光伏电池制造工艺及应用参考答案

1、、填空题281、 我们公司主要使用的太阳能电池材料是_单晶硅_。2、化学清洗中HCL的作用_去除金属离子_。3、我们公司生产的单晶硅片是 N型还是P型硅_P型_。4、 制绒的目的是：去除外表污垢和金属杂质、去除硅片外表的损伤层、增加PN 结的外表积、形成绒面减少反射增强阳光的吸收。5、制绒工艺化学反响方程式 _SI+NAOH> NA2SIO3+H2_。6、去PSG工艺化学总方程式_SIO2+HiH2SIF6+H2O_。7、 硅片在切割的过程中所造成的损伤层约_10um左右。8、 制绒工艺主要控制点 减薄量_、 反射率、外观_、一绒面成活率_。9、单晶制绒是利用晶体硅的_100_、_111

2、_不同晶向在碱溶液_中进行_各向异性腐蚀的特性。10、扩散过程中应用气体 N2 O2 小N 。11、 扩散在电池片上主要目的是形成一层PN结。12、 进入扩散间必须经过 二次风淋，穿戴好_洁净服、_静电鞋、口罩、 乳 胶手套。13、 扩散方块电阻不均匀度冬10%,同一硅片扩散方块电阻不均匀度_<5%。14、 检测方块电阻用到 四探针仪器，测试时扩散面向上 。15、 清洗石英器件所需要的化学品HF 、 HCL2 ,清洗时应戴好积防毒面具，防酸服，戴好乳胶手套、防酸长手套。16、POCI3在高温下>600C 分解的反响式为_5POCL3>600 3PCL5+P205， 其中生成的

3、P2O5在扩散温度下与硅反响式为 2P2O5+5Si=5SiO2+4P,在有氧气的存在时，POCI3热分解的反响式为POCL3+O2=2 P205+6CL2。17、PECVD勺中文名称：等离子体增强化学气相沉积 。18、PECVDt膜方式有直接式、间接式两种。19、 镀减反射膜需要用到 SIH4、NH3 N2、压缩空气 四种气体。20、镀膜是以 膜厚、折射率 两个参数为工艺依据，影响镀膜质量的有：管内特气流量比、压强、功率、时间或传输速度、温度。21、PECVDg椭偏仪仪器来检测其质量的好坏。22、 丝网印刷机的压缩空气压强要求_ 0.6 0.8MPa _,真空压强要求 24、 丝网印刷有_五

4、大要素组成，分别是丝网、刮刀、浆料、工作台以及 基片25、丝网印刷添加浆料必须遵守少量屡次 26、烧结炉的作用是 烘干浆料，去除浆料中的有机成分：提高电池片的开路电压 和填充因子，使其具有电阻特性；通过高温烧结，使上下电极形成良好的欧姆接 触；提高电池片的转换效率。27、 烧结炉的流程有上料区、烘干区、预、主烧结区、回温区冷却 区!、下料区28、 烧结炉的关机步骤需要注意的是炉温降到200度以下时，才可以停止 传送带。29、 测试条件要求光强1000 ± 50W/m2、温度 _25 ± 20C _、光谱分布 AM1.5 。、选择题121、清洗间所涉及的化学品有ABCD盐酸

5、D 硝酸磷 D SiF4A 短路电流 D 串联电A 氢氧化钠 B 氢氟酸 C2、磷硅玻璃是有BC 组成。A CF4 B SiO2 C3、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？ A 并联电阻 B 开路电压 C 阻4、以下方程式中属于刻蚀工艺的是CA SiF4+2HF f H2SiF6B CF4+SiO2> SiF4+CO2fC CF4+SiO2 +O2> SiF4+CO2 fD SiO2+4HF f SiF4+2H2O5、单晶绒面呈B形。A三角形B金字塔形C圆形D正方形6、扩散洁净度要求是 _C_。A10 万级B100 万级 C1 万级 D1000 万级7、电阻测试 _C_个点。A4B

6、3C 5D68、硅片扩散工艺结束后应抽取 _A_片来检测。A5B6C 3D49、POCl3 是一种 _D_液体。A 白色 B 红色 C浮白色 D 无色C. Si+NaOH二Na2SiO3+H2D. H2+O二HO11、 电池片镀膜的厚度是利用光学中的 原理来减少反射。C A、光程差。B、相长干预C、相消干预D、光的衍射12、电池片SiNx: H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在 B A、65nm, 1.8B. 75+5 nm, 2.0_ D. 50C. 85+5nm,Flood speed四.判断题5 分1.在操作过程中可以裸手拿取硅片60nm, 网版上升速度回刮浆料速度丝网间距压力印刷速度 x

7、2. 丝网间距的调整原那么是:在保证印刷质量的前提下，网板间距越大越好x 3. 背电场印刷、背电极印刷和正电极印刷使用了三种不同的浆料，使用过程中要严格区分幵，杜绝混用现象出现。 V 4. 烘箱的工艺数和烧结的工艺参数不允许随意更改。 V 5. 直视测试仪闪光灯对人眼伤害的危险。V 五、问答题52分1、写出太阳能电池片产业链的分布流程？答：太阳能级硅材料T硅棒和硅片T电池片T组件T系统和应用2、写出太阳能电池片的生产工艺制造过程？ 答：来料检验清洗制绒面扩散制 P/N 结周边刻蚀 PECVD 镀减反射膜丝网印刷正负电极烧结分类检测包装入库3、刻蚀及去PSG勺目的？答：刻蚀的目的：去除边缘的 P

8、N结，防止上下短路而造成的 并联电阻低。去PSG的目的：去除硅片外表含有磷原子的 SI02层。4、边缘刻蚀冷热探针的工作原理？答：热探针和 N 型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针 处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。5、分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？答：刻蚀的流程 ; 预抽，主抽，送气，辉光，清洗，预抽，主抽 ，充气去PSG的流程：酸洗HF，溢流水洗，喷淋，甩干6、简述太阳能电池片制造 PECVD勺目的及原理？答：目的：在太阳电池外表沉积深蓝色减反膜

9、 -SiN膜。PECVD技术原理：是利用 低温等离子体作能量源， 样品置于低气压下辉光放电的阴极上， 利用辉光放电 或 另加发热体使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反响气体，气体经一系 列化学反响和等离子体反响，在样品外表形成固态薄膜。7、什么是等离子体？ 答：等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电 离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的 混合物。8、磷源更换操作流程是什么？泄露应该怎么处理？答： 源瓶更换的标准操作过程依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更 换源瓶，连接管道，翻开出气阀门、进气阀门。液态源外溢了，要立即擦拭

10、干净， 并暂停工艺运行，仔细检查源瓶是否有破损。对泄漏物处理必须戴好防毒面具和 手套。液体泄漏用沙土混和 ,倒至大量水中以稀释。沾染皮肤时 ,要先用纸、棉花将 液体吸去，然后再用清水冲至少 15 分钟。如用水过少，会在皮肤形成磷酸引起灼 伤，按酸灼伤处理。9、扩散间生产流程及返工流程是什么？操作时应注意哪些事项？答：生产流程：幵机T对硅片自检T检查石英舟T插片T上浆T运行工艺T卸片I测方块电阻T返工片和碎片处理 I流程卡填写返工流程：来料时检出不合格的片源I制绒，扩散时中途故障导致 I清洗间I扩散间I反面扩散。 在生产 操作时严禁裸手接触硅片，拿各种石英器件要轻拿轻放，工艺在运行时， 时刻检查

11、气体流量、温度、时间、设备是否有异常。10、分别写出丝网印刷背极、背场、正极的目的、作用和使用的浆料以及烘箱的作用？答：目的 背电极 - 在太阳电池反面丝网印刷印上引出电极背电场 -通过烧结穿透反面 PN结，和P型硅形成良好的欧姆接触。正电极 - 在太阳电池正面丝网印刷银浆形成正电极作用 背电极 - 易于焊接背电场-收集载流子正电极- 收集电流浆料 背电极-银铝浆背电场-铝浆正电极-银浆烘箱的作用- 烘干浆料，去除浆料中的有机物，便于下一道印刷11、丝网印刷常见的问题有哪些？分别写出产生的原因及解决方法？至少写出5个问题故障 现象造成原因解决方法粘板丝网间距太小加大丝网间距印刷刮条不平检查刮条

12、的平整度硅片有厚薄不均检查来料网板张力太小更换网板丝网刮不干净增大刮条下降深度和印刷压力P真空吸力太小:调大真空吸力浆料粘稠度太 大搅拌时间太长减少搅拌时间浆料在网板内停留 时间过长经常用刮浆板刮浆料加元浆料未及时盖 上盖子，导致有机溶 剂挥发加元浆料后及时盖上盖了印刷 偏移设备故障通知设备维修:更换新的网板后没有校准相机从新校准相机X/Y/Z轴或角度发生偏移调整X/Y/Z轴使得网板印刷图形与硅片 四边完全对称。漏浆网板微破且不影响图形用薄胶带粘住漏浆部位印刷偏移见上面印刷偏移解决方法Working Beam 上定位卡口处有浆料用干净的酒精布擦拭干净网板破坏严重无法用胶带粘住更换网板隐裂台面上

13、有碎屑停机，清理碎屑网板上沾有碎屑用干净的无尘布将网板擦拭干净压力偏大降低压力:实际压力比设定压力大出很多刮刀咼度上升虚印印刷参数不适宜抬高丝网间距，适当加大压力刮条不平更换刮条网板使用时间太长更换网板印刷 模糊网板及刮条高度太高降低网板及刮条高度或降低电机高度硅片厚度不均匀检查来料台面不平更换衬纸或调整台面丝网间距太小增大丝网间距刮条不平更换刮条12、分类检测的电性能参数有哪些 ？分别是什么意思?至少8个I sc:在某特定温度和辐射度条件下，光伏发电器在短路状态下的输出电流；Uoc：在某特定的温度和辐射度下，光伏发电器在无负载即幵路状态下的端 电压Pmax在I-V曲线上电流和电压乘积为最大的点所表示的功率Vmp对应最大功率点的电压I mp:对应最大功率点的电流Rs :系指太阳电池内部的与P-N结 串联的电阻，它是由半导体材料体电阻、薄层电阻、电极接触电阻等组成Rsh:系指太阳能电池内