制造三部品质控制计划最终

1、1深圳深爱半导体股份有限公司SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD.品 质 控 制 计 划 样件 试产 批量生产部门：文件名称产品名称产品型号文件编号版本版次页码制定日期制造三部质量控制计划DMOST/D/E系列SI5.412F2001GZKB2014/9/24“” 代表操作 代表仓储控制类型流程图序号过程名称操作描述小流程机器、装置、夹具、工装管管制制重重点点方方法法异常处理编号特性产品规范.公差和要求检查和测量方法(仪器工具)抽样计划责任部门/工序控制表单记录数量频率来料检验 1材料接收1表面无亮点、划伤紫光灯每片每批来料投片来料检验记录SQE通知供应商处理:

2、质量异常通知书或纠正预防措施报告制程控制 2正面刻标打标打标机1表面字迹清晰目检1片每批投片检验记录通知工程师 1#液清洗清洗台2时间10分钟面板显示时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 3温度655面板显示温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 4周期2小时内做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 5配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换酸扩散每次配液前查看配比标签通知工程师 6颗粒度0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师

3、 擦片擦片机7颗粒度0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 3一次氧化1#液清洗 清洗台1时间10分钟面板显示时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 2温度655面板显示温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3周期2小时内做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师2 4配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换酸扩散每次配液前查看配比标签通知工程师 5颗粒度0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次

4、每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 20：1HF清洗台1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签通知工程师 3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 4颗粒度0.5um以上颗粒增加数量200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 氧化3#，8#，19#1炉温10001控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4气体流量N2：80.

5、4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 6排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师 7颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师 8CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试膜厚仪1氧化层厚度参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片 1片/篮检测SPC控制通知工程师 4一次光刻匀胶DNS、TEL1设备定期确认项目腔体温度：2203

6、设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 排风静压力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱设备自动检测1次 每班光刻点检记录通知工程师 HMDS液面在下刻度线以上设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警按操作规程添加新液。过期的残液报废，返回库房 2匀胶程序G线程序操作界面显示1次 每次运行光刻工艺流程卡通知工程师制程控制3一次氧化1#液清洗 清洗台3 3光刻胶厚度12000200A膜厚测试仪1次每班光刻SPC控制通知工程师 4热板温度 953 设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 5光刻胶液面高于规定下限设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警更换新胶瓶 6设备排

7、风大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面数值显示1次每班光刻点检记录通知工程师 对位I7、I8、I9、I111光刻机参数光强：I-Line光强大于400，均匀性3.5%光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 平整度：MAX-MIN40，相邻点的极差20光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 聚焦偏移： TPR：0.3um显微镜检查1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 互套：倍率、旋转绝对值不大于1.5光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 2光刻机空调

8、温度 230.5界面显示1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 3确认掩膜版信息 MES掩膜板信息与所使用掩膜版名称一致目视 1次每批 光刻工艺流程卡更正，培训操作者光刻版操作规范，班组加强管理 4确认曝光时间根据各机台标签操作界面显示1次每批 光刻工艺流程卡填写NCW记录，硅片隔离，工艺工程师确认，返工 5样片检验参照“检验卡”显微镜、紫光灯5点1片/批 光刻MOS光刻检验样片记录表通知工程师 显影DNS、TEL、SVG1显影液温度222温控箱界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 2确认储罐内显影液容量高于最低液面刻度线液面高度指示计显示报警1次 每次运行光刻设备自动报警停机，加

9、液 3确认使用程序 MES信息程序名与设备使用程序名一致操作界面显示1次每批光刻工艺流程卡停机，更改程序制程控制4一次光刻匀胶DNS、TEL4 镜检显微镜1图形检查参照“检验卡”显微镜参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 5一次腐蚀坚膜GCA、SVG1坚膜温度1105设备自动检测 1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 坚膜时间2分钟操作界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 打底膜IPC40001反射功率小于等于50设备自动显示1次 每班刻蚀电子表格通知工程师 BOE

10、腐蚀21BOE腐蚀槽1换液周期参照“MOS光刻BOE腐蚀作业指导书”BOE腐蚀操作记录1次每批做片前光刻光刻清洗换酸登记表换酸 氧化层腐蚀速率67550/min膜厚测试仪5点/片1片/每班光刻SPC控制通知工程师 腐蚀液温度201设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 测试 膜厚仪1剩余氧化层参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测工艺流程卡通知工程师 6一次注入坚膜烘箱1烘箱坚膜温度12015温度计一次每月一次注入烘箱点检通知工程师 2坚膜时间30min计时器一次每批注入工艺流程卡 P+注入350D-1/350D-2/300XP1设备SPC监控94090 /RS75一片每天一

11、次；更换源气；设备大清理维修后；设备参数调整；动力条件停供恢复后注入每天查看SPC监控数据停止做片，通知工艺，设备工程师处理 2初始真空5.00E-06面板显示一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 3注入离子种类350D-1:13.00.5350D-2：13.00.5300XP：12.00.5操作人员确认一次每批注入员工做片前检查确认分析器数值是否在范围内停止做片，异常片隔离，通知工艺处理 4扫描波形主波形成M状，X轴Y轴波形3个波峰一致，左右对齐操作人员确认一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 5能量/剂量 80kev 3.2E12面板显示一次每次做片前注

12、入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 制程控制一次光刻5 6注入束流4.51 uA面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 7一次腐蚀去胶等离子去胶 915/A10001压力 PRE=20.7Torr控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 2MFC气体流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 H2SO4+H2O23#液清洗槽1换酸周期参照“MOS光刻3#液去胶作业指导书”光刻去胶登记表1次每批做片前光刻光刻清洗换酸登记表换酸 2去胶液温度标准温度145度，控制范围12

13、5-170；温度计1次1次/班光刻光刻清洗温度检控表通知工程师 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 8一次扩散 H2SO4+H2O2清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 2酸液温度1255控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期12小时以内或1800200片做片前查看扩散工序清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning record1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=

14、20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录设备down机标识，打扫相关部位卫生，测试合格后生产Markdown,cleaningequipment,check out 1#液清洗清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师制程控制6一次注入P+注入350D-1/350D-2/300XP6 2酸液温度655控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期2h内有效

15、查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 20：1HF清洗台1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩

16、散程序控制器计时，报警通知工程师 4颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 P+扩散（ 程序）9#，22#1洗管干洗管道/1周2次，湿法洗管/每2月1次工艺记录，洗管记录1次每2月扩散洗管记录通知工程师 2炉温1150110001控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1

17、次每班扩散日常点检记录通知工程师 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师 6CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试膜厚仪1氧化层厚度Tox：9500500膜厚测试仪 (1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工程师 9二次光刻匀胶DNS、TEL1设备定期确认项目腔体温度：2203设备自动检测1次 每月光刻点检记录通知工程师制程控制8一次扩散 1#液清洗清洗台7 排风静压力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱设备自动检测1次 每班光刻点检

18、记录通知工程师 HMDS液面在下刻度线以上设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警按操作规程添加新液。过期的残液报废，返回库房 2匀胶程序G线程序操作界面显示1次 每次运行光刻工艺流程卡通知工程师 3光刻胶厚度12000200A膜厚测试仪1次每班光刻SPC控制通知工程师 4热板温度 953 设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 5光刻胶液面高于规定下限设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警更换新胶瓶 6设备排风大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面数值显示1次每班光刻点检记录通知工程师 对位I7、I8、I9、I111光刻机参数光强：I-Line光强大于400，均匀性3.5

19、%光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 平整度：MAX-MIN40，相邻点的极差20光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 聚焦偏移： TPR：0.3um显微镜检查1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 互套：倍率、旋转绝对值不大于1.5光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 2光刻机空调温度 230.5界面显示1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 3确认掩膜版信息 MES掩膜板信息与所使用掩膜版名称一致目视 1次每批 光刻工艺流程卡更正，培训操作

20、者光刻版操作规范，班组加强管理 4确认曝光时间根据各机台标签操作界面显示1次每批 光刻工艺流程卡填写NCW记录，硅片隔离，工艺工程师确认，返工 5样片检验参照“检验卡”显微镜、紫光灯5点1片/批 光刻MOS光刻检验样片记录表通知工程师 显影DNS、TEL、SVG1显影液温度222温控箱界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 2确认储罐内显影液容量高于最低液面刻度线液面高度指示计显示报警1次 每次运行光刻设备自动报警停机，加液制程控制9二次光刻匀胶DNS、TEL1设备定期确认项目8 3确认使用程序 MES信息程序名与设备使用程序名一致操作界面显示1次每批光刻工艺流程卡停机，更改程序 镜检

21、显微镜1图形检查参照“检验卡”显微镜参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 10二次光刻腐蚀坚膜GCA、SVG1坚膜温度1105设备自动检测 1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 2坚膜时间2分钟操作界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 打底膜IPC40001反射功率小于等于50设备自动显示1次 每班刻蚀电子表格通知工程师 BOE腐蚀21BOE腐蚀槽1换液周期参照“MOS光刻BOE腐蚀作业指导书”BOE腐蚀操作记录1次每批做片前光刻光刻清洗换酸登记表换酸 2 氧化层腐

22、蚀速率67550/min膜厚测试仪5点/片1片/每班光刻SPC控制通知工程师 3腐蚀液温度201设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 测试膜厚仪1剩余氧化层参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测工艺流程卡通知工程师 11二次去胶等离子去胶 915/A10001压力 PRE=20.7Torr控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师制程控制9二次光刻显影DNS、TEL、SVG9 2MFC气体流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 H2SO4+H2O23#液清洗槽1换酸周期参照“MOS光刻3#液去胶作

23、业指导书”光刻去胶登记表1次每批做片前光刻光刻清洗换酸登记表换酸 2去胶液温度标准温度145度，控制范围125-170；温度计1次1次/班光刻光刻清洗温度检控表通知工程师 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 12栅前氧化H2SO4+H2O2 清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 2酸液温度1255控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期12小时以内或1800200片做片前查看扩散工序清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning recor

24、d1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 栅前氧化 2#，18#1洗管干洗管道/10天1次，湿法洗管/每月1次工艺记录，洗管记录1次每2月扩散洗管记录通知工程师 2炉温9001控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：80.4LO2：40.20

25、LH2：70.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师 6CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试1氧化层厚度Tox：40025膜厚测试仪 (1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工程师制程控制11二次去胶等离子去胶 915/A100010 13栅前注入栅前注入

26、350D-1/350D-21设备SPC监控83.514.5 /RS75一片每天一次；更换源气；设备大清理维修后；设备参数调整；动力条件停供恢复后注入每天查看SPC监控数据停止做片，通知工艺，设备工程师处理 2初始真空5.00E-06面板显示一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 3注入离子种类350D-1:22.50.5350D-2：22.50.5操作人员确认一次每批注入员工做片前检查确认分析器数值是否在范围内停止做片，异常片隔离，通知工艺处理 4扫描波形主波形成M状，X轴Y轴波形3个波峰一致，左右对齐操作人员确认一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 5能量/

27、剂量100kev 2E12面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 6注入束流1.5uA到2uA面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 14栅退火H2SO4+H2O2清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 2酸液温度1255控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期12小时以内或1800200片做片前查看扩散工序清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning record1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比H

28、2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 1#液清洗清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师制程控制11 2酸液温度655控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期2h内有效查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上

29、贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 20：1HF20秒清洗台1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 4颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次

30、每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 栅退火5#，20#1洗管干洗管道/1周2次，湿法洗管/每2月1次工艺记录，洗管记录1次每2月扩散洗管记录通知工程师 2炉温11501控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：80.4L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师制程控制14栅退火1#液清洗清洗台12 1颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试

31、记录通知工程师 2CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试 膜厚仪1膜厚测试Tox：35025A膜厚测试仪 (1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工程师 15栅氧化腐蚀10:1HF清洗台1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2清洗液配比HF：H2O=1：10 按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 3漂酸时间250秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 4颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用

32、4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 测试 膜厚仪1剩余氧化层参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测工艺流程卡参照“检验卡” RCA清洗（不用HF）清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散工艺流程卡通知工程师 2酸液温度655控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期2h内有效查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上

33、颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师制程控制14栅退火栅退火5#，20#13 2酸液温度655控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期2h内有效查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比HCL：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个

34、数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 栅氧化（加陪片）1#，17#1洗管干洗管道/1周2次，湿法洗管/每2月1次工艺记录，洗管记录1次每2月扩散洗管记录通知工程师 2炉温8001控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩

35、散颗粒度测试记录通知工程师 6CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试膜厚仪1氧化层厚度Tox：85030膜厚测试仪 (1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工程师 16多晶硅淀积多晶硅淀积(栅氧化后1小时内进炉）27#，28#1多晶硅厚度6300300膜厚测试仪5点/片 1次/批扩散工艺流程卡暂停异常设备做片,通知工艺工程师 2漏率20mt/min面板显示1次1次/炉扩散LPCVD炉管程序点检表暂停异常设备做片,通知工艺工程师 3淀积温度炉口：5975炉中：6065炉尾：6185面板显示口、中、里位置做片时每隔1小

36、时记录1次 扩散LPCVD炉管程序点检表正常做片，出炉后暂停异常批次与设备,通知工艺工程师 4淀积压力30030mt面板显示1次/炉1次/炉扩散LPCVD炉管程序点检表正常做片，出炉后暂停异常批次与设备,通知工艺工程师制程控制15栅氧化RCA清洗（不用HF）清洗台14 5硅烷流量11010ml/min流量计测试仪1次/炉1次/炉扩散LPCVD炉管程序点检表正常做片，出炉后暂停异常批次与设备,通知工艺工程师 测试膜厚仪1膜层厚度参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测SPC控制参照“检验卡” 17多晶扩散H2SO4+H2O2清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散工艺流程卡通知工程

37、师 2酸液温度1255控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期12小时以内或1800200片做片前查看扩散工序清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning record1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 多晶掺杂（POLYDIFF，加陪片）29#，30

38、#1洗管湿法洗管，1次/每120炉工艺记录，洗管记录1次每120炉扩散洗管记录通知工程师 2炉温8901控制面板显示的温度口、中、里3点位置做片时每隔1小时记录1次 扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：30.6LL-O2：36030mlL-N2：35030ml控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师 5POLY R口R口：204使用RS75四探针测试仪测试5点/片1片/炉扩散SPC控制通知工程师 漂酸清洗台1换液周期12小时做片前查看扩散工序

39、清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning record1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2配比HF(1.5L)：H2O(30L)=1：20按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制制程控制16多晶硅淀积多晶硅淀积(栅氧化后1小时内进炉）27#，28#15 3漂酸时间3分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 测试 膜厚仪1膜层厚度参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测工艺流程卡参照“检验卡” 18POLY光刻匀胶DNS、TEL1设备定期确认项目腔体温度：2203设备自动检测1次 每月光

40、刻点检记录通知工程师 排风静压力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱设备自动检测1次 每班光刻点检记录通知工程师 HMDS液面在下刻度线以上设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警按操作规程添加新液。过期的残液报废，返回库房 2匀胶程序G线程序操作界面显示1次 每次运行光刻工艺流程卡通知工程师 3光刻胶厚度12000200A膜厚测试仪1次每班光刻SPC控制通知工程师 4热板温度 953 设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 5光刻胶液面高于规定下限设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警更换新胶瓶 6设备排风大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面数值显示1次每班光刻点检记录

41、通知工程师 对位I7、I8、I9、I111光刻机参数光强：I-Line光强大于400，均匀性3.5%光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 平整度：MAX-MIN40，相邻点的极差20光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 聚焦偏移： TPR：0.3um显微镜检查1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 互套：倍率、旋转绝对值不大于1.5光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 2光刻机空调温度 230.5界面显示1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 3

42、确认掩膜版信息 MES掩膜板信息与所使用掩膜版名称一致目视 1次每批 光刻工艺流程卡更正，培训操作者光刻版操作规范，班组加强管理制程控制17多晶扩散漂酸清洗台16 4确认曝光时间根据各机台标签操作界面显示1次每批 光刻工艺流程卡填写NCW记录，硅片隔离，工艺工程师确认，返工 5样片检验参照“检验卡”显微镜、紫光灯5点1片/批 光刻MOS光刻检验样片记录表通知工程师 显影DNS、TEL、SVG1显影液温度222温控箱界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 2确认储罐内显影液容量高于最低液面刻度线液面高度指示计显示报警1次 每次运行光刻设备自动报警停机，加液 3确认使用程序 MES信息程序

43、名与设备使用程序名一致操作界面显示1次每批光刻工艺流程卡停机，更改程序 镜检显微镜1图形检查参照“检验卡”显微镜参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 19POLY刻蚀坚膜烘箱1坚膜烘箱温度12010C温度计1次每周刻蚀点检记录通知工程师 P5000刻蚀P50001刻蚀速率，射频，压力，气体流量，颗粒度55-65A/s；300W ；100MT；CF4=40sccmCL2=36SCCMHBr=90sccmHe/O2=6sccm 颗粒度在0.25尺径要小于100个膜厚仪测试、控制面板

44、显示、MFC流量校准、颗粒度测试仪速率监控每天一次，MFC流量校准一周一次每周刻蚀点检记录通知工程师 测试膜厚仪1膜层厚度参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测工艺流程卡参照“检验卡” 20POLY去胶等离子去胶 915/A10001压力 PRE=20.7Torr控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 2MFC气体流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 H2SO4+H2O23#液清洗槽1换酸周期参照“MOS光刻3#液去胶作业指导书”光刻去胶登记表1次 每次运行光刻光刻清洗换酸登记表换酸 2去胶液温度标准温度

45、145度，控制范围125-170；温度计1次1次/班光刻光刻清洗温度检控表通知工程师 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 21P- 注入P-注入350D-1/350D-2/300XP1设备SPC监控94090 /RS75一片每天一次；更换源气；设备大清理维修后；设备参数调整；动力条件停供恢复后注入每天查看SPC监控数据停止做片，通知工艺，设备工程师处理 制程控制18POLY光刻对位I7、I8、I9、I1117 2初始真空5.00E-06面板显示一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 3注入离子种类350D-1:13.

46、00.5350D-2：13.00.5300XP：12.00.5操作人员确认一次每批注入员工做片前检查确认分析器数值是否在范围内停止做片，异常片隔离，通知工艺处理 4扫描波形主波形成M状，X轴Y轴波形3个波峰一致，左右对齐操作人员确认一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 5能量/剂量 80kev 5.5E13面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 6注入束流7015 uA面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 22P-扩散H2SO4+H2O2清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，

47、报警通知工程师 2酸液温度1255控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期12小时以内或1800200片做片前查看扩散工序清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning record1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 1#液清洗清洗台1煮酸时间10分钟面

48、板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 2酸液温度655控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期2h内有效查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师制程控制21P- 注入P-注入350D-1/350D-2/300XP1设备SPC监控94090 /RS75一片每天一次；更换源气；设备大清理维修后；设备参数调整；动力条件停供恢复后注入每天查看SPC监控数据停止做片，通知工艺，设备工程师处理18 4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用

49、，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 20：1HF清洗台1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 4颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 P-扩散4#，6#，21#1洗管干洗管道/1周

50、2次，湿法洗管/每2月1次工艺记录，洗管记录1次每1月扩散洗管记录通知工程师 2炉温11501控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：80.4Llo O2：50025mL控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师 6CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，57

51、6测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试膜厚仪1氧化层厚度Tox：70050A膜厚测试仪 (1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工程师 23N+光刻匀胶DNS、TEL1设备定期确认项目腔体温度：2203设备自动检测1次 每月光刻点检记录通知工程师 排风静压力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱设备自动检测1次 每班光刻点检记录通知工程师制程控制22P-扩散1#液清洗清洗台19 HMDS液面在下刻度线以上设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警按操作规程添加新液。过期的残液报废，返回库房 2匀胶程序G线程序操作界面显示1次 每次运行光刻工艺流程卡通知工程师 3光刻胶厚度12000

52、200A膜厚测试仪1次每班光刻SPC控制通知工程师 4热板温度 953 设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 5光刻胶液面高于规定下限设备自动检测1次 每次运行光刻设备自动报警更换新胶瓶 6设备排风大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面数值显示1次每班光刻点检记录通知工程师 对位I7、I8、I9、I111光刻机参数光强：I-Line光强大于400，均匀性3.5%光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 平整度：MAX-MIN40，相邻点的极差20光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 聚焦偏移： TPR：0.3um显微镜检查1次每周光刻光刻机参数测

53、试登记表通知工程师 互套：倍率、旋转绝对值不大于1.5光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻机测试 1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师 2光刻机空调温度 230.5界面显示1次 每次运行光刻设备自动报警通知工程师 3确认掩膜版信息 MES掩膜板信息与所使用掩膜版名称一致目视 1次每批 光刻工艺流程卡更正，培训操作者光刻版操作规范，班组加强管理 4确认曝光时间根据各机台标签操作界面显示1次每批 光刻工艺流程卡填写NCW记录，硅片隔离，工艺工程师确认，返工 5样片检验参照“检验卡”显微镜、紫光灯5点1片/批 光刻MOS光刻检验样片记录

54、表通知工程师 显影DNS、TEL、SVG1显影液温度222温控箱界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师 2确认储罐内显影液容量高于最低液面刻度线液面高度指示计显示报警1次 每次运行光刻设备自动报警停机，加液 3确认使用程序 MES信息程序名与设备使用程序名一致操作界面显示1次每批光刻工艺流程卡停机，更改程序 镜检显微镜1图形检查参照“检验卡”显微镜参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡”制程控制23N+光刻匀胶DNS、TEL1设备定期确认项目20 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡” 24N+磷注入坚膜 烘箱1

55、烘箱坚膜温度12015温度计一次每月一次注入烘箱点检停止做片，隔离，通知工艺，设备工程师处理 2坚膜时间30min计时器一次无注入工艺流程卡停止做片，隔离，通知工艺，设备工程师处理 N+注入160-7/1801设备SPC监控202 /RS75一片每天一次；更换源气；设备大清理维修后；设备参数调整；动力条件停供恢复后注入每天查看SPC监控数据停止做片，通知工艺，设备工程师处理 2初始真空2.00E-05面板显示一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 3注入离子种类160-7:310.5180:500.5操作人员确认一次每批注入员工做片前检查确认分析器数值是否在范围内停止做片，异常

56、片隔离，通知工艺处理 4大盘转速95010 r/min操作人员确认一次每批注入员工做片前检查停止做片，通知设备工程师处理 5能量/剂量 100kev 5E15面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 6注入束流41 MA面板显示一次每次做片前注入员工做片前检查停止做片，隔离，通知工艺工程师处理 25N+去胶等离子去胶 915/A10001压力 PRE=20.7Torr控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 2MFC气体流量O2=20.5L/minN2=0.20.05L/min控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师 H2SO4+H2O23

57、#液清洗槽1换酸周期参照“MOS光刻3#液去胶作业指导书”光刻去胶登记表1次 每次运行光刻光刻清洗换酸登记表换酸 2去胶液温度标准温度145度，控制范围125-170；温度计1次1次/班光刻光刻清洗温度检控表通知工程师 目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡”制程控制23N+光刻21 26LTOH2SO4+H2O2清洗台1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 2酸液温度1255控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师 3换液周期12小时以内或1800200片做片前查看扩散工序清

58、洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaning record1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 20：1HF清洗台1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS 清洗液更换记录通知工程师 2清洗液配比HF：H2O=1：20 按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液

59、前查看配比标签停用，重新配制 3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师 4颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师 LTO7#，23#1洗管干洗管道/1周2次，湿法洗管/每2月1次工艺记录，洗管记录1次每1月扩散洗管记录通知工程师制程控制22 2炉温9001控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 3气体流量N2：80.4LO2：40.20LH2：70.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS 扩散程序运行点检表通知工程师 4

60、排风0.5-1.5 inch ofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师 5颗粒度 0.5um以上颗粒增加数量100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师 6CV、Vgs测试CV:|shift|0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师 测试膜厚仪1氧化层厚度Tox：陪片dx=28050 N区：dx=1000100P区：dx=800100膜厚测试仪 (1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工程师 27P+注入P+注入160-8/160-7/180/GSD1设备SPC监控33030 /RS75一片每天一次