(完整word版)半导体集成电路的可靠性设计

1、6.2 半导体集成电路的可靠性设计军用半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中，以预防为主、加强系统管理的 思想为指导，从线路设计、版图设计、工艺设计、封装结构设计、评价试验设计 、原材料选用、 软件设计等方面，采取各种有效措施，力争消除或控制半导体集成电路在规定的条件下和规定时 间内可能出现的各种失效模式，从而在性能、费用、时间（研制、生产周期）因素综合平衡的基 础上，实现半导体集成电路产品规定的可靠性指标。根据内建可靠性的指导思想，为保证产品的可靠性，应以预防为主，针对产品在研制、生产 制造、成品出厂、运输、贮存与使用全过程中可能出现的各种失效模式及其失效机理，采取有效 措施加以消

2、除控制。 因此， 半导体集成电路的可靠性设计必须把要控制的失效模式转化成明确的、 定量化的指标。在综合平衡可靠性、性能、费用和时间等因素的基础上，通过采取相应有效的可 靠性设计技术使产品在全寿命周期内达到规定的可靠性要求。6.2.16.2.1 概 述1.1. 可靠性设计应遵循的基本原则（1 1）必须将产品的可靠性要求转化成明确的、定量化的可靠性指标。（2 2）必须将可靠性设计贯穿于产品设计的各个方面和全过程。（ 3 3）从国情出发尽可能地采用当今国内外成熟的新技术、新结构、新工艺。（4 4）设计所选用的线路、版图、封装结构，应在满足预定可靠性指标的情况下尽量简化， 避免复杂结构带来的可靠性问题

3、。（5 5）可靠性设计实施过程必须与可靠性管理紧密结合。2.2. 可靠性设计的基本依据（1 1）合同书、研制任务书或技术协议书。（2 2）产品考核所遵从的技术标准。（ 3 3）产品在全寿命周期内将遇到的应力条件（环境应力和工作应力）。（4 4）产品的失效模式分布，其中主要的和关键的失效模式及其机理分析。（5 5）定量化的可靠性设计指标。（6 6）生产（研制）线的生产条件、工艺能力、质量保证能力。3.3. 设计前的准备工作（1 1）将用户对产品的可靠性要求，在综合平衡可靠性、性能、费用和研制（生产）周期等 因素的基础上，转化为明确的、定量化的可靠性设计指标。（2 2）对国内外相似的产品进行调研，

4、了解其生产研制水平、可靠性水平（包括产品的主要 失效模式、失效机理、已采取的技术措施、已达到的质量等级和失效率等）以及该产品的技术发 展方向。（3 3）对现有生产（研制）线的生产水平、工艺能力、质量保证能力进行调研，可通过通用和特定的评价电路，所遵从的认证标准或统计工艺控制（SPCSPC）技术，获得在线的定量化数据。4.4. 可靠性设计程序（ 1 1）分析、确定可靠性设计指标，并对该指标的必要性和科学性等进行论证。（2 2）制定可靠性设计方案。设计方案应包括对国内外同类产品（相似产品）的可靠性分析、 可靠性目标与要求、基础材料选择、关键部件与关键技术分析、应控制的主要失效模式以及应采 取的可靠

5、性设计措施、可靠性设计结果的预计和可靠性评价试验设计等。（ 3 3）可靠性设计方案论证（可与产品总体方案论证同时进行）。（4 4）设计方案的实施与评估，主要包括线路、版图、工艺、封装结构、评价电路等的可靠性 设计以及对设计结果的评估。（5 5）样品试制及可靠性评价试验。（6 6）样品制造阶段的可靠性设计评审。（7 7）通过试验与失效分析来改进设计，并进行“设计试验分析改进”循环，实现产品 的可靠性增长，直到达到预期的可靠性指标。（8 8）最终可靠性设计评审。（ 9 9）设计定型。 设计定型时， 不仅产品性能应满足合同要求， 可靠性指标是否满足合同要求 也应作为设计定型的必要条件。6.2.26.

6、2.2 集成电路的可靠性设计指标1.1. 稳定性设计指标 半导体集成电路经过贮存、使用一段时间后，在各种环境因素和工作应力的作用下，某些电 性能参数将逐渐发生变化。如果这些参数值经过一定的时间超过了所规定的极限值即判为失效， 这类失效通常称为参数漂移失效，如温漂、时漂等。因此，在确定稳定性设计指标时，必须明确 规定半导体集成电路在规定的条件下和规定的时间内，其参数的漂移变化率应不超过其规定值。 如某 CMOSCMOS 集成电路的两项主要性能参数功耗电流I IOD 和输出电流 I IOL、I IOH 变化量规定值为：在125125C环境下工作 2424小时， l lOD小于500mA500mA

7、;在125125C环境下工作2424小时，IOL、IOH变化范围为土 2020%。2.2. 极限性设计指标 半导体集成电路承受各种工作应力、环境应力的极限能力是保证半导体集成电路可靠性的主 要条件。半导体集成电路的电性能参数和热性能参数都有极限值的要求，如双极器件的最高击穿 电压、最大输出电流、最高工作频率、最高结温等。极限性设计指标的确定应根据用户提出的工 作环境要求。除了遵循标准中必须考核的项目之外，对影响产品可靠性性能的关键极限参量也应 制定出明确的量值，以便在设计中采取措施加以保证。3.3. 可靠性定量指标 表征产品的可靠性有产品寿命、失效率或质量等级。若半导体集成电路产品的失效规律符

8、合 指数分布时，寿命与失效率互为倒数关系。通常半导体集成电路的可靠性指标也可根据所遵循技术标准的质量等级分为S S级、B B级、B1B1级。4.4. 应控制的主要失效模式半导体集成电路新品的研制应根据电路的具体要求和相似产品的生产、使用数据，通过可靠 性水平分析，找到可能出现的主要失效模式，在可靠性设计中有针对性地采取相应的纠正措施， 以达到控制或消除这些失效模式的目的。 一般半导体集成电路产品应控制的主要失效模式有短路、 开路、参数漂移、漏气等，其主要失效机理为电迁移、金属腐蚀、静电放电、过电损伤、热载流 子效应、闩锁效应、介质击穿、a辐射软误差效应、管壳及引出端锈蚀等。6.2.36.2.3

9、 集成电路可靠性设计的基本内容1.1. 线路可靠性设计 线路可靠性设计是在完成功能设计的同时，着重考虑所设计的集成电路对环境的适应性和功 能的稳定性。半导体集成电路的线路可靠性设计是根据电路可能存在的主要失效模式，尽可能在 线路设计阶段对原功能设计的集成电路网络进行修改、补充、完善，以提高其可靠性。如半导体 芯片本身对温度有一定的敏感性，而晶体管在线路达到不同位置所受的应力也各不相同，对应力 的敏感程度也有所不同。因此，在进行可靠性设计时，必须对线路中的元器件进行应力强度分析 和灵敏度分析（一般可通过 SPICESPICE 和有关模拟软件来完成） ，有针对性地调整其中心值，并对其 性能参数值的

10、容差范围进行优化设计，以保证在规定的工作环境条件下，半导体集成电路整体的 输出功能参数稳定在规定的数值范围，处于正常的工作状态。线路可靠性设计的一般原则是：（1 1）线路设计应在满足性能要求的前提下尽量简化；（ 2 2）尽量运用标准元器件， 选用元器件的种类尽可能减少， 使用的元器件应留有一定的余量， 避免满负荷工作；（3 3）在同样的参数指标下，尽量降低电流密度和功耗，减少电热效应的影响；（4 4）对于可能出现的瞬态过电应力， 应采取必要的保护措施。 如在有关端口采用箝位二极管 进行瞬态电压保护，采用串联限流电阻限制瞬态脉冲过电流值。2.2. 版图可靠性设计 版图可靠性设计是按照设计好的版图

11、结构由平面图转化成全部芯片工艺完成后的三维图像， 根据工艺流程按照不同结构的晶体管（双极型或 MOSMOS 型等）可能出现的主要失效模式来审查版 图结构的合理性。如电迁移失效与各部位的电流密度有关，一般规定有极限值，应根据版图考察 金属连线的总长度，要经过多少爬坡，预计工艺的误差范围，计算出金属涂层最薄位置的电流密 度值以及出现电迁移的概率。此外，根据工作频率在超高频情况下平行线之间的影响以及对性能 参数的保证程度，考虑有无出现纵向或横向寄生晶体管构成潜在通路的可能性。对于功率集成电 路中发热量较大的晶体管和单元，应尽量分散安排，并尽可能远离对温度敏感的电路单元。3.3. 工艺可靠性设计 为了

12、使版图能准确无误地转移到半导体芯片上并实现其规定的功能，工艺设计非常关键。一 般可通过工艺模拟软件 （如 SUPREMSUPREM 等）来预测出工艺流程完成后实现功能的情况， 在工艺生产 过程中的可靠性设计主要应考虑：（ 1 1）原工艺设计对工艺误差、工艺控制能力是否给予足够的考虑（裕度设计），有无监测、监控措施（利用 PCMPCM 测试图形） ；（2 2）各类原材料纯度的保证程度；（3 3）工艺环境洁净度的保证程度；（4 4）特定的保证工艺，如钝化工艺、钝化层的保证，从材料、工艺到介质层质量（结构致密 度、表面介面性质、与衬底的介面应力等）的保证。4.4. 封装结构可靠性设计 封装质量直接影

13、响到半导体集成电路的可靠性。封装结构可靠性设计应着重考虑：（ 1 1）键合的可靠性， 包括键合连接线、 键合焊点的牢固程度， 特别是经过高温老化后性能变 脆对键合拉力的影响；（ 2 2）芯片在管壳底座上的粘合强度， 特别是工作温度升高后， 对芯片的剪切力有无影响。 外，还应注意粘合剂的润湿性，以控制粘合后的孔隙率；（3 3）管壳密封后气密性的保证；（4 4）封装气体质量与管壳内水汽含量，有无有害气体存在腔内；（ 5 5）功率半导体集成电路管壳的散热情况；（6 6）管壳外管脚的锈蚀及易焊性问题。5.5. 可靠性评价电路设计 为了验证可靠性设计的效果或能尽快提取对工艺生产线、工艺能力有效的工艺参数

14、，必须通 过相应的微电子测试结构和测试技术来采集。所以，评价电路的设计也应是半导体集成电路可靠 性设计的主要内容。一般有以下三种评价电路：（1 1）工艺评价用电路设计 主要针对工艺过程中误差范围的测定，一般采用方块电阻、接触电阻构成的微电子测试结构 来测试线宽、膜厚、工艺误差等。（2 2）可靠性参数提取用评估电路设计针对双极性和 CMOSCMOS 电路的主要失效模式与机理，借助一些单管、电阻、电容，尽可能全面 地研究出一些能评价其主要失效机理的评估电路。（3 3）宏单元评估电路设计针对双极型和 CMOSCMOS 型电路主要失效模式与机理的特点， 设计一些能代表复杂电路中基本宏 单元和关键单元电

15、路的微电子测试结构，以便通过工艺流程研究其失效的规律性。6.2.46.2.4 可靠性设计技术可靠性设计技术分类方法很多，这里以半导体集成电路所受应力不同造成的失效模式与机理 为线索来分类，将半导体集成电路可靠性设计技术分为：（ 1 1）耐电应力设计技术： 包括抗电迁移设计、 抗闩锁效应设计、 防静电放电设计和防热载流 子效应设计；（2 2） . .耐环境应力设计技术：包括耐热应力、耐机械应力、耐化学应力和生物应力、耐辐射 应力设计；（3 3）稳定性设计技术：包括线路、版图和工艺方面的稳定性设计。 在下面几节将对这些技术进行详细阐述。6.2.56.2.5耐电应力设计技术半导体集成电路所承受过高电

16、应力的来源是多方面的，有来自于整机电源系统的瞬时浪涌电 流、外界的静电和干扰的电噪声，也有来自于自身电场的增强。此外，雷击或人为使用不当(如 系统接地不良，在接通、切断电源的瞬间会引起输入端和电源端的电压逆转)也会产生过电应力。过电流应力的冲击会造成半导体集成电路的电迁移失效、CMOSCMOS器件的闩锁效应失效、功率集成电路中功率晶体管的二次击穿失效和电热效应失效等；过电压应力则造成绝缘介质击穿和热载流 子效应等。1.1. 抗电迁移设计电迁移失效是在一定温度下，当半导体器件的金属互连线上流过足够大的电流密度时，被激 发的金属离子受电场的作用形成离子流朝向阴极方向移动，同时在电场作用下的电子通过

17、对金属 离子的碰撞给离子的动量形成朝着金属模阳极方向运动的离子流。在良好的导体中，动量交换力 比静电力占优势，造成了金属离子向阳极端的净移动，最终在金属膜中留下金属离子的局部堆积(引起短路)和空隙(引起开路)。MOSMOS和双极器件对这一失效模式都很敏感，但由于 MOSMOS器 件属于高阻抗器件，电流密度不大，相对而言，电迁移失效对MOSMOS器件的影响比双极器件小。在各种电迁移失效模型中引用较多的为下式MTFMTF =AW=AWPL LqJ J-nexp(exp(Ea)( 6.16.1)kT式中，MTFMTF是平均失效时间，A A、p p、q q均为常数，W W是金属条线宽，L L是金属条厚

18、度，J J是电流 密度，n n般为2 2，E Ea为激活能，k k是玻尔兹曼常数，T T是金属条的绝对温度。为防止电迁移失效，一般采取以下设计措施：(1) 在铝材料中加入少量铜(一般含2 24 4%重量比)，或加入少量硅(含 0.3%0.3%重量比)，或在铝条上覆盖Al-CuAl-Cu合金。含铜的铝膜电迁移寿命是纯铝膜的4040倍，但在高温下铜原子在电场作用下会迁移到PNPN结附近引起PNPN结劣化。(2) 在铝膜上覆盖完整的钝化膜。(3) 降低互连线中的电流密度。对于互连线厚度大于0.80.8卩m m、宽度大于 6 6卩m m的电流密度设计容限一般规定如下：有钝化层的纯铝合金条，电流密度J

19、JW 5 5X 10105A/cmA/cm2;无钝化层的纯铝或铝合金条，J108105 106107双极线性电路1012 101310332 X 103105106108I2L13（1 5） X 10103 104104 105107107108ECL1 X 1015105/106/CMOS/SOS1 X 1015 1 X 101621X 102104 105108 109/CMOS1 X 10151X 102104 105106107108NMOS1 X 10151 X 10102103 105/半导体集成电路的辐射损伤阈值一般要求达到：耐中子辐射能力大于101014中子/cm/cm2;耐电

20、离辐射能力1 1 x 101051 1X 10106拉德（SiSi）;耐瞬时辐射能力1 1 x 10109拉德（SiSi）。（2 2）双极型半导体集成电路耐辐射加固措施采用介质隔离。与 pnpn结隔离相比。它可使电路的耐瞬间辐射能力提高一个数量级以上；平衡和补偿光电流。一般采用掺金TTLTTL工艺和肖特基钳位 TTLTTL工艺（STTLSTTL ）均有较好的耐辐射能力；提高耐中子和电离辐射的能力，尽可能提高晶体管的电流增益；对高剂量率的光电流需加以限制；减小元器件的几何尺寸，以相应减小有源器件和寄生元件的尺寸；尽量提高半导体集成电路的工作速度。双极型线性半导体集成电路，由于采用了横向pnppn

21、p晶体管，超增益晶体管和低的工作电流，对中子辐射和电离辐射的灵敏度都比较高，会引起各种运算放大器参数的显著变化，其辐射损伤 的阈值低。双极型器件加固工艺难度较大，常见的方法除了采用以上加固措施外，还应对半导体集成电 路各工艺（如氧化、退火和金属化互连线沉积）的工艺条件实施精确控制，并努力做好表面钝化 膜，沉积的各种膜都必须使之结构致密、完整。（3 3）CMOSCMOS半导体集成电路的耐辐射加固措施军用CMOSCMOS电路耐辐射加固设计的主要问题是电离辐射效应。为了提高电离辐射损伤阈值， 可采用下面一些加固工艺，使CMOSCMOS电路抗电离辐射损伤阀值提高一个数量级以上。采用低温氧化工艺，如85

22、85C HCIHCI水蒸气氧化、8585C下氮气退火等，栅氧化层厚度可为 70nm70nm； p p+区用离子注入，在 8585C下退火；低温扩散，n n+区扩散温度可用 950950 C；用电子束蒸发铝，蒸发源用氮化硼坩锅。（4 4）封装结构及材料的选择封装材料、半导体集成电路芯片保护膜材料以及金属化互连线材料，应选择有良好抗辐射性 的材料。（5 5）线路设计中的耐辐射设计在线路设计上，要用限流电阻防止过大的瞬时过电流，可用反向二极管来抵销部分光电流， 还可以采用适当的退耦、旁路、滤波和反馈等措施来抵消辐射产生的不良影响。4.4.耐软误差效应设计（1 1）软误差在构成半导体集成电路的材料中，

23、特别是在封装材料中，都会含有一定的放射性物质，如铀、钍等，这些放射性物质所产生的a射线照射到芯片表面，特别是照射到存贮器件上产生的最大能量为9MeV9MeV平均为5MeV5MeV。当a粒子能量为5Me5MeV V时，约产生1.41.4 x 10106电子空穴对。以 MOSRAMOSRA为 例，这些电子空穴对在器件体内以扩散方式运动，空穴移向衬底，电子被贮存势阱收集，从而使 MOSRAMMOSRAM中存贮信息从“ 1 1 ”状态转变为“ 0 0”，丢失了信息“ 1 1 ”。这就发生了暂时性的误动作，但 在下次写入时仍能正常工作。它在器件结构上并不留下任何缺陷（硬错误），它也不是完全随机地重复发生

24、，所以把这种错误动作叫做软错误或软错误率（SER,SER, SoftSoft ErrorError RateRate）。各种材料中放射性元素含有量和 a射线流量率见表6.56.5。表6.5各种材料中放射性元素含有量和a射线流量率材料名称U含有量（ppb）Th含有量（ppb）a射线流量（个/cm2 H）沉积用铅24陶瓷（B公司）800900.07陶瓷（A公司）9805700.10硅（C公司）20200.002聚酰亚胺（D公司）0.40.2硅石（E公司）47011700.16硅石（F公司）150550.037注：射线流量率个/cm2.H是指每小时1cm2入射的a射线数（2 2）控制软误差效应的措施

25、降低软误差效应的方法主要有：设法提高材料纯度，杜绝a射线发射源；芯片表面涂敷阻挡 a射线保护层；在器件设计方面应考虑防止电子-空穴对在有源区聚集；在电路和系统方面设法 采用纠错电路。具体措施如下:用聚酸胺等有机高分子化合物覆盖芯片表面，作为保护层减弱a粒子射入芯片的能量；减少电子和空穴寿命，如用 101016cmcm2中子辐照，可使16K16K DRAMDRAM的软误差率改善5050倍； 采用抗噪声能力强的电路，如折叠位线方式等；增加单位面积的电荷存贮容量，如采用介电常数大的材料；在器件衬底表面附近设置势垒，防止电子或空穴扩散到有源区域。如在表面下面形成高浓度P P型埋层，增加直接位于存贮节点

26、下面的P P型掺杂浓度；减少位线电压浮动时间。5.5.耐化学应力与生物应力设计半导体集成电路产品有可能在比较恶劣的气候环境中贮存、运输和使用。在气候环境的诸因素中，潮湿、盐雾和霉菌是最常遇到而且影响最明显的破坏因素。它对半导体集成电路能起到加速化学腐蚀与生物腐蚀的作用。对这三方面的防护性设计通常称为“三防”设计。（1 1）防潮设计潮湿气候实际上是湿度和温度形成的复杂环境。这种环境对电子产品的可靠性危害很大，必须从原材料选择、结构改进和工艺等方面采用防潮措施：在满足性能的前提下，尽量采用吸湿性小并在湿热环境中性能稳定的材料；当设计两种金属材料直接接触时，应尽量选择电极电位接近的材料，一般应小于0

27、.5eV0.5eV ,以防电化学腐蚀的产生。部分金属的耐腐蚀性能见表6.66.6。对防潮性能要求较高的器件应设计密封外壳，内部抽真空或充以保护气体。表6.6部分金属的耐腐蚀性能类别材料名称耐腐蚀性能奥氏体形不锈钢（18 - 8型镍铬钢）材料十分稳定，不须任何保护层，可用于1贵重金属（金、铂、铑、铯等）较严酷的大气条件2铁素体和马氏体型不锈钢（铬铜和铜合金纯铝、铝镁、铝镁硅等合金钛镍、银、锡、铅及其合金73型不锈钢）材料耐腐蚀好，在一般大气条件（指不含 工业污秽物和盐雾的室内外）不需要保护 层，但在严酷大气条件下需要加保护层3碳钢、低合金钢和灰铸铁等铝硅、铝钢等合金锌和锌合金材料耐腐蚀性差，在一

28、般大气条件下要加保护层（2 2）防霉设计半导体集成电路使用的材料中如果含有霉菌生长的营养成分时，在潮湿条件下会促进霉菌生 长繁殖。器件表面长霉后，会造成漏电，绝缘电阻下降。当绝缘材料生霉达3 3级时，绝缘电阻下降100100倍，抗电强度降低 6565%。霉菌代谢物中的酸性物质对器件的结构材料具有腐蚀作用。进行防霉设计时应考虑以下三个方面：防霉设计要与防潮设计结合考虑，如优选三防涂料（见表6.76.7 ）;尽量选用防霉性能良好的材料；设计良好的防霉使用环境，应尽量控制温度、湿度，并保持空气流通，必要时定期用紫外 线消毒。（3 3）防盐雾设计海浪拍击碎石而飞溅的水沫构成雾状进入空气，这种悬浮在空气

29、中的气化雾状微粒称为盐雾。它可以随风飘入沿海地区，其主要成分为NaCINaCI （占77.8%77.8%）, ,其余为MgCbMgCb （占10.9%10.9%）、MgCOMgCOCaSQCaSQ等。盐雾在物体表面并溶于水中，在一般的温度下就能对半导体集成电路材料、结构件等产生腐蚀作用，使表面、接点处变糙而降低可靠性。防盐雾设计技术要求如下：必须使半导体集成电路同盐雾环境隔离开来，一般采用加密封装/ /罐装或涂复等办法；在半导体集成电路表面上形成金属保护镀层，可采用电镀、热浸、化学和电化学等方法涂敷。镀层厚度有一定要求，但并非越厚越好，推荐的防护镀层的厚度见表6.86.8。表6.96.9为电镀

30、和化学涂覆层的特性和用途。表6.7三防优选涂料名称性能特点与用途锌黄过氯乙烯-氯化橡胶底漆具有良好的耐湿热、耐盐雾、耐人工海水及蒸馏水等性能。与钢、 镁合金有良好的附着力，适用于湿热环境及海洋性气候条件。铝合金、过氯乙烯-氯化橡胶三防清漆具有良好的防霉（0级）、耐湿热、耐盐雾、耐人工海水的性能，有一定的 耐化学腐蚀性能，并有良好的机械性能，适用于湿热、海洋性气候及高湿隔 离热涂层表面防护。各色过氯乙烯-氯化橡胶三防磁漆具良好的防霉（0级）、耐湿热、耐盐雾、耐人工海水的性能，有一定的耐化学腐蚀性能。适用于湿热、海洋气候条件的钢、铝合金、镁合金表面涂覆。各种丙烯酸磁漆有较好的三防性能。漆膜光亮、保

31、光、保色性好。适用于仪器、仪表的金属 表面装饰防护。电机灰聚氯酯漆有较好的三防性能及优良的耐磨性能，与金属材料、塑料有良好的附着力， 可用作三防电机、电器保护装饰涂料。有机硅改性聚氨酯三防涂料有良好的三防性能和绝缘性能，适用于电子、电器等的金属印制电路板，元器件的三防处理。.聚氨酯清漆有良好的三防性能和绝缘性能，工艺性能好、价格低廉、适用于印制电路板、 元器件的三防处理。表6.8推荐的防护镀层厚度镀层推荐厚度（卩m）基材材料名称气候环境严重度I （腐蚀重）气候环境严重度II （腐蚀中）气候环境严重度III （腐蚀轻）气候环境严重度IV （一般海洋）单层暗镍202515 2071020 25单层

32、亮镍202515 2071020 25镍化学镀20铜Ni 20 25Ni15 20Ni 7 10Ni 20 25多层亮铬Cr 0.3 1Cr 0.3 1Cr 0.3 1Cr 0.3 1及铬多层暗铬Ni 20 25Ni15 20Ni 7 10Ni 20 25Cr 0.3 1Cr 0.3 1Cr 0.3 1Cr 0.3 1铜亮镀银152015 20710银镀银层无光152015 20710合黑化金金镀金Ag 2 3Ag 2 3Ag 1 2Ag 2 3Au 5 7Au 2 3Au 1 2Au 5 7锡参照钢铁镀层锌镀暗锌 镀锌彩红色 钝化镀锌军绿色 钝化30 3530 35

33、30 3515 2015 2030 3571171015 2030 3530 3530 35镀暗镉镀彩虹镉25 3015 2071030 40镉钝化25 3015 2071025 3025 3020 3015 2025 30镀铜预镀钢镀黄铜Cu Cr Ni 15 20Cu Cr Ni 7 10Cu Cr Ni 7 10Cu Cr Ni 20 25铜Cu 2 5C25Cu 2 5Cu 2 5总2025总1015总1015总2530Cu 3035Cu 1020Cu 1015Cu 2535多层镀亮镍Ni1520Ni 10 15Ni 5 10Ni1520总4050总1520总1530总4045镍Cu

34、2530Cu 1520Cu 1015Cu 3035多层镀暗镍Ni1520Ni 10 15Ni 5 10Ni1520总3540总3035总1520总4050Cu 3 5Cu 3 5铁Sn 1520Sn 1215总2025总1520锡镀热熔锡Cu 1520Cu 7 10Sn 3 5Sn 3 5总2025总1015表6.9电镀和化学涂覆层的特性和用途涂覆层种类特性和用途热浸锡铅焊料热浸锡铅合金，厚度为 2040卩m,易焊接，用于零件局部焊接.铜及其合金氧化成黑色提高金属的表面稳定性，导电率并不显著降低。铜及其合金钝化提高金属的表面稳定性，导电率并不显著降低，有装饰性。铝及其铝合金无氧化成亮绿色加工方法简单、氧化膜较薄、呈虹彩色，