项目1 扩音机放大电路

1、 功 率 放 大 电 压 放 大 话 筒 电 压 放 大 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 1.2.3 二极管的结构二极管的结构 1.2.6 特殊二极管特殊二极管 1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 1.2.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 1.2.5 二极管的主要参数二极管的主要参数 导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属 一般都是导体。一般都是导体。 绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：半导体：另有一类物

2、质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 硅和锗的共价键结构图硅和锗的共价键结构图 +4 硅和锗的原子结构硅和锗的原子结构 简化模型简化模型 半导体的导电特性半导体的导电特性 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 掺杂性：掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力 明显改变明显改变(可做成各种不同用途的半导体器可做成各种不同用途的半导体器 件，如二极管、三

3、极管和晶闸管等件，如二极管、三极管和晶闸管等)。 光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成可做成 光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管等光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管等)。 热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强 （可做成温度敏感元件，如热敏电阻）。（可做成温度敏感元件，如热敏电阻）。 半导体的特性：半导体的特性： 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 本征半导体：本征半导体：完全纯净的、晶格完整的半导体。完全纯净的、晶格完整的半导体。 半导体的分类：半导体的分类： 1.2.1 半导体的导电特性半

4、导体的导电特性 杂质半导体：杂质半导体：本征半导体中掺入某些微量的杂质，本征半导体中掺入某些微量的杂质， 这使掺杂后的半导体的导电能力大大增强。这使掺杂后的半导体的导电能力大大增强。 掺入的杂质为掺入的杂质为五价元素五价元素为为 N 型半导体。型半导体。 掺入掺入的杂质为的杂质为三价元素三价元素为为 P 型半导体。型半导体。 Si Si Si Si 价电子价电子 这一现象称为这一现象称为本征激发。本征激发。空穴空穴 自由电子自由电子 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 Si Si Si Sip+ 多余多余 电子电子 磷原子磷原子 常温下可

5、变常温下可变 为自由电子为自由电子 失去一个失去一个 电子变为电子变为 正离子正离子 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 Si Si Si Si B 硼原子硼原子 空穴空穴 1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 思考题：思考题： 1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 PN结的形成结的形成 多子的扩散运动多子的扩散运动 内电场内电场 少子的漂移运动少子的漂移运动 浓度差浓度差 扩散的结果使空扩散的结果使空 间电荷区变宽。间电荷区变宽。 空间电荷区也称空间电荷区也称PN 结。结。 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +

6、+ + 形成空间电荷区形成空间电荷区 扩散运动和漂移运动的动态平衡：扩散运动和漂移运动的动态平衡： 扩散强扩散强漂移运动增强漂移运动增强内电场增强内电场增强 两者平衡两者平衡 PNPN结宽度基本稳定结宽度基本稳定 外加外加 电压电压 平衡平衡 破坏破坏 扩散强扩散强 漂移强漂移强 PNPN结导通结导通 PNPN结截止结截止 1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 外电场外电场 IF 内电场内电场 PN + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 + IR 1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性

7、 PN结的单向导电性结的单向导电性正向导通反向截止正向导通反向截止 u 在在PN结结加上正向电压加上正向电压或或正向偏置正向偏置的意思都是：的意思都是： P区加正、区加正、N区加负电压。区加负电压。 当当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的结正向偏置时，回路中将产生一个较大的 正向电流，正向电流，PN 结处于结处于导通状态。导通状态。 uPN结结加上反向电压加上反向电压或或反向偏置反向偏置的意思都是：的意思都是：P 区加负、区加负、N区加正电。区加正电。 当当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，结反向偏置时，回路中反向电流非常小， 几乎等于零，几乎等于零，PN 结处于结处于截止状态

8、截止状态。 1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 二极管二极管=PN结结+管壳管壳 +引线引线 结构结构: 符号符号: 1.2.3 二极管的结构二极管的结构 分类分类: 按材料分：按材料分： 硅管硅管(Si管管)、锗管、锗管(Ge管管) 。 按封装形式分：按封装形式分： 塑料封装、玻璃封装、塑料封装、玻璃封装、 金属封装。金属封装。 金属触丝金属触丝 阳极引线阳极引线 N型锗片型锗片 阴极引线阴极引线 外壳外壳 ( a ) 点接触型点接触型 铝合金小球铝合金小球 N型硅型硅 阳极引线阳极引线 PN结结 金锑合金金锑合金 底座底座 阴极引线阴极引线 (b) 面接触型面接触型 1.2.

9、3 二极管的结构二极管的结构 按管子结构分：按管子结构分： 点接触型二极管、点接触型二极管、 面接触型二极管。面接触型二极管。 按用途分：按用途分： 普通管、整流管、稳压管、普通管、整流管、稳压管、 检波管、开关管、发光管等。检波管、开关管、发光管等。 几种常见的二极管外形：几种常见的二极管外形： 1.2.3 二极管的结构二极管的结构 反向击穿反向击穿 电压电压U(BR) 反向特性反向特性 P N + P N + U I 0 1.2.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 P N + P N + 1.2.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 允许流过二极管的最大正向平均电流。允许流过二极管的最大

10、正向平均电流。 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。 一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。的一半或三分之二。 二极管加最高反向工作电压时的反向电流。二极管加最高反向工作电压时的反向电流。 反向电流大，说明管子的单向导电性差，反向电流大，说明管子的单向导电性差，受温度受温度 的影响，温度越高反向电流越大。的影响，温度越高反向电流越大。 1.2.5 二极管的主要参数二极管的主要参数 UZ IZ IZM UZ IZ U I O 正向正向 反向反向 1.2.6 特殊二极管特殊二极管 Z Z ZI U r 1.2.6 特殊二

11、极管特殊二极管 1.2.6 特殊二极管特殊二极管 3） 光电二极管光电二极管 E=0 E1 E2 E2 E1 图图14.6.2 光电二极管符号和输出特性曲线光电二极管符号和输出特性曲线 1.2.6 特殊二极管特殊二极管 二极管二极管电路分析电路分析举例：举例： 定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态 导通导通 截止截止 否则，否则， 若二极管是理想的，若二极管是理想的， 二极管二极管电路分析电路分析举例：举例： 分析方法：分析方法： 单个二极管：单个二极管： 多个二极管：多个二极管： 例例1： D 6V 12V 3k B A UAB + 例例2: mA4 3 12 2D

12、I B D1 6V 12V 3k A D2 UAB + V sin18 i tu t (a) 小功率管小功率管 (b) 小功率管小功率管 (c) 大功率管大功率管 (d) 中功率管中功率管 半导体三极管分两类：半导体三极管分两类： 双极型三极管（双极型三极管（BJT）-常用；常用； 单极性三极管（场效应管）。单极性三极管（场效应管）。 （1）常见三极管的实物）常见三极管的实物 1.3.1 常见三极管实物、结构、符号常见三极管实物、结构、符号 图图14.5.2 晶体管的结构示意图和符号晶体管的结构示意图和符号 (a) NPN型型 N N C E B P C E TB IB IE IC B E C

13、 P P N E T C B IB IE IC (b) PNP型型 C E NNP B C E PPN B 2）三极管的结构和符号）三极管的结构和符号 1.3.1 常见三极管实物、结构、符号常见三极管实物、结构、符号 结构特点：结构特点： 1.3.1 常见三极管实物、结构、符号常见三极管实物、结构、符号 （1）三极管放大的条件：）三极管放大的条件： + UBE IC IE IB C T E B + UCE (a) NPN 型管型管 + UBE IB IE IC C T E B + UCE 图图14.5.4 电流方向和发射结与集电结的极性电流方向和发射结与集电结的极性 (b) PNP 型管型管

14、1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 EEB RB RC （1）三极管放大的条件：）三极管放大的条件： 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 图图14.5.3 晶体管电流放大的实验电路晶体管电流放大的实验电路 （2）三极管的电流放大原理）三极管的电流放大原理 mA A V V mA IC EC IB IE RB + UBE + UCE EB C E B 3DG100 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 RP 表表1-1-1 1-1-1 实验电路实验电路测量结果测量结果 符合基尔霍夫定律。符合基尔霍夫定律。 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管

15、的电流放大作用 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 （3）三极管的伏安特性曲线）三极管的伏安特性曲线 管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内 部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析放大电路的依据。是分析放大电路的依据。 重点讨论重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线。应用最广泛的共发射极接法的特性曲线。 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 晶体管共发射极电路晶体管共发射极电路 输入回路输入回路输出回路输出回路 mA A V V IC EC IB RB +

16、UBE + UCE EB C E B 3DG100 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 常常数数 CE )( BEB U UfI 3DG100晶体管的晶体管的 输入特性曲线输入特性曲线 O 0.40.8 IB/ A UBE/V UCE1V 60 40 20 80 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 常常数数 B )( CEC I UfI IC/mA UCE/V 100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 3DG100晶体管的输出特性曲线晶体管的输出特性曲线 共发射极电路共发射极电路 IC

17、 EC =UCC IB RB + UBE + UCE EB C E B 在不同的在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的下，可得出不同的曲线，所以晶体管的 输出特性曲线输出特性曲线是一组曲线。是一组曲线。 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 IC/mA UCE/V 100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 常常数数 B )( CEC I UfI 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 IC/mA UCE/V 100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 12 4

18、 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 对对NPN型硅管，当型硅管，当 UBE0.5V时时, 即已开始即已开始 截止截止, 为使晶体管可靠为使晶体管可靠 截止截止 , 常使常使 UBE 0。 截止时截止时, 集电结也处集电结也处 于反向偏置于反向偏置( (UBC0),), 此时此时IC 0 , UCE UCC 。 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。的曲线以下的区域称为截止区。 IB = 0 时时, IC = ICEO( (很小很小) )。(ICEO 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 IC/mA UCE/V 100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3

19、6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 IC UCC/RC 。 当当 UCE 0) )， 晶体管工作于饱和状态。晶体管工作于饱和状态。 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 晶体管三种工作状态的电压和电流：晶体管三种工作状态的电压和电流： (a)放大放大 + UBE 0 IC IB+ UCE + UBC 0 (b)截止截止 IC 0 IB = 0+ UCE UCC + UBC 0 IB+ UCE 0 + UBC 0 C CC C R U I 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 0 0.1 0.5 0.1 0.6 0.7 0.2 0.3 0.3

20、 0.1 0.7 0.3 硅管硅管( (NPN) ) 锗管锗管( (PNP) ) 可靠截止可靠截止开始截止开始截止 UBE/V UBE/VUCE/V UBE/V 截截 止止 放大放大 饱和饱和 工工 作作 状状 态态 管管 型型 晶体管结电压的典型值晶体管结电压的典型值 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 B C I I _ B C I I 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶 体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 1.3.3 三极

21、管的主要性能指标三极管的主要性能指标 537 040 51 B C . . . I I 40 040060 5132 B C . . I I 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 ICBO A + EC A ICEO IB=0 + 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 IC EC=UCC IB RB + UBE + UCE EB C E B 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 ICM U(BR)CEO IC UCE O 安全工作区安全工作区 晶体管的安全工作区晶体管的安全工作区 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 1.3.3

22、三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 1.3.4 特殊三极管特殊三极管 （1）复合管）复合管 方式方式 1： T1 NPN T2 NPN ib ic ie B E C ib b ic c ie NPN 复合管的电流放大系数复合管的电流放大系数 1 2。 。 复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同；复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同； E B C T2 NPN ib ic ie B C E ib b ic c ie PNP 方式方式 2： 1.3.4 特殊三极管特殊三极管 （1）复合管）复合管 1.3.4 特殊三极管特殊三极管 （2）带阻三极管）带阻三极管 T1 NPN T2 N

23、PN B C E NPN 带阻三极管是一种内部包含一个或几个电阻带阻三极管是一种内部包含一个或几个电阻 的晶体三极管，常用在家用电器和音像设备中。的晶体三极管，常用在家用电器和音像设备中。 1.3.4 特殊三极管特殊三极管 （2）带阻三极管）带阻三极管 T1 PNP T2 PNP B C E PNP +UCC RS us RB RC C1 C2 T + + + RL ui + uo + + uBE uCE iC iB iE 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 1.4.1.1电路组成电路组成 +UCC RS us RB RC C1 C2 T + + + RL ui + uo +

24、 + uBE uCE iC iB iE 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 1.4.1.1电路组成电路组成 +UCC RS us RB RC C1 C2 T + + + RL ui + uo + + uBE uCE iC iB iE 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 1.4.1.1电路组成电路组成 1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用 UBEIB IC UCE 无输入信号无输入信号(ui = 0)时：时： uo = 0 uBE = UBE uCE = UCE uBE t O iB t O iC t O uCE t O +UC

25、C RB RC C1 C2 T + + ui + uo + + + uBE uCE iC iB iE 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 IC UCE O IB UBE O Q IB UBE Q UCE IC 1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用 UBEIB ？ uCE = UCC iC RC uo 0 uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo IC ui + +UCC RB RC C1 C2 T + + uo + + + uBE uCE iC iB iE uBE t O iB t O iC t O uCE t O ui t O

26、UCE uo t O 1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用 + 集电极电流集电极电流 直流分量直流分量 交流分量交流分量 动态分析动态分析 iC t O iC t IC O iC t ic O 静态分析静态分析 1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用 ui t O uo t O 1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用 1.4.1.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 +UCC RS us RB RC C1 C2 T + + + RL ui + u

27、o + + uBE uCE iC iB iE 直流通路直流通路 ( IB 、 IC 、 UCE ) 对直流信号电容对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）可看作开路（即将电容断开） 断开断开 断开断开 +UCC RB RC T + + UBE UCE IC IB IE 1.4.1.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路 RB RC ui uORL RS us + + + XC 0，C 可看作可看作 短路。忽略电源的短路。忽略电源的 内阻，电源的端电内阻，电源的端电 压恒定，直流电源压恒定，直流电源 对交流可看作短路。对交流可看作短路。 +UCC RS us RB RC C1 C2 T

28、+ + + RL ui + uo + + uBE uCE iC iB iE 短路短路 短路短路 对地短路对地短路 1.4.1.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路 放大电路无输入信号放大电路无输入信号( (ui=0) )时工作状态。时工作状态。 估算法、图解法。估算法、图解法。 各极电压电流的直流分量。各极电压电流的直流分量。 放大电路的直流通路。放大电路的直流通路。 静态工作点静态工作点Q：IB、IC、UCE 。 静态分析：静态分析：确定放大电路的静态值。确定放大电路的静态值。 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 1.4.1.4 放大电路的分析放大电路的分析 1） 静态

29、分析静态分析 (1) CCBE B B 所以： UU I R CC B B U I R 根据电流放大作用：根据电流放大作用： CBCEOBB IIIII 当当UBE UCC时，时， +UCC RB RC T + + UBE UCE IC IB 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 估算法估算法 已知：已知：UCC=12V，RC=4k ，RB=300k ， =37.5。 解：解：mAmA B CC B 040 300 12 . R U I CB 37.5 0.04mA1.5mAII VV CCCCCE 645112 . RIUU +UCC RB RC T + + UBE UCE

30、IC IB 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 CECCCCEE CCCCE () UUI RI R UIRR CCBE B BE (1 ) UU I R R CB II EEBEBBCC RIURIU BBBEBE ()1I RU I R 解：解： IE +UCC RB RC T + + UBE UCE IC IB 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 常常数数 B )( CEC I UfI UCE = UCC ICRC +UCC RB RC T + + UBE UCE IC IB 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 法法 UCE /V I

31、C/mA O B BECC B R UU I C tan R 1 ICQ UCEQ C CC R U UCC 常常数数 B )( CEC I UfI 直流负载线直流负载线 Q 由由IB确定的那条确定的那条 输出特性与直输出特性与直 流负载线的交流负载线的交 点就是点就是Q点点 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 2） 动态分析动态分析 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一 个线性电路，即把非线性的个线性电路，即把非线性的晶体管线性化晶体管线性化。 晶体管在晶体管在小信号小信号

32、( (微变量微变量) )情况下工作。即在静态工情况下工作。即在静态工 作点附近小范围内用直线近似代替晶体管的特性曲线。作点附近小范围内用直线近似代替晶体管的特性曲线。 利用放大电路的微变等效电路分析利用放大电路的微变等效电路分析计算计算放大电路放大电路 电压放大倍数电压放大倍数Au、输入电阻、输入电阻ri、输出电阻、输出电阻ro等。等。 法法 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路 be E 26(mV) 200()(1) (mA) r I CE B BE beU I U r CE b be U i u O 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 CE B C U I I C

33、E b c U i i O 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 ib ic ic B C E ib ib 晶体三极管晶体三极管 微变等效电路微变等效电路 ube + + - - uce + + - - ube + + - - uce + + - - rbe B E C 晶体管的晶体管的B、E之间之间 可用可用rbe等效代替。等效代替。 晶体管的晶体管的C、E之间可用一之间可用一 受控电流源受控电流源ic= ib等效代替。等效代替。 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 ibic eS rbe ib RBRCRL E B C ui + + - - uo + + - - + + -

34、- RS ii RB RC ui uORL + + + + - - - - RS eS + + - - ib ic B C E ii 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 ibic eS rbe ib RBRCRL E B C ui + + - - uo + + - - + + - - RS ii i U i I b I c I o U b I S E rbeRBRCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 bebi rIU L be u R A r LCL / /RRR i o : U U Au 定定义义 rbe

35、 be C r R Au i U i I b I c I o U b I S E rbeRBRCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS Lco RIU Lb RI 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 CLL bebe / / 86.5 u RRR A rr i U i I b I c I o U b I S E rbeRBRCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS CC B B 0.04 U ImA R ECB 1.5mAIII be 26 200()(137.5)0.867 1.5( mV rk mA (）(） ） 方法

36、方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 Lco RIU LCL /RRR Lb RI rbe RB RCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS i U i I b I c I o U b I S E e I RE Eebebi RIrIU Ebbeb ) 1 (RIrI Ebe L ) 1 (Rr R Au 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 S E S R i I i U i r S E S R i I i U i i i I U r 输入电阻输入电阻 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 i i I U ri beB /rR 时时，当当 beB

37、 rR bR i B II U ibe rr i U i I b I c I o U b I S E rbeRBRCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS ri B R I 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 rbe RB RCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS i U i I b I c I o U b I S E e I RE Eebebi RIrIU Ebbeb )1 (RIrI Ebe i b )1 (Rr U I EbeBi )1 (/RrRr ri B R I 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 o

38、 U o E o o o I U r 输出电阻：输出电阻： o U S E 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 i U i I b I c I o U b I S E rbeRBRCRL E B C + + - - + + - - + + - - RS C o o o R I U r 求求ro的步骤：的步骤： (1) 断开负载断开负载RL o U (3) 外加电压外加电压 o I (4) 求求 o r 外加外加 o I C Rco III bc II C o RC R U I 0 0 cb II 所所以以 (2) 令令 或或 0 S E 0 i U 方法方法1：微变等效电路法：微变等效

39、电路法 rbe RB RL E B C + + - - + + - - + + - - RS i U b I c I o U b I S E e I RE i I E Rbbo IIII E o SBbe o SBbe o R U R/Rr U R/Rr U ESbe o 1 / 1 1 RRRr r 外加外加 o I E R I o r 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 方法方法2：图解法：图解法 D C 交流负载线交流负载线 直流负载线直流负载线 L 1 tan R IC/mA 4 3 2 1 O48121620 80 A A 60 A 40 A 20 A UCE/V Q LC

40、R R Q uCE/V t t iB/ A IB t iC/mA IC iB/ A uBE/V t uBE/V UBEUCE iC/mA uCE/V O OO O O O Q iC Q1 Q2 ib ui uo 方法方法2：图解法：图解法 Q2 uO UCE Q uCE/V t t iC/mA IC iC/mA uCE/V O O O Q1 方法方法2：图解法：图解法 ui uO t iB/ A iB/ A uBE/V t uBE/V UBE OO O QQ uCE/V t iC/mA uCE/V O O UCE 方法方法2：图解法：图解法 +UCC RB RC T + + UBE UCE I

41、C IB CBO B BECC CEOBC )1 ( I R UU III 当温度升高时，当温度升高时， ， ICBO 。 1.4.2.1 温度变化对静态工作点的影响温度变化对静态工作点的影响 1.4.2.1 温度变化对静态工作点的影响温度变化对静态工作点的影响 上式表明，当上式表明，当UCC和和 RB一定时，一定时， IC与与 UBE、 以以 及及 ICEO 有关有关，而这三个参数随温度而变化。，而这三个参数随温度而变化。 温度升高时，温度升高时， IC将增加，使将增加，使Q点沿负载线上移。点沿负载线上移。 iC uCE Q Q O 前面将的电路是固定偏置电路，其工作点前面将的电路是固定偏置

42、电路，其工作点Q点是点是 不稳定的，为此需要不稳定的，为此需要改进偏置电路改进偏置电路。 1.4.2.1 温度变化对静态工作点的影响温度变化对静态工作点的影响 当温度升高使当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少增加时，能够自动减少IB，从而，从而 抑制抑制Q点的变化，保持点的变化，保持Q点基本稳定。点基本稳定。 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 基极电位基本恒定，基极电位基本恒定， 不随温度变化。不随温度变化。 2B1B CC 21 RR U II B2 B2B2CC B1B2 R VI RU RR VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB +

43、+ + +UCC ui uo + + IC RS eS + 2B II 分析：分析：若满足若满足 ， E BEB EC R UV II BEBEE BCE UVI R VI R VE VB RB1 RC C1 C2 RB2 CERE RL I1 I2 IB + + + +UCC ui uo + + IC RS eS + T UBE IB ICVE IC VB 固定固定 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 CC 2B1B 2B B U RR R V E BEB EC R UV II C B I I VB RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB + + +

44、+UCC ui uo + + IC RS eS+ )( ECCCC EECCCCCE RRIU RIRIUU 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 对交流：对交流：旁路电容旁路电容 CE 将将R 短路短路， R 不起作不起作 用用， Au，ri，ro与固定偏置电路相同与固定偏置电路相同。 如果去掉如果去掉CE , 旁路电容旁路电容 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + RS eS+ 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 RB1RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + RS eS

45、+ 2B1BB / RRR i U i I b I c I o U b I & & S E e I B R I 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 Ebe L ) 1(Rr R Au be L r R Au EbeB2B1i )1 (R/R/Rrr Co Rr beBi r/Rr Co Rr 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + RS eS+ o s S u U A E & & & & ？ 考虑信号源内阻考虑信号源内阻RS 时时 Li s beSi u Rr A rRr 所所以以 S

46、 o s E U Au S i i o E U U U S i E U Au iS i S i rR r E U i r 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 在图示放大电路中，已知在图示放大电路中，已知UCC=12V，RC= 6k， RE1= 300，RE2= 2.7k，RB1= 60k，RB2= 20k， RL= 6k ，晶体管，晶体管=50， UBE=0.6V，试求试求: : (1) (1) 静态工作点静态工作点 IB、IC 及及 UCE； (2) (2) 画出微变等效电路；画出微变等效电路； (3) (3) 输入电阻输入电阻ri、ro及及 Au。 RB1 RC C1 C2 RB

47、2 CE RE1RL + + + +UCC ui uo + + RE2 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 B2 BCC B1B2 20 12V3V 6020 R VU RR BBE CE E1E2 3 0.6 =0.8 3 VU IImAmA RR C B 0.8 16 50 I IAA V8 . 4 V38 . 068 . 012 )( 2E1EECCCCCE RRIRIUU RB1RC RB2 RE1 +UCC RE2 + UCE IE IB IC VB 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 k6 Co Rr k86. 1 8 . 0 26 51200 I 26 ) 1

48、(200 E be r BB1B2 / /15 kRRR 其其中中 1EbeBi ) 1 (/RrRr k03.8 1Ebe L ) 1 (Rr R A u 69. 8 S E i U i I b I c I o U b I & & e I B R I 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 RB +UCC C1 C2 RRL ui + uo + + + es + RS EB BECC B )1(RR UU I BE )1(II 1.4.3.1 静态分析静态分析 EECCCE RIUU +UCC RB R + UCE + UBE I IB IC RB +UCC C1 C2 RRL ui

49、+ uo + + + es + RS RB +UCC C1 C2 RRL ui + uo + + + es + RS rbe RB RL E BC + + - - + + - - + + - - RS i U b I c I o U b I S E e I RE 1.4.3.2 动态分析动态分析 1.4.3.2 动态分析动态分析 LEL / RRR Leo RIU Lb 1RI ）（ Lebebi RIrIU Lbbeb )1 (RIrI Lbbeb Lb )1( )1( RIrI RI Au Lbe L )1( 1 Rr R ）（ rbe RB RL E BC + + - - + + - - + + - - RS i U b I c I o U b I S E e I RE rbe RB RL E BC + + - - + + - - + + - - RS i U b I c I o U b I S E e I RE iBi /rRr b beeLi ibeL bb (1) I rI RU rrR II & & & & & & & LEL /RRR i r i r 1.4.3.2 动态分析动态分析 LbeB