半导体器件》总结复习ppt课件

1、半导体器件复习第第2 2章章根本概念根本概念PNPN结结 同质结同质结 异质结异质结 同型结同型结 异型结异型结 高高低结低结 金属金属- -半导体结突变结半导体结突变结 线性缓变结线性缓变结 单边单边突变结突变结 空间电荷区空间电荷区 中性区中性区 耗尽区耗尽区 耗尽近似耗尽近似 势垒区势垒区 少子分散区少子分散区 分散近似分散近似 正向注入正向注入 反向反向抽取抽取 正偏复合电流正偏复合电流 反偏产生电流反偏产生电流 隧道电流隧道电流 产生隧道电流的条件产生隧道电流的条件 隧道二极管的主要特点隧道二极管的主要特点 过渡电容过渡电容( (耗尽层电容耗尽层电容) ) 分散电容分散电容 等效电路

2、等效电路 反向瞬变反向瞬变 电荷储存电荷储存 储存电荷储存电荷 隧道击穿隧道击穿 雪崩雪崩击穿击穿 临界电场临界电场 雪崩倍增因子雪崩倍增因子 雪崩击穿判据雪崩击穿判据问题解释问题解释利用热平衡费米能级恒定的观念分析利用热平衡费米能级恒定的观念分析PNPN结结空间电荷区的构成。空间电荷区的构成。从载流子分散与漂移的角度分析从载流子分散与漂移的角度分析PNPN结空间结空间电荷区的构成。电荷区的构成。根据载流子分散与漂移的观念分析根据载流子分散与漂移的观念分析PNPN结的结的单导游电性。单导游电性。写出边境条件公式写出边境条件公式2-2-112-2-11，2-2-2-2-1212，阐明，阐明PNP

3、N结的正向注入和反向抽取作结的正向注入和反向抽取作用。用。第第3 3章章根本概念根本概念发射极注射效率发射极注射效率 基区输运因子基区输运因子 共基极直共基极直流电流增益流电流增益 共发射极电流增益共发射极电流增益 共基极截共基极截止频率止频率 共发射极截止频率共发射极截止频率 增益增益带宽乘带宽乘积积 电流集聚效应电流集聚效应 基区宽度调变效应基区宽度调变效应EarlyEarly效应效应 基区渡越时间基区渡越时间 科尔克科尔克KirkKirk效应效应 输入导纳输入导纳 跨导跨导 根梅尔根梅尔GummelGummel数数 穿通击穿穿通击穿问题解释问题解释BJTBJT的四种任务方式及任务条件的四

4、种任务方式及任务条件写出写出BJTBJT的少子边境条件的少子边境条件定性及半定量阐明定性及半定量阐明BJTBJT的开关作用。的开关作用。第第4 4章章根本概念根本概念M-SM-S结的两个效应结的两个效应 整流接触整流结整流接触整流结 欧姆接触非整流结肖特基势垒高度欧姆接触非整流结肖特基势垒高度 肖肖特基效应镜象力使势垒降低的效应特基效应镜象力使势垒降低的效应问题解释问题解释肖特基势垒二极管和肖特基势垒二极管和PNPN结二极管之间的比结二极管之间的比较。较。画出加偏压肖特基势垒能带图，阐明肖特画出加偏压肖特基势垒能带图，阐明肖特基势垒二极管的整流特性。基势垒二极管的整流特性。为什么金属与重掺杂半

5、导体接触可以构成为什么金属与重掺杂半导体接触可以构成欧姆接触？欧姆接触？第第5 5章章根本概念根本概念场效应场效应 单极器件单极器件(unipolar devices) (unipolar devices) 沟沟道夹断道夹断 夹断电压夹断电压 内夹断电压内夹断电压 漏极导纳漏极导纳 跨导跨导 栅极总电容栅极总电容 截止频率截止频率 沟道长度调制沟道长度调制效应效应问题解释问题解释与与JFETJFET相比相比MESFETMESFET有哪些特点？有哪些特点？什么是加强型和耗尽型什么是加强型和耗尽型JFETJFET？第第6 6章章根本概念根本概念理想理想MOSMOS构造的根本假设构造的根本假设 载流子积累载流子积累 载载流子耗尽流子耗尽 载流子反型载流子反型 沟道电荷沟道电荷 外表外表电容电容 沟道电导沟道电导 阈值电压阈值电压 线性导纳线性导纳 跨导跨导问解释题问解释题MOSMOS构造存在哪些氧化层电荷和界面圈套电构造存