第一章 半导体材料绪论_第1页
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RRTT照片照片I 电流V 电压0正向反向照片照片BZIxvfBP型半导体薄片:长度为L,宽度为b,厚度为 d磁场方向 (z方向)与薄片垂直,电流方向为x方向Lbd fExyz1. 半导体材料的不纯 2. 半导体物理理论的不完善Enhv(n=1,2,3.)hv21213.613.63.4nEevnEeVEeV 电子原子核补充:爱因斯坦和玻尔的争论原子能级能带允带禁带允带允带禁带Eg 6 eVEg绝缘体绝缘体半导体半导体价带导带导体导体ECEVEDEgDE 金属半导体阻挡层1958年,第一块集成电路:12个器件,Ge晶片TI公司Kilby ,2000年获Nobel奖10 G1 G100 M10 M1 M100 K10 K1 K0.1 K19701980199020002010100 G10 GGiga100 M10 MMegaKilo19701980199020002010

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