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文档简介

1、椭偏法测薄膜厚度和折射率主要的操作步骤: .步骤 1打开高压开关。步骤 3把 SiO2 样品放在测试台上,调节起偏器P 的手轮和检偏器 A 的手轮,使红色光点最强。步骤 4转动检偏器 A 手轮, 从检偏器 A 的读数目镜中观测为 15O,再转动起偏器 P 手轮( 0 180 O,使红窗光点基本消失。步骤 5把红窗的手柄向左旋转,关闭红窗,此时A 表有指示。转动起偏器P 手轮和检偏器 A 手轮,使 A表指示趋于0,(或最小),记下检偏器读数 A1( 0A1 90o)和起偏器读数 P1。步骤 6转动起偏器 P 手轮,使 P=P1 90O,再转动 A 手轮,使 A 表指示最小,记下检偏器读数A2(

2、90O A2 180O)值。步骤 7转动检偏器A 手轮, A 为 180O-A1,转动 P 手轮,使 A 表最小,记下起偏器读数P2 的值实验原理一束单色光经样片表面反射后,其光振动的振幅和位相都会发生变化,变化的程度由样片薄膜的厚度,折射率及样片衬底的折射率等决定。下面以衬底上的透明薄膜为倒,分几方面对原理加以说明。1、边界上光的反射和折射一单色光由折射率为nl 的介质入射到边界,入射角为1:,其折射部分穿过边界进入折射率为n2 的介质中,折射角为 2。光学中定义入射光、反射光、法线所构成的平面叫入射面。光振动平行入射面的光波叫p 波,垂直入射面的光波叫s 波。依次记p 波和 s 波的反射系

3、数与折射系数分别为r p, r s, t p, t s ,根据电磁波的反射和折射理论各系数可表示如下:( 1)式中 E 表示光振动的电矢量,下标I , refr 分别表示入射、反射和折射,方程(1)称为 Fresnel公式。光在介质中的传播服从光的可逆性原理,即光由介质n 以 p角人射到边界,穿过边界进入n介质,其折射角221为 1,此时 p 波和 s 波的反射系数和折射系数依次记为* ,*,则根据可逆性原理,参照(1) 式得r p, r ps,t p, t s(2)由式( 1)、( 2)可得*rprprs*rstp * t p1rp2*12ts tsrs( 3)2、薄膜系统的反射率- 椭偏法

4、基本公式衬底表面覆有均匀的各向同性薄膜, 0 表示单色光的入射角, 1 表示薄膜内的折射角, 2 表示衬底内的 “折射角”, I 表示空气与藩膜的分界面,表示薄胳与衬底的分界面,n为空气折射率,n 为透明薄膜折射率,n2o1为衬底的复数折射率,因为通常的衬底是吸边介质( 例如硅,砷化镓等) ,故有n2 niKK 为消光系数,n上标“ ”表示该量是复数。依次记边界I 与边界的 p 波与 s 波的反射系数为r , r1s,r2 p,21pr2s ,根据电磁波的反射和折射理论可得另一表示式如下:( 5)方程( 5)也称为Fresnel公式,式中 0, 1,s 满足Snell定律n 0 sin0n1

5、sin1n 2 sin2设入射光,以p 波为例, (s 波同理 ) ,其入射光电矢分量为Epi 。反射光是0, 1, 2,3, 各级反射光之和,设为 Epr (下标 r , r ,分别表示人射和反射)。由图 2 可知零级反射(Ep) 0 为第 n 级反射( Ep) n 为因而总反射 Epr 为(6)式中 2 为相邻二级反射光之间因光程差所引起的位相差,其值为( 7)式中 为单色光波长,d 为薄膜厚度。将式(3)代入( 6)消去 t 1p * 及 r 1p *得(8)考虑到 |x|1时成立 , 求式 (8) 中级数和 , 并定义薄膜系统反射率(9)可得(10)式 (10) 中 Rp,R s 通常

6、是复数 , 定义它们的比值(11)其中 tg 相当于复数的模,相当于幅角 . 合并式 (10),(11)得到椭偏法的基本公式(12)公式 (12) 表示了薄膜厚度 d( 包含在 中 ) 与 , 的关系,式中 r1p,r2p, r,r2s由式 (5) 决定。1s传统的椭偏仪直接测量的是 与 的关系,然后用计算机联立计算式(5) , (7) , (12)等方程而获得 d。目前市售椭偏仪都附有硅样片上各不同n1 值的 , ,d 表格和曲线可供查阅。二、 与 d 的测量计算1、 与 的物理意义为简单计以简谐波为例叙述如下:入射光的 p 多 s 波与反射光的p 波 s 波的振动方程用复数指数式分别表示为

7、:(13)代入式 (9),(11)得复数指数式(14)式中 r =pr - sr , i = pi - si 分别是反射光中p 波 s 波的位相差和入射光中p 波 s 波的位相差 . 式 (14) 虚实分开 ,则得到(15)由此可见的物理意义是 p 波与 s 波的位相差在反射前后的变化,叫椭偏法的位相参量.tg 物理意义是 p 波与 s波的振幅比在反射前后之比,叫椭偏法的振幅参量。2、 与的的测量与计算定义在入射面内与光线相垂直的轴为p 轴,垂直于入射面并与p 轴垂直相交的轴为s 轴,其指向规定为以眼睛对着射来的光线看着射来的光线看p-s平面时,从 p 轴正向,逆时针转90o 定为 s 轴的正

8、向 ( 见图 3). 在 p-s平OO经过起偏器后变为线偏振,面内通常以正 s 轴定为 0 ,正 p 轴定为十90 。由氦氖激光光源发出的单色光是自然光,再经过 /4 波片后 , 一般变为椭圆偏振光,入射到硅片表面。 入射椭圆偏振光, 其 E 矢量在 p 轴 s 轴上的投影为p波与 s 波,振幅分别为 Api ,A si , 振幅比为 (A p/A s) ;,位相差为 i 。此椭园偏振光经硅片反射后,随硅片薄膜厚度d和折射率n1 等的不同,一般是变为另一种不同状态的椭圆偏振光,但通过旋转起偏器以调节线偏振光振动面方位角 pa( 从而改变入射椭圆的位相差 i ) 也可使反射光成为直线偏振光,其振

9、幅比是 (A p/A s) r ,其位相差由振动学知,当直线振动面在 l , 3 象限时 r =0( 例如图 3) ,在 2, 4 象限时 r 。( l) 的检测从式 (15) 可以看出,如果实验中使入射椭圆偏振光的(A p/A s ) i=l ,反射为线偏振光后, (A p/A s ) r =tg r , 这样就可使计算简化。使 (A p/A s) i =1 的方法,可先用快轴f 倾斜 45o 的 4波片,使入射的线偏振光变为主轴倾斜45o 的椭圆偏振光,因而在p 轴和 s 轴上得到相等大小的投影,即(A p/A s) i =l 。其次,经薄膜反射后要成为线偏振光 ( 已如上述可通过旋转起偏

10、器实现此点) 。故得(16)故 可在检偏器上直接检测获得 .(2) r 与 i 的检测的获得从式 (15) 知 = r - i ,所以,要获得必须知道 r 与 i . r 通常可由检偏器直接检查获得,为0或 已如前述,但 i 尚需经过一定的计算才能得出. 由于入射椭圆偏振光是由起偏器出来的线偏振光经过快轴fo倾斜 45的 4 波片后演变而成。因此,此椭圆在p 轴 s 轴的二分量波,其位相差 i = pi - si 与原线偏振光的方位角oooopa( 以正 s 轴为 0 ) 有关,也与 4 波片快轴 f 是倾斜 +45 还是 -45( 也以正 s 轴为 0 ) 有关 . 具体关系式计算如下 :o

11、oo当 f 轴在 +45 时 ,( 如图 4a)f 表示 4 波片的快轴 , 位于+45处 ,( 慢轴 sl 应在 -45 处 ). 设起偏器出来的线偏振光进入 4 波片前 , 在 p-s 平面内其振动方程为o振动面方位角为pa(0p a180 ). 故在快轴f 与慢轴 sl 上的分量分别为即a、光进入 4 波片前b、光进入 4 波片后图 4、光进入 4 波片前后的振动状态( 或短轴 ) 倾斜 45o的椭圆 ( 图经 4 波片出来后 , 在 f 轴上的分量 , 位相超前 /2.故 f,sl上分波的合振动变为长轴4b), 在 f 与 sl 上的分量分别为此入射椭圆在p 轴 s 轴的分量分别为即式中即式中从而 , 在 f 轴是 45o 时可得一样的计算 , 当 f 轴是 -45 o 时可得(17)综上所述,对同一样片的同一点上可有四组数据获得与 值 ( 如表 1) 。实验者可根据各自仪器的

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