半导体工艺基础 第九章续 表面钝化

1、 9.1 概述概述 一、钝化膜及介质膜的重要性和作用一、钝化膜及介质膜的重要性和作用 1、改善半导体器件和集成电路参数、改善半导体器件和集成电路参数 2、增强器件的稳定性和可靠性、增强器件的稳定性和可靠性 二次钝化可强化器件的密封性，屏蔽外界杂质、离子电荷、二次钝化可强化器件的密封性，屏蔽外界杂质、离子电荷、 水汽等对器件的有害影响。水汽等对器件的有害影响。 3、提高器件的封装成品率、提高器件的封装成品率 钝化层为划片、装架、键合等后道工艺处理提供表面的机械钝化层为划片、装架、键合等后道工艺处理提供表面的机械 保护。保护。 4、其它作用、其它作用 钝化膜及介质膜还可兼作表面及多层布线的绝缘层。

2、钝化膜及介质膜还可兼作表面及多层布线的绝缘层。 二、对钝化膜及介质膜性质的一般要求二、对钝化膜及介质膜性质的一般要求 1、电气性能要求、电气性能要求 （1）绝缘性能好。介电强度应大于）绝缘性能好。介电强度应大于5MV/cm； （2）介电常数小。除了作介电常数小。除了作MOS电容等电容介质外，介电常电容等电容介质外，介电常 数愈小，容性负载则愈小。数愈小，容性负载则愈小。 （3）能渗透氢。器件制作过程中，硅表面易产生界面态，）能渗透氢。器件制作过程中，硅表面易产生界面态， 经经H2 退火处理可消除。退火处理可消除。 （4）离子可控。在做栅介质时，希望能对正电荷或负电荷）离子可控。在做栅介质时，希

3、望能对正电荷或负电荷 进行有效控制，以便制作耗尽型或增强型器件。进行有效控制，以便制作耗尽型或增强型器件。 （5）良好的抗辐射。防止或尽量减小辐射后氧化物电荷或）良好的抗辐射。防止或尽量减小辐射后氧化物电荷或 表面能态的产生，提高器件的稳定性和抗干扰能力。表面能态的产生，提高器件的稳定性和抗干扰能力。 2、对材料物理性质的要求、对材料物理性质的要求 （1）低的内应力。高的张应力会使薄膜产生裂纹，高的压）低的内应力。高的张应力会使薄膜产生裂纹，高的压 应力使硅衬底翘曲变形。应力使硅衬底翘曲变形。 （2）高度的结构完整性。针孔缺陷或小丘生长会有造成漏）高度的结构完整性。针孔缺陷或小丘生长会有造成漏

4、 电、短路、断路、给光刻造成困难等技术问题。电、短路、断路、给光刻造成困难等技术问题。 （3）良好的粘附性。对）良好的粘附性。对Si、金属等均有良好的粘附性。金属等均有良好的粘附性。 3、对材料工艺化学性质的要求、对材料工艺化学性质的要求 （1）有良好的淀积性质，有均匀的膜厚和台阶覆盖性能，）有良好的淀积性质，有均匀的膜厚和台阶覆盖性能， 适于批量生产。适于批量生产。 （2）便于图形制作。能与光刻，特别是细线条光刻相容；）便于图形制作。能与光刻，特别是细线条光刻相容； 应有良好的腐蚀特性，包括能进行各向异性腐蚀，与衬底有良应有良好的腐蚀特性，包括能进行各向异性腐蚀，与衬底有良 好的选择性。好的

5、选择性。 （3）可靠性好。包括可控的化学组分，高的纯度，良好的）可靠性好。包括可控的化学组分，高的纯度，良好的 抗湿性，不对金属产生腐蚀等。抗湿性，不对金属产生腐蚀等。 三、钝化膜及介质膜的种类三、钝化膜及介质膜的种类 钝化膜及介质膜可分为无机玻璃及有机高分子两大类。钝化膜及介质膜可分为无机玻璃及有机高分子两大类。 无无 机机 玻玻 璃璃 氧化物氧化物SiO2 , Al2O3 , TiO2 , ZrO2 , Fe2O3 , SixOy (SIPOS) 硅酸盐硅酸盐PSG , BSG , BPSG 氮化物氮化物Si3N4 , SixNyH , BN , AlN , GaN 氢化物氢化物a-Si:

6、H 有机有机 高分高分 子子 合成树脂合成树脂聚酰亚胺类，聚硅氧烷类聚酰亚胺类，聚硅氧烷类 合成橡胶合成橡胶硅酮橡胶硅酮橡胶 9.2 Si-SiO2系统系统 一、一、SiO2膜在半导体器件中的主要用途膜在半导体器件中的主要用途 1、SiO2膜用作选择扩散掩膜膜用作选择扩散掩膜 利用利用SiO2对磷、硼、砷等杂质较强的掩蔽能力，通过在硅对磷、硼、砷等杂质较强的掩蔽能力，通过在硅 上的二氧化硅层窗口区向硅中扩散杂质，可形成上的二氧化硅层窗口区向硅中扩散杂质，可形成PN结。结。 2、SiO2膜用作器件表面保护层和钝化层膜用作器件表面保护层和钝化层 （1）热生长）热生长SiO2电阻率在电阻率在1015

7、 .cm以上，介电强度不低于以上，介电强度不低于 5 106 V/cm,具有良好的绝缘性能，作表面一次钝化；具有良好的绝缘性能，作表面一次钝化； （2）芯片金属布线完成后，用）芯片金属布线完成后，用CVD-SiO2作器件的二次钝作器件的二次钝 化，其工艺温度不能超过布线金属与硅的合金温度。化，其工艺温度不能超过布线金属与硅的合金温度。 3、作器件中的绝缘介质（隔离、绝缘栅、多层布线绝缘、作器件中的绝缘介质（隔离、绝缘栅、多层布线绝缘、 电容介质等）电容介质等） 4、离子注入中用作掩蔽层及缓冲介质层、离子注入中用作掩蔽层及缓冲介质层 二、二、Si-SiO2 系统中的电荷系统中的电荷 1、可动离子

8、电荷、可动离子电荷Qm 常规生长的热氧化常规生长的热氧化SiO2中一般存在着中一般存在着10121014cm-2的可动正的可动正 离子，由碱金属离子及氢离子所引起，其中以离子，由碱金属离子及氢离子所引起，其中以Na+的影响最大。的影响最大。 Na+来源丰富且来源丰富且SiO2几乎不防几乎不防Na+，Na+在在SiO2的扩散系数和迁移的扩散系数和迁移 率都很大。在氧化膜生长过程中，率都很大。在氧化膜生长过程中，Na+倾向于在倾向于在SiO2表面附近积表面附近积 累，在一定温度和偏压下，可在累，在一定温度和偏压下，可在SiO2层中移动，对器件的稳定层中移动，对器件的稳定 性影响较大。性影响较大。

9、（1）来源：任何工艺中（氧化的石英炉管、蒸发电极等）来源：任何工艺中（氧化的石英炉管、蒸发电极等） 或材料、试剂和气氛均可引入可动离子的沾污。或材料、试剂和气氛均可引入可动离子的沾污。 （2）影响：可动正离子使硅表面趋于）影响：可动正离子使硅表面趋于N型，导致型，导致MOS器件器件 的阈值电压不稳定；导致的阈值电压不稳定；导致NPN晶体管漏电流增大，电流放大系晶体管漏电流增大，电流放大系 数减小。数减小。 （3）控制可动电荷的方法）控制可动电荷的方法 （a）采用高洁净的工艺，采用高纯去离子水，采用高洁净的工艺，采用高纯去离子水，MOS级的级的 试剂，超纯气体，高纯石英系统和器皿，钽丝蒸发和自动

10、化操试剂，超纯气体，高纯石英系统和器皿，钽丝蒸发和自动化操 作等。作等。 （b）磷处理，形成磷处理，形成PSG-SiO2以吸除、钝化以吸除、钝化SiO2中的中的Na+。 （c）采用掺氯氧化，以减小采用掺氯氧化，以减小Na+ 沾污，并可起钝化沾污，并可起钝化Na+ 的的 作用。作用。 2、Si-SiO2 界面陷阱电荷界面陷阱电荷Qit（界面态）界面态） 指存在于指存在于Si-SiO2界面，能带处于硅禁带中，可以与价带或界面，能带处于硅禁带中，可以与价带或 导带交换电荷的那些陷阱能级或能量状态。靠近禁带中心的界导带交换电荷的那些陷阱能级或能量状态。靠近禁带中心的界 面态可作为复合中心或产生中心，靠

11、近价带或导带的可作为陷面态可作为复合中心或产生中心，靠近价带或导带的可作为陷 阱。界面陷阱电荷可以带正电或负电，也可以呈中性。阱。界面陷阱电荷可以带正电或负电，也可以呈中性。 （1）来源：由氧化过程中的）来源：由氧化过程中的Si/SiO2界面处的结构缺陷（如界面处的结构缺陷（如 图中的悬挂键、三价键）、界面附近氧化层中荷电离子的库仑图中的悬挂键、三价键）、界面附近氧化层中荷电离子的库仑 势、势、Si/SiO2界面附近半导体中的杂质（如界面附近半导体中的杂质（如Cu、Fe等）。等）。 （2）影响：界面陷阱电荷影响）影响：界面陷阱电荷影响MOS器件的阈值电压、减小器件的阈值电压、减小 MOS器件沟

12、道的载流子迁移率，影响器件沟道的载流子迁移率，影响MOS器件的跨导；增大双器件的跨导；增大双 极晶体管的结噪声和漏电，影响击穿特性。极晶体管的结噪声和漏电，影响击穿特性。 （3）控制界面陷阱电荷的方法）控制界面陷阱电荷的方法 （a）界面陷阱密度与晶向有关：界面陷阱密度与晶向有关：(111)(110)(100)，因此，因此 MOS集成电路多采用集成电路多采用(100)晶向（有较高的载流子表面迁移率）；晶向（有较高的载流子表面迁移率）； 而双极型集成电路多选用而双极型集成电路多选用(111)晶向。晶向。 （b）低温、惰性气体退火：纯低温、惰性气体退火：纯H 2 或或N 2 -H 2 气体在气体在

13、400500退火处理，可使界面陷阱电荷降低退火处理，可使界面陷阱电荷降低23数量级。原因数量级。原因 是氢在退火中与悬挂键结合，从而减少界面态。是氢在退火中与悬挂键结合，从而减少界面态。 （c）采用含氯氧化，可将界面陷阱电荷密度有效控制在采用含氯氧化，可将界面陷阱电荷密度有效控制在 1010/cm2数量级。数量级。 3、氧化物固定正电荷、氧化物固定正电荷Qf 固定正电荷存在于固定正电荷存在于SiO2中离中离Si-SiO2界面约界面约20范围内。范围内。 （1）来源：由氧化过程中过剩硅（或氧空位）引起，其密度）来源：由氧化过程中过剩硅（或氧空位）引起，其密度 与氧化温度、氧化气氛、冷却条件和退火

14、处理有关。与氧化温度、氧化气氛、冷却条件和退火处理有关。 （2）影响：因）影响：因Qf 是是正电荷，将使正电荷，将使P沟沟MOS器件的阈值增加，器件的阈值增加， N道道MOS器件的阈值降低；减小沟道载流子迁移率，影响器件的阈值降低；减小沟道载流子迁移率，影响MOS 器件的跨导；增大双极晶体管的噪声和漏电，影响击穿特性。器件的跨导；增大双极晶体管的噪声和漏电，影响击穿特性。 （3）控制氧化物固定正电荷的方法）控制氧化物固定正电荷的方法 （a）氧化物固定正电荷与晶向有关：氧化物固定正电荷与晶向有关：(111)(110)(100)， 因此因此MOS集成电路多采用集成电路多采用(100)晶向。晶向。

15、（b）氧化温度愈高，氧扩散愈快，氧空位愈少；氧化速率氧化温度愈高，氧扩散愈快，氧空位愈少；氧化速率 愈大时，氧空位愈多，固定电荷面密度愈大。采用高温干氧氧愈大时，氧空位愈多，固定电荷面密度愈大。采用高温干氧氧 化有助于降低化有助于降低Qf 。 （c）采用含氯氧化可降低采用含氯氧化可降低Qf 。 4、氧化物陷阱电荷、氧化物陷阱电荷Qot 氧化物中被陷住的电子或空穴。氧化物中被陷住的电子或空穴。 （1）来源：电离辐射（电子束蒸发、离子注入、溅射等工）来源：电离辐射（电子束蒸发、离子注入、溅射等工 艺引起）、热电子注入或雪崩注入。艺引起）、热电子注入或雪崩注入。 （2）影响：对）影响：对MOS器件的

16、跨导和沟道电导产生较大的影响，器件的跨导和沟道电导产生较大的影响， 使阈值电压向负方向移动。使阈值电压向负方向移动。 （3）控制氧化物陷阱电荷的方法）控制氧化物陷阱电荷的方法 （a）选择适当的氧化工艺条件以改善选择适当的氧化工艺条件以改善SiO2结构，使结构，使Si-O-Si 键不易被打破。常用键不易被打破。常用1000干氧氧化。干氧氧化。 （b）制备非常纯的制备非常纯的SiO2 ，以消除杂质陷阱中心。以消除杂质陷阱中心。 （c）在惰性气体中进行低温退火（在惰性气体中进行低温退火（300以上）可以减小以上）可以减小 电离辐射陷阱。电离辐射陷阱。 （d）采用对辐照不灵敏的钝化层（如采用对辐照不灵

17、敏的钝化层（如Al2O3、Si3N4等）。等）。 三、三、Si-SiO2系统中的电荷对器件性能的影响系统中的电荷对器件性能的影响 在在Si-SiO2系统中的正电荷以及系统中的正电荷以及Si热氧化过程中杂质再分布热氧化过程中杂质再分布 现象（现象（Si表面磷多或硼少）均导致表面磷多或硼少）均导致Si表面存在着表面存在着N型化的趋势。型化的趋势。 Si-SiO2系统中的正电荷将引起半导体表面的能带弯曲，在系统中的正电荷将引起半导体表面的能带弯曲，在P 型半导体表面形成耗尽层或反型层型半导体表面形成耗尽层或反型层,在在N型半导体表面形成积累型半导体表面形成积累 层，而且界面态还是载流子的产生层，而且

18、界面态还是载流子的产生-复合中心。这些电荷严重影复合中心。这些电荷严重影 响器件的性能，包括响器件的性能，包括MOS器件的阈值电压、跨导、沟道电导；器件的阈值电压、跨导、沟道电导； 双极器件中的反向漏电流、击穿电压、电流放大系数双极器件中的反向漏电流、击穿电压、电流放大系数 、1/f 噪噪 声等特性。声等特性。 要消除要消除Si-SiO2系统中的电荷及器件表面沾污对器件的影响，系统中的电荷及器件表面沾污对器件的影响， 一是采用表面多次钝化工艺，二是采用保护环和等位环等措施一是采用表面多次钝化工艺，二是采用保护环和等位环等措施 来减小其影响。来减小其影响。 晶体管的保护环和等位环晶体管的保护环和

19、等位环 式中，式中， 是单位面积的是单位面积的 氧化层电容，氧化层电容，d是氧化层厚度，是氧化层厚度， Cox与栅压与栅压V无关。无关。CD 是单位是单位 面积的半导体势垒电容。对于面积的半导体势垒电容。对于 确定的衬底掺杂浓度和氧化层确定的衬底掺杂浓度和氧化层 厚度，厚度，CD 是表面势是表面势 s（也是栅也是栅 压压V）的函数。因此总电容的函数。因此总电容C也也 是是 s 的函数。的函数。 Dox CCC 111 d C ox ox 0 四、四、Si-SiO2结构性质的测试分析结构性质的测试分析 1、MOS C-V特性与特性与Si-SiO2结构性质的关系结构性质的关系 理想理想MOS结构假

20、定：结构假定：1）SiO2中不存在电荷与界面陷阱；中不存在电荷与界面陷阱； 2）金属半导体功函数差为零。这种）金属半导体功函数差为零。这种MOS电容为氧化层电容电容为氧化层电容Cox 和半导体势垒电容和半导体势垒电容CD 的串联。单位面积的的串联。单位面积的MOS电容电容C为：为： （1）当）当V 0时，硅表面附近的能带上弯，表面空穴积累，在时，硅表面附近的能带上弯，表面空穴积累，在 V 0时，能带下弯，表面空穴耗尽，势垒电容随栅压时，能带下弯，表面空穴耗尽，势垒电容随栅压 增加而下降，因而总电容增加而下降，因而总电容C也随也随V下降。下降。W是耗尽层宽度，其与表是耗尽层宽度，其与表 面势的关

21、系为：面势的关系为： 。 当当V增加到使增加到使 S B（费米势），半导体表面反型，电容随费米势），半导体表面反型，电容随 偏压的变化开始分散：偏压的变化开始分散： （a）当信号频率足够低时，空间电荷区少子的产生跟得上信当信号频率足够低时，空间电荷区少子的产生跟得上信 号变化，对电容有贡献。号变化，对电容有贡献。MOS电容经过最小值后随栅压而增加，电容经过最小值后随栅压而增加， 在在V 0时，时，C = Cox，如图中低频曲线（如图中低频曲线（a）。）。 （b）当信号频率很高时，少子来不及产生，对电容没有贡献，当信号频率很高时，少子来不及产生，对电容没有贡献， 耗尽层继续随耗尽层继续随V变宽，

22、直到变宽，直到 S 2 B，表面强反型。反型电荷对外表面强反型。反型电荷对外 电场的屏蔽作用使耗尽区达到最大值电场的屏蔽作用使耗尽区达到最大值Wm不再变宽，不再变宽，MOS电容达电容达 到最小值。到最小值。 SiAS WqN2 2 2、金属功函数、氧化硅中电荷对、金属功函数、氧化硅中电荷对C-V特性的影响特性的影响 9.3 主要的钝化方法主要的钝化方法 一、集成电路钝化的一般步骤一、集成电路钝化的一般步骤 典型集成电路制造过程中至少包含三个钝化工序步骤：典型集成电路制造过程中至少包含三个钝化工序步骤： 1、衬底氧化层（特别是、衬底氧化层（特别是MOS集成电路中的栅氧化层）生集成电路中的栅氧化层

23、）生 长过程中的钝化。长过程中的钝化。 通常采用含氯氧化，或通常采用含氯氧化，或 HCl 处理氧化石英管。处理氧化石英管。 2、衬底和金属化层之间或多层金属化层之间绝缘隔离氧化、衬底和金属化层之间或多层金属化层之间绝缘隔离氧化 层的钝化工艺。层的钝化工艺。 通常采用磷硅玻璃钝化工艺，为降低回流温度，有时采用通常采用磷硅玻璃钝化工艺，为降低回流温度，有时采用 硼磷硅玻璃钝化。硼磷硅玻璃钝化。 3、芯片的最终钝化层。、芯片的最终钝化层。 常采用常采用SiO2+Si3N4(或或Al2O3) 或磷硅玻璃。其中，或磷硅玻璃。其中，SiO2 主要主要 用作为用作为Si3N4 应力缓解层。应力缓解层。 二、

24、含氯氧化二、含氯氧化 1、钝化可动离子、钝化可动离子 （1）钝化效果与氯含量及氧化条件有关）钝化效果与氯含量及氧化条件有关 （a）HCl/O2 浓度比达到浓度比达到34%时，可使时，可使Na+几乎完全钝化；几乎完全钝化； （b）氧化温度低于氧化温度低于1050时，含氯氧化对可动离子的钝化、时，含氯氧化对可动离子的钝化、 收集作用消失；收集作用消失； （c）含氯氧化对可动离子的钝化作用仅在干氧氧化中存在，含氯氧化对可动离子的钝化作用仅在干氧氧化中存在， 湿氧氧化中不存在。湿氧氧化中不存在。 222 2 1 2ClOHOHCl （2）钝化）钝化Na+的机理的机理 （a）高温过程中氯进入高温过程中氯

25、进入SiO2，在在Si/SiO2界面处与三价硅和界面处与三价硅和 过剩硅离子结合，以氯过剩硅离子结合，以氯-硅硅-氧复合体结构形式存在。氧复合体结构形式存在。 （b）当当Na+运动到运动到Si/SiO2界面时，氯界面时，氯-硅硅-氧复合体中的氧复合体中的Cl- 与与Na+之间较强的库仑力将之间较强的库仑力将Na+束缚在束缚在Cl-周围，使周围，使Na+固定化和固定化和 中性化，形成如下结构：中性化，形成如下结构： 2、改善、改善SiO2膜的击穿特性膜的击穿特性 SiO2中的击穿机构主要是隧道电流。中的击穿机构主要是隧道电流。Na+在在Si/SiO2界面附界面附 近的聚积，将增强近的聚积，将增强

26、Si/SiO2界面区的电场强度，尤其是界面区的电场强度，尤其是Na+分布分布 的不均匀性，导致局部电场强度很大，使隧道电流增大以至击的不均匀性，导致局部电场强度很大，使隧道电流增大以至击 穿。含氯氧化固定和中性化穿。含氯氧化固定和中性化Na+，从而改善从而改善SiO2 的击穿特性。的击穿特性。 3、降低界面态密度和固定正电荷密度，减少氧化层错，、降低界面态密度和固定正电荷密度，减少氧化层错， 提高少子寿命。提高少子寿命。 含氯氧化可以减小含氯氧化可以减小Si/SiO2 界面的三价硅和过剩硅原子；含界面的三价硅和过剩硅原子；含 HCl 和和C2HCl3 氧化中产生的具有高度活性的氧化中产生的具有

27、高度活性的H+ 可以填充悬挂可以填充悬挂 键；键；HCl 和和C2HCl3 具有萃取具有萃取Cu 等重金属杂质的功能。等重金属杂质的功能。 三、磷硅玻璃（三、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（和硼磷硅玻璃（BPSG）钝化钝化 1、PSG和和BPSG的特点的特点 （1）PSG对对Na+具有较强的捕集和阻挡作用；具有较强的捕集和阻挡作用；BPSG对对Na+的的 阻挡作用比阻挡作用比PSG强强30150倍。倍。 （2）PSG在在1000左右的温度下熔融回流，从而减小布线左右的温度下熔融回流，从而减小布线 的台阶；的台阶；BPSG的熔融回流温度比的熔融回流温度比PSG低低100200。 2、PSG膜存在

28、的缺点膜存在的缺点 （1）PSG层的极化效应层的极化效应 PSG中的电偶极子在无外电场时是杂乱无章的。当器件加中的电偶极子在无外电场时是杂乱无章的。当器件加 偏压时这些电偶极子沿外场形成整齐的排列，产生极化效应，偏压时这些电偶极子沿外场形成整齐的排列，产生极化效应， 影响器件的稳定性。影响器件的稳定性。PSG中磷浓度愈高，极化效应愈严重。中磷浓度愈高，极化效应愈严重。 （2）PSG的吸潮性的吸潮性 PSG的吸水性强。的吸水性强。PSG中的磷易与水汽反应生成磷酸而腐中的磷易与水汽反应生成磷酸而腐 蚀铝布线，加速器件的失效；膜的粘附性变坏，光刻易脱胶等。蚀铝布线，加速器件的失效；膜的粘附性变坏，光

29、刻易脱胶等。 PSG钝化膜中磷含量不应超过钝化膜中磷含量不应超过8%（P的重量百分数），的重量百分数）， 5%最佳；厚度不应超过最佳；厚度不应超过1 m。PSG钝化膜中磷含量过低会降低钝化膜中磷含量过低会降低 PSG膜对膜对Na+的提取、固定和阻挡作用，钝化效果不佳。的提取、固定和阻挡作用，钝化效果不佳。 3、BPSG膜中膜中B、P含量各约含量各约4%，此时膜的极化效应和吸，此时膜的极化效应和吸 潮能力最小，而吸杂和阻挡碱离子的能力均优于潮能力最小，而吸杂和阻挡碱离子的能力均优于PSG膜。膜。 4、PSG（BPSG）的制备的制备 采用氢化物作源的常压低温化学气相淀积技术（采用氢化物作源的常压低

30、温化学气相淀积技术（LTCVD） 生长生长PSG或或BPSG 。 淀积完成后，还应在淀积完成后，还应在N2或惰性气体中，或惰性气体中，7001000范围内范围内 处理处理515min。目的是提高膜的质密度及抗蚀性。这个过程称目的是提高膜的质密度及抗蚀性。这个过程称 为增密为增密 。 四、氮化硅（四、氮化硅（Si3N4）钝化膜钝化膜 1、特点、特点 （1）与）与SiO2相比具有如下优点相比具有如下优点 （a）对可动离子（如对可动离子（如Na+）有非常强的阻挡能力。一般有非常强的阻挡能力。一般Na+在在Si3N4中渗中渗 透深度仅为透深度仅为50100 。 （b）结构非常致密，气体和水汽极难穿透，

31、疏水性强，因此可大大提结构非常致密，气体和水汽极难穿透，疏水性强，因此可大大提 高器件的防潮性能。能掩蔽许多杂质。高器件的防潮性能。能掩蔽许多杂质。 （c）针孔密度非常低，且极硬而耐磨；针孔密度非常低，且极硬而耐磨； （d）有极高的化学稳定性。除能被有极高的化学稳定性。除能被HF酸和热磷酸缓慢腐蚀外，其他的酸和热磷酸缓慢腐蚀外，其他的 酸几乎不能与它发生作用；酸几乎不能与它发生作用； （e）导热性好导热性好，适宜作多层布线的绝缘层，便于管芯散热；适宜作多层布线的绝缘层，便于管芯散热； （f）绝缘性与抗击穿性好，绝缘性与抗击穿性好，1000 Si3N4膜可耐膜可耐110V电压。电压。 （g）对电

32、离辐射不灵敏，是很好的抗辐照的钝化层。对电离辐射不灵敏，是很好的抗辐照的钝化层。 （2）缺点）缺点 Si3N4-Si结构界面应力大且界面态密度高，因此结构界面应力大且界面态密度高，因此Si3N4 不能不能 完全取代完全取代SiO2 。故一般采用故一般采用Si3N4/SiO2 复合结构，复合结构，Si3N4 厚度一厚度一 般低于般低于2000。 2、制备、制备Si3N4的主要工艺技术的主要工艺技术 采用以硅的氢化物和采用以硅的氢化物和NH3 作源的作源的LPCVD或或PECVD法。法。 3、Si3N4膜的刻蚀膜的刻蚀 （1）湿化学腐蚀法：热磷酸溶液（）湿化学腐蚀法：热磷酸溶液（160180）可腐

33、蚀掉）可腐蚀掉 Si3N4 膜。膜。 （2）干法腐蚀法：等离子腐蚀法。）干法腐蚀法：等离子腐蚀法。 4、Si3N4 膜的应用膜的应用 （1）利用）利用Si3N4 膜对水蒸气和氧气有较强的掩蔽能力，进行膜对水蒸气和氧气有较强的掩蔽能力，进行 局部氧化工艺和等平面隔离；局部氧化工艺和等平面隔离； （2）PECVD生长的生长的Si3N4 膜作为双层布线的绝缘介质；膜作为双层布线的绝缘介质； （3）利用）利用Si3N4 膜能有效地防止膜能有效地防止Na+ 沾污，并有良好的绝缘沾污，并有良好的绝缘 性能、较高的击穿电压和高度的化学稳定性，以及抗辐照能力，性能、较高的击穿电压和高度的化学稳定性，以及抗辐照

34、能力， 常用于芯片最终的钝化层。常用于芯片最终的钝化层。 五、氧化铝（五、氧化铝（Al2O3）钝化膜钝化膜 1、与、与SiO2 、Si3N4 相比有如下优点相比有如下优点 （1）抗辐射能力比）抗辐射能力比SiO2 、Si3N4 强；强； （2）具有负电荷效应，可得到正的平带电压，如用）具有负电荷效应，可得到正的平带电压，如用MAOS 结构，易制得结构，易制得N沟道增强性器件；沟道增强性器件； （3）等平面阳极氧化生成的）等平面阳极氧化生成的Al2O3 钝化膜，由于芯片表面平钝化膜，由于芯片表面平 整，非常适合进行多层布线；整，非常适合进行多层布线； （4）Al2O3 和和Si3N4 一样对一样

35、对Na+ 的阻挡能力很强；的阻挡能力很强； （5）机械强度和硬度均高于）机械强度和硬度均高于SiO2（结晶结晶Al2O3 俗称刚玉，硬俗称刚玉，硬 度仅次于金刚石和碳化硅）。度仅次于金刚石和碳化硅）。 2、Al2O3的制备工艺的制备工艺 （1）CVD法（三氯化铝水解法）法（三氯化铝水解法） AlCl3 室温下为固体，必需加热并恒温使其升华成气体，室温下为固体，必需加热并恒温使其升华成气体， 升华温度升华温度100 150。 )(6 1200400 )(3)( )()( 750 )()( 32 2 23 222 气气气 气气 以上 气气 HClOAl C H OHAlCl COOH C HCO

36、（2）溅射法）溅射法 除采用除采用Ar +O2 作溅射气氛（反应溅射）或用高纯作溅射气氛（反应溅射）或用高纯Al2O3 靶靶 代替高纯铝靶（非反应溅射）外，代替高纯铝靶（非反应溅射）外，Al2O3 膜溅射的原理、设备、膜溅射的原理、设备、 操作步骤等均可参照第八章金属薄膜的制备工艺。操作步骤等均可参照第八章金属薄膜的制备工艺。 （3）电解阳极氧化）电解阳极氧化 基本原理基本原理 阳极氧化是制造金属氧化物膜的一种电化学方法，在两极阳极氧化是制造金属氧化物膜的一种电化学方法，在两极 上发生的反应如下：上发生的反应如下： 阳极：阳极： 阴极：阴极： 根据生成氧化物膜的性质可分为多孔型阳极氧化和无孔型根据生成氧化物膜的性质可分为多孔型阳极氧化和无孔型 阳极氧化。阳极氧化。 当电解液中含有对金属起腐蚀和溶解作用的酸（磷酸、氢当电解液中含有对金属起腐蚀和溶解作用的酸（磷酸、氢 氟酸）时，在阳极氧化的同时还发生对氧化物的腐蚀、溶解作氟酸）时，在阳极氧化的同时还发生对氧化物的腐蚀、溶解作 用，因此它边氧化、边渗透，