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文档简介
1、11.8 flicker 漂移项目报告2016/06/29chunhuisu2目录 Contents 背景描述1 原因分析3 CELL ESD排查验证4 Flicker 漂移影响因子2 补充资料(TFT特性相关)5问题描述事件事件6月初越南客诉1.8 “LCD display abnormal”即 Flicker 漂移原因原因OTP烧录过程中 Vcom非最佳值措施措施1. OTP夹具加锁,避免烧录信息受到环境因素的影响 2.将Flicker 画面检视时间从0.3s增加到1s3.收严标准影响影响MOD通过调整OTP程序改善Flicker漂移,但是仍然有10%不良,无法完全Cover。OTP前静置
2、或者烘烤后不良减少影响Flicker漂移因子分析LCPITFT特性(a.Pixel 漏电b.RC delay c.电容耦合)ArrayODF(LC污染)光照温湿度PI (膜厚均一性)POLIC电荷残留MOD (ESD)ET测试画面流程上下电时序电压纹波ESD BarSwitchVthOTP前Aging为什么会有Flicker 漂移CELL (ESD)CELL (VT2)Flicker漂移原因分析为什么OTP后 调整Vcom还有Flicker漂移u 此次Flicker 漂移主要是 Panel ESD影响。a、OTP前静置或者烘烤数小时后,Flicker漂移不良减少;b、TFT特性异常或者材料异常
3、,不会因为烘烤或者静置不良减少。真因OTP前 Panel异常Panel TFT特性异常、ESD、材料影响WhyWhy型号抽样日期程序样品类型抽样方式数量0H不良率24H不良率48H不良率120H不良率编号1.8-136/12旧程序直接OTP30pcs/jig33015%3%3%3%验证一6/17新程序直接OTP10pcs/jig3600.28%0.83%3%/验证二OTP前烘烤60/4H随机抽取300000/验证三6/206/21OTP前静置12H随机抽取30000.33%0.33%/验证四C4烘烤60/4H随机抽取300000/验证五6/22半成品静置12H随机抽取30000.33%0/验证
4、六6/24证据3Flicker漂移原因分析为什么ESD会导致Flicker漂移静电残留于Panel内,OTP烧录时影响Vcom最佳电压,OTP烧录后随着时间的推移,静电释放,出现Flicker漂移真因OTP烧录时影响Vcom最佳值静电残留于Panel内,带有电荷,影响本体WhyWhy3CELL ESD 排查验证设备0H24H48H备注不良数 测试数 不良数 测试数 漂移量5dB 不良数 测试数漂移量5dB15%#4贴片机6196101960101962验证十#12贴片机0198319845119810验证十一OTP前烘烤65/8H0299验证十二OTP前不烘烤0300验证十三手动贴片1195验
5、证十四Flicker漂移和CELL贴片机静电无明显相关性3小结(Summary)Sumarry:1、此次Flicker 漂移通过调整Vcom可以Cover,且OTP前静置或者烘烤后不良率降低,说明造成此不良原因同静电有关;2、CELL贴片机排查静电和Flicker实验,说明CELL贴片跟此事件无关;3、ESD来源需要持续确认。3补充资料(何为Flicker?)VcomVfVp= V+ (正半周)Vp= V- (负半周)Vg: GateVf: feed-through voltageVd: DataTg (Ton) Vh: due to leakage currentVp: Pixel在同一画面
6、下,Pixel电压在正负半周期時不一样,就会造成FlickerPixel上电压的变化主要来自:Feed-through voltage & Ioff & Gate RC delay3补充资料(Flicker 产生原因)Flicker产生原因Baseline面板驱动方式Pixel漏電電容耦合输入Pattern信号Vcom Uniformity製程變異RC Loading2.72.82.933.13.2-50-45-40-35-30-25-20Vcom (V)Flicker (dB)dV-leak=0.3V dV-leak=0.1V no leakage current 3补充资料(Pixel 漏
7、电)在实际状况下,当Gate关闭时Pixel电压会受到漏电的影响而改变并不会保持在一定电位,因此会造成Pixel电压不均匀的现象,如果漏电情况太严重,则会造成明显的画面闪烁现象。主要漏电途径包含 : SD 沟道(A-Si,N+) 光照漏电影响DataComGate3补充资料(Ioff with B/L)TFT元件除本身漏电问题外,因实际工作時B/L所造成的光漏电对Flicker也有很大的影响。1)以8SD为例,BL照度越大,Ioff变化较大; Ioff变大,device在holding状态下的压降越大,从而闪烁越严重。2)通过量測不同BL强度下的Vth bias量可以初步评价Ioff对Flic
8、ker的影响。补充资料(电容耦合,Capacitance in Pixel)Cst:由com信号线与画素电极形成,充电完毕后来驱动液晶旋转Cgd:由gate信号线与data信号形成的耦合电容,Cgd小,Flicker越佳Clc:画素电极与CF側Com信号线形成的电容在Panel正常操作下,Pixel上的电压(Vd)会因电容耦合效应(Coupling)的影响而改变,此效应称feed-through Voltage(Vp),其因Pixel內电路设计不同而有主要以下两种形态:补充资料(电容耦合形式比较)TypeCst on GateCst on Com开口率大Gate讯号稳定 Gate loadin
9、g大, Gate讯号失真严重开口率小示意图优点缺点ClcCsVcomCgdClcCstVcomCgd目前Pixel采此设计补充资料(电容耦合,Cst on Common公式推导)在Panel正常操作下,Pixel上的电压(Vd)会因Cgd电容耦合效应(Coupling)的影响而改变,其示意图与电压变化(feed-through Vp)如下:电荷电荷守恒:守恒:Q = C x V (Vd1 - VGH) x Cgd + (Vd1 - Vcom) x (Clc + Cst) ClcCstVcomCgd显示电极Vd1/Vd2VgCstClcCgdCgdVpVp=Vd1-Vd2;Vg=Vgh-Vgl
10、= (Vd2 - VGL) x Cgd + (Vd2 - Vcom) x (Clc + Cst) 补充资料(Vcom調整减少电容耦合电压效应影响)GateDataLC夹压ALC夹压BLC电压 VcomCoupling影响Coupling影响VpVp如下图所示,feed-through 电压(Vp)对Data正、负半周电压之加乘效应不同,在Vcom沒有调整的情況下,造成LC夹压A B的狀況,因此产生正负半週亮度不同而形成画面闪烁的现象。LC夹压A B补充资料(Vcom調整减少电容耦合电压效应影响)GateDataLC夹压ALC夾壓BLC电压 原始VcomCoupling影响VpVp因Vp所造成D
11、ata正、负半周电压差异可藉由调整Vcom的方式使正、负半周液晶压差相同。 调整后VcomLC夹压A = B补充资料(均一性 Gate RC Loading)Gate line RC delay 示意图:Gate waveformVp(L)Vp(C)Vp(R) g of left g of center g of rightt = 01)由于gate line 阻抗 & 耦合电容的存在,gate line 末端的信号会比起始端信号低 2)会造成讯号的衰减,造成 各个TFT 上的 Vgh/Vgl 不一样,Feed through电压也不一样,造成Flicker 差异LCRCom TFT-LCD
12、ModulePixel 充电示意图(左、中、右):补充资料(均一性 RC Loading)17V9 Vcom distribution-50-45-40-35-30-25-20-15-10-5055.25.45.65.86Vcom(V)Flicker(dB)123456789面板Vcom讯号会因RC Loading 影响而失真,造成面板左、中、右Vcom讯号的差异,以下为T1 Flicker Vcom左、中、右的量測数据情況 Measurement point:1 2 34 5 67 8 9最佳V补充资料(均一性 RC Loading)在液晶面板上,由于受到RC loading的影响使Gate
13、讯号有延迟的现象, 造成Vcom在面板分佈上不均勻,影响面板LC夹压分布的均勻性,形成面板左、中、右Vcom不同的情況。Gate Delay影响Vcom面板分佈面板分佈Input OutputStart middle End造成面板左中右Vcom不一致TimemV1-3 V cdc di st ri but i on050100150200250123Vcom(mV)Start middle End 补充资料(制程差异)因制程上的变异(ex: local distribution & etc.)造成面板上不同区域Feed-Through电压效应不一致。因制程造成Cgd大小变异因制程造成Cst大小变异VgCstClcCgdCgdVp补充资料(驱动方式)在有些输入画面Pattern驱动方式会恰巧与面板驱动方式相同而造成Flicker现象。以下为 Dot inversion 60Hz Driving(Window开机画面)为例子: Dot inversion 画面讯号输入严重Flicker等于 Frame Inversion Driving补充资料(Solution)成因改善方式实际方法Feed Through VoltageCgd 优化1.Cgd Free 设
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