半导体器件作业有答案

1、1 -半导体硅材料的晶格结构是（A金刚石B闪锌矿c纤锌矿2下列固体中，禁带宽Eg最大的是（C ）A金属B半导体C绝缘体3硅单晶中的层错属于（C)A点缺陷B线缺陷C面缺陷4施主杂质电禺后向半导体提供（B ），支主杂质电禺后向半导体提供（A ），本征激发后向半导体提供（A B ）。A空穴B电子5 碑化铸中的非平衡载流子复合主要依靠（A ）A直接复合B间接复合C俄歇复合6 衡量电子填充能级水平的是（B）A施主能级B费米能级C受主能级D缺陷能级7-载流子的迁移率是描述载流子（A）的一个物理量；载流子的扩散系数是 描述载流子（B）的一个物理量。A在电场作用下的运动快慢B在浓度梯度作用下的运动快慢8 -室

2、温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm,同时掺有浓度为1.1 x1015cm 的磷，则电子浓度约为（B ），空穴浓度为（D ），费米能级（G）；将该半导体升温570K则多子浓度约为（F ），少子浓度为（F)5费米能级（I)（已知：室温下，ni 1.5 x-31010cm 3、570K 时，A 1014cmni u3-32x 1017cm 3)B 1015cmC 1.1-3x 1015cmD 2.25x 105cmE 1.2 x 1015cm 3 F 2x1017cm3G 高于 EiH 低于 Ei I等于Ei9载流子的扩散运动产生（C）电流漂移运动产生（A）电流。A漂移B隧道10.下列器件属

3、于多子器件的是（A稳压二极管BC扩散）B D肖特基二极管C发光二极管D隧道二极管门平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当npni2时，载流子的复合率（C）产生率A大于E等于C小于12.实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（A ）A重掺杂的半导体与金属接触B轻掺杂的半导体与金属接触13 在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（C ）A BVCEO B BVCBO C BVEBO14- MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（B）。（ Vs为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）A Vs=VB B Vs=2VbC Vs=0 15 晶体管中复合与基

4、区厚薄有尖，基区越厚，复合越多，因此基区应做得C 很薄16pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度C 不变C化工艺B已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。A较厚B较薄随外加电压数值增加而（A ）。A展宽B变窄17 在开尖器件及与之相尖的电路制造中，（ 退火工艺C掺金工艺18 在二极管中，夕卜加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（B）。A饱和电压B击穿电压C开启电压19 真空能级和费米能级的能值差称为（A ）A功函数B亲和能C电离电势20.平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（A ）A发射区B基区C集电区21栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P沟道，该MOSFET为（A

5、） A P沟道增强型 B P沟道耗尽型CN沟道增强型DN沟道耗尽型二、判断题（共20分，每题1分）1 （厂）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。2 （厂）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。3 （ x ）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。4 （ x ）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。5 （厂）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。6 （厂）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。7 （ Z ） MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。8（厂）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。9 （ x ）同一种材料中，电

6、子和空穴的迁移率是相同的。10 （ z ） MOS型的集成电路是当今集成电路的主流产品。1 1 -（厂）平衡PN结中费米能级处处相等。Z ）能够产生隧道效应的PN结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。（Z ）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。（Z ）在某些气体中退火可以降低硅二氧化硅系统的固态电荷和界面态。（Z ）高频下 pn结失去整流特性的因素是pn结电容 （x ） pn结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。（Z ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数a、卩值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。（Z ）二氧化硅层中对器

7、件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。1 9（x ）制造MOS器件常常选用111晶向的硅单晶。20 -（厂）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。三、名词解释（共15分，每题5分，给出尖键词得3分）1 雪崩击穿随着PN夕卜加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子一空穴对，再被电场加速，再产生更 多的电子一空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为 雪崩击穿。2非平衡载流子由于外界原因，迫使半导体处于与热平衡状态相

8、偏离的状态，称为非平衡状态，其载流子浓度可以 比平衡状态时多出了一部分，比平衡时多出了的这部分载流子称为非平衡载流子。3共有化运动当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子 上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运 动。四、问答题（22分）1简述肖特基二极管的优缺点。（6分，每小点1分）优点：（1 ）正向压降低（2 ）温度系数小（3 ）工作频率高。（4 ）噪声系数小缺点：（1 ）反向漏电流较大（2

9、）耐压低2MIS结构中，以金属一绝缘体一P型半导体为例，半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽 层和反型层？ （6分，每小点2分）积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的 堆积。（2分）耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的 空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。（2分）反型状态：当正电压进一步增加时，能带进一步向下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级E i，这意味着 表面的电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层。（2分）3如何加电压才能使NPN晶体管起放大作用。请画出 平衡

10、时和放大工作时的能带图。答：要使NPN晶体管起放大作用，发射结要加正向偏压，集电结反向偏压。放大工 作时的能带图如下五、计算题（共13分，其中第一小题5分，第二小题5分，第三小题3分）1. 计算（1 ）掺入ND为1x 1015个/cm3的施主硅，在室温（300K）时的电子n0和空穴浓度p0，其中本征载流子浓 度 n i=2x1010 个/cm3。（2）如果在（1）中掺入NA=5x 1014个/cm3的受主，那么电子n0和空穴浓度p0分别为多少？（3）若在（1 ）中掺入NA=1x1015个/cm3的受主，那 么电子n0和空穴浓度p0又为多少？ 一、填空题（共25分每空1分）1、 硼、铝、镑等三族

11、元素掺入到硅中，所形成的能级是受主（施主能级或受主能级）；碑、磷等五族元素掺入到硅中，所形成的能级是施主（同上）。2、 平衡状态下，我们用统一的费米能级Ef来标志电子填充能级的水平，在非平衡状态下，导带中的电子填充能级的水平是用导带费米能级（E Fn）来衡量，价带中电子填充能级的水平是用价带费米能级（E fP）来衡量。3、 载流子的散射机构主要有电离杂质散射和晶格振动散射。5、PN结击穿共有三种：雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿6、晶体管的品种繁多，按其结构分可分为双极型、MOS晶体管。在电子电路应用中，主要有两种接法即：共基极和共射极，其标准偏置条件为：发射极正向偏置、集电极反向偏置。7、P型半导

12、体的MIS结构外加栅压时，共有三种状态：积累、耗尽、反型。8 、真空能级和费米能级的能量差称为功函数，真空能级和半导体导带底的能量差称为亲和能9、在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫击穿电压。10、晶体管中复合与基区厚薄有尖，基区越厚，复合越多，因此基区应做得较薄（较厚或较薄）。11、载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生漂移电流。12、 在开尖器件及与之相尖的电路制造中，掺金工艺已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。二、判断题（共10分，每题1分）1、 位错是半导体材料中的一种常见的线缺陷。（R ）2、在高温本征激发时，本征激发所产生的载流子数将远多于杂质电

13、离所产生的载流子数。（R ）3、 电离杂质散射与半导体中杂质浓度成正比。（R ）4、由注入所引入的非平衡载流子数，一定少于平衡时的载流子数，不管是多子还是少子。（F）5、非平衡少子浓度衰减到产生时的1/e时的时间，称为非平衡载流子的寿命。（R ）6、 俄歇复合是一种辐射复合。（F7、爱因斯坦尖系式表明了非简并情况下载流子的迁移率和扩散系数直接的尖系。（R ）8、在大的正向偏压时，扩散电容起主要的作用。9、齐纳击穿是一种软击穿。10、半导体的电导率随掺杂浓度的增加而增加。二、选择题：（单选多选均有共2 0分每题2分）1-下列对纯净半导体材料特性叙述正确的是A半导体的电阻率在导体和绝缘体之间A、D

14、B半导体的电阻率随温度的上升而升高。C半导体的电阻率随温度的上升而减小。D半导体的电阻率可以在很大范围内变化。2下列器件中导电载流子是多子器件的是BA稳压二极管B肖特基二极管C发光二极管D变容二极管3电子的迁移 率是A空穴的迁移率。A大于B等于4下列固体中禁带宽度Eg最大的是C小于A金属B半导体5半导体与金属AI形成良好的欧姆接触的结构形式有A Al-n-n+B Al-n+nC Al-p-p6晶体中内层电子有效质量A外层电子的有效质量。A大于BC 绝缘体D Al-p+-p7原子构成的平面在等于C小于z轴上的截距分别为D不一定x、y、A （6，4，3）C （2，3，4） Pn结耗尽层中（如图所示

15、）2 E （ 6 4 3 ）3 D 4，则其密勒指数为 （2，3，4 ）电场强度最大 的地方是C nn * D 一样大P* X* n*A pp * B xxP最能起到有效的复合中心作用的杂质是 xn深能级杂质在下 列羽导体中，强P型B 三、名词解释（共15分B浅能级杂质费一冬能级最高的是弱P型C每题5分）_强N型C中等能级杂质C准费米能级费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡 载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处 于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带 费米能

16、级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用Ei、EfP表示2、直接复合、间接复合直接复合一电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。间接复合一电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。3、扩散电容PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增 加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了 N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外 加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由 于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表 示。四、

17、问答题（24分）1、画出杂质半导体电阻率与温度的尖系图并分析该图。AB :温度很低，本征激发可忽略载流子主要上由杂p质提供，它随温度增加而增加，散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度的增加而增加，所以电阻率随温度 的增加而下降。（2分）BC :温度继续升高，杂质已全部电离，载B流子浓度基本不变，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度的升高而下降，所以电阻率随温度的升高而增大。（2 分）CD :温度继续升高，大量本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电阻率的影响，电阻率随温度的升高而急剧下 降。2MOSFET与双极晶体管相比有何优点？（ 6分）MOS管：多子器件，驱动能力强，易集成，功耗低，适合于大规模集成电路，现已成为超大规模集成电路的主流形 式。（3分）双极器件：少子器件，速度较快，但集成度较低，功耗大，不适合于大规模集成电路。（3分）3MIS结构中，P型半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？并请画出相应的能带图。（1 0分）EfmEcEcEcEv EfmEv EfmEv积累状态耗尽状态反型状积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积。（2分）耗尽状态