多晶硅厂原材料分析讲座

1、多晶硅厂原材料分析讲座 多晶硅原材料分析多晶硅原材料分析 第一章硅粉分析第一章硅粉分析 第二章液氯分析第二章液氯分析 第三章其它原料分析第三章其它原料分析 多晶硅厂原材料分析讲座 一、概述 硅粉是多晶硅厂的主要原料之一， 其质量的好与坏直接影响三氯氢硅的合 成及纯度。 硅粉分析的目的是检测所购进硅粉 的各项指标是否满足工艺生产的要求。 这些指标有：硅粉粒度，铁、铝、钙、 钛、磷、硼元素的含量。 分析方法有传统的化学分析方法， 也有越来越普及的仪器分析法。 多晶硅厂原材料分析讲座 v仪器分析： -射线荧光光谱法，优点是能同时 检测多个元素、速度快，不破坏样品， 操作简便； ICP-AES法，能同

2、时检测多个元素， 分析速度快，取样量少，操作简便； 法，灵敏度高，取样量少， 低浓度下分析准确度高，操作较简便； 各种仪器均有其他仪器无法比拟的 优点，各种仪器在检测时有一定的互补 性。 多晶硅厂原材料分析讲座 v化学分析与仪器分析比较 化学分析一般是半微量(0.01-0.1g)、常量 (0.1g)组分的分析。 特点：准确度高；成本低廉。操作复杂， 过程时间长，受人员因素影响大。 仪器分析的分析对象一般是半微量(0.01- 0.1g)、微量(0.1-10mg)、超微量(0.1mg)组分 的分析。 特点：灵敏度高，取样量少，在低浓度下 的分析准确度较高，快速；仪器设备较复杂， 价格较昂贵。 多晶

3、硅厂原材料分析讲座 二、硅粉粒度二、硅粉粒度 多晶硅厂原材料分析讲座 2.2.振筛机振筛机 3.3.粒度分析粒度分析 v取样量：取样量：404080g80g v分析天秤称量，准确分析天秤称量，准确 至小数点后位至小数点后位 v筛分时间：筛分时间：8 815min15min 多晶硅厂原材料分析讲座 三、硅粉中杂技元素含量分析三、硅粉中杂技元素含量分析 一）、铁含量 1.方法原理 样品用氢氟酸和硝酸分解，硫酸冒烟驱除 硅、氟等，残渣用盐酸溶解。用盐酸羟胺将Fe （）还原至Fe（）。在pH 35的微酸性 介质中，铁与1，10二氮杂菲生成红色配合 物。于分光光度计波长510nm处测量其吸光度。 测定范

4、围：。 多晶硅厂原材料分析讲座 2.试剂与仪器 2.1 2.1 氢氟酸（密度），分析纯；氢氟酸（密度），分析纯； 2.2 2.2 硝酸，分析纯（硝酸，分析纯（1+11+1）；）； 2.3 2.3 硫酸，分析纯（硫酸，分析纯（1+11+1）；）； 2.4 2.4 盐酸，分析纯（盐酸，分析纯（1+11+1）；）； 2.5 2.5 盐酸羟胺溶液，分析纯（盐酸羟胺溶液，分析纯（10g/L10g/L）；）； 2.6 12.6 1，1010二氮杂菲溶液（）：称取，二氮杂菲溶液（）：称取，1010 二氮杂菲二氮杂菲(C12H8N2(C12H8N2H2O)H2O)置于烧杯中，加置于烧杯中，加2ml2ml盐盐

5、酸（），加入约酸（），加入约300ml300ml水，溶解后用水稀释至水，溶解后用水稀释至 500ml500ml，混匀。，混匀。 多晶硅厂原材料分析讲座 2.7 2.7 乙酸乙酸钠缓冲溶液：称取乙酸乙酸钠缓冲溶液：称取272g272g乙酸钠乙酸钠 （CH3COONaCH3COONa3H2O3H2O）置于烧杯中，加入）置于烧杯中，加入500ml500ml水，溶解水，溶解 后过滤于后过滤于1000ml1000ml容量瓶中，加入容量瓶中，加入240ml240ml冰乙酸（密度）冰乙酸（密度） 用水稀释至刻度，混匀。用水稀释至刻度，混匀。 2.8 2.8 混合显色溶液：移取混合显色溶液：移取1 1单位体积

6、盐酸羟胺溶液（），单位体积盐酸羟胺溶液（）， 1 1单位体积单位体积1 1，1010二氮杂菲溶液（），二氮杂菲溶液（），2 2单位体积乙单位体积乙 酸乙酸钠缓冲溶液（），混匀。一周内使用。酸乙酸钠缓冲溶液（），混匀。一周内使用。 2.9 2.9 铁标准贮存溶液：称取预先在铁标准贮存溶液：称取预先在600600灼烧灼烧1h1h并于干燥并于干燥 器中冷却至室温的三氧化二铁置于烧杯中，加入器中冷却至室温的三氧化二铁置于烧杯中，加入30ml30ml 盐酸（），低温加热溶解，冷却，移入盐酸（），低温加热溶解，冷却，移入1000ml1000ml容量瓶容量瓶 中，用水稀释至刻度，混匀。此溶液中，用水稀释至刻

7、度，混匀。此溶液1ml1ml含铁含铁200ug200ug。 2.10 2.10 铁标准溶液：移取铁标准贮存溶液（）于铁标准溶液：移取铁标准贮存溶液（）于200ml200ml容容 量瓶中，用水稀释至刻度，混匀，此溶液量瓶中，用水稀释至刻度，混匀，此溶液1ml1ml含铁含铁 50ug50ug。 2.11 2.11 仪器：分光光度计。仪器：分光光度计。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.分析步骤 3.1 3.1 试样：样品粒度通过试样：样品粒度通过100100目（约）筛孔直目（约）筛孔直 径，用磁铁吸去铁粉。径，用磁铁吸去铁粉。 3.2 3.2 试料：称取试样（）。试料：称取试样（）。 3.3 3.3 空

8、白试验：随同试料做空白试验。空白试验：随同试料做空白试验。 3.4 3.4 测定测定 3.4.1 3.4.1 将试料（）置于将试料（）置于100ml100ml铂皿中，加入硫铂皿中，加入硫 酸（）、酸（）、202025ml25ml氢氟酸（），分次滴加硝酸氢氟酸（），分次滴加硝酸 （）直至试料大部分溶解，移铂皿于沙浴上，（）直至试料大部分溶解，移铂皿于沙浴上， 加热至试料完全溶解，并蒸干。加热至试料完全溶解，并蒸干。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.4.2 3.4.2 将铂皿置于将铂皿置于4504502525的高温炉中，冒尽的高温炉中，冒尽 硫酸烟，取出，冷却。硫酸烟，取出，冷却。 3.4.3 3.4

9、.3 于铂皿中加入盐酸（），沿皿壁加入于铂皿中加入盐酸（），沿皿壁加入 202030ml30ml水，加热至残渣完全溶解，冷却。水，加热至残渣完全溶解，冷却。 3.4.4 3.4.4 移入移入500ml500ml容量瓶中，用水稀释至刻度，容量瓶中，用水稀释至刻度， 混匀。混匀。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.4.5 3.4.5 取取25mL25mL试液（或按表试液（或按表1 1移取试液），置于移取试液），置于 100ml100ml容量瓶中。容量瓶中。 3.4.6 3.4.6 加入加入20ml20ml混合显色溶液（），用水稀释至混合显色溶液（），用水稀释至 刻度，混匀。放置刻度，混匀。放置15min

10、15min。 3.4.7 3.4.7 将部分溶液（）移入将部分溶液（）移入1cm1cm吸收皿中，以水吸收皿中，以水 为参比，于分光光度计波长为参比，于分光光度计波长510nm510nm处测量其吸光处测量其吸光 度。度。 3.4.8 3.4.8 减去空白试验溶液的吸光度，从工作曲线减去空白试验溶液的吸光度，从工作曲线 上查出相应的铁的质量。上查出相应的铁的质量。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.5 3.5 工作曲线的绘制工作曲线的绘制 3.5.1 3.5.1 移取，移取， （可选），铁标准溶液（可选），铁标准溶液 （），分别置于一组（），分别置于一组100ml100ml容量瓶中。容量瓶中。 3.5.

11、2 3.5.2 按表一加入与移取试液体积相等的空白试按表一加入与移取试液体积相等的空白试 验溶液（），以下按和进行。验溶液（），以下按和进行。 3.5.3 3.5.3 减去空白试验溶液的吸光度，以铁的质量减去空白试验溶液的吸光度，以铁的质量 为横坐标，吸光度为纵坐标绘制工作曲线。为横坐标，吸光度为纵坐标绘制工作曲线。 4.分析结果的表述 多晶硅厂原材料分析讲座 式中：式中：m m1 1自工作曲线上查得得铁的质量，自工作曲线上查得得铁的质量，ugug； V V0 0试液总体积，试液总体积，mlml； V V1 1移取试液体积，移取试液体积，mlml； m m0 0试料的质量，试料的质量，g g。

12、 按下式计算铁的百分含量：按下式计算铁的百分含量： 100 10 (%) 1 6 01 Vm Vm Fe o 多晶硅厂原材料分析讲座 5.允许差 实验室之间分析结果的差值应不大于表实验室之间分析结果的差值应不大于表2 2所列允许差。所列允许差。 表表 2 2 多晶硅厂原材料分析讲座 二) 、铝含量 1.方法原理 试料用氢氟酸和硝酸分解，硫酸冒烟驱除 硅、氟等，残渣用盐酸溶解。用抗坏血酸掩蔽 铁的干扰，在的六次甲基四胺介质中，铝于 铬天青S生成紫红色配合物。于分光光度计 波长545nm处测量其吸光度。 测定范围：。测定范围：。 2.试剂与仪器 .1 .1 氢氟酸，分析纯（密度）；氢氟酸，分析纯（

13、密度）； .2 .2 硝酸，分析纯（硝酸，分析纯（1+11+1）；）； .3 .3 硫酸，分析纯（硫酸，分析纯（1+11+1）；）； .4 .4 盐酸，分析纯（盐酸，分析纯（1+11+1）；）； 多晶硅厂原材料分析讲座 .5 .5 抗坏血酸，分析纯，用时现配（抗坏血酸，分析纯，用时现配（10g/L10g/L）；）； .6 .6 六次甲基四胺，分析纯，六次甲基四胺，分析纯，300g/L300g/L； .7 .7 铬天青铬天青S S乙醇溶液（）：称取铬天青乙醇溶液（）：称取铬天青S S 置于烧杯中，加水和无水乙醇各置于烧杯中，加水和无水乙醇各25ml25ml，溶解后，溶解后 加入加入475ml47

14、5ml水，用无水乙醇稀释至水，用无水乙醇稀释至1000ml1000ml，混，混 匀。匀。 .8 .8 铝标准贮存溶液：称取金属铝置于聚乙烯铝标准贮存溶液：称取金属铝置于聚乙烯 杯中，加入约杯中，加入约20ml20ml水、氢氧化钠，待反应缓慢水、氢氧化钠，待反应缓慢 后，于水浴上加热至溶解完全。用盐酸（后，于水浴上加热至溶解完全。用盐酸（.4.4） 慢慢中和至出现沉淀并过量慢慢中和至出现沉淀并过量20ml20ml，加热至溶液，加热至溶液 澄清，冷却。移入澄清，冷却。移入1000ml1000ml容量瓶中，用水稀释容量瓶中，用水稀释 至刻度，混匀。此溶液至刻度，混匀。此溶液1ml1ml含含250ug

15、250ug铝。铝。 多晶硅厂原材料分析讲座 .9 .9 铝标准溶液：移取铝标准贮存溶液铝标准溶液：移取铝标准贮存溶液 （.8.8）于）于500ml500ml容量瓶中，加入盐酸（容量瓶中，加入盐酸（.4.4） 用水稀释至刻度，混匀。此溶液用水稀释至刻度，混匀。此溶液1ml1ml含含5ug5ug铝。铝。 .10 .10 仪器：分光光度计仪器：分光光度计 3.3.分析步骤分析步骤 3.1 3.1 试样试样 试样粒度通过筛孔直径，用磁铁吸去铁粉。试样粒度通过筛孔直径，用磁铁吸去铁粉。 3.2 3.2 试料试料 称取试样（称取试样（.1.1）。）。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.3 3.3 空白试验空白试

16、验 随同试料做空白试验。随同试料做空白试验。 .4 .4 测定测定 ( (可直接取测铁时的样品溶液可直接取测铁时的样品溶液25mL25mL，按步骤进行，按步骤进行 分析分析) ) .4.1 .4.1 将试料（将试料（.2.2）置于）置于100ml100ml铂皿中，加铂皿中，加 入硫酸（入硫酸（.3.3）、）、202025ml25ml氢氟酸（氢氟酸（.1.1）、）、 分次滴加硝酸（分次滴加硝酸（.2.2）直至试料大部分溶解，）直至试料大部分溶解， 移铂皿于沙浴上，加热至试料完全溶解，并蒸移铂皿于沙浴上，加热至试料完全溶解，并蒸 干。干。 多晶硅厂原材料分析讲座 .4.2 .4.2 将铂皿置于将铂

17、皿置于4504502525的高温炉中，冒的高温炉中，冒 尽硫酸烟，取出，冷却。尽硫酸烟，取出，冷却。 .4.3 .4.3 于铂皿中加入盐酸（于铂皿中加入盐酸（.4.4），沿皿壁加），沿皿壁加 入入202030ml30ml水，加热至残渣完全溶解，冷却。水，加热至残渣完全溶解，冷却。 将试液移入将试液移入500ml500ml容量瓶中，用水稀释至刻度，容量瓶中，用水稀释至刻度， 混匀。此为试液混匀。此为试液A A。 .4.4 .4.4 移取试液移取试液A A于于250ml250ml容量瓶中，用水稀释容量瓶中，用水稀释 至刻度，混匀。此为试液至刻度，混匀。此为试液B B。 .4.5 .4.5 按表按表

18、1 1移取试液移取试液B B（）于（）于100ml100ml容量瓶容量瓶 中，用水稀释至约中，用水稀释至约30ml30ml。 多晶硅厂原材料分析讲座 表表 1 1 3.4.6 3.4.6 加入加入5ml5ml抗坏血酸溶液（）、铬天青抗坏血酸溶液（）、铬天青 S S乙醇溶液（）、六次甲基四胺溶液（）。乙醇溶液（）、六次甲基四胺溶液（）。 每加一种试剂均需混匀。用水稀释至刻度，每加一种试剂均需混匀。用水稀释至刻度， 混匀。放置混匀。放置20min20min。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.4.7 3.4.7 将部分溶液（）移入将部分溶液（）移入1cm1cm吸收皿中，以空吸收皿中，以空 白试验溶液（）

19、为参比，于分光光度计波长白试验溶液（）为参比，于分光光度计波长 545nm545nm处测量其吸光度。处测量其吸光度。 3.4.8 3.4.8 从工作曲线上查出相应的铝的质量。从工作曲线上查出相应的铝的质量。 3.5 3.5 工作曲线的绘制工作曲线的绘制 3.5.1 3.5.1 按表按表1 1移取与试液移取与试液B B的体积相等的空白试的体积相等的空白试 验溶液（）分别置于一组验溶液（）分别置于一组100ml100ml容量瓶中，各容量瓶中，各 加入，加入，1.00(1.00(可省可省) )，铝标准溶液（），铝标准溶液（）， 用水稀释至约用水稀释至约30ml30ml，以下按和进行。，以下按和进行。

20、 3.5.2 3.5.2 以铝的质量为横坐标，吸光度为纵坐标绘以铝的质量为横坐标，吸光度为纵坐标绘 制工作曲线。制工作曲线。 多晶硅厂原材料分析讲座 4.4.分析结果的表述分析结果的表述 按下式计算铝的百分含量：按下式计算铝的百分含量： 100 10 (%) 310 6 201 VVm VVm Al 式中：式中：m m1 1自工作曲线上查得的铝的质量，自工作曲线上查得的铝的质量，ugug； V V0 0试液试液A A的总体积，的总体积，mlml； V V1 1移取试液移取试液A A的体积，的体积，mlml； V V2 2试液试液B B的总体积，的总体积，mlml； V V3 3移取试液移取试液

21、B B的体积，的体积，mlml； m m0 0试料的质量，试料的质量，g g。 多晶硅厂原材料分析讲座 5.5.允许差允许差 实验室之间分析结果的差值应不大于表实验室之间分析结果的差值应不大于表 2 2所允许差。所允许差。 表表2 2 多晶硅厂原材料分析讲座 1.1.方法原理方法原理 试料用氢氟酸和硝酸分解，硫酸冒烟除去试料用氢氟酸和硝酸分解，硫酸冒烟除去 硅、氟等，残渣用盐酸溶解。用三乙醇胺、硅、氟等，残渣用盐酸溶解。用三乙醇胺、1 1， 10-10-二氮杂菲、乙酰丙酮掩蔽干扰元素，于二氮杂菲、乙酰丙酮掩蔽干扰元素，于 pH10pH10时，钙于偶氮氯膦时，钙于偶氮氯膦I I形成有色配合物，形

22、成有色配合物， 以以EGTAEGTAPbPb褪色后的溶液为参比，于分光光度褪色后的溶液为参比，于分光光度 计波长计波长580nm580nm处测量其吸光度。处测量其吸光度。 测定范围：。测定范围：。 2.2.试剂和仪器试剂和仪器 .1 .1 氢氟酸（密度氢氟酸（密度 ），分析纯。），分析纯。 .2 .2 硝酸（硝酸（1+11+1），分析纯。），分析纯。 三) 、钙含量 多晶硅厂原材料分析讲座 .3 .3 硫酸（硫酸（1+11+1），分析纯。），分析纯。 .4 .4 盐酸（盐酸（1+11+1），分析纯。），分析纯。 .5 .5 三乙醇胺（三乙醇胺（1+31+3），分析纯。贮存于聚乙烯），分析纯。贮

23、存于聚乙烯 瓶中。瓶中。 .6 1.6 1，10-10-二氮杂菲乙醇溶液（二氮杂菲乙醇溶液（4g/l4g/l）：称取）：称取 4.0g 14.0g 1，10-10-二氮杂菲（二氮杂菲（C12H8N2C12H8N2H2OH2O），置于），置于 1000ml1000ml容量瓶中，加乙醇溶解后，用乙醇稀释容量瓶中，加乙醇溶解后，用乙醇稀释 至刻度，混匀。至刻度，混匀。 .7 .7 乙酰丙酮，分析纯（乙酰丙酮，分析纯（1+401+40）。）。 .8 .8 缓冲溶液：称取硼砂（缓冲溶液：称取硼砂（Na2B4O7Na2B4O710H2O10H2O）、）、 氢氧化钠（优级纯），用水溶解后稀释至氢氧化钠（优级

24、纯），用水溶解后稀释至 1000ml1000ml。此溶液。此溶液pHpH为。贮存于聚乙烯瓶中。为。贮存于聚乙烯瓶中。 多晶硅厂原材料分析讲座 .9 .9 偶氮氯膦偶氮氯膦I I（C16H18O14N2S2PClC16H18O14N2S2PCl）溶液）溶液 （）。（）。 .10 EGTA-Pb.10 EGTA-Pb溶液（）：称取乙二醇二乙醚二溶液（）：称取乙二醇二乙醚二 胺四乙酸（胺四乙酸（EGTAEGTA），置于烧杯中，加约），置于烧杯中，加约100ml100ml 水，加热，滴加氢氧化钠（水，加热，滴加氢氧化钠（1mol/L1mol/L）助溶，并）助溶，并 调至中性，另取氯化铅，加约调至中性，

25、另取氯化铅，加约100ml100ml水，加热水，加热 溶解后，趁热奖两溶液混合，调至中性，冷却溶解后，趁热奖两溶液混合，调至中性，冷却 后用水稀释至后用水稀释至250ml250ml，混匀。，混匀。 .11 .11 钙标准贮存溶液：称取预先于钙标准贮存溶液：称取预先于105105烘干烘干 并置于干燥器中冷却至室温的基准碳酸钙于烧并置于干燥器中冷却至室温的基准碳酸钙于烧 杯中，加约杯中，加约200mL200mL水，然后滴加盐酸（水，然后滴加盐酸（.4.4） 至完全溶解并过量至完全溶解并过量20mL20mL，加热煮沸驱除二氧化，加热煮沸驱除二氧化 碳，冷却，移入碳，冷却，移入1000mL1000mL

26、容量瓶中，用水稀释至容量瓶中，用水稀释至 刻度，混匀。此溶液刻度，混匀。此溶液1mL1mL含含1mg1mg钙。钙。 多晶硅厂原材料分析讲座 .12 .12 钙标准溶液：移取钙标准贮存溶液钙标准溶液：移取钙标准贮存溶液 （.11.11）于）于1000mL1000mL容量瓶中，用水稀释至刻容量瓶中，用水稀释至刻 度，混匀。此溶液度，混匀。此溶液1mL1mL含含1010g g钙。钙。 .13 .13 仪器：分光光度计、酸度计。仪器：分光光度计、酸度计。 3.3.分析步骤分析步骤 .1 .1 试样试样 试样粒度通过试样粒度通过100100网目，用磁铁吸去铁粉。网目，用磁铁吸去铁粉。 .2 .2 试料试

27、料 称取试样（）。称取试样（）。 .3 .3 空白试验空白试验 随同试料做空白试验。随同试料做空白试验。 多晶硅厂原材料分析讲座 .4 .4 测定测定 ( (可取测铁时的溶液可取测铁时的溶液10mL10mL，按步骤进行分析，按步骤进行分析) ) .4.1 .4.1 将试料置于将试料置于100mL100mL铂皿中，加入硫酸铂皿中，加入硫酸 （.3.3）、）、202025mL25mL氢氟酸（氢氟酸（.1.1），分次滴），分次滴 加硝酸（加硝酸（.2.2）直至试料大部分溶解。移铂皿）直至试料大部分溶解。移铂皿 于沙浴上，加热至试料溶解完全并蒸干。于沙浴上，加热至试料溶解完全并蒸干。 .4.2 .4.

28、2 将铂皿置于将铂皿置于4504502525高温炉中冒尽硫高温炉中冒尽硫 酸烟，取出，冷却。酸烟，取出，冷却。 .4.3 .4.3 加入盐酸（加入盐酸（.4.4），沿皿壁洗入），沿皿壁洗入2020 30mL30mL水，加热使残渣完全溶解，冷却。水，加热使残渣完全溶解，冷却。 .4.4 .4.4 按表按表1 1将试液移入容量瓶中，用水稀释至将试液移入容量瓶中，用水稀释至 刻度，混匀。刻度，混匀。 多晶硅厂原材料分析讲座 表表 3.4.5 3.4.5 按表按表2 2分取试液（）于分取试液（）于50mL50mL容量瓶中。容量瓶中。 表表 2 2 多晶硅厂原材料分析讲座 3.4.6 3.4.6 加入三

29、乙醇胺（）、，加入三乙醇胺（）、，10-10-二氮杂菲乙醇二氮杂菲乙醇 溶液（）、乙酰丙酮（）、缓冲溶液（）、偶溶液（）、乙酰丙酮（）、缓冲溶液（）、偶 氮氯膦氮氯膦I I溶液（）。每加一种试剂均需混匀。溶液（）。每加一种试剂均需混匀。 用水稀释至刻度，混匀。放置用水稀释至刻度，混匀。放置5min5min。 3.4.7 3.4.7 将溶液（）移入将溶液（）移入2cm2cm吸收皿中，在剩余的吸收皿中，在剩余的 溶液中加入溶液中加入3 35 5滴滴EGTA-PbEGTA-Pb溶液（），摇匀至溶液（），摇匀至 褪色完全，以此褪色后的溶液作参比，在分光褪色完全，以此褪色后的溶液作参比，在分光 光度计波

30、长光度计波长580nm580nm处测量其吸光度。处测量其吸光度。 3.4.8 3.4.8 减去空白试验溶液（）的吸光度，从工作减去空白试验溶液（）的吸光度，从工作 曲线上查出相应的钙的质量。曲线上查出相应的钙的质量。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.5 3.5 工作曲线的绘制工作曲线的绘制 3.5.1 3.5.1 移取，钙标准溶液（）分别移取，钙标准溶液（）分别 置于置于50mL50mL容量瓶中，加入与试液体积相等的空容量瓶中，加入与试液体积相等的空 白试验溶液（），以下按和进行。白试验溶液（），以下按和进行。 3.5.2 3.5.2 以钙的质量为横坐标，以减去试剂空白吸以钙的质量为横坐标，以减去

31、试剂空白吸 光度后的吸光度为纵坐标绘制工作曲线。光度后的吸光度为纵坐标绘制工作曲线。 4.4.分析结果的表述分析结果的表述 按下式计算钙的百分含量：按下式计算钙的百分含量： 多晶硅厂原材料分析讲座 式中：式中：m m1 1自工作曲线上查得的钙的质量，自工作曲线上查得的钙的质量，g g； V V0 0试液总体积，试液总体积，mLmL； V V1 1分取试液体积，分取试液体积，mLmL； m m0 0试料的质量，试料的质量，g g。 5.5.允许差允许差 100 10 (%) 10 6 01 Vm Vm Ca 多晶硅厂原材料分析讲座 实验室之间分析结果的差值应不大于表实验室之间分析结果的差值应不大

32、于表 3 3所列允许差。所列允许差。 表表3 3 多晶硅厂原材料分析讲座 四) 、钛含量 . .方法原理方法原理 试样用氢氟酸、硝酸和硫酸溶解，大量的试样用氢氟酸、硝酸和硫酸溶解，大量的 硅以四氟化硅的形式加热除去，在硫酸铜存在硅以四氟化硅的形式加热除去，在硫酸铜存在 下，用抗坏血酸将铁和钒等干扰离子还原。加下，用抗坏血酸将铁和钒等干扰离子还原。加 入二安替吡啉甲烷显色，于分光光度计波长入二安替吡啉甲烷显色，于分光光度计波长 400nm400nm处测其吸光度。处测其吸光度。 测定范围：。测定范围：。 . .试剂与仪器试剂与仪器 .1.1硫酸硫酸 （）（） 分析纯。分析纯。 .2.2硫酸硫酸 （

33、1 11 1） 分析纯。分析纯。 .3.3硝酸硝酸 （）（） 分析纯。分析纯。 .4.4氢氟酸氢氟酸 (1.14g/ml) (1.14g/ml) 分析纯。分析纯。 多晶硅厂原材料分析讲座 .5.5盐酸（盐酸（1 11 1）分析纯。分析纯。 .6.6高锰酸钾溶液高锰酸钾溶液 分析纯分析纯 .7.7硫酸铜溶液硫酸铜溶液 5 5 分析纯分析纯 .8.8抗坏血酸溶液抗坏血酸溶液 2 2 分析纯。分析纯。 .9.9二安替吡啉甲烷溶液：二安替吡啉甲烷溶液：5 5的的1mol/L1mol/L盐酸盐酸 溶液。溶液。 .10.10钛标准储存液：称取金属钛置于钛标准储存液：称取金属钛置于600ml600ml的的

34、烧杯中，加入烧杯中，加入125ml125ml（1 11 1）硫酸，加热使钛）硫酸，加热使钛 完全溶解，滴加硝酸至溶液呈无色，微沸至氮完全溶解，滴加硝酸至溶液呈无色，微沸至氮 化物冒尽。冷却，稀释至适当体积，再冷却，化物冒尽。冷却，稀释至适当体积，再冷却， 移入移入1000ml1000ml容量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。容量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。 此溶液此溶液1ml1ml含钛。含钛。 多晶硅厂原材料分析讲座 或称取草酸钛钾或称取草酸钛钾K K2 2Ti(CTi(C2 2O O4 4) )2 22H2H2 2O O置于置于 250ml250ml锥形瓶中，加入硫酸铵、锥形瓶中，加入硫酸铵、15

35、ml15ml硫酸。微硫酸。微 热至草酸钛钾完全溶解，再微沸热至草酸钛钾完全溶解，再微沸10min10min，冷却。，冷却。 将溶液移入盛有将溶液移入盛有100ml100ml水的水的250ml250ml烧杯中，滴加烧杯中，滴加 数滴高锰酸钾溶液至溶液呈稳定的红色，移入数滴高锰酸钾溶液至溶液呈稳定的红色，移入 500ml500ml容量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。此容量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。此 溶液溶液1ml1ml含钛。含钛。 .11.11钛标准溶液（用时现配）：取钛标准溶液（用时现配）：取2ml2ml钛标准钛标准 储存液（储存液（.10.10）于）于100ml100ml的容量瓶中，用纯水的容

36、量瓶中，用纯水 稀释至刻度，混匀。稀释至刻度，混匀。 .12.12紫外可见分光光度计。紫外可见分光光度计。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.3.分析步骤分析步骤 样品处理样品处理 a.a.取测铁时溶液取测铁时溶液50mL50mL于于100mL100mL容量瓶中，容量瓶中， 加入加入10ml10ml（1+11+1）的硫酸和）的硫酸和2 2滴硫酸铜溶液，滴硫酸铜溶液， 2ml2ml抗坏血酸溶液。混匀。加入抗坏血酸溶液。混匀。加入10ml10ml二安替吡二安替吡 啉甲烷溶液，用高纯水稀释至刻度，混匀，放啉甲烷溶液，用高纯水稀释至刻度，混匀，放 置置30min30min。空白随样品同时操作。以下按操。空白

37、随样品同时操作。以下按操 作。作。 b. b. 取测铁时溶液取测铁时溶液100mL100mL于于250mL250mL烧杯中，烧杯中， 微沸浓缩至微沸浓缩至2040mL2040mL，加入，加入10ml10ml（1+11+1）的硫酸）的硫酸 和和2 2滴硫酸铜溶液，滴硫酸铜溶液，2ml2ml抗坏血酸溶液。混匀。抗坏血酸溶液。混匀。 加入加入10ml10ml二安替吡啉甲烷溶液，用高纯水稀释二安替吡啉甲烷溶液，用高纯水稀释 至刻度，混匀，放置至刻度，混匀，放置30min30min。空白随样品同时。空白随样品同时 操作。以下按操作。操作。以下按操作。 多晶硅厂原材料分析讲座 称取样品于铂金皿中，同时做空

38、白试验，加称取样品于铂金皿中，同时做空白试验，加 入硫酸（入硫酸（1 11 1），），5ml5ml氢氟酸，摇动混匀，逐氢氟酸，摇动混匀，逐 步滴加大约步滴加大约2ml2ml硝酸，在电热板上低温加热至硝酸，在电热板上低温加热至 样品完全溶解，升温至样品完全溶解，升温至110110左右使大量的硅左右使大量的硅 以以SiF4SiF4的形式挥发除去。加热蒸发至近干，取的形式挥发除去。加热蒸发至近干，取 下放冷。下放冷。 加入加入25ml25ml（1+11+1）的硫酸低温溶解残渣，取）的硫酸低温溶解残渣，取 下放冷，移入下放冷，移入100ml100ml的容量瓶中，用水稀释至的容量瓶中，用水稀释至 606

39、070ml70ml，放冷，加入，放冷，加入2 2滴硫酸铜溶液，滴硫酸铜溶液，2ml2ml抗抗 坏血酸溶液。混匀。加入坏血酸溶液。混匀。加入10ml10ml二安替吡啉甲烷二安替吡啉甲烷 溶液，用高纯水稀释至刻度，混匀，放置溶液，用高纯水稀释至刻度，混匀，放置 30min30min。空白随样品同时操作。空白随样品同时操作。 用用1cm1cm的比色皿，以试剂空白为参比，于分的比色皿，以试剂空白为参比，于分 光光度计波长光光度计波长400nm 400nm 处测其吸光度。从工作曲处测其吸光度。从工作曲 线上查出相应的钛含量。线上查出相应的钛含量。 多晶硅厂原材料分析讲座 .2.2工作曲线绘制工作曲线绘制

40、 移取移取0 0、钛标准液、钛标准液(4.12)(4.12)于一组于一组100ml100ml的容的容 量瓶中，以下按量瓶中，以下按.1.2 .1.2 条款进行。条款进行。 用用1cm1cm的比色皿，以试剂空白为参比，于分光光度的比色皿，以试剂空白为参比，于分光光度 计波长计波长400nm 400nm 处测其吸光度。以钛含量为横坐标，吸处测其吸光度。以钛含量为横坐标，吸 光度为纵坐标，绘制工作曲线。光度为纵坐标，绘制工作曲线。 . .结果计算结果计算 按下式计算钛的含量：按下式计算钛的含量： Ti(%) =(mTi(%) =(m1 11010 3 3/m /m0 0) )100100 式中：式中

41、： m m1 1从工作曲线上查得的钛含量，从工作曲线上查得的钛含量，mgmg； m m0 0样品的重量，样品的重量，g g。 多晶硅厂原材料分析讲座 5.5.允许差允许差 不同试验室之间的分析结果的差值应不不同试验室之间的分析结果的差值应不 大于下表所列允许差：大于下表所列允许差： 多晶硅厂原材料分析讲座 五) 、磷含量 1.1.方法原理方法原理 试样用硝酸、氢氟酸溶解，加热以四氟化试样用硝酸、氢氟酸溶解，加热以四氟化 硅形式挥发除去大量的硅，用高氯酸冒烟除去硅形式挥发除去大量的硅，用高氯酸冒烟除去 硝酸根和氟离子，用硫代硫酸钠还原砷，在铋硝酸根和氟离子，用硫代硫酸钠还原砷，在铋 盐存在下，用

42、抗坏血酸乙醇溶液还原成铋磷盐存在下，用抗坏血酸乙醇溶液还原成铋磷 钼蓝，于分光光度计波长钼蓝，于分光光度计波长690nm690nm处测其吸光度。处测其吸光度。 测定范围：。测定范围：。 2.2.试剂试剂 硝酸硝酸 优级纯优级纯 氢氟酸氢氟酸 优级纯优级纯 高氯酸，优级纯（高氯酸，优级纯（1 13 3） 多晶硅厂原材料分析讲座 .4.4钼酸铵溶液（钼酸铵溶液（40g/L40g/L）: :称取称取4g4g钼酸铵，置钼酸铵，置 于于200ml200ml烧杯中，加入烧杯中，加入100ml100ml水，温热溶解，混水，温热溶解，混 匀。匀。 .5.5硝酸铋溶液（硝酸铋溶液（10g/L10g/L）称取）称

43、取1g1g硝酸铋，置于硝酸铋，置于 200ml200ml烧杯中，加入烧杯中，加入50ml50ml硝酸，待完全溶解后，硝酸，待完全溶解后， 加加50ml50ml水，混匀。水，混匀。 .6.6硫代硫酸钠溶液（硫代硫酸钠溶液（5g/L5g/L）称取）称取1g1g无水亚硫无水亚硫 酸钠及硫代硫酸钠（酸钠及硫代硫酸钠（NaNa2 2S S2 2O O3 35H5H2 2O O）, ,置于同一置于同一 烧杯中，加入少量的水溶解，移入烧杯中，加入少量的水溶解，移入100ml100ml的容的容 量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。量瓶中，用水稀释至刻度，混匀。 .7.7抗坏血酸抗坏血酸- -乙醇溶液（乙醇溶液（10

44、g/L10g/L）：称取）：称取3g3g抗抗 坏血酸，置于坏血酸，置于400ml400ml烧杯中，加入烧杯中，加入100ml100ml水溶解，水溶解， 加入加入200ml200ml乙醇，混匀。乙醇，混匀。 多晶硅厂原材料分析讲座 .8.8磷标准液：磷标准液： 称取预先于称取预先于105105度烘度烘1h1h并在干躁器中冷至室并在干躁器中冷至室 温的磷酸二氢钾基准试剂，置于温的磷酸二氢钾基准试剂，置于400ml400ml烧杯中，烧杯中， 用水溶解，加入用水溶解，加入2ml2ml硝酸，移入硝酸，移入1000ml1000ml容量瓶容量瓶 中，用水稀释至刻度，混匀，此容液中，用水稀释至刻度，混匀，此容

45、液1ml1ml含磷含磷 100ug100ug。 (MKH(MKH2 2POPO4 4=136.086,MP=30.97, MP/MKH=136.086,MP=30.97, MP/MKH2 2POPO4 4=0.2276)=0.2276) 移取移取25ml25ml磷标准溶液（）置于磷标准溶液（）置于500ml500ml容量瓶容量瓶 中，用水稀释置刻度，混匀。此溶液中，用水稀释置刻度，混匀。此溶液1ml1ml含磷含磷 5ug.5ug. 3.3.分析步骤分析步骤 样品处理样品处理 多晶硅厂原材料分析讲座 称取试样置于铂金皿中，加入称取试样置于铂金皿中，加入10ml10ml硝酸，边硝酸，边 摇动边滴加

46、氢氟酸摇动边滴加氢氟酸2 23ml3ml，低温加热至试样完，低温加热至试样完 全溶解，加入全溶解，加入5ml(1+3)5ml(1+3)高氯酸，加热使高氯酸高氯酸，加热使高氯酸 冒烟，并浓缩体积至冒烟，并浓缩体积至1ml1ml左右。取下稍冷，用左右。取下稍冷，用 水冲洗杯壁水冲洗杯壁 ，控制体积在，控制体积在10ml10ml左右，加热溶左右，加热溶 解盐类，冷却。解盐类，冷却。 将溶液转至将溶液转至50ml50ml容量瓶中，加入容量瓶中，加入1ml1ml流代流流代流 酸钠溶液，酸钠溶液，5ml5ml硝酸铋溶液，硝酸铋溶液，5ml5ml钼酸铵溶液，钼酸铵溶液， 15ml15ml抗坏血酸乙醇溶液，每

47、加完一种试剂后抗坏血酸乙醇溶液，每加完一种试剂后 需立即摇匀。放置需立即摇匀。放置2min2min（室温低于（室温低于150C150C时放置时放置 10min10min）. .空白随样品同时操作，将部分溶液移空白随样品同时操作，将部分溶液移 入入2cm2cm的比色皿中，以试剂空白溶液为参比，的比色皿中，以试剂空白溶液为参比， 于分光光度计于分光光度计690nm690nm处测其吸光度，从工作曲处测其吸光度，从工作曲 线上查得相应的磷含量。线上查得相应的磷含量。 多晶硅厂原材料分析讲座 .2.2工作曲线的绘制：工作曲线的绘制： 移取移取0 0、磷标准液分别置于、磷标准液分别置于50ml50ml的烧

48、的烧 杯中，加入杯中，加入5ml5ml高氯酸（高氯酸（1 13 3），在电热板上），在电热板上 加热浓缩至加热浓缩至1ml1ml左右，放冷，用水稀释至左右，放冷，用水稀释至10ml10ml 左右，以下按左右，以下按 条款进行。条款进行。 以试剂空白为参比，用以试剂空白为参比，用2cm2cm比色皿于分光光比色皿于分光光 度计度计690nm690nm处测其吸光度，以磷量为横坐标，处测其吸光度，以磷量为横坐标， 吸光度为纵坐标，绘制工作曲线。吸光度为纵坐标，绘制工作曲线。 .3.3分析结果计算分析结果计算 按下式计算磷的百分含量：按下式计算磷的百分含量： P(%)=P(%)=（ M M1 11010

49、6 6/M/M0 0）100100 多晶硅厂原材料分析讲座 式中：式中：P P磷的百分含量，磷的百分含量， M1M1从工作查得的磷含量，从工作查得的磷含量，ppm ppm M0M0试样量，试样量，g.g. . .允许差允许差 不同试验室之间的分析结果的差值应不同试验室之间的分析结果的差值应 不大于下表所列允许差。不大于下表所列允许差。 多晶硅厂原材料分析讲座 基本原理基本原理 v姜黄素与硼的显色过程在水溶液中进行。在酸姜黄素与硼的显色过程在水溶液中进行。在酸 性水溶液中姜黄素与硼结合成玫瑰红色络合物，性水溶液中姜黄素与硼结合成玫瑰红色络合物， 即玫瑰花青苷（即玫瑰花青苷（RosocyaninR

50、osocyanin），灵敏度较高），灵敏度较高 （摩尔吸光系数（摩尔吸光系数=1.8=1.810105 5），最大吸收峰），最大吸收峰 在在550nm550nm。 v姜黄素和硼络合形成玫瑰花青苷需要在无水条姜黄素和硼络合形成玫瑰花青苷需要在无水条 件下进行，有水分残存会使络合物颜色强度降件下进行，有水分残存会使络合物颜色强度降 低，在比色测定硼时应严格控制显色条件，以低，在比色测定硼时应严格控制显色条件，以 保证玫瑰花青苷的形成。保证玫瑰花青苷的形成。 六) 、硼含量 多晶硅厂原材料分析讲座 方法比较方法比较 下图是原方法工作曲线与本方法工作下图是原方法工作曲线与本方法工作 曲线的比较。曲线的

51、比较。 原方法工作曲线：原方法工作曲线： 多晶硅厂原材料分析讲座 v改进方法工作曲线改进方法工作曲线 多晶硅厂原材料分析讲座 . .要求要求 工业用液氯应符合表工业用液氯应符合表1 1要求。要求。 一、液氯含量一、液氯含量 多晶硅厂原材料分析讲座 2.2.采样采样 本方法建议使用小钢瓶采样，也允许在大钢瓶和本方法建议使用小钢瓶采样，也允许在大钢瓶和 管道上直接采样。无论是从钢瓶取样还是从管管道上直接采样。无论是从钢瓶取样还是从管 道取样，都应保证取出有代表性的液氯样品。道取样，都应保证取出有代表性的液氯样品。 当用小钢瓶时，每次取样测定后，应把小钢瓶内当用小钢瓶时，每次取样测定后，应把小钢瓶内

52、 余氯放净，并用干燥氮气以余氯放净，并用干燥氮气以1000ml/min1000ml/min的流量的流量 吹洗小钢瓶，至瓶内无氯气（用氨水检验）；吹洗小钢瓶，至瓶内无氯气（用氨水检验）； 小钢瓶密封保存；如果间歇使用，每次用完都小钢瓶密封保存；如果间歇使用，每次用完都 要清洗。清洗时，先用水冲净，再用无水酒精要清洗。清洗时，先用水冲净，再用无水酒精 + +丙酮（丙酮（1:11:1）冲洗几次，烘干后装配，在干燥）冲洗几次，烘干后装配，在干燥 条件下保存备用。条件下保存备用。 3.3.氯含量的测定氯含量的测定 3.1 3.1 方法原理方法原理 多晶硅厂原材料分析讲座 液氯气化后，取液氯气化后，取10

53、0ml100ml气氯样品，用碘化钾溶液吸气氯样品，用碘化钾溶液吸 收氯气，测量残余的气体体积，计算汽化样品中氯气收氯气，测量残余的气体体积，计算汽化样品中氯气 的体积百分比，化学反应式：的体积百分比，化学反应式： 2KI + Cl2KI + Cl2 2 2KCl + I2KCl + I2 2 3.2 3.2 试剂试剂 3.2.1 3.2.1 碘化钾溶液：化学纯，浓度为碘化钾溶液：化学纯，浓度为100g/L100g/L。 3.2.2 3.2.2 氢氧化钠溶液：工业品，浓度为氢氧化钠溶液：工业品，浓度为200 g/L200 g/L。 3.2.3 3.2.3 耐氯润滑脂：以氟化或氟氯化产品为基料的抗

54、耐氯润滑脂：以氟化或氟氯化产品为基料的抗 化学润滑脂。化学润滑脂。 3.3 3.3 仪器仪器 3.3.1 3.3.1 气体量管气体量管A A：容量：容量100ml100ml，上部具有分度。，上部具有分度。 3.3.2 3.3.2 水准瓶水准瓶F F：容量：容量250ml250ml，内盛碘化钾溶液。，内盛碘化钾溶液。 3.3.3 3.3.3 吸收瓶吸收瓶H H：容量：容量500ml500ml，内盛，内盛300ml300ml的氢氧化钠的氢氧化钠 溶液，用以吸收氯气。溶液，用以吸收氯气。 多晶硅厂原材料分析讲座 气体量管气体量管A A 水准瓶水准瓶F(F(碘化钾溶液碘化钾溶液) ) 吸收瓶吸收瓶H(

55、NaOHH(NaOH溶液溶液) ) 多晶硅厂原材料分析讲座 3.4 3.4 分析步骤分析步骤 将所使用的仪器装置如图将所使用的仪器装置如图1 1联接，旋转气体量管联接，旋转气体量管C C 阀，使气体量管阀，使气体量管A A与大气相通，旋转气体量管与大气相通，旋转气体量管B B 阀，使气体量管阀，使气体量管A A与水准瓶与水准瓶F F相通，调整水准瓶相通，调整水准瓶 F F的位置，使吸收剂液面与的位置，使吸收剂液面与A A管下端管下端“0 0”处相平。处相平。 同时连通同时连通C C和吸收瓶和吸收瓶H H，旋转，旋转B B阀使气体量管与氯阀使气体量管与氯 气源相通，缓慢打开钢瓶阀门，使氯气通入气

56、气源相通，缓慢打开钢瓶阀门，使氯气通入气 体量管体量管2 23 3分钟，以保证把气体量管里的空气分钟，以保证把气体量管里的空气 赶尽。关闭钢瓶阀门，紧接着关闭赶尽。关闭钢瓶阀门，紧接着关闭C C和和B B阀，拆阀，拆 下吸收瓶下吸收瓶H H及通氯气的连接管，放置片刻，使及通氯气的连接管，放置片刻，使A A 管内的氯气温度和外界达到平衡。管内的氯气温度和外界达到平衡。 迅速旋转迅速旋转C C阀一周，将水准瓶阀一周，将水准瓶F F逐渐升高，旋转逐渐升高，旋转B B 阀使吸收剂流入气体量管阀使吸收剂流入气体量管A A中少许，关闭中少许，关闭B B阀，阀， 使氯气被溶液吸收。使氯气被溶液吸收。 多晶硅

57、厂原材料分析讲座 重复这一操作直至没有更多的氯气被溶液吸收，然后使重复这一操作直至没有更多的氯气被溶液吸收，然后使 之静置冷却之静置冷却10101515分钟，使气体量管分钟，使气体量管A A和水准瓶和水准瓶F F的液的液 面相平，读出面相平，读出A A中残余的气体体积。中残余的气体体积。 3.5 3.5 分析结果的表述分析结果的表述 以体积百分数表示的氯含量以体积百分数表示的氯含量X1X1（V/VV/V）按式（）按式（1 1） 计算：计算： X1=(VX1=(VV V0 0)/V )/V 100 100 (1)(1) 式中：式中：V V试样体积，即气体量管的体积，试样体积，即气体量管的体积，m

58、lml； V V0 0气体量管内残余气体体积，气体量管内残余气体体积，mlml。 3.6 3.6 允许差允许差 以平行测定的两次结果的算术平均值为样品的氯以平行测定的两次结果的算术平均值为样品的氯 含量，对同一液氯样品，两次测定结果之差的绝对值含量，对同一液氯样品，两次测定结果之差的绝对值 不大于。不大于。 多晶硅厂原材料分析讲座 二、液氯中水份分析二、液氯中水份分析 1 1 方法原理方法原理 汽化的样品，通过已称量的五氧化二磷吸汽化的样品，通过已称量的五氧化二磷吸 收管，吸收其中水分，用已称重的氢氧化钠溶收管，吸收其中水分，用已称重的氢氧化钠溶 液吸收氯气。分别称量吸收管和吸收瓶，根据液吸收

59、氯气。分别称量吸收管和吸收瓶，根据 它们与各自测定前的质量差，计算样品的水分它们与各自测定前的质量差，计算样品的水分 含量，化学反应式：含量，化学反应式： P P2 2O O5 5+3H+3H2 2O=2HO=2H3 3POPO4 4 2 2 试剂试剂 2.1 2.1 五氧化二磷五氧化二磷; ; 2.2 2.2 干燥的空气或氮气干燥的空气或氮气; ; 氢氧化钠溶液：工业品，浓度为氢氧化钠溶液：工业品，浓度为200g/L;200g/L; 多晶硅厂原材料分析讲座 2.4 2.4 耐氯胶管耐氯胶管; ; 2.5 2.5 耐氯润滑脂耐氯润滑脂; ; 2.6 2.6 玻璃棉或玻璃毛：在玻璃棉或玻璃毛：在

60、110110干燥干燥1 1小时后使小时后使 用。用。 2.7 2.7 干燥的脱脂棉。干燥的脱脂棉。 3 3 仪器仪器 3.1 3.1 吸收管吸收管A A：内盛：内盛1600ml1600ml氢氧化钠溶液（）。氢氧化钠溶液（）。 3.2 3.2 流量计流量计B B：流量范围：流量范围500ml/min500ml/min，用内装四，用内装四 氯化碳的毛细管流量计或耐氯的转子流量计。氯化碳的毛细管流量计或耐氯的转子流量计。 3.3 3.3 过滤管过滤管C C：内装干燥过的玻璃棉（）。：内装干燥过的玻璃棉（）。 多晶硅厂原材料分析讲座 3.4 3.4 吸收管吸收管T1T1、T2T2：带支具塞的磨口：带支