单轴和双轴线性磁场传感器中文资料

1、Honeywell況阳单片机廿吹网HA价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。Honeywell价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。Honeywell单轴和双轴磁传感器HMC1001/1002HMC1021/1022这类磁阻传感器按4元件惠斯 顿电桥配置，它将磁场转换成 差分输出电压.并能传感强度 低至30卩高斯的磁场。这类磁 阻传感器为低磁场传感提供一 种小型、低成本、岛乂敏度、 可靠的解决方案。价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。Honeywell价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。Hone

2、ywell特点与利益不是实际尺寸价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。Honeywell价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。Honeywell磁场范围宽封装尺寸小磁场范国高至6高斯(地磁场=0.5高斯)设计成单轴和双轴.可组合在一起工作.从而提供3轴(xy. z)传感单轴传感器,封装在8针SI域8针SOIC,或陶瓷8针DIP内双轴传感器.封装在16针或20针SOIC封装内固态这类小型装置.相比于机械磁通门.大大降低了装配成本.并提高了可靠性和耐 用性。片装线圈几仃专利的集成宣位/复位帯，可附低温度漂移效应、非线性涙差和山高磁场 的存在，导致的输

3、出信号的丢失。H旳专利的集成偏貫带，町消除皎铁干扰的影晌.价格便宜这类传感器经专门设计.对人批最的OEM应用,价格合适。线性磁场传感器HoneywellHMC1001/1002技术规格特性条件最小值典型值最大值单位电桥电源(4)电桥电压，参照于接地电压512伏特电桥电阻电桥电流=10mA6008501200欧姆工作温度(4)-40125C贮存温度(4)未加偏压的55125C磁场范围(2X4)满最程(FS),总外加磁场-2+2高斯线性谋墨(1 )(2X4)(25。(？时)最符合肖线1高斯2高斯010.52%满虽程滞后谋(1 )(2X4)25C时2高斯Z间扌描3次0.0500%满虽程可重复性谋至(

4、1)(2)(4)25C时2高斯之间打描3次0.0500%满虽程S/R可重复性(1)S/R可重复性(2)在改变S/R脉冲后输出冇变化210100RV电桥偏誉偏握n输出+)(输出)，在耗位脉冲后磁场=0高斯，V电桥=8V-60-1530mV灵敏度(1X2)在I偏K=50mA时，V电桥=8V2.53.24.0mV/V/高斯噪声密度(4)在1Hz, V电桥=5V时的噪声29nV/Hz分辨率(4)带宽=10Hz, V电桥=5V27卩高斯带宽(4)磁信巩下限二DC)5MHzOFFSET(偏世)带从OFFSET+至OFFSET-之间进行测虽2.53.5欧姆OFFSET(偏置)电阻温度系数(4)TA=-40

5、至 125%：3900ppm/COFFSET(偏助磁场(4)以敏感方向外加的磁场465156mA/高斯置位/复位带从S/R+至S/R-ZM测虽1.51.8欧姆置位/复位电流(3)(4)2 |is电流脉冲3.03.25Amp干扰磁场(4)尺敏度开始降低，便用S/R脉冲來恢复灵敏度3高斯灵敏度温度系数(4)TA=-40 至 125CV 电桥=8VI电桥=5mA-2800-3000-6003200ppm/C电桥偏世温度系数(4)TA=-40至125C无置位/复位I电桥=5mA有直位/奴位30010ppm/C电阳温度系数(4)V电桥=8V,40至1252500ppm/C垂直轴线效应(4)垂直磁场=1高

6、斯无代位/复位有置位/复位30.5%满厳程垠大邸歸磁场(4)在零读数时无发烫效应100高斯fifi：HMC1001HMC1002040.53gram(1) V电桥=43V IS/R=32A, T=25C, V输国位V奴位(2) 如果ViU桥=8.0V, IS/R=20A, T=25C,则S/R电流愈低导致的输出变化血人(3) 电流的有效电流小I 1mA(4) 空产过程中不进行测试，通过产品特性予以保证单位：1 高斯(g)=lOe(空气中),=79.58A/m, 1G=1O3特斯拉，1G=IO5 伽马(gamma)HMC1021/1022技术规格特性条件最小值典型值最大值单位电桥电源电桥电压，参

7、照丁接地电压512伏特电桥电阻电桥电流=5n)A80011001300欧姆丁作温度(1)HMC1021S, 1021Z, 1022HMC1021D*-40-40125300*C贮存温度(1)未加偏压的-55125C徹场范S(D淌塑程(FS),总外加磁场6+6高斯线性谋差(1)(25C时)最符介直线1拓斯3高斯6高斯0.050.41.6%满吊:程滯后误基25C时3高斯之间扫描3次0.08%满啟程可重复性误差(1)25C时3高斯之间扫描3次0.08%満虽程电桥偏代偏置珂输出+)(输出)，在设定脉冲后磁场=0高斯,V电桥=5V102.5-10n）V灵敏度在V电桥=5V时0.81.01.2mV/V/r

8、j 斯嗓声密度在1Hz, V电桥=5V时的噪声48nV/Hz分辨率(1)带宽=10Hz, V电桥=5V85A高斯带宽(1)檢信号(下限=DC)5MHzOFFSET（偏置）带从OFFSET+至OFFSET-Z间进疔测呈405060欧姆OFFSET(偏遇)电阻温度系 数TA=-40 至 125C3900ppnVCOFFSET(偏助磁场以敏機方向外加的磁场4.04.66.0mA/高斯置位/复位带从S/R+至S/R-Z间测呈67.79欧姆置位/笈位电流2 ps电流脉冲0.50.54.0Amp干扰磁场(1)灵敏度开始降低，使用S/R脉冲來恢父灵敏度20高斯灵敏度温度系数(1)TA=-40 至 125弋V

9、 电桥=5VI电桥=5mA-2800-3000-6003200ppm/C电桥偏左温度系数(1)TA=40至125无置位/复位I电桥=5mA冇迎位/复位50010ppin/C电阳温度系数(1)V 电桥=8V, 40 至 1252500ppm/C重直轴线效应(1)垂直磁场=1高斯外加磁场=1高斯+0.3%满试程最大暴露磁场(1)在零读数时无发烫效应200高斯覽仞复位S/R 电流R.5A30mv HTMC1021D的技术规格请参阅数据表(1)在生产过程中不进行测试，通过产品特性卩以保证单位:1 高斯(G)=lOe(空气中),lG=79.58A/m,lGKT4特斯拉.go5伽马线性磁场传感器Honey

10、well线性磁场传感器Honeywell主要性能数据在汽位或复位后传感器输岀与磁场强度曲线输出在磁场强度范围20 Oc内可重复时传感器输岀对磁场强度曲线.1021/1022s 、Vb=5VJ* 、K/一友位、 、i氓位X12次打描、丿i-j、-2-1012 陞场(Oe)1000 n(ZHWAU)幕也蟹1021/1022Vb=5V、1 ft 1 ft ft 1 111 a 1 ft i I a111 ft ft aai i i a i传感器噪声对频率曲线频率(Hz)100：10巳1000I400130011001000温度(C)100900刃 25(裁逐)衽哥1 1021/102.、Vb=5V、

11、111ft502S0255075 IM 125温度(C)玄位/复位脉冲变化效应推荐2psec(微秒)的脉冲持续时间，S/R电压24V供电电压恒定时灵敏度对温度曲线1 g.87 oo.o(3A、AE)谊主厲1所仃型号Vb=5V/电桥电阻对温度曲线1200世位/复位电压(V)线性磁场传感器Honeywell封装/引脚技术规格线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器HoneywellHMC1002-双轴MR（磁阻传感器）微电路HMC1001-单轴MR微电路线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器HoneywellGND1 (A) 1CUT* (A) 2OFFSET- (A) 3VbndQ

12、e (A) 4OUT- (A) 9GND2 (A) 6&R- (B) 7GND1 (B)Out* (B) 9 OFFSETB) IQ20 S/R- (A)NC1S GND PLN17 OFFSET (*A)1 S/R* (A)15 OFFSET* (B)14 S/R* (B)13 GND2 (B)12 OUT-(B)ii vonoge(6)S/R* 1OFFSET* 2S/R 3 DieGND 4rnOut* 5OFFSET- 6 Vbndge 7 Out- 8线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器HoneywellHMC1022-双轴MR电路HMC1021S-单轴MR电路线性磁场传感

13、器Honeywell线性磁场传感器HoneywellOFFSET- (A) OUT* (A) VBRIDGE (A) OUT- (A) OUT- (B) VBRIDGE (B) GND (A) S/R- (B)16 OFFSET* (A)15 S/R(A)14 S/R(A)13 GND (B)12 OUT* (B)11 OFFSET- (B)10 OFFSET* (B)9 S/R(B)OUT* VBRIDGE GND OUT-HMC1021S8 OFFSET-7 OFFSET*6 S/R-5 S/R*线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器HoneywellHMC1021D-单轴MR电路

14、HMC1021Z-单轴MR电路线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器HoneywellOUT+ VBRIDGE GND OUT-8 OFFSET-7 OFFSET+6 S/R-5 S/R+OUT- VBRIDGE S/R* GND S/R- OFFSET* OFFSET- OUT箭头指示外加磁场的方向.在SET（置位）脉冲后会产生一个正输出电压线性磁场传感器HoneywellMX3.5D基本的设备操作 布尼韦尔磁阻传感器是简单的电阻电桥设备（图1） 只需要一个供电电压便可测量磁场。“10-10伏的电 压连接到桥路上时，传感器开始测帚轴线内的环境 磁场或施加磁场。除了电桥电路外，传感器的

15、芯片 上冇两个磁耦合的电流带偏置电流带和置位/复位 电流带.这些电流带是霍尼韦尔的专利.它省左了 外部加装线圈的需要。图1 芯片上的元件（HMC1001）磁阻传感器是由在硅圆片上电积的一个薄层探铁 （或称坡夷介金.或钦铁导磁合金）薄膜制成，并伯 置成一个电阻带。心在施加磁场时.电桥电阻的变 化使电压输出产生相应的变化。通常施加在薄膜侧的外部磁场.使俺力线产生旋 转，并改变其角度，这乂使电阻值发生变化（ARR）, 并造成惠斯通电桥的电压输出的变化。这种探诙电 阳的变化被称作磁阻效应.它直接与电流的方向和 磁化矢杲有关.制造过程中敏感轴（磁场方向）被设且为沿薄肢氏 度的方向.这样可使施加在钦铁薄膜

16、的磁场.导致 电阻值的最人变化。但是.沿敏感轴的强磁场（丿、J- 10高斯）的影响,会扰乱或翻转薄膜磁化的极性, 改变传感器的特性。什对这样的扰动磁场，为了恢 复或置位传感器的特件.必须短种地施加一个强的 恢复磁场，这种做法被称作施加置位脉冲或复位脉 冲。电桥输出信号的极性取决J：此内部薄膜的应化 方向，并且与零磁场输出相对称。当直流电流在偏置电流带内通过时偏置电流带允 许多种工作模式。可减去不必耍的幽场可将电桥偏迓设宣为0电桥输出可驱动偏置电流带.來消除闭坏配置内 的测鼠磁场 1、到命令时.桥路增益可在系统内自动校准。置位/复位（S/R）电流帯可以用高电流进行脉动.从 而达到以下目的：强迫传

17、感番以高乂敏度模式1作翻转输出响应曲线的极性在正常工作期间进行循环，以提高线性度，减少 垂直轴的影响和温度影响图2内显示的输出响应曲线说明S/R脉冲的影响。置位电流脉冲（I 位）被加到SR+引脚上时，输 出按.姒正斜率线作出响应。为复位电流脉冲（Is） 被加到SR引脚上时，输出按照反斜率线作出响I 除两个偏置影响Z外，这些曲线是原始脉冲的镜 像。在垂fl轴向上，图2内显示的电桥偏置约为-25m 这是由制造过程中电阻匹配不当造成的。这种偏 宣可通过多种方法调整为寒。垠点接的方法是在电 桥的端上加个分流（并联）电阻.强迫两个输出 的电压相同。这必须在咨磁场环境卜进行，通常在 零高斯室内进行.图2内

18、显示的水平方向的偏宣在此被称作外部偏 置“这可能是由附近的金屈物体.或者不希盥冇 的磴场.于扰了被测磁场而造成的。偏豐电流带 内的直流电流可以将此偏置调整为0。也对以使川 比他的方法.如屏蔽不必要的磁场.将外部偏置调 整为0。置位/复位脉冲形成的输出响应曲线可以反 映出这两种偏置。图2输出电压与施加磁场的对比线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器Honeywell噪音特性图3所示为典型磁阻(MR)传感器的噪音密度曲线。1/f斜率几仃接近10Hz的角频率，并变平到3.8 nV/Hz.这约等同于一个850Q电阻的约翰逊噪音 (白噪音)一典熨的电桥电阻。卄耍使图3内的噪音 密度电压与噬场发生

19、关系.则要使川卜列农达式：对J：V伕电=5V和乂敏度=3.2mV/V/高斯,电桥输出响应= 或16 m7高斯16高斯1Hz时的噪音密度*相当J30nV/pHz1.8p 高斯/Hz对噪音成分.使用卜列表达式:1/f 噪音(0.110Hz)=30 (ln(10/.l)nV64nV (rms)4p 高斯(rms)斯(p-p)111 噪,V(BW=lkHz)=3.8*BWnV120 nV (rms)50p 高斯(p-p)1000 IOHB MB 中的位置固定,则汽车对地球磁场的影响可以近似 地看作为此磁场内的位移.或者偏置。如果此偏置 町以确定，那么利用偏置电流带施加一个相同的II. 相反的磁场可以进

20、行补偿。偏置电流带的另-种用 途是可以骡动电流通过电流带.将粘:确地抵消测 磁场。这被称作闭环结构，电流反馈信号是所施加 礎场的直接度最.磁场偏置电流带(偏置+和偏養)将生成一个与正被 测吊:的施加磁场和同方向的磁场.HNIC1001/2的电 流帯每通过50niA电流可提供lOe的磁场.HMC1021/2的电流带每通过5niA电流可提供lOe 的磁场(;t:空气中1高斯=lOe).例如.如果25inA 的电流从HMC1001/2的偏置71脚到偏置引脚， 则任何被测环境磁场将加上一个0.5高斯的磁场。 同样,25niA的电流将从环境磁场内减左0.5高斯。 偏置电流带看起来像是一个在偏置+和偏置引

21、脚 间的标称电阻。偏置电流带可以用作闭环电路内的反馈尤件.利用 电流反馈环路内的儡置电流带可以测到期望值。若 要达到此目的，要将电桥放大器的输出端连接到驱 动偏置电流带的电流源。利用环路内的高增益和反 向反馈。这将使磁阻桥路输出为0(输出输fB-)o 这种方法4以给出极佳的线性度和温度特性始终 以平衡的电阻模式操作磁阻电桥。即.无论测鼠什 么样的殲场，通过偏置电流带的电流都会将之消 除。电桥始终“看到” 一个寒应场条件，用來消除 施加磁场的介成电流是此磁场强度的一个直接度 呈，并且可以被转换成磁场值。在应用的同时，偏萱电流带还可以被用來门动校准 礎阻电桥.它对偶尔校对轴的电桥增益或在人的温 度

22、摆动范围内作调整是II常有用的,它可以在上电 或者正常操作期间的任何时候进行。贰原理卄 :常简 单：沿-线路取两点.并确定该线的斜度即増 益。半电桥正在测灵稳定的施加磁场时，输出将保 持怕定记录穏定磁场的读数,称Z为H1此时 施加恃定电流通过偏置电流带，然后记录该读数并 称Z为H2。通过偏置电流带的电流.将导致磁阻 传感器测磺的磁场的变化一称Z为施加磁场增磺 (Ha)。破附传感器增益可如卜计算：-IllOOTg:|宀|川S min10关 *(Hz)1001000图3典型噪音密度曲线斎么是偏置电流带2特定大小的电流流过偏置电流带可以消除任何环 境磁场。这对消除地球磁场的杂散硕铁(stray ha

23、rd iron)失克影响非常冇用。例如，减少汽乍罗盘应用 屮车体对地球磁场的影响。如果憑阻传感器在汽车磁阴(MR)Jfi r；i=(H2-H 1 )/AHa除了以上所述外，偏置电流带还冇许多英它用途, 关键是环境磁场和偏置磁场町以简单地相4舍加, 被磁阻传感器作为单-磁场进行测彊。线性磁场传感器图JA易就化轴憊化图4一简单的置位/复位电路“图5单轴置位/复位脉冲电路（1001）代么是置位/复位电流带2人多数低磁场传感器会受到人的磁场干扰（420高 斯）的影响町能导致输出信号的衰变。为了减少这 种影响和故人化信兮输出对以在噬阻电桥上应用 磁开关切换技术，消除过去磴历史的影响。置位/ 复位电流带的

24、H的就是把磁阴传感器恢V到测?： 磁场的高灵敏度状态。这可以通过将人电流脉动通 过S/R电流带实现。S/R电流带看起来像加在SR+ 和SR-JI脚Z间的一个电阻。此电流带与偏置电流 带不同因为它是以垂直轴或不緻感的方向礎耦介 到磁阻传感器上的。一旦传感器被置位（或复位）.町实现低噪咅和同灵敏度的磁场测駅。在卜面的讨 论中，术语“置位”即拆置位电流或者指复位电流。当磁阻传感器暴i +扰磁场中，传感器尤件会分 成若干方向随机的磁区域（图4A）,从而导致灵敏度 衰减。峰值电流高JM氐耍求电流的脉冲电流（置位） 通过置位/复位电流带将生成一个强磁场此幽场可 以重新将磁区域对准统一到一个方向上（图4B）

25、这 样将确保高灵敏度和町1E复的渎数。反向脉冲（复位） 可以以相反的方向旋转磁区域的方向（图40,并改 变传感器输出的极性。如果不出现干扰磁场，这种 磁区域的状态可以保持数年。探伙介金（NiFe）电附在置位脉冲之后图4B化奴位脉冲Z麻图JC芯片内的SR应通过脉冲电流来亚新対准或“翻 转”传感器内的磁区域。此脉宽可短至2微秒.连 续脉冲时平均耗电少J： lmA（DC）。可选定为每50 ms有一个2卩s脉宽的脉冲.或者更长以节电。唯一 的耍求是每个脉冲只在一个方向上施加。即，Honeywell 如果+3.5 A的脉冲被用来“说位”传感器，则脉冲 衰减不应低J- 0电流。任何负（低于额定电流）电流

26、脉冲at号都会导致“无法置位”传感器，并且不会 得到最佳的灵敏度。利用S/R电流带,可以消除或减少许多彫响,包括: 温度漂移、IE线性错谋、交叉轴影响和I1IJ：高磁场 的存在而导致信号输出的丢失.这可通过卜列过程 实现：电流脉冲.I迓位，可从S/R+引脚施加到S/R-引脚 以实现“置位”条件。然后可测定电桥输出.并作 为Vout（置位）储存起来。在S/R引脚内施加相等但相反的另一个脉冲可实 现“复位条件然后可测昴电桥的输出.并作为 Vout（复位）储存起来。电桥输出 Vout可以表达为:Vout= Vout（置位）.Vout（复位）”2。此方法可以消除由电子器件以及 电桥温度漂移导致的偏置和

27、温度影响。设计置位/复位脉冲电路的方法有多种。图5所示为置位废位脉冲电流的幅值取决于系统磁噪音的灵敏 度。如果给定的应用场合中HMC1001/2的最小可测 磁场约为500p高斯.那么3A（最小值）的脉冲就足够 了.如果最小町测磁场低J： 100卩高斯，那么就耍求 4A（最小值）的脉冲.生成S/R脉冲的电路应置J靠近 磁阻传感器处并且电源和接地连接良好。帝尼韦尔磁传感器匕的置位/复位电流带标何SR+ 和SRi未指明极性因为它只是一个金属带电阻。线性磁场传感器单时钟电路希耍冇某些形式的时钟以触发胃.位 和复位脉冲(图6).从而产生开关切换信号。图8 所示的电路可以用來生成强脉冲(4A)。以种二极

28、管、电阻、电容和逆变器基本上可以生成TRS和 TSR延迟。此时单一的信号(时钟)可以触发一个置 位或复位脉冲。时钟升降边缘Z间的厳低计时由 25kn.和InF的时间常数决定。即，时钟的最小的 高低时间是*25ps.做处理器T轧9所示的电路在微处理器控制卜生成Honeywell 强说位/复位脉冲(4A)置位/复位信号由微处理器 中生成.并控制P和N通道HEXFET驱动器 (IRF71O5).生成TRS和TSR延迟的口的是确保一 个HEXFET通之前.另一个已被断开。甚本上是一 种先断后通的(break-before-niake)开关切换方式。电 流脉冲宙4.7HF的电容器形成。如果如图7屮所示

29、使用5V20V的转换器那么16-20V电源上的介成 噪音和衰减就不成问题.但是，如果系统另一处使 用16-20V电源，那么在4.7pF电容和电源Z间应 加装一个串联的降压电阻Q500Q)。线性磁场传感器线性磁场传感器C”ea-srtJh3D妝 tvv时钟图6单时钟置位/复位计时图7-5V至20V转换器图8单时钟置位/复位脉冲电路(1001/1002)S/RTsrTRS5psec TSR5psec TPW-2psecl*- Tpw线性磁场传感器线性磁场传感器 HMC2003含仃一个HNIC1001和一个HMC1002;它们-起组成3轴传感器 三个S/R电流带串联布置总电阻为4.5Q。图9微处理控

30、制的置位/复位电路(1001/1002)线性磁场传感器Honeywell低磁场测匪、3测彊100微高斯或更低的分辨率时. 银诙介金薄膜必须完全置位或者复位.以确保低噪 音和可币复的测気 施加2微秒的4A电流脉冲.或者更高的电流脉冲即可确保对要求低噪音和高 灵敏度磁读数的HNIC1001/2应用场合,建议使用 图8和图9的电路。处力衣-对J-高J： 500微高斯的山汕匕:坨测就町以 使用不人复杂的脉冲电路。在图10和图11中.使 用了成本较低的达林顿晶体管和极少的几个元件 来切换脉冲信号。此电路的温度范閑可能会受到更 多的限制.这取决j:所选的晶体管的质量。如果不 注重精确度而只注重成本，那么使

31、用图11屮的仅 复位用的电路即可.对r任何磁传感器应用,如果温度漂移不是问题. 那么只需耍偶尔施加复位脉冲.这样可以节电.可 使用图12所示的数字过滤技术。复位脉冲的情况 为1)1电或者，2)磯场过/欠量程条件。其他任何时 候传感器都应正常工作。线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器Honeywell图10单时钟.置位/复位电路(1001/1002)图12置位/复位的125V电路(1021/1022)图13所示的电路可以根据微处理器时钟驱动的控 制装置生成强置位/复位脉冲,也可以使用自由运行 的555计时器对电路进行计时。置位电流脉冲可由 F的电容形成，为了减少噪音应在电源上出联 一个

32、200Q的降压电阻.线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器HoneywellSR电池泯在4.50典甲的3A1620VHMC2003#0 22yFlFHhh-tJi7S/R线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器Honeywell HN1C2003串联有3轴S/R电流带 这些是HMC1001和HMC1002传感器图11单时钟.仅复位电路(1001/1(X)2)线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器Honeywell5V时钟4 至 I4VS/R7 至 J4VTpv2微秒时钟 A麻皿莎IHMC10229.15TTS/RIRF7105 DS952 (2)（1）袒低阻值（2）Rds

33、 （渎数）02欧姆图13配有时钟控制的置位/复位脉冲（1021/1022）处功姿对J电源低至3.3V的低功率应用.可使用 图15所示的电路。这些低阈值FET在Vgs=2.7V 时提供低的接通电阻（0.3欧姆）。置位/复位脉冲不 需要连续产生。为省电.一开始可施加SET（置位） 脉冲，随后施加RESET（复位）脉冲，偏置（OS）可按 卜列公式计算：OS=（V set+V rsl ）/2该偏置项包括传感器电桥和接I 1电子器件的DC偏 置，以及传感器电桥和接门电子器件的温度漂移。 保存好此偏豐值，并在以后所仃的电桥输出读数屮 减此值.一旦电桥被RESET（复位），它将保持该 状态持续数年或直至外加

34、一个20高斯的干扰磴场 为止。计时器可设置为每10分钟定期更新偏置项, 该过程用图14所示的程序框图和图15所示的计时 电路图加以说明。图1J.低功率置位/复位程序框图父位置位V输出Vp-i脑位S/R（朮位/父商TPW2微秒Vp3V置位复位3.3 to6.5VTa5处秒Tbl微秒Tc20微砂50秒（最大）Td20微秒图15单一时钟養位/复位脉冲电路（1021/1022）线性磁场传感器Honeywell简单电路应用图16中的电路表明了磁传感器的简单应用.该电 路起到接近传感器的作用.并在距传感器0.25至 0.5英寸范H；l内放置磁铁时，点亮LED(发光二极 管)。放人器起到一个简单比较器的作用

35、，它在 HMC1001传感器的电路输出超过30mV时切换到低位。磴铁必须几仃强的磁场强度(200高斯)(? 的一个磁极指向应顺着传感器的敏感方向。该电路 可用来检测门f/门关的情况或检测有无物体存在 的情况。图17. 18, 19, 20和21显示了其它电路 的各种实例。磁传感器5Y0 15PFTL校准：1. 微调 R1.使(+V)斗V)30Mv2. 便HJ30mV的信号时LED应点亮L8OW 二Wilt増益=1000. BW=10Hz磁传感器V j J图16 磁接近开关R1用來微调开关点 #捉供10只/的向上转励频书cxnvAinSCLKSDA7AMDRDYR曲XINR&FCMGndNCS1

36、6Sef R1或R2被用来微调偏置 需從供IkHz的向匕转移频率图17 配有数字接口的单轴传感器52=G60VOUt YAWP04 RISK R2 被用秦R3-451狀虬 对*紬传侈器丽古.R3-921啟螂.对収轴KtfSlfilTT. R3-I4I!欷側.对. 他传的郑而击覺供1kHz的向上牺穆豪片Z5K Vio(MJG二善口二二一V-AiruIAJNVAjrv9CLKSDAIAMt) ROYRehZIHKebCALGndNUb 1 MHI图21三轴低成本磁传感器线性磁场传感器Honeywell线性磁场传感器Honeywell组件略图HMC1002-封装图IQrri1111111符匕忘米英寸瑕小值1ft大值M小值 MXtfLA Al B D E e H h2.4892.6420.1270.2790.4570.48312.67512.9297.2647.4171.270基准1.27010.5660.381丛准.09804.005.011.014.019.499.509.286.292.050基准.396.416.015.030HMC1001-8.引脚 SIP 和HMC1021Z-8-引脚 SIP rTrnrri Hh bHMC1021D-8-引脚陶瓷 DIPHMC1021S-8-引脚