Mb到Gb的QuadSPIFL-SNOR闪存系列(PPT课件)

1、0001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列新产品介绍 用于高性能嵌入式系统的工业级最快的Quad SPI NOR闪存存储器新产品简介新产品简介：128 Mb到到1 Gb的的Quad SPI FL-S NOR闪存系列闪存系列FL-S = 使用使用MirrorBit1技术的赛普拉斯技术的赛普拉斯3.0 V、65 nm NOR闪存存储器系列闪存存储器系列主题（RHOE、DSG） 1 赛普拉斯非易失性存储器单元技术，它拥有两个局部电子存储位置用于为每个单元提供两次数据位，从而能够有效地使NOR闪存存储器容

2、量增加一倍1128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKULNOR闪存存储器术语非易失性存储器（非易失性存储器（NVM）断电时仍保留数据的存储器数据存储数据存储NVM用于记录各种传输和状态信息程序存储程序存储NVM具有低延迟和高带宽的特性，用于执行CPU程序指令（如启动代码）读带宽读带宽即为测量读取存储器数据的速度，单位为字节/秒闪存存储器闪存存储器NVM改变了晶体管传导电流电压，通过添加或移除电子来将存储器单元状态设置为预定义的“1”和“0”，从而实现该操作NOR闪存存储器闪存存储器对快速随机访问（相

3、对于快速连续地址访问）进行架构优化的闪存存储器串行外设接口（串行外设接口（SPI）在嵌入式系统中使用的符合工业标准的LPC（低脚数）接口，用于使能在主设备和从设备之间进行同步数据交换（每个周期1位）Quad SPI符合工业标准的高带宽、LPC（低脚数）接口同时使用了四线SPI接口，用于使能更快的数据传输操作单倍数据速率（单倍数据速率（SDR）它是一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期中将传输一次数据专业术语2128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL其他NOR闪存存储器术语双倍数据速率（双倍数

4、据速率（DDR）它是一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期中将传输两次数据HyperBus超高带宽、LPC（低脚数）接口符合工业标准，该接口通过一条八线总线使用DDR来传送数据，从而使能更大的带宽HyperFlash赛普拉斯NOR闪存存储器产品系列使用HyperBus，它比Quad SPI NOR闪存存储器提供的带宽更大，并且它的引脚数量只有并行NOR闪存存储器引脚数量的三分之一MirrorBit赛普拉斯NVM单元技术，它拥有两个局部电子存储位置，每个单元提供两位数据，从而它们能够有效地使NOR闪存存储器的容量 增加一倍编程编程/擦除擦除通过这些操作可以分别将NOR闪存存储器单元状态从“1

5、”改为“0”或从“0”改为“1”块块带有连续地址的物理存储地址模块（例如，256 Mb存储器中的4 KB）块擦除块擦除在编程数据（如启动代码或参数数据）前，需要通过该操作擦除NOR闪存存储器模块中的所有字节芯片擦除芯片擦除进行编程前，先要通过该操作擦除NOR闪存存储器中的所有块专业术语3128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL256 Mb SPI1 NOR闪存存储器市场复合年均增长率预计会为闪存存储器市场复合年均增长率预计会为8% ，将从，将从2015年的年的1.12亿亿片到片到2021年的年的

6、1.92亿亿片片2256 Mb NOR闪存存储器市场划分闪存存储器市场划分：高级驾驶辅助系统（ADAS）汽车组合仪表汽车信息娱乐系统网络器件机顶盒这些细分市场中的这些细分市场中的OEM 设计的高性能系统要求设计的高性能系统要求NOR闪存存储器以最快的速度访问程序存储器和闪存存储器以最快的速度访问程序存储器和 程序存储器数据程序存储器数据高性能系统的设计师更喜欢具有以下特性的高性能系统的设计师更喜欢具有以下特性的NOR闪存存储器闪存存储器：LPC（低脚数）串行接口可减少封装大小并且简化电路板布局最大读取带宽来快速访问程序存储器最快编程和模块擦除速度来快速写入数据高性能系统设计师要求快速的高性能系

7、统设计师要求快速的LPC（低脚数）（低脚数）Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器 市场展望1 包括SPI和Quad SPI NOR闪存存储器。2 源：Web-Feet研究现在的系统设计需要快速的LPC（低脚数）NOR闪存存储器 由Alpine生产的汽车信息娱乐系统4128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL赛普拉斯：业界最佳的闪存、SRAM和NVRAM与竞争对手存储器产品系列的比较与竞争对手存储器产品系列的比较赛普拉斯为嵌入式系统提供了最广泛的高性能存储器系列赛普拉斯为嵌入式系统提供了最广

8、泛的高性能存储器系列产品类别产品类别赛普拉斯赛普拉斯 竞争对手竞争对手功能优势功能优势度量度量瑞萨瑞萨ISSI美光美光东芝东芝华邦华邦旺宏旺宏富士通富士通业界最佳的NOR闪存HyperFlash 最高读取带宽最高读取带宽333 MBps串行NOR闪存 最大读取带宽最大读取带宽最快编程最快编程/擦除速度擦除速度 160 MBps并行NOR闪存最大读取带宽最大读取带宽最快编程最快编程/擦除速度擦除速度90 MBps业界最佳的SRAMQDR-IV同步SRAM 最高最高RTR （随机数据处理速率）2.1 GT/s带ECC的异步SRAM1 最高可靠性最高可靠性0.1 FIT2MicroPower SRA

9、M最低待机电流最低待机电流1.5 ANAND3闪存SLC NAND闪存 最快最快 访问时间访问时间25 nse.MMC NAND闪存 最高可靠性最高可靠性0 FIT2业界最佳的NVRAM串行F-RAM4 最低待机电流最低待机电流100 A并行nvSRAM5 最快的最快的NVRAM620 nsAGIGARAM7容量最大的容量最大的 NVRAM616 GB1 纠错码2 失效率（十亿小时）3 一种提供极大容量、低成本且具有连续读取功能的闪存存储器市场定位4 铁电 5 非易失性SRAM6 非易失性存储器，它允许按照任意的随机顺序对任意存储器位置直接进行读写访问7 赛普拉斯商标名称5128 Mb到1 G

10、b Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL设计师会面临的NVM问题1. 用到移动产品上的许多高性能系统设计都需要一个小用到移动产品上的许多高性能系统设计都需要一个小PCB传统的256 Mb并行接口NOR闪存存储器需要48引脚封装（240 mm2）和一个大的PCB面积2. 系统需要以最大读取带宽对程序存储器进行访问系统需要以最大读取带宽对程序存储器进行访问NOR闪存存储器低读取带宽会降低系统的性能传统的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器产品的读取带宽被限制为52 MBps3.系统要求编程时间尽可能短，以降

11、低制造成本系统要求编程时间尽可能短，以降低制造成本较长的编程时间会降低PCB的产量传统的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器产品的编程时间被限制为每256个字节0.5 ms4.系统要求模块擦除时间尽可能短，这样可以按最快的速度记录数据系统要求模块擦除时间尽可能短，这样可以按最快的速度记录数据将新数据写入到NOR闪存存储器内前，系统必须进行模块擦除传统的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器产品的模块擦除时间为300 ms到700 ms赛普拉斯赛普拉斯256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器通过提供以下方式来解决这些问题：闪存存储器通过提供以下方式来解决这些问题：8

12、引脚（48 mm2）或24球型焊盘（48 mm2）封装中的Quad SPI接口NOR闪存存储器用于简化电路板布局读取带宽为80 MBps的80 MHz DDR模式编程时间为0.25 ms每256个字节模块擦除时间为130 ms设计问题赛普拉斯为高性能的嵌入式系统提供了业界最快的赛普拉斯为高性能的嵌入式系统提供了业界最快的256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器6128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL赛普拉斯Quad SPI NOR闪存存储器是更好的解决方案为高性能的应用提供高

13、高性能的解决方案性能的解决方案。赛普拉斯的解决方案选择NOR闪存存储器，该存储器将业界最高的最高的Quad SPI读取带宽读取带宽与业界最快的最快的Quad SPI编程编程时间时间和 由Sky TV生产的机顶盒读带宽（MBps） 编程时间（ms）块擦除时间（ms）最快块擦除最快块擦除时间相结合相结合赛普拉斯美光旺宏华邦010203040506070809000.10.20.30.40.50.60.70.8赛普拉斯美光旺宏华邦0100200300400500600700800赛普拉斯美光旺宏华邦7128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANS

14、I/EWOO 版本*技术负责人：NKUL功能功能S25FL256SN25Q256A13W25Q256FVMX25L25635F使用使用QIO1的的SPI时钟频率时钟频率104 MHz108 MHz104 MHz133 MHzSPI时钟频率（时钟频率（DDR）80 MHz54 MHz不支持不支持读带宽（最大值）读带宽（最大值）80 MBps254 MBps252 MBps367 MBps3编程时间（编程时间（256 B）0.25 ms0.5 ms0.7 ms0.5 ms块擦除时间（块擦除时间（64 KB）130 ms700 ms150 ms280 ms芯片擦除时间芯片擦除时间66 s240 s8

15、0 s110 s温度范围温度范围-40 C到到+125 C-40 C到到+125 C-40 C到+85 C-40 C到+85 C赛普拉斯256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器和竞争对手器件的比较 1 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口2 使用DDR时钟频率进行计算3 使用SDR时钟频率进行计算竞争力比较8128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL样本：随时量产：已经量产赛普拉斯256Mb Quad SPI NOR闪存存储器高级驾驶辅助系统（ADAS）汽车

16、组合仪表汽车娱乐信息系统网络器件机顶盒应用应用工作电压范围：2.7 V到3.6 V100,000次编程1/模块擦除2耐久性周期3+55 C的温度下，长达20年的数据保留时间SDR4时钟频率：104 MHz QIO5DDR6时钟频率：80 MHz QIO5编程1时间（256B）：0.25 ms（典型值）块擦除2时间（64KB）：130 ms（典型值）工业级温度范围：-40 C到+85 C汽车舱内温度范围：-40 C到+105 C扩展温度范围：-40C到+125C封装：16-SOIC 300 mil、8-WSON7 6 mm x 8 mm、24球型 焊盘BGA 6 mm x 8 mm功能功能数据手

17、册：S25FL256S下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器资料资料框图框图可用性可用性5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用了四位传输地址和数据的接口6 双倍数据速率：它是一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期将传输两次数据7 很薄的小外形无铅半导体封装8 请参考数据手册：S25FL256S了解标准的Quad SPI接口9 读取数据缓冲器产品概述256 Mb Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器SRAMI/O左侧左侧阵列阵列控制逻控制逻辑辑RD9右侧右侧阵列阵列数据路径数据路径X/Y解码器解码器1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的“1”的值改为“0”

18、的值2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1”3 在老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数4 单倍数据速率：它是一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输一次数据CS#8SCK8SI/IO08SO/IO18HOLD#/IO38WP#/IO28RESET#89128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKULSPI NOR系列25FL2-K 90nm、3.0V25FL1-K 90nm、3.0V25FS-L 65nm、1.8 V25FL-L 65nm、3.

19、0V25FL-P 90nm、3.0 V25FS-S 65nm、1.8 V25FL-S 65nm、3.0 V79FL-S 65nm、3.0 V32Mb104 MHz / -* 1、2、3、464Mb104 MHz / -* 1、2、3、4256Mb5104 MHz / -* 1、2512Mb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4、7128Mb （FL129P）104 MHz / -* 1、2、3、4、864-128 Mb256 Mb256Mb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4、51Gb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4、5256Mb133 MHz /

20、80 MHz* 1、2、3、4512Mb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、41Gb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4、5128Mb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4Q21564Mb133 MHz / 100 MHz* 1、2、3、4、6、7Q116256Mb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4、6、7512Mb133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、41Gb133MHz / 80MHz* 1、2、3、4、5128Mb （FL128S）133 MHz / 80 MHz* 1、2、3、4、6、7、8128Mb （FL127S）10

21、8 MHz / -* 1、2、3、4Q215Q215Q215128Mb （FL128P）104 MHz / -* 1、2、3、4、32 Mb容量（名称）容量（名称）SDR / DDR*脚注256Mb133 MHz / 66 MHz* 1、2、3、4、6、7Q316128Mb 133 MHz / 66 MHz* 1、2、3、4、6、7Q31664Mb133 MHz / 66 MHz* 1、2、3、4、6、7Q11632Mb 133 MHz / 66 MHz* 1、2、3、4、6、7Q41616Mb133 MHz / 66 MHz* 1、2、3、4、6、7Q117256Mb133 MHz / 66

22、 MHz* 1、2、3、4、6、7Q116128Mb133 MHz / 66 MHz* 1、2、3、4、6、7Q11664Mb108 MHz / -* 1、2、3、4、6、732Mb108 MHz / -* 1、2、3、4、6、716Mb108 MHz / -* 1、2、3、4、6、78Mb76 MHz / -* 14Mb85 MHz / -* 116Mb65 MHz / -* 1Q116开发概念量产样本状态QQYYQQYY可用性EOL1 工业级：40 C到+85 C2 工业AEC-Q100：40 C到+85 C3 汽车舱内：40 C到+105 C4 汽车舱内AEC-Q100：40 C到+10

23、5 C5 S70/S79串行（堆栈晶片）6 扩展温度范围：40 C到+125 C7 扩展的AEC-Q100：40 C到+125 C8 FL128P的超集QQYY路线图FL= 3.0 VFS= 1.8 VP、K= 90nmL、S= 65nm10128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL如何开始？1.下载数据手册：下载数据手册： S25FL256S2.下载我们的应用笔记：下载我们的应用笔记： 赛普拉斯赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器闪存存储器3.注册注册后可获得在线技术支持后可获得在线技术支

24、持4.更多信息，请更多信息，请联系联系赛普拉斯赛普拉斯 由Pace生产的机顶盒 LTE网络器件由D-Link生产的入门11001-97640 所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列新产品介绍 附录附录 附录12128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL参考与链接S25FL-S数据手册：数据手册： 赛普拉斯赛普拉斯256 Mb SPI NOR闪存存储器闪存存储器 赛普拉斯赛普拉斯128 Mb SPI NOR闪存存储器（

25、闪存存储器（FL128S）赛普拉斯赛普拉斯128 Mb SPI NOR闪存存储器（闪存存储器（FL127S）赛普拉斯赛普拉斯512 Mb SPI NOR闪存存储器闪存存储器赛普拉斯赛普拉斯1 Gb SPI NOR闪存存储器闪存存储器应用笔记：应用笔记：自已研究自已研究SPI NOR闪存存储器闪存存储器网站：网站：了解更多有关赛普拉斯了解更多有关赛普拉斯FL-S NOR闪存存储器的信息闪存存储器的信息设计模型：设计模型：简化您设计的简化您设计的IBIS和和Verilog模型模型驱动和软件：驱动和软件：加快您的设计周期加快您的设计周期交叉参考指南：交叉参考指南：了解赛普拉斯如何与竞争对手进行比较了

26、解赛普拉斯如何与竞争对手进行比较交叉参考工具：交叉参考工具：很容易替换竞争对手的很容易替换竞争对手的SPI NOR闪存存储器闪存存储器硬件开发工具：硬件开发工具：简化设计的套件、卡和电路板简化设计的套件、卡和电路板产品选型指南：产品选型指南：为选择正确的赛普拉斯为选择正确的赛普拉斯SPI产品产品参考与链接13128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL样本：现在量产：已经量产赛普拉斯128 Mb （FL127S） Quad SPI NOR闪存存储器打印机网络器件机顶盒应用应用工作电压范围：2.7 V

27、到3.6 V100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3+55 C的温度下，长达20年的数据保留时间SDR4时钟频率：108 MHz QIO5编程1时间（256 B）：0.395 ms（典型值）块擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值）工业级温度范围：-40 C到+85 C汽车舱内温度范围：-40 C到+105 C封装：8-SOIC 208 mil、16-SOIC 300 mil、8-WSON6 6 mm x 5 mm、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm功能功能数据手册：S25FL127S下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器资料资料框图框图可用性可用性5 Q

28、uad输入/输出（QIO）：一个同时使用四位传输地址和数据的接口6 很薄的小外形的无铅半导体封装7 请参考数据手册： S25FL127S 了解标准的Quad SPI接口8 读取数据缓冲器产品概述128 Mb Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0”2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1”3 在老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数4 单倍数据速率：是一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期奇偶传输一次数据SRAMI/O左侧左侧阵列阵列控制逻控制逻辑辑RD8右侧右侧阵列阵列数

29、据路径数据路径X/Y解码器解码器CS#7SCK7SI/IO07SO/IO17HOLD#/IO37WP#/IO27RESET#714128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL样片：现在量产状态：已经量产赛普拉斯128 Mb （FL128S）Quad SPI NOR闪存存储器高级驾驶辅助系统（ADAS）汽车组合仪表汽车娱乐信息系统白色家电机顶盒应用应用工作电压范围：2.7 V到3.6 V100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3+55 C的温度下，长达20年的数据保留时间SDR4时钟频率：104 M

30、Hz QIO5DDR6时钟频率：80 MHz QIO5编程1时间（256 B）：0.250 ms（典型值）模块擦除2时间（64 KB）：130 ms（典型值）工业级温度范围：-40 C到+85 C汽车室内温度范围：-40 C到+105C扩展温度范围：-40 C到+125 C封装：16-SOIC 300 mil、8-WSON7 6 mm x 8 mm、24球型 焊盘BGA 6 mm x 8 mm功能功能数据手册：S25FL128S下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器资料资料框图框图可用性可用性5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用四位传输地址和数据的接口6 双倍数据速

31、率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据7 很薄的小外形无铅半导体封装8 请参考数据手册：S25FL128S 了解标准的Quad SPI接口9 读取数据缓冲器产品概述128 Mb Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0”2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1”3 损坏前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数4 单倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期将传输一次数据SRAMI/O左侧左侧阵列阵列控制逻控制逻辑辑RD9右侧右侧阵列阵列数据路径数据路径X

32、/Y解码器解码器CS#8SCK8SI/IO08SO/IO18HOLD#/IO38WP#/IO28RESET#815128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL样本：现在量产：已经量产赛普拉斯512 Mb Quad SPI NOR闪存存储器高级驾驶辅助系统（ADAS）汽车组合仪表汽车娱乐信息系统基站机顶盒应用应用工作电压范围：2.7 V到3.6 V100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3+55 C的温度下，长达20年的数据保留时间SDR4时钟频率：104 MHz QIO5DDR6时钟频率：80 M

33、Hz QIO5编程1时间（512 B）：0.340 ms（典型值）模块擦除2时间（256 KB）：520 ms（典型值）工业级温度范围：-40 C到+85 C汽车室内温度范围：-40 C到+105 C封装：16-SOIC 300 mil、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm特性特性数据手册：S25FL512S下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器资料资料框图框图可用性可用性5 Quad输入/输出（QIO）：一个同时使用四位传输地址和数据的接口6 双倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据7 请参考数据手册：S25FL512S 了解标准的Quad

34、 SPI接口8 读取数据缓冲器产品概述512 Mb Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器1 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0”2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1”3 老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数4单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据SRAMI/O左侧左侧阵列阵列控制逻控制逻辑辑RD8右侧右侧阵列阵列数据路径数据路径X/Y解码器解码器CS#7SCK7SI/IO07SO/IO17HOLD#/IO37WP#/IO27RESET#716128 Mb到1 Gb Quad S

35、PI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL样本：现在量产：正在量产赛普拉斯1Gb Quad SPI NOR闪存存储器高级驾驶辅助系统（ADAS）汽车组合仪表汽车娱乐信息系统基站工业级控制器应用应用工作电压范围：2.7 V到3.6 V100,000编程1/模块擦除2耐久性周期3+55 C的温度下，长达20年的数据保留时间SDR4时钟频率：104 MHz QIO5DDR6时钟频率：80 MHz QIO5编程1时间（512 B）：0.340 ms（典型值）模块擦除2时间（256 KB）：520 ms（典型值）工业级温度范围：-40 C到+

36、85 C汽车室内温度范围：-40 C到+105 C封装：16-SOIC 300 mil、24球型焊盘BGA 6 mm x 8 mm特性特性数据手册：S70FL01GS下载应用笔记：赛普拉斯FL-S SPI NOR闪存存储器资料资料框图框图可用性可用性5 Quad输入/输出（QIO）：同时使用四位传输地址和数据的接口6 双倍数据速率：一种数据传输模式。在该模式下，每个时钟周期传输两次数据7 请参考数据手册：S70FL01GS 了解标准的Quad SPI接口8 读取数据缓冲器产品概述1 Gb Quad SPI NOR闪存存储器闪存存储器 CS1#7SCK7SI/IO07SO/IO17HOLD#/I

37、O37WP#/IO271 通过该操作可以将NOR闪存存储器中的数值“1”改为数值“0”2 在进行编程NOR闪存存储器前，需要通过该操作将模块中的所有位设置为“1”3 老化前，可以对NOR闪存存储器单元进行编程/擦除的次数4 单倍数据速率：一种数据传输模式，在该模式下，每个时钟周期传输一次数据CS2#7RESET#7SRAMI/O左侧左侧阵列阵列控制逻控制逻辑辑RD8右侧右侧阵列阵列数据路径数据路径X/Y解码器解码器17128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL串行NOR闪存存储器产品选型指南产品选

38、型指南SXXFLYYYS AG M F I 0 0 1功能标识符：包括HPLC1/EHPLC2、RESET#、VIO、安全选项封装类型：M = SOIC、N = WSON （N/A 512S/01GS）、B = BGA 6x8温度范围：I = 工业（-40C到+85C）、V = 汽车舱内（-40 C到+105 C）、 N = 扩展（-40 C到125 C）封装材料：F = 无铅（Pb）（仅针对SOIC/WSON） H = 低卤素、无铅（Pb）（仅对于BGA）基础OPN： XX = 25、YYY = 127/128 128 Mb MirrorBit串行闪存存储器 XX = 25、YYY = 25

39、6 256 Mb MirrorBit串行闪存存储器 XX = 25、YYY = 512 512 Mb 65 nm MirrorBit串行闪存存储器 XX = 70、YYY = 01G 1 Gb双晶片堆栈MirrorBit串行闪存存储器性能：AB/AG = 108/133 MHz Multi-I/O、DP/ DS = 66/ 80 MHz DDR （N/A 127S）扇区类型：0 = 64 Kb扇区（N/A 512S/01G）、1 = 256 KB扇区封装类型：0 = 托盘、1 = 管子（仅针对SOIC/WSON）、3 = 13”盘带封装S25/70FL-S器件型号解码器1 高性能延迟代码；请参

40、考数据手册了解更多信息2 增强的高性能延迟代码；请参考数据手册了解更多信息18128 Mb到1 Gb Quad SPI、FL-S NOR闪存系列 001-97640所有者：ANSI/EWOO 版本*技术负责人：NKUL功能功能S25FL128SS25FL127SN25Q128A13W25Q128FVMX25L12835F使用使用QIO1的的SPI时钟频率时钟频率104 MHz108 MHz108 MHz104 MHz133 MHzSPI时钟频率（时钟频率（DDR）80 MHz不支持不支持不支持不支持读带宽（最大值）读带宽（最大值）80 MBps254 MBps254 MBps352 MBps366.5 MBps3编程时间（编程时间（256 B）0.25 ms0.395 ms0.50 ms0.70 ms0.50 ms模块擦除时间（模块擦除时间（64 KB）130 ms130 ms700 ms150 ms280 ms芯片擦除时间芯片擦除时间33 s35 s170 s40 s50 s温