单晶硅片工艺流程技术文件

1、 一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二) 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。5.3 操作中严禁工作

2、服与硅片和片盒接触。6.上料（见附图四）6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。7化学腐蚀液的配制7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3” 比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。7.3 化学腐蚀液的配制比例（见下表）槽号1#槽2-4#槽7#9#槽功能去损伤层制绒去na2sio3去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅

3、酸钠氢氟酸盐酸naohnaohipana2sio39 h2ohfhcl标准浓度（克/升）4051855231535845加入试剂9千克2千克12升6千克16升32升加入试剂（瓶)18431248液面高度（厘米）4232323230307.4 配制溶液要求：7.4.1 配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。 7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅

4、酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。8.各化学药品规格及要求8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度 98%。8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度99.9%，密度0.78克/毫升。8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。8.4 盐酸：mos级，容量4升/瓶，浓度36%38%，密度1.18克/毫升。8.5 氢氟酸：mos级，容量4升/瓶，浓度49%，密度1.13克/毫升 。9.工艺过程化学药品的补加（见下表）9.1 工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4

5、#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：槽号1#槽24#槽每清洗一篮硅片排液(cm)补加naoh补加naoh补加ipa1.50.52510g2510g4升（一瓶）备注清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升ipa，最多补加6升（1.5瓶）。10.各槽化学液更换频率（见下表）工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）槽号1#槽24#槽7#槽9#槽更换周期24小时24小时12小时12小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时（14号槽）更换条件工艺不正常状态1连续停机8小时以上，要求全部换液重配工艺不正常状态224#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态

6、324#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态424#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。11.清洗腐蚀工艺参数的设置 （见下表）11.1 小片盒放置硅片11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表）槽位1#槽2-4#槽5#槽6#槽7#槽功能去损伤制绒漂洗喷淋去na2sio3时间27030m24030m 23030m 30 min5 min5 min1 min4min2min1min温度652832常温常温常温槽位8#槽9#槽10#槽11#槽12#槽13、14#槽功能漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间5 min5 min5 min5

7、min不使用不使用温度常温常温常温常温不使用不使用 注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。11.1.2 离心甩干工艺（见下表）项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数205rpm430rpm30秒180秒10秒10秒11.2 大片盒放置硅片（同11.2.2表）11.2.1 使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置 111#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同11.2.2 1214#槽工艺参数的设置：槽位12#槽13、14#槽功能慢拉烘干时间2 min17 min温度常温170211.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同11.3

8、.2表）11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。11.3.2 不合格的硅片，厚度200m直接转至扩散工序；200m厚度230m，按下表工艺返工：槽位1#槽2-4#槽功能去损伤层制绒时间0 min20 min温度65283212.运行12.1 根据一次清洗设备操作规程，在手动工作状态下，按照“11 清洗腐蚀工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；12.2 根据一次清洗设备操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。13 工艺安全及注意事项13

9、.1 13.1工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。14 引用文件一次清洗设备操作规程：sfqd-设备-01 一次清洗检验工艺规程：sfqd 工艺-12硅片检验1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角

10、、油污、划痕、凹痕；3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。针孔片盒保持干净，每盒插25片硅片。禁止手与片盒、硅片直接接触，须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作，每插100片硅片，需更换手套。工作服不能与硅片和片盒接触片盒底部需垫海绵插片附图三将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有相应的间隔硅片插完后，取掉片盒底部的海绵，扣好压条。上料附图四 附图五称量naoh重量需使用电子称，保证在工艺要求范围内，误差不超过10克。称重 补加异丙醇时，需使用塑料管或漏斗将异丙醇补加到制绒槽底部补加异丙醇附图六 二次清洗工艺说明1.目的确保硅片等离子刻蚀后的清洗工艺

11、处于受控状态2.使用范围适用于硅片等离子刻蚀后的清洗工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.已刻蚀硅片的流入（见附图一）经等离子刻蚀后的硅片，经检验合格后，流入到插片工作台，硅片扩散面朝下，非扩散面朝上。5.插片（见附图二）5.1 片盒的小面朝上，大面朝下。5.2 用真空吸笔将硅片由下至上插入片盒的片槽中，严禁装反。6 上料（见附图三）6.1 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮12个片盒，片盒之间有相应的间隔。7 化学腐蚀液的配制7.1 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 化学腐蚀液的配制比例（同附表一）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能

12、去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成49%氢氟酸40%氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克/升）405185/加入试剂（升)12160/加入试剂（瓶)340/液面高度（厘米）3232323230/7.3 按“7.2”配比向1号槽加入氢氟酸和氟化氨溶液。向2和4号槽中注满去离子水。8 化学药品规格及要求8.1 氢氟酸：mos级，容量4升/瓶，浓度49%，密度1.13克/毫升 。8.2 氟化氨：mos级，容量4升/瓶，浓度40.11.0%,密度1.05克/毫升。9 二次清洗工艺参数设定（同附表二）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温1

13、705时间2.5min5min7min2min16min10 化学液更换频率 （同附表三）槽号1号槽换液频率12小时全部换液重配更换时间交接班11 运行11.1根据二次清洗设备操作规程，在手动工作状态下，按照“9 二次清洗工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；11.2根据二次清洗设备操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗。12 检验每篮抽取5片硅片，在日光灯下目测，硅片表面是否干燥，无水迹和其它污点。13 工艺安全及注意事项13.1工艺安全：氢氟酸和氟化铵溶液都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮

14、手套。13.2硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。13.3硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。13.4真空吸笔要经常用酒精清洗，在操作过程中保持清洁14.引用文件二次清洗设备操作规程：sfqd-设备-05 刻蚀、二次清洗检验工艺规程：sfqd-工艺-14已刻蚀硅片的流入经等离子刻蚀过的硅片流入到插片工作台，硅片方向须按此放置非扩散面向上扩散面向下图一非扩散面向上，扩散面向下片盒大面朝下片盒小面朝上插片 图二将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮12个片盒

15、，片盒之间有相应的间隔上料图三化学腐蚀液的配制比例（附表一）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成49%氢氟酸40%氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克/升）405185/加入试剂（升)12160/加入试剂（瓶)340/液面高度（厘米）3232323230/二次清洗工艺参数设定（附表二）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温1705时间2.5min5min7min2min16min扩散工艺说明1. 目 的确保单晶硅磷扩散工艺处于稳定受控状态2. 适用范围适用于单晶硅磷扩散工序3. 责 任本工艺

16、说明由技术部负责4. 内 容4.1 工艺流程4.1 按照设备点检表点检设备是否完好，符合运行条件。4.2 升温4.2.1 按照扩散设备操作规程进行升温。对于不常用的炉管，需先进行一次饱和。4.3 装片、检验（见附页一）4.3.1 打开传递窗，将片盒从传递窗拿出放到净化工作台里；4.3.2 用舟叉将空石英舟端至净化工作台；4.3.3 用石英真空吸笔将片盒内的硅片移至石英舟槽内，每槽2片；4.3.4 在装片过程中，需检验硅片表面是否干净。若硅片两面都不干净，做返工片处理；若一面干净，一面不干净，则将干净面作为扩散面；4.3.5 检查硅片是否有裂纹，若有裂纹作碎片处理。4.4 上桨（见附页二）4.4

17、.1 用舟叉将石英舟平稳端出净化台，石英舟微微向上倾斜，约15，端至碳化硅桨上，一边靠近匀流板约13cm。4.5 扩散4.5.1 按照扩散设备操作规程，开启设备，具备生产条件；4.5.2 点击触摸屏上的“工艺运行”按钮，输入正确的工艺号,参照扩散工序工艺参数表，检查各工艺参数是否符合要求，点击“确认”按钮，运行扩散工艺。4.6 方块电阻测量（见附页三）4.6.1 扩散工艺运行完毕后，用舟叉将石英舟端至卸片台，按照从炉口到炉尾的方向依次均匀的取五片，放入片盒中，注意区分扩散面和非扩散面，扩散面一定要朝片盒的大面放置。4.6.2 按照四探针测试仪操作规程测量方块电阻，测量硅片中心点和四个角的方块电

18、阻值，测量四角方块电阻时注意探针距硅片边缘的距离要大于1cm，测完后关闭四探针主机电源，并且正确填写方块电阻记录表。4.6.3 方块电阻值要求在405范围内，不均匀度不超过10，如超出该范围，应立即通知工艺人员。不均匀度的定义为：计算五片硅片的方块电阻平均值，在这五个数值中取最大值和最小值，（r最大-r最小）/（r最大+r最小）100%即为不均匀度。4.7 卸片、检验（见附页四）4.7.1 若方块电阻无异常，则将石英舟上扩散后的硅片装至黑色承载盒中，确保所有硅片扩散面向上。4.7.2 通过传递窗流入下道工序。4.8 工艺参数4.8.1 扩散工艺参数 在各炉管中，均定义为01号工艺。时间（分钟）

19、温度（）大n2（l/min）小n2（l/min）o2（l/min）源温（）进炉6840890253020稳定9840890253020通源203084089025301.62.01.82.220吹氮10840890253020出炉10840890253020注：因各炉管之间的差异，所以各工艺参数之间也存在差异，上表给出的是正常的工艺参数的范围。4.8.2 tca清洗工艺 在各炉管中，均定义为02号工艺。时间（分钟）温度（）大n2（l/min）小n2（l/min）o2（l/min）源温（）通氧510502510.020通源4801050251.010.020吹氧1010502510.0204.9

20、 注意事项4.9.1 各个炉管工艺参数操作者不得随意改动。4.9.2本工序必须穿戴连体洁净工作服、洁净工作鞋、洁净工作帽、乳胶手套及口罩。4.9.3 必须正确填写电池线生产日报&交接表。5.引用文件 扩散设备操作规程：sfqd-设备-02 炉管清洗工艺操作规程：sfqd-工艺-03 扩散检验工艺规程：sfqd-工艺-13 四探针测试仪操作规程：sfqd-设备-12装片、检验插片时必须穿好洁净工作服。净化工作台插 片 片 盒石英舟，每个槽插两片硅片石英吸笔，从片盒中吸取硅片插到石英舟内。严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，且不得用手直接接触硅片和石英舟。 上桨上 桨移动、放置石英舟时，一定要小心轻

21、放！触摸屏碳化硅桨，易碎安装、拆卸时切勿碰撞！距离13cm匀流板方块电阻测量四探针测试台测 量 四探针主机扩散面朝上如实填写方块电阻记录表，如有异常情况，及时通知工艺人员。卸片、检验卸 片卸片台，不得放置异物，以免污染硅片！ 扩散面一律朝上！ 承载盒 5引用文件 扩散设备操作规程：sf/qd-设备-02 炉管清洗工艺操作规程：sf/qd-工艺-03 扩散检验工艺规程：sf/qd-工艺-13周边刻蚀工艺说明1.目的：确保等离子刻蚀（周边刻蚀）工艺处于稳定受控状态2.适用范围：适用于等离子刻蚀工序3.责任：本工艺说明由技术部负责4.装夹4.1 承载盒中的硅片：由扩散转入的硅片装在黑色的承载盒中，硅

22、片的非扩散面面向承载盒的底部，硅片的扩散面面向承载盒的上部。(见图1) 4.2 硅片整理：双手拿起硅片，轻轻整理，使硅片的各侧面尽量保持在同一平面上，扩散面面向自己，非扩散面朝外。(见图2)4.3 装夹：将数量200片的硅片，装在等离子刻蚀的夹具上，硅片的扩散面与夹具底部接触，非扩散面与夹具上部接触，硅片两端面与夹具接触面之间需各垫一块垫片。(见图3)4.4 将夹具左右两侧的螺丝需锁紧后，待刻蚀。5.等离子刻蚀工艺参数5.1 时间参数（同下表）预抽120 sec辉光720 sec主抽120 sec清洗60 sec送气180 sec 充气30 sec5.2 工艺参数（同下表）工艺压力100pa辉

23、光功率600 w氧气流量 30 sccmcf4流量250 sccm5.3 压力偏差设置（同下表）压力偏差20 pa5.4 变频电机旋转速率（同下表）变频电机旋转速率12.5hz6.工艺过程6.1 操作按：等离子刻蚀设备操作规程，下一步按“5 等离子刻蚀工艺参数”对参数进行设置。6.2 将旋转开关旋至自动，开盖，将待刻蚀的硅片放入反应室，关盖，按下运行按钮,整个工艺将自动完成，取片后接着装片，可连续进行工艺。7.检验要求7.1 刻蚀好的硅片周边应光滑发亮。7.2 冷热探针测电压：使用万用电表，旋纽旋至直流电压200mv档，负极接在加热的电烙铁上，将正、负两电极固定，保持间距为302cm，将硅片平

24、靠在两电极上，测量电压值，电压显正值，并且电压值30mv(见图4)， 检验电压值30mv为不合格，按等离子刻蚀正常工艺重新刻蚀。7.4再测量扩散面和非扩散面是否分别为负值和正值，如果扩散面为正值，要求退回扩散间重新扩散工艺处理（见图5）。8.工艺安全及注意事项8.1硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。8.2硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。9.引用文件 等离子刻蚀设备操作规程：sf / qd-设备-04 刻蚀、二次清洗检验工艺规程：sf / qd-工艺-14 硅片的扩散

25、面面向承载盒的上部硅片的非扩散面面向承载盒的底部承载盒中的硅片 图一手不能直接和硅片接触必须使用一次性手套防止钠离子、油类玷污硅片非扩散面朝外扩散面面向自己整理双手捧着硅片，轻轻整理，使硅片的各侧面尽量保持在同一平面上。 图二硅片的非扩散面与夹具上部接触，硅片与夹具之间需垫一块垫片 装夹硅片的扩散面与夹具底部接触，硅片两端面与夹具之间需各垫一块垫片将夹具左右两侧的螺丝需锁紧后，待刻蚀。 图三要求：电压为正值且30mv检验 负极接在加热的电烙铁上旋纽旋至直流电压200mv档将硅片平靠在两电极上，测量电压值。将正、负两电极固定，保持间距为302cm， 图四 要求：对扩散面，电压显示负值，对非扩散面

26、，电压显示正值。 图五二次清洗工艺说明1.目的确保硅片等离子刻蚀后的清洗工艺处于受控状态2.使用范围适用于硅片等离子刻蚀后的清洗工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.已刻蚀硅片的流入（见附图一）经等离子刻蚀后的硅片，经检验合格后，流入到插片工作台，硅片扩散面朝下，非扩散面朝上。5.插片（见附图二）5.1 片盒的小面朝上，大面朝下。5.2 用真空吸笔将硅片由下至上插入片盒的片槽中，严禁装反。6 上料（见附图三）6.1 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮12个片盒，片盒之间有相应的间隔。7 化学腐蚀液的配制7.1 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2

27、 化学腐蚀液的配制比例（同附表一）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成49%氢氟酸40%氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克/升）405185/加入试剂（升)12160/加入试剂（瓶)340/液面高度（厘米）3232323230/7.3 按“7.2”配比向1号槽加入氢氟酸和氟化氨溶液。向2和4号槽中注满去离子水。 8 化学药品规格及要求8.1 氢氟酸：mos级，容量4升/瓶，浓度49%，密度1.13克/毫升 。8.2 氟化氨：mos级，容量4升/瓶，浓度40.11.0%,密度1.05克/毫升。9 二次清洗工艺参数设定（同附表二）槽号1号槽2

28、号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温1705时间2.5min5min7min2min16min10 化学液更换频率 （同附表三）槽号1号槽换液频率12小时全部换液重配更换时间交接班11 运行11.1根据二次清洗设备操作规程，在手动工作状态下，按照“9 二次清洗工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；11.2根据二次清洗设备操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗。12 检验每篮抽取5片硅片，在日光灯下目测，硅片表面是否干燥，无水迹和其它污点。13 工艺安全及注意事项13.1工艺安全：氢氟酸和氟化铵溶液都具有强腐蚀性，在配液过程中，操

29、作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。13.3硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。13.4真空吸笔要经常用酒精清洗，在操作过程中保持清洁14.引用文件二次清洗设备操作规程：sfqd-设备-05 刻蚀、二次清洗检验工艺规程：sfqd-工艺-14 已刻蚀硅片的流入经等离子刻蚀过的硅片流入到插片工作台，硅片方向须按此放置 非扩散面向上扩散面向下图一插片 非扩散面向上，扩散面向下片盒小面朝上

30、片盒大面朝下图二将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮12个片盒，片盒之间有相应的间隔上料 图3化学腐蚀液的配制比例（附表一）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成49%氢氟酸40%氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克/升）405185/加入试剂（升)12160/加入试剂（瓶)340/液面高度（厘米）3232323230/二次清洗工艺参数设定（附表二）槽号1号槽2号槽3号槽4号槽5、6号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温1705时间2.5min5min7min2min16min pecvd工艺说明1. 目

31、的确保二次清洗后的pecvd工艺处于良好的受控状态2 使用范围适用于本公司单晶硅电池片的pecvd工序3. 责任 本工艺说明由技术部负责4. 内 容4.1工艺准备4.1.1 检查设备和pc上是否有故障显示（红色灯或/和红色点）；4.1.2 进入“process chamber”“recipe”，对照下面图片检查各工艺参数是否正确：4.1.3 如检查无问题，点击右侧中部的“pump”按钮，进入真空泵控制面板，在“process pump”下的按钮框里点“evacuate”按钮，启动工艺腔真空泵。几秒之后lc（上料腔）和ulc（下料腔）的“evacuate”按钮激活，点击这两个按钮，打开相应的真空

32、泵，开始抽lc和ulc。4.1.4 进入processparameters,把heater2和heater3的standby-temperature修改为400并保存；4.1.5 当真空腔压强降至一定时，heater2和heater3启动，当它们的温度均稳定在4003后，方可加载菜单、启动工艺。4.1.6 确认氨气和硅烷的气柜均已正确打开，确认后即可启动工艺。4.2 启动工艺4.2.1 在system或process里点“control”按钮，然后在下拉菜单里选择一个既定工艺；4.2.2 点load，加载参数，之后点start，启动工艺；4.2.3 点击下面transport里面的start，

33、启动传送带系统；4.2.4 待硅烷和氨气通入工艺腔，产生等离子体后，把carrier放入设备中运行两次，以消除carrier上附 着的水分和空气；4.2.5 去除carrier上的水分后就可以开始镀膜。4.3 装片卸片4.3.1 把硅片盒大面（附图1）朝下，用真空吸笔把硅片依次放入位于上料台的石墨框里，用挂钩（附图2）挂住；4.3.2 按传送带控制器上的“进板请求”按钮（附图3），把装满硅片的石墨框送入设备体内，并准备导入下一个空石墨框；4.3.3 待石墨框从设备体内出来、停止在下料台上后，用真空吸笔把下面镀好膜的硅片吸出（附图4），放入塑料盒内；4.3.4 待把所有硅片都卸下后，按石墨框传送

34、带控制器上的“出板请求”按钮（附图5），把空石墨框送入传送带，送至上料台一端。4.4 停止工艺4.4.1 在加工完所有硅片后或工艺运行过程中出现意外情况时，在control界面的recipe菜单里点stop，系统会谈出一个对话框，点击yes，即可停止工艺运行，然后在transport里也点击stop，停止传送带；4.4.2 若短时间内（1个小时内）还要继续工作，应让设备保持在这种待命状态；4.5 安全4.5.1 非pecvd生产、工艺和维护人员不得对设备进行操作、拆卸和改装。4.5.2 搬运石墨框时应戴防护手套。4.5.3 设备运行时禁止把手伸入马达中。4.5.4 设备运行时禁止接触电控柜中的

35、元器件。4.5.5 设备运行时禁止接触氨气和硅烷的管道。4.5.6 设备维护之前应确保设备已经充分冷却。5.引用文件 pecvd设备操作规程：sf/qd-设备-06 氮化硅薄膜检验工艺规程：sf/qd-工艺-15图1 硅片盒的大面和小面，装片时，应保持小面朝上、大面朝下图2 石墨框上的挂钩（圆圈圈住的部分）图3 传送带进口端控制器图4 下料台下片场景图5 传送带控制器出口端控制器丝网印刷工艺说明1.目 的：确保丝网印刷工艺处于稳定受控状态。2.适用范围：适用于太阳电池背电极、背电场、正面电极的印刷过程。3.责 任：本工艺说明由技术部负责。4.内 容：4.1背电极印刷、烘干4.1.1工艺流程4.

36、1.1.1根据丝网印刷设备操作规程，检查电、气等是否正常，打开设备并运行软件。4.1.1.2按工艺参数要求设印刷速度、反料速度、丝网间距、刮刀高度、印刷压力以及烘干温度（附图1）。4.1.1.3取出相应型号网版、刮刀和刮条，固定在丝网印刷机上（见附图2）。4.1.1.4用滚筒搅匀银铝浆，用工具将浆料倒在刮刀附近（注意不要使浆料从丝网中渗漏）（见附图3）。4.1.1.5装载电池片到承载盒中（见附图4）。4.1.1.6丝网印刷机自动运行，进行印刷和烘干，如发生故障，立即停止。4.1.2工艺参数对于270m系列的硅片: 对于240m系列的硅片:印刷速度 180200mm/s 印刷速度 180200m

37、m/s反料速度 400mm/s 反料速度 400mm/s丝网间距 -1350-1500m 丝网间距 -1300-1500m刮刀高度 -1100m 刮刀高度 -1070m印刷压力 60-65n 印刷压力 60-65n烘干温区温区1温区2温区3温区4烘干温度1201401601804.2铝背场印刷及烘干4.2.1工艺流程4.2.1.1根据丝网印刷设备操作规程，检查电、气等是否正常，打开设备并运行软件。4.2.1.2按工艺参数要求设印刷速度、反料速度、丝网间距、刮刀高度、印刷压力以及烘干温度（附图1）。4.2.1.3取出相应型号网版、刮刀和刮条，固定在丝网印刷机上（见附图2）。4.2.1.4用滚筒搅

38、匀铝浆，用工具将浆料倒在刮刀附近（注意不要使浆料从丝网中渗漏）（见附图3）。4.2.1.5丝网印刷机自动运行，进行印刷和烘干，如发生故障，立即停止。4.2.2工艺参数对于270m系列的硅片: 对于240m系列的硅片:印刷速度 180200mm/s 印刷速度 180200mm/s反料速度 400mm/s 反料速度 400mm/s丝网间距 -1250-1500m 丝网间距 -1200-1500m刮刀高度 -1000m 刮刀高度 -970m印刷压力 55-65n 印刷压力 55-65n烘干温区温区1温区2温区3温区4烘干温度1201401802004.3正面电极印刷4.3.1工艺流程4.3.1.1根

39、据丝网印刷设备操作规程，检查电、气等是否正常，打开设备并运行软件。4.3.1.2按工艺参数要求设置印刷速度、反料速度、丝网间距、刮刀高度、印刷压力以及烘干温度（附图1）。4.3.1.3取出相应型号网版、刮刀和刮条，固定在丝网印刷机上（见附图2）。4.3.1.4用滚筒搅匀银浆，用工具将浆料倒在刮刀附近，（注意不要使浆料从丝网中渗漏）（见附图3）。4.3.1.5丝网印刷机自动运行，进行印刷，如发生故障，立即停止。4.3.2工艺参数对于270m系列的硅片: 对于240m系列的硅片:印刷速度 180200mm/s 印刷速度 180200mm/s反料速度 400mm/s 反料速度 400mm/s丝网间距

40、 -1200-1400m 丝网间距 -1100-1400m刮刀高度 -900m 刮刀高度 -850m印刷压力 55-65n 印刷压力 55-65n4.4 附注 270系列硅片定义为27030m、28030m、31030m 240系列硅片定义为24030m、25030m4.5 工艺操作说明在丝网报废后的残留浆料可以回收使用，使用原则是：如果浆料干结发白，则该浆料作为废品处理；否则，将浆料另外装罐回收使用，在使用前需要用过滤网过滤碎片、异物。5 引用文件 丝网印刷设备操作规程：sf/qd-设备 -07 丝网印刷、烧结检验工艺规程 ： sf/qd-工艺 -16 丝网印刷工艺参数点检表5. 图1（根据工艺参数点检表设置相应的工艺参数）点击p出现图1.2对话框 在此对话框输入相应的工艺参数图1.2点击o出现图1.4对话框 图1.3在此对话框输入相应的工艺参数 图1.46.图2（安装相应型号网版、刮刀和刮条）安装前确认网版的型号，注意网版安装方向图2.1 图2.27.图3（使用滚筒搅匀浆料）静置时间超过1个 小时需要重新搅拌 搅拌铝浆，时间不少于2个小时图3.1 搅拌银浆和银铝浆时间不少于2个半小时静置时间超过半个小时需要重新滚拌图3.28.图4(装