光刻胶涂布与曝光_第1页
光刻胶涂布与曝光_第2页
光刻胶涂布与曝光_第3页
光刻胶涂布与曝光_第4页
光刻胶涂布与曝光_第5页
已阅读5页,还剩6页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、光刻胶涂布与曝光正光阻正光阻负光阻负光阻分辨率高分辨率低黏结能力差黏结能力好与mask暗场图形一致与mask亮场图形一致成本高成本低光刻胶分类E&H GF2结构采用正性干膜光刻胶莱宝 GG结构采用正性湿膜光刻胶曝光机理UV光光罩光阻显影后負光阻(BM、R、G、B、 PS layer)(見光留)正光阻(MVA、TFT layer)(見光死)Cr膜玻璃基板石英 GF2结构使用干膜光刻胶,采用双面热压roller形式上胶。 膜厚在线不可调控,膜厚由DFR决定,E&H 1st DFR 厚度15um,2nd DFR 厚度 30um,不易产生针孔,分辨率低,工艺制程简单。 GG使用湿膜光刻

2、胶,采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。 膜厚在线可通过走速/抽泵强度调控,厚度1.4um2.3um,易产生针孔,分辨率高,工艺制程复杂,涂布后需软烘烤后才能曝光。涂布方式 GF2结构 主要控制参数:压辊温度,压辊压力 主要品质问题:气泡,异物,附着不良 GG结构 主要控制参数:涂布速度,抽泵频率,压辊压力 主要品质问题:膜厚不均,针孔,异物主要控制参数及品质 GF2结构1st exposure:双面接近式曝光,分辨率低,不易造成产品缺陷及mask划伤,6个对位镜头,双面同时对位2nd exposure:双面接触式曝光,分辨率低,易造成产品缺陷及mask划伤,4个对位镜头,双面同时对位 GG结构单

3、面接近式曝光,分辨率低,不易造成产品缺陷及mask划伤, 2个对位镜头,单面对位曝光方式GG对位方式 (Glass stage 校准)maskglass 铬版mask(石英基板) 对320-450nm波长有很好的透过率,变形尺寸小,精度高5um,成本高 干版mask (钠钙玻璃基板) 对320-450nm波长有较好的透过率,变形尺寸小,精度较高20um 菲林 对320-450nm波长有的透过率低,变形尺寸大,精度较高30umMask 分类E&H GF2结构:1st exposure支持玻璃mask及菲林,2nd exposure 只支持菲林莱宝 GG结构:使用铬版mask主要控制参数及品质 主要控制参数:曝光强度,曝光gap, 曝光时间 主要品质问题:曝光不均,异物,过曝光,曝光不足

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论