固体物理—导体绝缘体和半导体的能带论

1、05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动05_03 导体、绝缘体和半导体的能带论解释导体、绝缘体和半导体的能带论解释 问题的提出问题的提出导体的电阻率导体的电阻率610cm291010cm14221010cm半导体的电阻率半导体的电阻率绝缘体的电阻率绝缘体的电阻率 所有固体中都包含大量的电子所有固体中都包含大量的电子 但电子的导电性却相差非常大但电子的导电性却相差非常大 01/1905_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动 导体、半导体和绝缘体的区别在哪里？导体、半导体和绝缘体的区别在哪里？ 电子的能带理论解释了导体与绝缘体

2、电子的能带理论解释了导体与绝缘体 特鲁特关于一些金属导电电子数特鲁特关于一些金属导电电子数 等于原子的价电子数的假设是相当成功等于原子的价电子数的假设是相当成功 其它一些固体却不是这样其它一些固体却不是这样05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动1 满带中的电子对导电的贡献满带中的电子对导电的贡献电子能量是波矢的偶函数电子能量是波矢的偶函数)()(kEkEnnEkvk1)(Ekvk1)(1kE )()(kvkv 状态和状态和 状态中电子的速度大小相等、方向相反状态中电子的速度大小相等、方向相反 kk波矢为波矢为 的电子的速度的电子的速度k波矢为波矢为 的电子

3、的速度的电子的速度k05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动1) 在无外场时在无外场时vq每个电子产生的电流每个电子产生的电流 对电流的贡献相互抵消对电流的贡献相互抵消热平衡状态下，电子占据热平衡状态下，电子占据波矢为波矢为 的状态和占据波矢的状态和占据波矢为为 的状态的几率相等的状态的几率相等kk 无外场时晶体中的满带无外场时晶体中的满带 不产生电流不产生电流 状态和状态和 状态中电子的速度大小相等、方向相反状态中电子的速度大小相等、方向相反 kk05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动2) 在有外场在有外场 作用时作用

4、时 E电子受到的作用力电子受到的作用力EqFFdtkd)(Eqdtkd1电子动量的变化电子动量的变化 所有电子状态以相同的速所有电子状态以相同的速 度沿着电场的反方向运动度沿着电场的反方向运动 电子的运动不改变布里渊区中电子的分布电子的运动不改变布里渊区中电子的分布 满带中的电子不产生宏观电流满带中的电子不产生宏观电流05/1905_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动2 导带中的电子对导电的贡献导带中的电子对导电的贡献1) 无外场存在时无外场存在时 虽然只有部分状态被电子填充，但波矢为虽然只有部分状态被电子填充，但波矢为 的状态的状态 和波矢为和波矢为 的状

5、态中电子的速度大小相等、方向相的状态中电子的速度大小相等、方向相 反，对电流的贡献相互抵消反，对电流的贡献相互抵消kk 热平衡状态下电子占热平衡状态下电子占 据两个状态几率相等据两个状态几率相等 导带中的电子在无外导带中的电子在无外 场作用时不产生电流场作用时不产生电流05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动2) 在有外场作用时在有外场作用时 导带中只有部分状态被电子填充导带中只有部分状态被电子填充 外场的作用使布里渊区的状态分布发生变化外场的作用使布里渊区的状态分布发生变化 所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动所有的电子状态以相同的速度沿着电场的

6、反方向运动 逆电场方向上运动的电子较多逆电场方向上运动的电子较多 在外场作用下导在外场作用下导带带 中的电子产生电中的电子产生电流流Eqdtkd105_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动导体、半导体、绝缘体模型导体、半导体、绝缘体模型 05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动绝缘体绝缘体 原子中的电子是满壳层分布的原子中的电子是满壳层分布的 在电场的作用下没有电流产生在电场的作用下没有电流产生 价电子刚好填满了许可的能带，形成满带价电子刚好填满了许可的能带，形成满带 导带和价带之间存在一个很宽的禁带导带和价带之间存在一个很

7、宽的禁带 一般情况下，价带之上的能带没有电子一般情况下，价带之上的能带没有电子导体导体 在一系列能带中除了电子填充满的能带以外在一系列能带中除了电子填充满的能带以外 还有部分被电子填充的能带还有部分被电子填充的能带_导带导带05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动原胞中只有一个价电子的固体原胞中只有一个价电子的固体Li _3、Na_11、K_19、Cu_29、Ag_47原胞中含有偶数个价电子，可以填满一个能带原胞中含有偶数个价电子，可以填满一个能带 绝缘体绝缘体二价金属二价金属 Be(4)、Mg(12)、Zn(30)，原胞有，原胞有2个电子个电子 绝缘体绝缘

8、体 ？ 它们却是导体它们却是导体 能带存在交迭能带存在交迭10/19它们只填充半条能带它们只填充半条能带 导体导体 05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动半导体半导体 Si：14、Ge：32 禁带宽度较窄禁带宽度较窄 2 eV以下以下 依靠热激发可将满带中的电子激发到导带中依靠热激发可将满带中的电子激发到导带中 因而具有导电能力因而具有导电能力 热激发到导带中的电子数目随温度按指数规律变化热激发到导带中的电子数目随温度按指数规律变化 半导体的电导率随温度的升高按指数形式增大半导体的电导率随温度的升高按指数形式增大05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释

9、 晶体中电子在电场和磁场中的运动半金属半金属 V族元素族元素Bi、Sb、As 三角晶格结构，原胞有偶数个电子三角晶格结构，原胞有偶数个电子 具有金属的导电性具有金属的导电性_能带的交叠能带的交叠 导电能力远小于金属导电能力远小于金属 能带交叠较小能带交叠较小 对导电有贡献的载流子数远远小于普通的金属对导电有贡献的载流子数远远小于普通的金属05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动3 近满带和空穴近满带和空穴 近满带近满带 满带中的少数电子满带中的少数电子 受热或光激发从满带跃迁到上面的空带中受热或光激发从满带跃迁到上面的空带中 使原来的满带变为近满带使原来的满

10、带变为近满带空穴空穴 描述近满带的导电性描述近满带的导电性05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动设想近满带中只有一个设想近满带中只有一个 态没有电子态没有电子k 在电场的作用下在电场的作用下 近满带产生的电流为近满带中所有电子对电流的贡献近满带产生的电流为近满带中所有电子对电流的贡献( )I k 近满带产生的电流近满带产生的电流总电流总电流05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动)()(kvqkI 近满带的总电流相当于一个带正电近满带的总电流相当于一个带正电q的粒子的粒子 以空状态以空状态 中电子的速度中电子的速度 所引

11、起的所引起的k)(kv0)()(kvqkI 如果在空的如果在空的 中放入一个电子中放入一个电子 近满带变为满带总的电流为零近满带变为满带总的电流为零k近满带的电流近满带的电流15/1905_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动0)()(kvqkI)()(kvdtdqdtkdI)(BkvEq*( ) ( )dmv kq Ev kBdt *0m 外场作用下满带不产生电流外场作用下满带不产生电流两边对时间微分两边对时间微分电子受到的洛伦兹力电子受到的洛伦兹力电子加速度电子加速度 近满带产生电流变化规律近满带产生电流变化规律05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释

12、 晶体中电子在电场和磁场中的运动2*( ) ( )dI kqEv kBdtm *( )( )dI kqqEqv kBdtm)(BkvqEq 正电荷正电荷q在电磁场中受到的力在电磁场中受到的力 外电磁场中近满带电流的变化等同于一个带正电外电磁场中近满带电流的变化等同于一个带正电q 具有正有效质量具有正有效质量 m* 的粒子的粒子*0m 近满带电流变化近满带电流变化05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶体中电子在电场和磁场中的运动结结 论论 当满带顶附近有空状态当满带顶附近有空状态 时时 满带产生的电流以及电流在外电磁场中的变化满带产生的电流以及电流在外电磁场中的变化 相当于一个带正电相当于一个带正电q，正质量，正质量 m* 、速度、速度 的粒子的粒子k)(kv 这样一个假想的粒子这样一个假想的粒子 空穴空穴05_03_导体、绝缘体和半导体的能带论解释 晶