HIT技术发展交流论坛

1、HIT 技术发展交流论坛关于 HIT 论坛问题交流 : 1. 非晶硅的沉积在常规产线 PECVD 上可以完成吗，或是需要怎样的调整？回答：不可 以在常规产线上完成，设备结构完全不同，所用特气只有硅 烷相同，常规产线的 PECVD 无法用于 HIT 电池制作非晶硅； 2. 目前行业主流的非晶硅沉积设备有哪些（包括厂商 ）？回答：美国应用材料、梅耶博格、瑞士indotec、韩国Jusung,台湾精曜、日本 ULvac 、上海理想能源 3. 非晶硅在行业内 成本怎么样 （ 和背钝化的氧化铝相比 ）？回答： HIT 电池沉积 的四层非晶硅成本与 perc 电池的氧化铝成本差不多。 非晶硅 钝化和氧化铝

2、钝化是两回事，非晶硅是化学钝化，而氧化铝 属于场钝化，两者钝化原理不同，当然钝化效果也不一致； 4. TCO 的制备，目前业界主流设备有哪些？回答：日本 ULvac 、德国冯 .阿登纳、 应用材料 PVD（ 光伏部分已经停产 ）、 韩国sntek、德国singulus、梅耶博格、台湾精曜等。5. PVD 在 HIT 上应用， 有没有其他方式可以实现？回答： PVD 广泛 用于薄膜电池以及半导体行业， HIT 只是 PVD 应用的很小的 一个部分 ,主要沉积的是 ITO 的 TCO 导电薄膜还有一种 TCO 制备叫反应等离子体沉积（RPD），沉积的是IWO薄膜6. TCO 到底是一个什么样的概念

3、 （就像 SINx 膜是氨气和硅烷的合 成）？回答： TCO 全称叫透明导电薄膜，作用是透光、减反 以及导电， 是简并的 N 型半导体， 氮化硅只是透光和减反是 绝缘体。 TCO 现在常用的是 ITO 和 IWO ，分别是氧化铟掺 锡和氧化铟掺钨，本身是混合好的固体，利用磁控溅射镀膜 技术和蒸镀沉积到硅片正反面； 7. HIT 现在的成本以及未来 的成本下降趋势； 回答：现如今成电池成本较 perc 高 10-20% 之间， 组件成本低于常规组件 perc 至少 10%，总体来说只要 靶材、银浆以、硅片切薄以及电镀铜，组件多主栅和叠片技 术，最终 HIT 完全可以匹配现有 perc 成本。 8

4、. smrtwire 现 在在国内有没有类似的供应商； 回答： SWCT 只是梅耶 博格推广的技术， SWCT 使用低熔點合金與電池連接， MBB 使用焊接， 電池做到 130um 以下時， 要盡量避免使用應力會 累積的焊接技術，這也是為什麼松下使用 CF 模組技術的原 因。疊瓦某種程度也達到這個目的，使用導電膠。这种技术 对组件的功率提升大概在 5W ，提升有限，后续的 HIT 可能 会直接越过 SWCT 和 MBB （不适合 HIT ）直接叠片； 9. 目 前 HIT 量产效率 22% ，比较单晶 PERC 或 PERT 双面，效率 21.5%考虑成本及工艺稳定性并没有优势，发展前景如何？

5、 另外双面电池效率测试官方标准大概什么时候推出来？回 答： HIT 现在量产效率是偏低的，原因可能是设备陈旧以及 本身工艺优化做的不好，现在 HIT 门槛效率是 22.5%，相信 明年会轻松突破 23%。还有 HIT 电池生产稳定性没有大家想 的那么严，电池良率可以轻松到 99%，只是产线管控稍微比常规严一点，没有不稳定一说。双面的 HIT 电池，背面的功 率可以做到正面的 90-95%, 如果技术功底好 98%也是可能 的。成本计算：效率折算： perc 双面电池正面效率 21.5% ， 背面 16%，等效正面效率 21.5+1.6=23.1PERC 双面组件的测 试光强 =（1+背面短路电

6、流 /正面短路电流 *0.135 ） *1000W=1100WPERC 组件功率 =330WHIT 正面效率 23%， 背面 21%，等效正面效率 23+2.1=25.1HIT 双面组件测试光强 =（ 1+背面短路电流 /正面短路电流 *0.135 ）=1186WHIT 组件 功率（60）=375W以上两者组件功率差异在 40W,电池等效正 面效率差异 2%，效率每升高 1%，成本降低 7-8%， 2 个百分 点 15% 左右。今年关键靶材方面已经国产，银浆现在价格也 接近高温银浆，现如今上的企业只要设备选型合理工艺优化 做得好， HIT 电池和 perc 电池成本完全可以缩减在 10%之内。

7、 再加上发电端的优势如下： Perc 电池第一年衰减 3%，后 面每年衰减 0.7， HIT 电池首年 0.5，第二年开始 0.4，松下 HIT 组件用了 11 年，衰减 2-3%（单玻）。 Perc 电池 20 年 后只剩下 83%左右， HIT 至少还有 91.5%以上， HIT 双面率 更高，整个发电生涯完全可以较单面perc 组件多发 20-30%的电。 双面电池现在只测试正面效率，没有标准而言，现 在标准都是针对双面组件测试，算法和上面公式一致，综合 正背面短流获取光强测试； 总之 HIT 电池成本是高在硅片、 电池， 硅片贵 5-8% ，切薄即可， 电池主要是看材料和设备国 产化，

8、近两年会得到解决，组件端双玻再加上效率高成本低 于 perc ，发电端优势较大，双面发电以及温度系数可以碾压 所有晶体硅量产光伏电池； P PERC 做到量產 22%沒有問 題，再上去就要增加至少五道製程及設備，這樣 100MW 的 總投資額會超過 HJT,且既有廠房的layout及生產流程大亂 N PERT:在雙面P PERC出現後，定位變得尷尬。正面效率跟 perc 差不多，背面也沒有高很多， 又沒有 HJT 溫度係數的優 勢10、目前国内 Hit 最高效率是多少？与日本还有多少差距？hit 的成本如何核算？回答： 效率最高为上海微系统 23.6%（电 极采用印刷），日本技术最高为 kan

9、aka（钟华）26.63%的HBC 电池，同时他们研发最高 HIT 电池效率为 25.1%，如果国内 采用电镀铜可以到达 24%，但是日本 25.1%采用的是五寸 125 的硅片效率容易做高一些。 目前得知的訊息為 HIT 在小批量 生產 （100MW） 的情形下 , 組件生產成本為 0.55-0.7 USD/W,=> 採用多主柵及 500MW 生產架構， 成本可到 0.4 USD/W11、行业内使用的浆料是哪个国家的？是否方便透露品牌？回答：主要是日本京都电子、namics、京瓷，德国汉高，国产的较多在微系统进行过测试， 数据还不错， 只是拉力欠佳；12、电阻值要求是？线宽现在做到多少了？拉力要求是多 少，用的是常规晶硅焊带还是低温焊带？导电层是 ITO 还是 其他类型？一般要求烘干温度是多少，多久的烘干温度？保 存时间和保存温度是否有要求？回答：低温银浆电阻率在 5-7*10-6 Q .cm，网版开口和网版具体参数与银浆有关，网版 开口可以到30um,印刷后在50-60之间，拉力要求焊接后 1N/mm ，常规晶体硅焊带即可。导电层较多，现如今主要是 ITO与IWO，以及实验用过的ITIO以及SRE。印刷烘干温 度在 120-180 度之间，一般 3min ，最后