IC原理复习资料综述

1、ic原理复习资料1 .按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型？小规模集成电路(ssi)、中规模集成电路(msi)、大规模集成电路(lsi)、 超大规模集成电路 (vlsi)、特大规模集成电路 (ulsi)、巨大规模集成电路 (gsi)。2 .按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？bjt 型、mos 型、bi-cmos 型3 .按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路4 .四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？减小寄生pnp管的影响；减小集电极串联电阻。5 .简单叙述一下pn结隔离的npn晶体管的光刻步骤？n+隐埋层扩散孔光刻

2、一 p隔离扩散孔光刻一 p型基区扩散孔光刻一 n+发射区 扩散孔光刻一引线孔光刻一反刻铝6 .简述硅栅p阱cmos的光刻步骤？p阱光刻一光刻有源区一光刻多晶硅一 p+区光刻一n+区光刻一光刻接触孔一光 刻铝线7 .以p阱cmos工艺为基础的bicmos的有哪些不足？npn晶体管电流增益小；集电极的串联电阻很大；npn管c极只能接固定电位，从而限制了 npn管的使用。8 .以n阱cmos工艺为基础的bicmos的有哪些优缺点？并请提出改进方法。纵pnpmosnmose b c优点：npn具有较薄的基区，提高了其性能；n阱使得npn管c极与衬底 隔开，可根据电路需要接电位。缺点：集电极串联电阻还是

3、太大，影响双极器件的驱动能力。改进方法：在n阱里加隐埋层，使npn管的集电极串联电阻减小；使cmos 器件的抗闩锁性能大大提高。9 .双极型ic的隔离技术主要有几种类型。pn结隔离、绝缘介质隔离及性能更优越的 pn结隔离、绝缘介质隔离混合的隔离工艺-混合隔离（等平面隔离）。其中最重要的是典型的pn结隔离的工艺内容，这仍然是双极型逻辑集成电路制造中最最常用的隔离工艺，因为该工艺与常规 平面制造工艺相容性最好。pn结隔离-利用反向pn结的大电阻特性实现集成电路中各元器件间电性隔离方法；介质隔离-使用绝缘介质取代反向pn结，实现集成电路中各元器件间电性 隔离方法；混合隔离-在实现集成电路中各元器件间

4、电性隔离时，既使用了反向pn 结的大电阻特性又使用了绝缘介质电性绝缘性质的方法。10 .为什么集成双极型晶体管会存在寄生效应？画出截面图并说明何谓有源寄生效应。为了在一个基片上制造出多个器件，必须采用隔离措施，pn结隔离是一种常用的工艺。在pn结隔离工艺中，典型npn集成晶体管的结构是四层三结构， 即npn管的高浓度n型扩散发射区-npn管的p型扩散基区-n型外延层（npn管的 集电区）-p型衬底四层，以及四层之间的三个 pn结这样的工艺结构。这就会产 生寄生pnp晶体管。11 .如何抑制集成双极型晶体管的有源寄生效应和无源寄生效应？抑制有源寄生效应的措施：（1）在npn集电区下加设n+埋层，

5、以增加寄生 pnp管的基区宽度，使少子在基区的复合电流增加，降低基区电流放大系数 bp叩 使寄生pnp管的电流放大系数降至0.01以下，则有源寄生转变为无源寄 生，仅体现为势垒电容的性质。；同时埋层的n+扩散区形成的自建减速场也有一 定的降低 的作用，还可降低rcso （2）可采用外延层掺金工艺，引入深能级杂 质，降低少子寿命，从而降低 b pnp掺金工艺是在npn管集电区掺金（相当于 在pnp管基区掺金）。掺金的作用，使pnp管基区中高复合中心数增加，少数载 流子在基区复合加剧，由于非平衡少数载流子不可能到达集电区从而使寄生pnp管电流放大系数大大降低。（3）还应注意，npn管基区侧壁到p+

6、隔离环之间也会 形成横向pnp管，必须使npn管基区外侧和隔离框保持足够距离。抑制无源寄生效应的措施：pn结电容的大小与结的结构和所处的状态有关， 即与pn结上所加的偏压有关；还与 pn结的面积有关，减小pn结的面积是减小 pn结电容的有效方法。降低rcs的方法是在npn集电区下加设n+埋层，采用磷穿 透工艺可进一步降低 小。12 .下图示出横向pnp管、纵向pnp管的剖面图。试说明它们的结构与特点e bc e b衬底pnp型管横向pnp型管横向pnp管的制作可与普通的npn管同时进行，不需附加工序。采用等平 面隔离工艺的横具中心 p型发射区和外围p型区是与普通npn管基区淡硼扩散 同时完成的

7、，而基区即为外延层。在横向 pnp管中，发射区注入的少子（空穴） 在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向pnp管。纵向pnp管以p型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。n型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低 电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓 冲级使用。13 .说明提高衬底pnp管电流增益的主要措施。降低基区材料的缺陷，减少复合中心数目，提高基区少子寿命。适当减薄基区宽度，采用薄外延材料。但同时应注意，一般衬底pnp管与 普通的npn管做在同一芯片上，pnp基区对应npn管的集电区，外延过薄，将导 致npn管集电

8、区在较低反向集电结偏压下完全耗尽而穿通。适当提高外延层电阻率，降低发射区硼扩散薄层电阻，以提高发射结注入 效率。在衬底和外延层之间加p+埋层，形成少子加速场，增加 p值。注意在纵 向pnp管中不能加n+埋层，这样将形成少子减速场，降低 p值。14 .画图说明mos ic寄生沟道的形成原因。它对 mos集成电路的正常工作产生什么影响？如何防止 mos集成电路产生寄生沟道?i/.j.f臼icj二. px_7rl l -十 1 t /j t l 二十 jurap-sii由图可见，当互连跨过场氧区时，如果互连电位足够高，可能使场区表面反 型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通，造成工作电流泄漏，使

9、器件电 路性能变差，乃至失效。预防措施：增厚场氧厚度tox,使vtf，但需要增长场氧时间，对前部工序有影响， 并将造成台阶陡峭，不利于布线。对场区进行同型注入，提高衬底浓度，使 v tf。但注意注入剂量不宜过 高，以防止某些寄生电容增大，和击穿电压的下降。版图设计时，尽量把可能产生寄生mos管的扩散区间距拉大，以使w/lj, ron ,但这样将使芯片面积，集成度l15 .为什么说latch-up（锁定/闩锁）效应是cmos ic存在的一种特殊的寄生效应？画出具等效电路图，说明消除 “latc-up”效应的方法？latch-up（锁定）是cmos存在一种寄生电路的效应，它会导致vdd和vss短

10、路，使得晶片损毁，或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期cmos技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解电路设计技巧之后，这 种效应已经可以被控制了。 cmos电路之所以会产生latch-up效应，是因它具 有4层3结的结构。我们可以用下图来表示。在图中我们以剖面图来看一个 cmos 反相器如何发生此效应，而且它是用p型阱制造生产。在这个图中，我们同时也 描绘了寄生电路，它包含了两个 bjt（一个纵向npn和一个横向pnp）和两个电阻 （rs是因n型衬底产生，rw是因p阱产生）。bjt的特性和mos是完全两样的。bjt有三个端点，分别为：集电极（c）、基极（b）、发射极（e）。

11、在一个npn晶体管 中，电流会从集极流至射极，如果集极-射极偏压（vce）大于等于某一个正电压（例 如，0.2v的饱和电压），且基极-射极偏压（vbe）大于0.6v或更多一些。在pnp晶 体管中，电流电压极性刚好与 npn相反。图（a）中的ti是一个pnp晶体管，t2 则是一个npn晶体管。如果rs与rw愈大，那么latch-up便愈可能发生，具等 效电路图如图（b）中所示。如果有足够的电流流入 n型衬底而从p型阱中流出， 在rs两端的电压将可能有足够大的偏压使得 ti和t2两个晶体管进入线性区而 如同一小电阻。因此从电源会流出多少电流就由rs的值来决定，这个电流可能足够大而使得电路故障。在单

12、阱工艺的mos器件中（p阱为例），由于nmos管源与衬底组成pn 结，而pmos管的源与衬底也构成一个 pn结，两个pn结串联组成pnpn结构， 即两个寄生三极管（npn和pnp）, 一且有因素使得寄生三极管有一个微弱导通， 两者的正反馈使得电流积聚增加，产生自锁现象。影响：产生自锁后，如果电源 能提供足够大的电流，则由于电流过大，电路将被烧毁。消除“latchup”效应的方法版图设计时：为减小寄生电阻rs和rw,版图设计时采用双阱工艺、多增加电 源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的 电位梯度；工艺设计时：降低寄生三极管的电流放大倍数：以 n阱cmos为例，为

13、降低两 晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。为减小寄生 pnp管的寄生电阻rs,可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生npn管的放大倍数；具体应用时：使用时尽量避免各种串扰的引入，注意输出电流不易过大。器件外部的保护措施低频时加限流电阻（使电源电流30ma） 尽量减小电路 中的电容值。（一般c0.01nf）16 .如何解决mos器件中的寄生双极晶体管效应？增大基区宽度：由工艺决定；使衬底可靠接地或电源。17 .集成电路中常用的电容有哪些？反偏pn结电容和mos电容器。18 .说明双极型模拟集成电路隔离区的划分原则

14、。npn管vc相同时，可放在同一隔离区内；pnp的vb相同时，可放在同一隔离区内；npn管的vc和pnp管vb相同时，可放在同一隔离区内；硼扩电阻原则上可放在同一隔离区内，但因阻值大，占面积大时，通常把 电阻按最高电位的不同，进行分区隔离；mos电容需单独占一个隔离区。19 . lsttl与非门隔离区划分。20 .说明mos器件的基本工作原理。它与 bjt基本工作原理的区别是什么？mos器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压vgs实现对水平ids的控 制。它是多子（多数载流子）器件。用跨导描述其放大能力。双极器件（两种载流子导电）是多子与少子均起作用的器件，有少子存贮效应，它用基极电流控制

15、集电极电流，是流控器件。用电流放大系数描述其放大能力。21 .试述硅栅工艺的优点它使|vtp|下降1.1v,也容易获得合适的 vtn值并能提高开关速度和集成 度。硅栅工艺具有自对准作用，使栅区与源、漏交迭的密勒电容大大减小，也 使其它寄生电容减小，使器件的频率特性得到提高。另外，在源、漏扩散之前进 行栅氧化，也意味着可得到浅结。硅栅工艺还可提高集成度，这不仅是因为扩 散自对准作用可使单元面积大为缩小， 而且因为硅栅工艺可以使用 上层半布线 即一层铝布线，一层重掺杂多晶硅布线，一层重掺杂的扩散层布线。22 .写出mos晶体管的线性区、饱和区和截止区的电流-电压的萨式方程。写出mos晶体管的跨导g

16、m的数学表达式。i ds =kn 2(vgsvtn v ds-vds 】一 一一 一一 一一2 . 一一一, i ds = k n (vgs vtn ) (1 + zvds )i ds =0vgs 一 vtn ,vds vgs - vtnvgs _vtn,vds _vgs -vtnvgs vtnjdsvgsi dsvgs_ -n -oxvds，vbs 4 - toxn ；oxvds vbs =0 - toxwl vds:vgs -vtn =、2ncox w/l ids23 .说明mos晶体管的最高工作频率同栅极输入电容之间的关系，说明提高mos晶体管工作频率的有效措施。fmg m2 cgck

17、2d vgs -vt从最高工作频率的表达式，我们得到一个重要的信息：最高工作频率与mos 器件的沟道长度l的平方成反比，减小沟道长度 l可有效地提高工作频率。24 .列出影响mos晶体管的阈值电压vt的因素。为什么硅栅nmos器件相对于铝栅nmos器件容易获得增强型器件?第一个影响阈值电压的因素是作为介质的二氧化硅（栅氧化层）中的电荷qss 以及电荷的性质。第二个影响阈值电压的因素是衬底的掺杂浓度。第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tox 决定的单位面积栅电容的大小。第四个对器件阈值电压具有重要影响的参数是栅材料与硅衬底的功函数差as的数值。铝栅的oms为-0.3v硅栅为+0.8v。所以

18、硅栅nmos器件相对于铝栅 nmos 器件容易获得增强型器件。25 . 什么是 mos 晶体管的衬底偏置效应？ cmos 倒相器有衬底偏置效应吗？当mos晶体管的源极和衬底不相连时，即vbs (bulk-source) w0的情况，由基本的 pn 结理论可知， 处于反偏的 pn 结的耗尽层将展宽。 由于栅电容两边电荷守衡，所以， 在栅上电荷没有改变的情况下， 耗尽层电荷的增加， 必然导致沟道中可动电荷的减少， 从而导致导电水平下降。 若要维持原有的导电水平， 必须增加栅压，即增加栅上的电荷数。对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使mos 晶体管的阈值电压的数值提高。对 nmos, vtn更正，对

19、pmos, vtp更负，即阈值电压的绝对值提高了。 cmos 倒相器没有衬底偏置效应，但cmos 传输门有。26 .为什么通常pmos管的(w/l)p比nmos管的宽长比(w/l)n大？大多少倍？因为有效电子迁移率约是有效空穴迁移率高的 2.5倍，为保证导电因子相等，进而保证有对称的电流特性、跨导等，往往在设计输出级电路时，要求pmos管的(w/l)p比nmos管的宽长比(w/l)n大2.5倍。27 . nmos 传输门和 pmos 传输门在传输高电平和低电平时，各有什么特点。nmos 传输门在传输高电平时，有阈值电压损耗， nmos 传输门可以完全地传输低电平。 pmos 传输门在传输低电平

20、时，有阈值电压损耗， pmos 传输门可以完全地传输高电平28 .何谓三态逻辑？三态门是一种非常有用的逻辑部件，它被广泛地应用在总线结构的电路系统中。所谓三态逻辑，是指该逻辑门除了正常的“0” “1两种输出状态外，还存在第三态：高阻输出态（z）。29 .画出cmos传输门的电路图，它有衬底偏置效应吗？cmos传输门cmos传输门有衬底偏置效应30 .说明如图所示硅栅nmos或非结构rom的局部版图的区别位线（相）位战（华）图（a）所示的硅栅nmos或非结构rom的版图，以多晶硅条为字线（图中水 平线），以铝线做位线（图中竖直线），以n+扩散区做地线，并且地线间隔排列即 采用共用地线（共用源区）

21、结构，在需要制作nmos管的字线、位线交叉点处做一 个n+扩散区形成源漏，与水平硅栅构成 nmos晶体管。图（b）则显示了另一种结构的硅栅nmos rom o与（a）图不同的是，它在所有的字线、位线交义点都制作nmos管，所不同的是有的nmos管能够在正常信号下工作，有的则不能工作它采用离子注入的方法，在不需要 nmos管的地方，预先在多晶硅下注入硼离子，使此处的衬底表面p型杂质浓度提高，使nmos管的阈值电压提高到大于 电源电压，这样，字线上的信号不能使此处的 nmos管导通，从而该nmos管不起作用，达到选择的效果。在这两种结构中值得注意的是，由于用扩散区做地线，为防止扩散电阻使地 线的串

22、联电阻过大，rom块不能很大，对大容量 rom应分块处理。31 .说明采用离子注入方法确定晶体管选择的优点。采用离子注入的方法确定晶体管的选择的优点是： 结构简单，对不同的数据 或逻辑，只需一块掩模版就可以加以确定。32 .分析如图所示rom结构（晶体管阵列），其中61=g2,说明下面两种结构(a)类型，以及简述两种结构的区别。vdd 一.-,.-静态结构的rom由于采用了有比结构，即输出的低电平取决于耗尽型负载 的导通电阻与增强型 nmos管的导通电阻的比值。为了保证低电平达到要求,耗尽型负载的导通电阻要比增强型 nmos要大得多。这将导致各个位线上输出高电平的上升时间远大于输出低电平的下降

23、时间，有多位输出时，输出有高有低,因此上升时间就决定了信号的工作周期，是整个信号的工作速度受到上升时间的限制。由于处于低电平输出的位线始终存在着电源到地的直流通路，其静态功耗比较大。动态结构的优点是速度快、功耗小。动态 rom结构将译码和预充电放在同 一节拍进行，使上拉时间不计算在输出时间内，提高了速度。因为是无比结构， 负载管和工作管的尺寸不用考虑彼此的关系，只考虑各管的充放电速度，通过加 大负载管尺寸提高预充电的速度。33 .说明如图所示采用标准cmos结构mux电路中，逻辑电平提升电路的工作原理。逻辑电平提升电路是一个由倒相器和 pmos管组成的正反馈回路。当nmos 结构的mux在传输高电平时，随着z端电位不断地上升。寸节点电容充电），倒 相器的输出电位不断地下降，使得 pmos管由原先的截止转向导通，加快了 z 点电位的提升速度，这时，即使 mux中的nmos管已经截止（因为阈值损耗）， 通过导通的pmos管仍然能够将z点的电位提升到电源电压 vdd。另一方面， 在mux的输出端还同时得到了一个反相的信号，增加了逻辑运用的灵活性。34 .依据下表，设计一个实现四种逻辑操作的电路，其中控制信