模拟电子技术学习笔记

1、本证半导体：纯净晶体结构的导体。 常用的有硅和锗。 在外电场的作用下，自由电子定向移动形成 电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键， 出现 电子的空位，称为 空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成 空穴电流。N 型半导体：在本征半导体中加入 +5 价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周 围除形成共价 键之外，有一个游离的电子， N型半导体的多数载流子电子， 少数载流子空穴。 电子受力移动，留下施主 杂质带正电 （不参与导电）。所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供， 其浓度取决于P 型与 N型的交界处形成 PN结温度。整个半导体内先电中性。PN结N 向

2、P移 了不能移 阻碍了扩交界两侧电子与空穴浓度差悬殊，产生扩散运动。电子由 动， 形成 P向 N的电子电流。 交界 动且显负， 正P的,N杂分质别离留子下，（从漂而移） 形成 散运动，中将达到二者平衡。N向 P 的自建电场，当达到平衡时，扩散运动与漂移运动的作用相等，通过界面的总载 流子数为 零， PN结的电流为 0; PN结交界区形成一个高阻区，称 为耗尽层。扩散电容P 接电源高电压， N接电源低电压 ,正向电压势垒电容外加电场与自建场方向相反，阻挡 层变 窄，促进多子扩散， PN结导通。反向电压PN结的导电性电压超 过门限 值，PN 结击穿 击穿 不 一定 PN结 的损坏N接电源高电压，

3、P 接电源低电压 外加电场与自建场方向相同，阻挡 层变宽， 促进少子漂移， PN结截止 , 电流方向与正向 偏置时相反，称为 反向电流。少子成小电 流，反向电 流很小。反向电压超过 0? 几 V 时少子基本在 电场作 用下，形成漂移电流，少子不 因为电压变大 而增多， 反向电流基本 不变，即饱和电 流。雪奔击穿（碰撞击穿）少子能量过 大， 与原子碰撞，从而形成电子一 空穴 对。如此连锁反应，反向电 流快速增 加。工作在击穿条件下，二极管的应用：齐纳击穿（电场击穿）原子间的 价电子直接拉出，形成电子一一 空穴对，反向电流急剧增加。反向电流变化大，电压却变化很小，即具有稳压性。限幅电路门电路三极管

4、的结构及类型集电結 I基极 b P卜C1N -集电区P一基艺 - 亡b P发射区NC> e集电结、发射结丿发射极 e(a NPN(/?PNPa）共基极（b）共发射极（ c）共集电极无论是 PNP还是 NPN型的三极管，都包含三个区：发射区 （c） 、基区 （b）和集电极区 （e）集电结发射结正向反向正向饱和状态放大状态反向反向放大截止状态三极管的接法 :le=lc+lb（ 共基极电流放大系数a,共发射极电流放大系数 ?1 ：发射结 （ c）重掺杂三极管的放大作用2 : 基区 （e）很薄3 : 集电极面积大。直流分析：即静态分析，基极电流lb 、集电极电流 lc= Bib, Uce。电容开路（先画出直流通路 ）电感短路信号源短路三极管的特性曲线1当 Uce不变时，输入回路中的电流 输入特性2：当 lb 不变时，输出回路中的电流 曲线称为输出特性lb 与电压 Ube 之间的关 系曲线称为lc 与电压 Uce 之间的关系共设极的电路 :Uce减小到极限 （截止） Uce 增1、输入电压与输出电压反相。2、顶部失真，输入回路就出现开始