期末复习半导体材料福大PPT学习教案

1、会计学1 期末复习半导体材料福大期末复习半导体材料福大 2 第1页/共61页 3 第2页/共61页 4 第3页/共61页 5 第4页/共61页 6 第5页/共61页 7 第6页/共61页 8 第7页/共61页 9 第8页/共61页 10 第9页/共61页 第10页/共61页 第11页/共61页 第12页/共61页 212平衡分凝系数和有效分凝系 数 第13页/共61页 第14页/共61页 (1) (1) T=TT=TL L-T-Tm m 0(T0(TL L体系平衡熔点；体系平衡熔点；T Tm m纯组纯组 分熔点分熔点),), C CS SC CL L, , K K0 0 1 1 提纯时杂质向尾

2、部集中提纯时杂质向尾部集中 (2)(2)T=TT=TL L-T-Tm m 0,0, C CS S C CL L, , K K0 0 1 1 提纯时杂质向头部集中提纯时杂质向头部集中 (3)(3)T=0, CT=0, CS S=C=CL L, , K K0 0 = = 1 1 分布状态不变分布状态不变, ,不能用于去除杂质不能用于去除杂质 第15页/共61页 第16页/共61页 第17页/共61页 第18页/共61页 第19页/共61页 00 0 )1 (kek k keff D f 平衡分凝系数平衡分凝系数 固液交界面移动速度固液交界面移动速度 即熔区移动速度即熔区移动速度 扩散层厚度扩散层厚

3、度 扩散系数扩散系数 第20页/共61页 第21页/共61页 第22页/共61页 第23页/共61页 nC0:材料凝固前的杂质浓度 nK,分凝系数.不同杂质的不同K值可以通 过查表得出 第24页/共61页 第25页/共61页 区熔提纯区熔提纯: 它是把材料的一小部分熔化它是把材料的一小部分熔化, 并使熔区从锭条的一端移到另一端并使熔区从锭条的一端移到另一端. 第26页/共61页 已区熔部分 熔 区 未区熔 x l 第27页/共61页 第28页/共61页 第29页/共61页 第30页/共61页 第31页/共61页 K越小越小,l越小越小,区熔提纯效果越好区熔提纯效果越好! 影响杂质浓度极限分布的

4、主要因素是杂质的分凝 系数和熔区长度 第32页/共61页 第33页/共61页 00 0 )1(kek k keff D f f与区熔次数产生矛盾与区熔次数产生矛盾? 如何解决如何解决 n/(f /D) 实际区熔速度的操作规划是选实际区熔速度的操作规划是选f /D近似于近似于1 第34页/共61页 第35页/共61页 第36页/共61页 第37页/共61页 第38页/共61页 第39页/共61页 第40页/共61页 问题问题 第41页/共61页 第42页/共61页 +,exp(-) 0, Keff 1,即即 固液中杂质浓度差不多固液中杂质浓度差不多.分凝效分凝效 果不明显。果不明显。 0,exp

5、(-) 1, Keff K0,分凝效果明显分凝效果明显 00 0 )1 (kek k keff D f 平衡分凝系数平衡分凝系数 固液交界面移动速度固液交界面移动速度 即熔区移动速度即熔区移动速度 扩散层厚度扩散层厚度 扩散系数扩散系数 第43页/共61页 第44页/共61页 第45页/共61页 47 第46页/共61页 48 第47页/共61页 49 第48页/共61页 50 第49页/共61页 第50页/共61页 第51页/共61页 第52页/共61页 第53页/共61页 第54页/共61页 第55页/共61页 第56页/共61页 )1( 0 )1 ( 1 K gKCe 0 )1 ( 0

6、0 )1 ( 1 dN A gKedN A Cm K 第57页/共61页 0 C d MW C d M m m K m C W gKeC WC M )1 ( 0 )1 ( 1 第58页/共61页 31915 15 102 . 207. 0/102 . 52 .300 35. 02 . 0102 . 5) 2 . 0300( cmC C m m 第59页/共61页 313 13 1 1 1025. 6 8 . 0 105 cm K C C B S L 314 14 2 2 1086. 2 35. 0 101 cm K C C P S L t V EA CC LL exp 0 3600) 800 5