。113. 在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察v0和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则v0和vi的相位_。114. 某一放大电路，要使输出电压稳定，应引入_负反馈电路。115. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同

15、样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度F为_。二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)1. 温度升高时，晶体二极管的Is将( )A.增大B.减小C.不变D.近似不变2. PN结反向工作时，流过的电流主要是( )A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散与漂移电流并存3. 已知某晶体管的=0.99，则该管的值是( )A.100B.101C.98D.994. 如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流( )A.反向B.中断C.增大D.不变5. 共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQVCC，则可以判别晶体管工作在( )A.放大状态B.饱和状态

16、C.截止状态D.击穿状态6. 差分放大器中用电流源代替Ree是为了( )A.提高差模放大倍数B.提高共模放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输入电阻7. 所谓放大器工作在闭环状态是指( )A.考虑信号源内阻B.有反馈通路C.接入负载D.信号源短路8. 20.负反馈放大电路的环路增益是指( )A.B.C.1+D.9. 如果PN结的反向电流急剧增加，称为( )A.反向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和10. 工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为( )A.VC<VB<VEB.VC>VB>VEC.VC<VE<VBD.VC>VE&

17、gt;VB11. 场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现_关系。( )A.指数B.平方C.对数D.线性12. 某放大电路负载开路时，输出电压为4V，负载短路时，输出电流为10mA，则该电路的输出电阻为( )A.200B.300C.400D.50013. 某放大电路的增益A=100dB，若希望引入负反馈使其增益下降为Af=100倍，问反馈系数kf应选多少？( )A.0.1B.0.01C.0.001D.0.0099914. 若半导体二极管的反向击穿电压大于1000V，主要发生何种击穿现象?( )A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿15. 对于放大电路，所谓闭环是指( )A考虑信号源

18、内阻B.存在反馈通路C.接入电源D.接入负载16. 晶体三极管是_器件。( )A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流17. 测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是8V、8.7V、15V，则可判断该管的材料和类型是( )A.硅、NPNB.硅、PNPC.锗、NPND.锗、PNP18. 场效应管是一种( )A.双极型器件B.电流控制器件C.单极型器件D.少子工作的器件19. 增强型PMOS场效应管工作在放大状态时，其栅源电压( )A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零20. 共基极电路信号从( )A.基极输入，集电极输出B.发射极输入，集电极输出

19、C.基极输入，发射极输出D.发射极输入，基极输出21. 两个相同的共发射极放大电路，空载时电压放大倍数均为30，如将它们连接后组成一个两级放大电路，则总的放大倍数( )A.等于60B.等于900C.小于900D.大于90022. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应选_负反馈形式。( )A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联23. 差动放大电路是为了_而设置的。( )A.稳定增益B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展通频带24. 杂质半导体中多数载流子浓度( ) A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关 C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关25. 工作在放大状

20、态的某PNP晶体三极管，各电极电位关系为( ) A.VC<VB<VE B.VC>VB>VE C.VC<VE<VB D.VC>VE>VB26. 三极管工作在截止模式时要求( ) A.发射结正偏、集电结正偏 B.发射结正偏、集电结反偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏27. 在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的( ) A.和值 B.差值 C.平均值 D.乘积值28. 负反馈放大电路中，为保证电路不产生自激，需引入补偿技术，为保证经补偿后放大电路的带宽不降低，需引入( ) A.简单电容补偿 B.密勒电容补偿 C.超

21、前相位补偿 D.滞后相位补偿29. 希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流，应引入( )负反馈。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联30. 集成运放组成运算电路时，工作在( ) A.限幅区 B.过渡区 C.截止区 D.线性区31. 若要将周期性方波电压转变为三角波电压，则应选用( ) A.反相比例运算电路 B.同相比例运算电路 C.微分运算电路 D.积分运算电路32. 温度升高时，晶体二极管的Is将( )A.增大B.减小C.不变D.近似不变33. PN结反向工作时，流过的电流主要是( )A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散与漂移电流并存34. 已知某晶体管的=0

22、.99，则该管的值是( )A.100B.101C.98D.9935. 如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流( )A.反向B.中断C.增大D.不变36. 1共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQVCC，则可以判别晶体管工作在( )A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态37. 差分放大器中用电流源代替Ree是为了( )A.提高差模放大倍数B.提高共模放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输入电阻38. 所谓放大器工作在闭环状态是指( )A.考虑信号源内阻B.有反馈通路C.接入负载D.信号源短路39. 负反馈放大电路的环路增益是指( )A.B.C.1+D.

23、40. 如果PN结的反向电流急剧增加，称为( )A.反向导通B.反向截止C.反向击穿D.反向饱和41. 工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为( )A.VC<VB<VEB.VC>VB>VEC.VC<VE<VBD.VC>VE>VB42. 场效应管工作在非饱和区时，其电压电流之间呈现_关系。( )A.指数B.平方C.对数D.线性43. 某放大电路负载开路时，输出电压为4V，负载短路时，输出电流为10mA，则该电路的输出电阻为( )A.200B.300C.400D.50044. 某放大电路的增益A=100dB，若希望引入负反馈使其

24、增益下降为Af=100倍，问反馈系数kf应选多少？( )A.0.1B.0.01C.0.001D.0.0099945. 半导体二极管是温度的敏感器件，当温度升高时，参数IS和VD（on）的变化是（ ）A.IS上升，VD（on）下降B.IS上升，VD（on）上升C.IS下降，VD（on）下降D.IS下降，VD（on）上升46. 晶体管共集电极放大电路的信号是从（ ）A.基极输入，集电极输出B.基极输入，发射极输出C.发射极输入，集电极输出D.集电极输入，发射极输出47. 二极管的小信号模型是（ ）A.B.C.D.48. 放大器电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12K的负载电阻后，输出电压降为3

25、V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）A.10KB.2KC.3KD.4K49. 对放大电路，要求增大输入电阻，稳定输出电流，应选择（ ）A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈50. 与工作在运算电路中的运放不同，电压比较器中的运放通常工作在（ ）A.深度负反馈状态B.开环或正反馈状态C.放大状态D.线性工作状态51. 典型差动放大电路的公共射极电阻REE，对_抑制作用。（ ）A.差模信号有B.共模信号有C.差模与共模信号均有D.差模与共模信号均没有52. 同相输入的过零电压比较器的电压比较特性曲线是（ ）A.B.C.D.53. 同相比例电路中引入的负反馈是（ ）

26、A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈54. 负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则环路增益的表达式是（ ）A.B.-AkfC.AkfD.1+Akf55. 场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（ ）A.饱和区B.非饱和区C.截止区D.击穿区56. 对放大电路，闭环是指电路（ ）A.考虑交流信号源内阻B.接入直流电源C.存在反馈通路D.接入负载57. 当信号频率等于截止频率时，放大倍数的值约为中频放大倍数的_倍。（ ）A.0.1B.0.5C.0.707D.0.958. 判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为（ ）A.方框图法B.瞬时极性法C.

27、短路法D.开路法59. 集成运算放大器实质上是一种（ ）A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器C.高增益的高频放大器D.高电压增益的直接耦合放大器60. 二极管的伏安方程是( )A.iD=Is(-1)B.iD=IsC.iD=-IsD.iD=Is61. 晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是( )A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏62. 设计一运算电路实现三角波方波的变换，应选用_实现。( )A.同相比例电路B.反相比例电路C.积分电路D.微分电路63. 当集成运放工作在线性放大状态时，可运用_两个重要的概念。

28、( )A.开环和闭环B.虚短和虚断C.虚短和虚地D.线性和非线性64. 要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻，可采用_放大电路。( )A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈65. 由运算放大器构成的电压比较器，抗干扰能力最强的是( )A.单限电压比较器B.过零电压比较器C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器66. 负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则闭环增益Af的表达式是( )A.B.C.AkfD.1+Akf67. 设计一负反馈放大器，实现电压电流的变换，应引入( )A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈68. 放大

29、电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是( )A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理69. 放大器产生零点漂移的主要原因是( )A.电压增益太大B.环境温度变化C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式70. 由NPN管组成的单级共发射电路，当集电极电阻Rc增大时，工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是( )A.ICQ增大、VCEQ增大B.ICQ增大、VCEQ减小C.ICQ不变、VCEQ减小D.ICQ不变、VCEQ不变71. 随着温度的升高，晶体三极管的_将减小。( )A.B.VBE(on)C.ICBOD.ICEO72

30、. 集成运算放大电路的输入级通常采用_电路。( )A.共集电极放大B.共发射极放大C.差分放大D.共基极放大73. 设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择_电路。( )A.共发射极放大B.共基极放大C.共源极放大D.共集电极放大74. 半导体中的载流子是指（ ）A.自由电子B.空穴C.离子D.自由电子和空穴75. 稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在_状态。（ ）A.反向截止B.反向击穿C.正向导通D.零偏76. 测得三极管IB=30A时，IC=2.4mA，而IB=40A时，IC=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（ ）A.80B.60C.75D.10077. 晶体三极管

31、的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应？（ ）A.饱和区B.截止区C.放大区D.击穿区78. 共集电极放大电路的特点之一是（ ）A.输入电阻高B.电压增益大C.输入输出反相D.输出电阻高79. 集成运算放大器实质上是一种（ ）A.交流放大器B.高增益的交流放大器C.高增益的直接耦合放大器D.高增益的高频放大器80. 负反馈可以改善放大器的性能，问关于放大器下述哪种说法不正确？（ ）A.减少放大器的增益B.改变输入电阻C.改变输出电阻D.改善信号源的噪声系数81. 某放大电路的电压增益为40dB，而加入负反馈后变为6dB，它的反馈深度F为（ ）A.30dBB.34dBC.46d

32、BD.50dB82. 温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VD（on）将（ ）A.增大B.减小C.不变D.未知83. 已知某晶体三极管的=99，则该管的共基电流放大系数为（ ）A.1.00B.0.995C.0.99D.0.98584. 当场效应管的VGS<VGS(th)时，则该管工作在（ ）A.饱和区B.非饱和区C.击穿区D.截止区85. 要求晶体管工作在放大区，若是NPN晶体管，则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系？（ ）A.VC>VB>VEB.VC>VE>VBC.VC<VB<VED.VC<VE<VB86. 反馈放大器

33、工作在开环状态是指（ ）A.考虑信号源作用B.接入反馈网络C.断开反馈网络D.考虑负载作用87. PN结击穿后，它的反向电流将（ ）A.急剧减小B.减小C.几乎不变D.急剧增大88. PN结反向工作时，流过的电流主要是（ ）A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散和漂移电流并存89. 工作在放大状态的某NPN晶体三极管，各电极电位关系为（ ）A.VC<VB<VEB.VC>VB>VEC.VC<VE<VBD.VC>VE>VB90. 以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（ ）A.VBR（CEO）B.ICMC.PCMD.91. 场效应管工作在

34、饱和区时具有_的转移特性。（ ）A.线性B.指数律C.平方律D.对数律92. 场效应管是一种（ ）A.电压控制器件B.电流控制器件C.双极型器件D.少子工作的器件93. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12k的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）A.10kB.2kC.4kD.3k94. 设单级共射放大电路Avsm=100dB，fH=105Hz，当输入信号频率f=106Hz时，该电路的电压放大倍数约为（ ）A.100dBB.90dBC.80dBD.70dB95. 反馈放大电路的含义是（ ）A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大

35、电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路96. 负反馈放大电路产生自激的条件是（ ）A.（jo）=1B.（jo）=-1C.（jo）<1D.（jo）>197. 在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（ ）A.本征半导体B.N型半导体C.P型半导体D.杂质半导体98. 温度减少时，晶体三极管的_将增加。（ ）A.VBE（on）B.C.ICBOD.ICEO99. 设计一只单级晶体管放大电路，要求输入电压和输出电压同相，输出电阻很低，应选择（ ）A.共射放大B.共基放大C.共集放大D.共源放大100. 直流负反馈的作用是（ ）A.稳定直流工作点B.稳定电压放大倍数

36、C.稳定输出电流D.稳定输出电压三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)1. 放大电路的直流通路如图三（1）所示，设管子的=100,ICQ=2mA，VBE（on）=0.7V，若要求V0的范围为48V，试确定R2的值和R1的取值范围。2. 电流源电路如图三（3）所示，试求输出电流I0和交流输出电阻R0的值。（设VBE（on）=0.7V，|VA|=100V，两管子参数一致，=50）3. 电路如图三(1)所示，已知ui5sint(V)，二极管导通电压UD0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。4. 电路如图三(2)所示，试问至少大于多少时晶体管饱和？5. 电路如图三(3)所示，设MO

37、S管的PCox(w/l)=500A/V2，VGS(th)=3V，试求V0和ID的值。6. 理想二极管电路如图三(1)所示，试判断各二极管的状态(导通或截止)，并求VAO的值。7. 所示电路中，已知=100,VBE(on)=0.7V，ICBO0，试指出电路工作模式(放大、饱和或截止)。8. 放大电路的直流通路如图三（1）所示，设管子的=100,ICQ=2mA，VBE（on）=0.7V，若要求V0的范围为48V，试确定R2的值和R1的取值范围。9. 电流源电路如图三（3）所示，试求输出电流I0和交流输出电阻R0的值。（设VBE（on）=0.7V，|VA|=100V，两管子参数一致，=50）10.

38、如题三（1）图所示电路，VBE（on）0.7V，且足够大，求静态工作点IC1、VCE1和IC2、VCE2的值。题三（1）图11. 电路如题三（2）图所示，画出直流通路和交流通路。题三（2）图12. 已知二个电压比较器的电压比较特性分别如题三（3）（a）（b）图所示，输入电压Vi波形如题三（3）（c）图所示，试画出输出电压Vo的波形（坐标对齐）。（a）（b） （c）题三（3）图13. 如题三（1）图所示电路，T1、T2、T3的特性相同，1=2=3，并足够大，VBE1=VBE2=VBE3=0.7V，求IREF和V1-V2。题三（1）图14. 如题三(2)图所示电路，VI为整流滤波后的电压，试求输出

39、电压o的表达式。题三（2）图15. 如题三（3）图所求T型网络，设集成运放是理想的，求输出电压Vo的表达式。题三（3）图16. 一个晶体管处在放大状态，已知其三个电极的电位分别是5V、9V和5.2V。试判别三个电极，并确定该管的导电类型和所用的半导体材料。17. 电流源电路如图三（3）所示，已知各晶体管的特性一致，VBE(on)=0.7V,=100,|VA|=100V,试求：（1）I0的值，（2）当R2=0时，交流输出电阻Ro2的值。图三（3）18. 图三（1）所示电路中，已知二极管参数VD（on）=0.6V，VDD=1.6V，vs=10sin（t）（mv）,试求流过二极管的直流电流IDQ和交

40、流电流id的表达式。图三（1）19. 电路如图三（2）所示，已知VCC=12V，ICQ=1mA，VCEQ=6V，=100，VBE（on）=0.7V.求：Rc和Rb的值。图三（2）四、分析计算题(本大题共5小题，每小题9分，共45分)1. 某单管放大电路如图四（1）所示，所有电容对交流呈短路，已知三极管=50,rbb=200，VBE=0.7V，当RW的滑动端置于中点时，试计算：（1）静态时ICQ、VCEQ；（2）输入电阻Ri；（3）源电压增益Avs。30.差分放大电路如图四（2）所示，已知三个管子一致，=50，VBE(on)=0.6V，rbb=200,VCC=VEE=15V,RC=6k,RL=1

41、2k,R1=20k,R2=10k,R3=2.2k。试：（1）计算T1管的静态工作点ICQ1；（2）计算电路的差模电压放大倍数Avd=；（3）求差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod的值。31.放大电路如图四（3）所示 ，现要求接上负载RL后，电压放大倍数基本不变，需要引入负反馈，设反馈电阻为RF。（1）问j、k、m、n四点哪两点之间接上反馈电阻RF？（2）判别引入反馈的类型；（3）写出深负反馈条件下，电压增益Avf的表达式。32.理想运放组成的电路如图四（4）所示，试求运放各输出电压V01，V0和各输入电压之间的关系式。33.比较电路如图四（5）所示，已知稳压管VZ=6V，VD（on）=0.6

42、V，VR=2V，试求：（1）该电路的阈值电压Vth；（2）画出比较特性V0Vi；（3）当Vi=5sint(V)时，画出V0（t)的波形。.放大电路的直流通路如图三（1）所示，设管子的=100,ICQ=2mA，VBE（on）=0.7V，若要求V0的范围为48V，试确定R2的值和R1的取值范围。2.电流源电路如图三（3）所示，试求输出电流I0和交流输出电阻R0的值。（设VBE（on）=0.7V，|VA|=100V，两管子参数一致，=50）3.某单管放大电路如图四（1）所示，所有电容对交流呈短路，已知三极管=50,rbb=200，VBE=0.7V，当RW的滑动端置于中点时，试计算：（1）静态时ICQ

43、、VCEQ；（2）输入电阻Ri；（3）源电压增益Avs。4.放大电路如图四（3）所示 ，现要求接上负载RL后，电压放大倍数基本不变，需要引入负反馈，设反馈电阻为RF。（1）问j、k、m、n四点哪两点之间接上反馈电阻RF？（2）判别引入反馈的类型；（3）写出深负反馈条件下，电压增益Avf的表达式。5.比较电路如图四（5）所示，已知稳压管VZ=6V，VD（on）=0.6V，VR=2V，试求： （1）该电路的阈值电压Vth；（2）画出比较特性V0Vi；（3）当Vi=5sint(V)时，画出V0（t)的波形。1.电路如图四(1)所示，晶体管的100，rbe2.73k。（1）求电路的Q点UCEQ IEQ IBQ、u、Ri和Ro；（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？2.图四(2)所示电路参数理想对称，12，rbe1rbe2rbe。（1）写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式