2019年南昌大学毕业论文书写样式.doc

1、南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字（I，II，III）编排，从正文第一章开 始按照阿拉伯数字（1，2，3）编排。四、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2 .英文摘要：标题小二号Times New Roman体加粗，“Abstract”四号TimesNew Roman 体；“ Abstract ”

2、 内容小四号 Times New Roman 体， “Keyword” 小四号 Times New Roman 体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英 文用小四号Times New Roman体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下:宋体，四号，居右页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm,右 2.67cm, 页眉1.5cm,页脚1.75cm ,1.35倍行距，应用于整篇文档密级：宋体，30磅，居中THESIS OF BACHEL

3、OR - 伽與 New Rman,四号，居中(20 20年）中文：宋体；数字：Times NewRoman 四号，居中专业班级：学生姓名：学号：指导教师：职称：起讫日期：此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的 研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外， 本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在 文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。日期:作者签名:学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、 使用学位论文的规定，同意学校保 留并

4、向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借 阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密，在 年解密后适用本授权书。本学位论文属于不保密口。（请在以上相应方框内打“V”）作者签名：日期：导师签名:日期:页眉：中文宋体，五号，居中IIII- V族氮化物及其高亮度蓝光丄上体，小二号，居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究专 业：学号：一宋体，五号，对齐居中摘要标题：宋体，四号，两端对齐， 1.35倍行距 度发光文宋件、|外波长激T光es NewRoman小四, 广泛键词应用前景。三字

5、加粗，关键词94“； ”分隔学生姓名：指导教师：宽禁带III - V族氮化物半导体材料在短波长高亮器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量 或小批量生产GaN基 LED尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要 的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中 的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度 GaN基 LED外延材料提供科学依据。本文在自制

6、常压 MOCV和英国进口 MOCV系统上对III -V族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构， 生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了 如下有创新和有意义的研究结果：1 首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单 晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使 GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了 GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工

7、程研究中心项目的资助。关键词：氮化物；MOCVD ; LED;卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱目录Study on MOCVD growth and properties of III- V_Times NewRoman 小二nitrides and high brightness blU LED Wa居中 rsAbstractGaN based 川-V nitrides have potential applications on high brightness LEDs,short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high tempe

8、rature and high powerelectr onic devices. Study on physics issues and te area of 3th gen erati on semic on ductor.chn题l：omssofeWitfoms, own 两端对齐,内容：Times New Roman，小四，两端对齐,More tha n ten compa nies in America and Jap n itrides growth tech no logy since Nichia compa ny i commercialization of GaN base

9、d blue LED in 1994.关键词：“ Keyword ”三字加粗，关键词用“;tofirst realized the1.35倍行距1.35倍行距”分隔In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6x 2”MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizin

10、g the n itrides growth tech no logy and wafer structure. Some en couragi ng results are follow ing as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. Th

11、e epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreasedby using GaN low and high temperature buffer layers of deviati on from stoichiometry. The RBS/cha nn eli ng spectra exhibited that the minimum yield x of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of G

12、aN based LED was obviously decreased and lower than 1 卩 A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer tech no logy.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides ； MOCVD ； LED ； Photoluminescence RBS/channeling； Optical absorpti on摘要目录宋体，小三号，居中Abstract U第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数

13、文章为“绪论” ）11 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 11.2 III族氮化物的基本结构和性质 41.3掺杂和杂质特性 121.4氮化物材料的制备 131.5氮化物器件 191.6 GaN基材料与其它材料的比较 221. 7本论文工作的内容与安排 24第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 312. 1 MOCVD材料生长机理312. 2本论文氮化物生长所用的 MOCVD设备32结论 参考文献（ReferenceS目录内容：中文宋体;英文和数字Times - NewRoman 小四页码编号：摘要Abstract使用页码1,11,；正 文开始使用页码.1,2”3,.;.小节.标

14、题左侧缩进.1.字符；页码数字居中对齐 36 38 50致谢iii第一章 GaN基半导体材料及器件章标题：中文宋体，英文 Times New Roman,四号居中 第一章GaN基半导体材料及器件进展一节标题：中文宋体，英文 Times New Roman，四号居左1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用-在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息 息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以 Si为代表的第一代半 导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。器，前哦年进展缓an，小四,正文文字：中文宋余丿究/历L时30 /余 |

15、， 前 前 20进展缓两端对齐，段落首行左缩进.2个汉字符，行距1.35倍设置该段的以GaAs为代表的第二代半导体诞生于 20世纪60年代，它们成为制作光电子 件的基础。山-V族氮化物半导体材料及器件研究历字慢，后10年发展迅猛。由于川族氮化物特有的带隙范围学公优良的光据表电性设 优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前 景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成 族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman，五号加粗居中，表序与表名文字 之间空

16、一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文 Times New Roman，五号，行距 1.35。表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Ego、c和To的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)o(c (eV/K)T0 (K)参考文献GaN/Al 2O3光致发光-4-5.32 疋103.503-45.0810-99661GaN/Al 2O3光致发光3.489-47.32X1070059GaN/Al 2O3光致发光-4-4.0 00-4-7.2X1060062GaN/Al 2O3光吸收-4-4.5X103.471-4-9.3 汇1077263-2 -第一章GaN

17、基半导体材料及器件进展图标题置于图的下方，中文宋体，英文TimesNew Roman，五号加粗居中，图序与图名文字 之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文 Times New Roman，五号，行距 1.35 。-3 - T气流测温元件测温元件图1-1热风速计原理第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.1 MOCVD材料生长机理图2-1 DDS方式 AWG的工作流程-31 -参考文献标题：中文宋体，四号，居中参考文献12Well .Multiple-modulator fractio n-n dividerP .US Pate nt, 50381

18、17.1986-02-02Brian Miller . A multiple modulator fractionl dividerJ . IEEE Transaction on3instrumentation and Measurement 1991，40（2）: 万心平，张厥盛.集成锁相环路一一原理、特性、应 电出版社，1990. 302-307.83.57参考文献内容：中文宋体，英文Times New人距民参考文献应在文倍行Roman,中相应地方按出现顺序标引。-138 -4Miler. Frequency synthesizersP US Paten, 4609881. 1991-08-06.Candy J C. A use of double-integretion in sigma-delta modulationJ. IEEETrans Commun, 1985, 33（COM）: 249-258.丁