ANSYS三维磁场分析学习教案

1、会计学1ANSYS三维磁场三维磁场(cchng)分析分析第一页，共23页。4.4-2单位单位(dnwi): mm外导体外导体(dot)内导体第1页/共23页第二页，共23页。4.4-3第2页/共23页第三页，共23页。4.4-4BAR的边界的边界(binji) = ( f) -1/2 (m)式中式中 = 磁导体磁导体(dot)= r 0 =50*1.256E-6 = 电导率电导率 = 1 / = 电阻率电阻率 (Ohm-m) =1E-7f = 场频率场频率(Hz)=1000 = .77 mm第3页/共23页第四页，共23页。4.4-5 = ( f) -1/2 (m)式中式中 = 磁导率磁导率

2、= r 0 =1.256E-6 = 电导率电导率= 1 / = 5.83E-8f = 场频率场频率(pnl) (Hz)=1000=2.1 mm第4页/共23页第五页，共23页。4.4-6选择选择(xunz)内杆对称端面内杆对称端面平面平面选择选择(xunz) OK第5页/共23页第六页，共23页。4.4-7外导体外导体(dot)施加施加10,000 安安(峰值）峰值）1,000 Hz电流电流第6页/共23页第七页，共23页。4.4-8确保确保(qubo)号码不重复号码不重复选择选择(xunz) OK外导体外导体 Y-Z对对称面节点称面节点第7页/共23页第八页，共23页。4.4-9选择选择(x

3、unz) OK选择任意一个角节点选择任意一个角节点-它对应它对应(duyng)于一个关键点于一个关键点已加电流标志已加电流标志第8页/共23页第九页，共23页。4.4-10选择选择(xunz)外导外导体体Y=0 的对称平面的对称平面选择选择(xunz) OK第9页/共23页第十页，共23页。4.4-11第10页/共23页第十一页，共23页。4.4-12不包括不包括(boku)Z=0的外表面的外表面约束约束(yush)AZ使通量平行使通量平行第11页/共23页第十二页，共23页。4.4-13选择选择(xunz) OK第12页/共23页第十三页，共23页。4.4-14选择选择 OK 开始开始(ki

4、sh)求解求解Solucurrent LS选择选择 OK第13页/共23页第十四页，共23页。4.4-15选择选择(xunz) OK使箭头使箭头(jintu)在几在几何体上合理缩放何体上合理缩放第14页/共23页第十五页，共23页。4.4-16第15页/共23页第十六页，共23页。4.4-17后处理显示后处理显示(xinsh)内导体杆功率损失内导体杆功率损失(材料材料 2)选择内导体选择内导体( BAR 组件组件)Postprocelec&mag calcpower后处理显示内杆功率后处理显示内杆功率(gngl)损失损失(材料材料2)选择内导体选择内导体(BAR组件）组件） Postp

5、rocelec&mag calcpower第16页/共23页第十七页，共23页。4.4-18选择选择(xunz) OK第17页/共23页第十八页，共23页。4.4-19在在BAR组件每个转角选组件每个转角选择择(xunz)一个节点一个节点选择选择(xunz) OK第18页/共23页第十九页，共23页。4.4-20将将PLOSSD单元项映射单元项映射(yngsh)到路径上到路径上 Postprocpath operationsmap onto path选择选择(xunz) OK第19页/共23页第二十页，共23页。4.4-21坐标轴，栅格，曲线可用下列坐标轴，栅格，曲线可用下列(xili)菜单修改菜单修改Utilityplotctrlsstylegraph 显示显示(xinsh) POWER路径选项路径选项 Postprocpath operations-plot path item-on graph选择选择(xunz) OK第20页/共23页第二十一页，共23页。4.4-22缩放图形缩放图形(txng)，使其看得更清楚，使其看得更清楚选择选择(xunz) OK第21页/共23页第二十二页，共23页。4.