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文档简介

1、(Semiconductor Transistor)(Semiconductor Transistor)晶体三极管晶体三极管一、构造、符号和分类一、构造、符号和分类NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB分类：分类：按资料分：按资料分： 硅管、锗管硅管、锗管按功率分：按功率分： 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W二、电流放大原理二、电流放大原理1. 三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件发射区掺杂浓度高发

2、射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件发射结正偏发射结正偏集电结反偏集电结反偏2. 满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共发射极共集电极共集电极共基极共基极3. 三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程1) 发射区向基区注入多子电子，发射区向基区注入多子电子， 构成发射极电流构成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向分散构成结方向分散构成 ICN。IE少数与空穴复合，构成少数与空穴复合，构成 IBN 。I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供(

3、IB)集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN IB + ICBO即：即：IB = IBN ICBO 2)电子到达基区后电子到达基区后( (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )4. 三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOBNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII 穿透电流穿透电流CBOBCBOCIIII IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 共射根本放大电路的组成共射根本放大电路的组成输出不失真输出不失真发射结加正向电压发射结加正向电压集电结加反向电压集电结加反向电压RBVBBC1+Rs+us-RCVCCTC2RL+uo信号源加到信号源加到b-e间间uin1.发射结加正向电压n2.集电结加反向电压n3.把信号源加到b-e之间n4.在输入信号作用下得到不失真的输出信号n以上四条是判别三极

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