靶材生产项目商业计划书范文模板

1、泓域咨询/靶材生产项目商业计划书靶材生产项目商业计划书MACRO 泓域咨询摘要超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。该靶材项目计划总投资10681.71万元，其中：固定资产投资801

2、7.91万元，占项目总投资的75.06%；流动资金2663.80万元，占项目总投资的24.94%。本期项目达产年营业收入18278.00万元，总成本费用14063.23万元，税金及附加194.76万元，利润总额4214.77万元，利税总额4990.88万元，税后净利润3161.08万元，达产年纳税总额1829.80万元；达产年投资利润率39.46%，投资利税率46.72%，投资回报率29.59%，全部投资回收期4.88年，提供就业职位344个。靶材生产项目商业计划书目录第一章 概况一、项目名称及建设性质二、项目承办单位三、战略合作单位四、项目提出的理由五、项目选址及用地综述六、土建工程建设指标

3、七、设备购置八、产品规划方案九、原材料供应十、项目能耗分析十一、环境保护十二、项目建设符合性十三、项目进度规划十四、投资估算及经济效益分析十五、报告说明十六、项目评价十七、主要经济指标第二章 项目建设必要性分析一、项目承办单位背景分析二、产业政策及发展规划三、鼓励中小企业发展四、宏观经济形势分析五、区域经济发展概况六、项目必要性分析第三章 产业调研分析第四章 项目规划分析一、产品规划二、建设规模第五章 项目建设地方案一、项目选址原则二、项目选址三、建设条件分析四、用地控制指标五、用地总体要求六、节约用地措施七、总图布置方案八、运输组成九、选址综合评价第六章 项目工程设计说明一、建筑工程设计原则

4、二、项目工程建设标准规范三、项目总平面设计要求四、建筑设计规范和标准五、土建工程设计年限及安全等级六、建筑工程设计总体要求七、土建工程建设指标第七章 项目工艺先进性一、项目建设期原辅材料供应情况二、项目运营期原辅材料采购及管理二、技术管理特点三、项目工艺技术设计方案四、设备选型方案第八章 环境保护概述一、建设区域环境质量现状二、建设期环境保护三、运营期环境保护四、项目建设对区域经济的影响五、废弃物处理六、特殊环境影响分析七、清洁生产八、项目建设对区域经济的影响九、环境保护综合评价第九章 项目职业安全一、消防安全二、防火防爆总图布置措施三、自然灾害防范措施四、安全色及安全标志使用要求五、电气安全

5、保障措施六、防尘防毒措施七、防静电、触电防护及防雷措施八、机械设备安全保障措施九、劳动安全保障措施十、劳动安全卫生机构设置及教育制度十一、劳动安全预期效果评价第十章 风险性分析一、政策风险分析二、社会风险分析三、市场风险分析四、资金风险分析五、技术风险分析六、财务风险分析七、管理风险分析八、其它风险分析九、社会影响评估第十一章 项目节能评价一、节能概述二、节能法规及标准三、项目所在地能源消费及能源供应条件四、能源消费种类和数量分析二、项目预期节能综合评价三、项目节能设计四、节能措施第十二章 实施计划一、建设周期二、建设进度三、进度安排注意事项四、人力资源配置五、员工培训六、项目实施保障第十三章

6、 投资方案计划一、项目估算说明二、项目总投资估算三、资金筹措第十四章 项目经济效益可行性一、经济评价综述二、经济评价财务测算二、项目盈利能力分析第十五章 项目招投标方案一、招标依据和范围二、招标组织方式三、招标委员会的组织设立四、项目招投标要求五、项目招标方式和招标程序六、招标费用及信息发布第十六章 总结及建议附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用

7、估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表第一章 概况一、项目名称及建设性质（一）项目名称靶材生产项目（二）项目建设性质该项目属于新建项目，依托某产业示范基地良好的产业基础和创新氛围，充分发挥区位优势，全力打造以靶材为核心的综合性产业基地，年产值可达18000.00万元。二、项目承办单位xxx有限责任公司三、战略合作单位xxx投资公司四、项目提出的理由靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄

8、膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。五、项目选址及用地综述（一）项目选址方案项目选址位于

9、某产业示范基地,地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，建设条件良好。（二）项目用地规模项目总用地面积31248.95平方米（折合约46.85亩），土地综合利用率100.00%；项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照靶材行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合规划建设要求。六、土建工程建设指标项目净用地面积31248.95平方米，建筑物基底占地面积20914.92平方米，总建筑面积36561.27平方米，其中：规划建设主体工程22385.53平方米，项目规划绿化面积2754.84平方米。七、设备购置项目计划购置设备共计108台（套），主要包括：xxx生产线、

10、xx设备、xx机、xx机、xxx仪等，设备购置费3008.67万元。八、产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：靶材xxx单位/年。综合考xxx有限责任公司企业发展战略、产品市场定位、资金筹措能力、产能发展需要、技术条件、销售渠道和策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、xxx有限责任公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”原则提出产能发展目标。九、原材料供应项目所需的主要原材料及辅助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx等，xxx有限责任公司所选择的供货单位完全能够稳

11、定供应上述所需原料，供货商可以完全保障项目正常经营所需要的原辅材料供应，同时能够满足xxx有限责任公司今后进一步扩大生产规模的预期要求。十、项目能耗分析1、项目年用电量1331798.69千瓦时，折合163.68吨标准煤，满足靶材生产项目项目生产、办公和公用设施等用电需要2、项目年总用水量14991.91立方米，折合1.28吨标准煤,主要是生产补给水和办公及生活用水。项目用水由某产业示范基地市政管网供给。3、靶材生产项目项目年用电量1331798.69千瓦时，年总用水量14991.91立方米，项目年综合总耗能量（当量值）164.96吨标准煤/年。达产年综合节能量46.53吨标准煤/年，项目总节

12、能率24.87%，能源利用效果良好。十一、环境保护项目符合某产业示范基地发展规划，符合某产业示范基地产业结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。项目设计中采用了清洁生产工艺，应用清洁原材料，生产清洁产品，同时采取完善和有效的清洁生产措施，能够切实起到消除和减少污染的作用。项目建成投产后，各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。十二、项目建设符合性（一）产业发展政策符合性由xxx有限责任公司承办的“靶材生产项目”主要从事靶材项目投资经营，其不属于国家发展改革委产业结构调整指导

13、目录（2011年本）（2013年修正）有关条款限制类及淘汰类项目。（二）项目选址与用地规划相容性靶材生产项目选址于某产业示范基地，项目所占用地为规划工业用地，符合用地规划要求，此外，项目建设前后，未改变项目建设区域环境功能区划；在落实该项目提出的各项污染防治措施后，可确保污染物达标排放，满足某产业示范基地环境保护规划要求。因此，建设项目符合项目建设区域用地规划、产业规划、环境保护规划等规划要求。（三）“三线一单”符合性1、生态保护红线：靶材生产项目用地性质为建设用地，不在主导生态功能区范围内，且不在当地饮用水水源区、风景区、自然保护区等生态保护区内，符合生态保护红线要求。2、环境质量底线：该项

14、目建设区域环境质量不低于项目所在地环境功能区划要求，有一定的环境容量，符合环境质量底线要求。3、资源利用上线：项目营运过程消耗一定的电能、水，资源消耗量相对于区域资源利用总量较少，符合资源利用上线要求。4、环境准入负面清单：该项目所在地无环境准入负面清单，项目采取环境保护措施后，废气、废水、噪声均可达标排放，固体废物能够得到合理处置，不会产生二次污染。十三、项目进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。将整个项目分期、分段建设，进行项目分解、工期目标分解，按项目的适应性安排施工，各主体工程的施工期叉开实施。在技术交流谈判同时，提前进行设计工作。对于制造周期长的设备，提前设计，提前定货。融资计划

15、应比资金投入计划超前，时间及资金数量需有余地。十四、投资估算及经济效益分析（一）项目总投资及资金构成项目预计总投资10681.71万元，其中：固定资产投资8017.91万元，占项目总投资的75.06%；流动资金2663.80万元，占项目总投资的24.94%。（二）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（三）项目预期经济效益规划目标项目预期达产年营业收入18278.00万元，总成本费用14063.23万元，税金及附加194.76万元，利润总额4214.77万元，利税总额4990.88万元，税后净利润3161.08万元，达产年纳税总额1829.80万元；达产年投资利润率39.46%，投资利税率46

16、.72%，投资回报率29.59%，全部投资回收期4.88年，提供就业职位344个。十五、报告说明项目报告由具有丰富报告编制案例的团队撰写，通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的分析，对项目经济效益及社会效益进行科学预测，从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。报告有五大用途：可用于企业融资、对外招商合作；用于国家发展和改革委(以前的计委)立项；用于银行贷款告；用于申请进口设备免税；用于境外投资项目核准。十六、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合某产业示范基地及某产业示范基地

17、靶材行业布局和结构调整政策；项目的建设对促进某产业示范基地靶材产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx投资公司为适应国内外市场需求，拟建“靶材生产项目”，本期工程项目的建设能够有力促进某产业示范基地经济发展，为社会提供就业职位344个，达产年纳税总额1829.80万元，可以促进某产业示范基地区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率39.46%，投资利税率46.72%，全部投资回报率29.59%，全部投资回收期4.88年，固定资产投资回收期4.88年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。4、加强对“专精

18、特新”中小企业的培育和支持，引导中小企业专注核心业务，提高专业化生产、服务和协作配套的能力，为大企业、大项目和产业链提供零部件、元器件、配套产品和配套服务，走“专精特新”发展之路，发展一批专业化“小巨人”企业，不断提高专业化“小巨人”企业的数量和比重，有助于带动和促进中小企业走专业化发展之路，提高中小企业的整体素质和发展水平，增强核心竞争力。引导民营企业建立品牌管理体系，增强以信誉为核心的品牌意识。以民企民资为重点，扶持一批品牌培育和运营专业服务机构，打造产业集群区域品牌和知名品牌示范区。综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。十七、主要经济指标

19、主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米31248.9546.85亩1.1容积率1.171.2建筑系数66.93%1.3投资强度万元/亩171.141.4基底面积平方米20914.921.5总建筑面积平方米36561.271.6绿化面积平方米2754.84绿化率7.53%2总投资万元10681.712.1固定资产投资万元8017.912.1.1土建工程投资万元2649.552.1.1.1土建工程投资占比万元24.80%2.1.2设备投资万元3008.672.1.2.1设备投资占比28.17%2.1.3其它投资万元2359.692.1.3.1其它投资占比22.09%2.1.4固定资

20、产投资占比75.06%2.2流动资金万元2663.802.2.1流动资金占比24.94%3收入万元18278.004总成本万元14063.235利润总额万元4214.776净利润万元3161.087所得税万元1.178增值税万元581.359税金及附加万元194.7610纳税总额万元1829.8011利税总额万元4990.8812投资利润率39.46%13投资利税率46.72%14投资回报率29.59%15回收期年4.8816设备数量台（套）10817年用电量千瓦时1331798.6918年用水量立方米14991.9119总能耗吨标准煤164.9620节能率24.87%21节能量吨标准煤46.

21、5322员工数量人344第二章 项目建设必要性分析一、项目承办单位背景分析（一）公司概况顺应经济新常态，需要公司积极转变发展方式，实现内涵式增长。为此，公司要求各级单位通过创新驱动、结构优化、产业升级、提升产品和服务质量、提高效率和效益等路径，努力实现“做实、做强、做大、做好、做长”的发展理念。公司紧跟市场动态，不断提升企业市场竞争力。基于大数据分析考虑用户多样化需求，以此为基础制定相应服务策略的市场及经营体系，并综合考虑用户端消费特征，打造综合服务体系。公司一直注重科研投入，具有较强的自主研发能力，经过多年的产品研发、技术积累和创新，逐步建立了一套高效的研发体系，掌握了一系列相关产品的核心技

22、术。公司核心技术均为自主研发取得，支撑公司取得了多项专利和著作权。优良的品质是公司获得消费者信任、赢得市场竞争的基础，是公司业务可持续发展的保障。公司高度重视产品和服务的质量管理，设立了品管部，有专职质量控制管理人员，主要负责制定公司质量管理目标以及组织公司内部质量管理相关的策划、实施、监督等工作。（二）公司经济效益分析上一年度，xxx投资公司实现营业收入11573.94万元，同比增长29.26%（2619.90万元）。其中，主营业业务靶材生产及销售收入为9838.34万元，占营业总收入的85.00%。上年度主要经济指标序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入2430.53324

23、0.703009.222893.4911573.942主营业务收入2066.052754.742557.972459.599838.342.1靶材(A)681.80909.06844.13811.663246.652.2靶材(B)475.19633.59588.33565.702262.822.3靶材(C)351.23468.30434.85418.131672.522.4靶材(D)247.93330.57306.96295.151180.602.5靶材(E)165.28220.38204.64196.77787.072.6靶材(F)103.30137.74127.90122.98491.92

24、2.7靶材(.)41.3255.0951.1649.19196.773其他业务收入364.48485.97451.26433.901735.60根据初步统计测算，公司实现利润总额2553.76万元，较去年同期相比增长254.47万元，增长率11.07%；实现净利润1915.32万元，较去年同期相比增长381.04万元，增长率24.84%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元11573.94完成主营业务收入万元9838.34主营业务收入占比85.00%营业收入增长率（同比）29.26%营业收入增长量（同比）万元2619.90利润总额万元2553.76利润总额增长率11.07%利润总额增

25、长量万元254.47净利润万元1915.32净利润增长率24.84%净利润增长量万元381.04投资利润率43.40%投资回报率32.55%财务内部收益率23.79%企业总资产万元16617.24流动资产总额占比万元28.72%流动资产总额万元4772.38资产负债率31.38%二、靶材项目背景分析靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。高纯度溅射靶材主要应用于电子元器件制造的物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）工艺。PVD镀膜目前主要有三种形式，分别是溅射镀膜、蒸发镀膜以及离子镀膜。为推动国内靶材产业

26、发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，我国制定了一系列靶材行业相关支持政策。靶材行业产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节。其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个靶材产业链中的关键环节。靶材产业下游包括半导体、光伏电池、平板显示器等等，其中，半导体芯片行业用的金属靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。靶材主要应用在平板显示、记录媒体、光伏电池、半导体等领域。其中，在靶材应用领域中，半导体芯片对靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关

27、键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。因此，半导体芯片对靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵。半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。目前，全球的靶材制造行业，特别是高纯度的靶材市场，呈现寡头垄断格局，主要由几家美日大企业把持，如日本的三井矿业、日矿金属、日本东曹、住友化学、日本爱发科，以及美国霍尼

28、韦尔、普莱克斯等。日矿金属是全球最大的靶材供应商，靶材销售额约占全球市场的30%，霍尼韦尔在并购JohnsonMattey、整合高纯铝、钛等原材料生产厂后，占到全球市约20%的份额，此外，东曹和普莱克斯分别占20%和10%。目前，国内靶材厂商主要聚焦在低端产品领域，在半导体、平板显示器和太阳能电池等市场还无法与国际巨头全面竞争。但是，依靠国内的巨大市场潜力和利好的产业政策，以及产品价格优势，它们已经在国内市场占有一定的市场份额，并逐步在个别细分领域抢占了部分国际大厂的市场空间。近年来，我国政府制定了一系列产业政策，如863计划、02专项基金等来加速溅射靶材供应的本土化进程，推动国产靶材在多个应

29、用领域实现从无到有的跨越。这些都从国家战略高度扶植并推动着溅射靶材产业的发展壮大。三、靶材项目建设必要性分析超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射（Sputtering）工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。一般来说，溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成，其中，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，在溅射镀膜过程中，靶坯被

30、离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜；由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程，机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。在溅射靶材应用领域中，半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品，因此，半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵；相较于半导体芯片，平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹

31、，但随着靶材尺寸的增大，对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。此外，溅射靶材需要安装在溅射机台内完成溅射过程，溅射机台专用性强，对溅射靶材的形状、尺寸和精度也设定了诸多限制。高纯度乃至超高纯度的金属材料是生产高纯溅射靶材的基础，以半导体芯片用溅射靶材为例，若溅射靶材杂质含量过高，则形成的薄膜无法达到使用所要求的电性能，并且在溅射过程中易在晶圆上形成微粒，导致电路短路或损坏，严重影响薄膜的性能。通常情况下，高纯金属提纯分为化学提纯和物理提纯，为了获得更高纯度的金属材料，最大限度地去除杂质，需要将化学提纯和物理提纯结合使用。在将金属提纯到相当高的纯度后，往往还需配比其他金属元素才能

32、投入使用，在这个过程中，需要经过熔炼、合金化和铸造等步骤：通过精炼高纯金属，去除氧气、氮气等多余气体；再加入少量合金元素，使其与高纯金属充分结合并均匀分布；最后将其铸造成没有缺陷的锭材，满足生产加工过程中对金属成份、尺寸大小的要求。溅射靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计，然后进行反复的塑性变形、热处理，需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标，再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。溅射靶材制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺水平将直接影响到溅射靶材的质量和良品率。溅射镀膜是指物体被离子撞击时，被溅射飞散出，因被溅射飞散的物体附着于目标基板上而制成薄膜的

33、过程，溅射靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。此环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节，溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断，主要设备提供商包括AMAT（美国）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美国）等行业内知名企业。终端应用是针对各类市场需求利用封装好的元器件制成面向最终用户的产品，包括汽车电子、智能手机、平板电脑、家用电器等终端消费电子产品。通常情况下，在半导体靶材溅射镀膜后，需要将镀膜硅片切割并进行芯片封装。封装是指将电

34、路用导线连接到外部接头处，以便与其他器件连接的工序，不仅能够起到保护芯片的作用，还将芯片与外界隔离，防止空气中的杂质对芯片电路造成腐蚀而损害导电性能。此外，终端应用也包括制备太阳能电池、光学镀膜、工具改性、高档装饰用品等，此环节技术面较宽，呈现多样化特征。全球范围内，溅射靶材产业链各环节参与企业数量基本呈金字塔型分布，高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区，其中，部分企业同时开展金属提纯业务，将产业链延伸到上游领域；部分企业只拥有溅射靶材生产能力，高纯度金属需要上游企业供应。溅射靶材最高端的应用是在超大规模集成电路芯片

35、制造领域，这个领域只有美国和日本的少数公司（日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等）从事相关业务，是一个被跨国公司垄断的行业。作为溅射靶材客户端的溅射镀膜环节具有规模化生产能力的企业数量相对较多，但质量参差不齐，美国、欧洲、日本、韩国等知名企业居于技术领先地位，品牌知名度高、市场影响力大，通常会将产业链扩展至下游应用领域，利用技术先导优势和高端品牌迅速占领终端消费市场，如IBM、飞利浦、东芝、三星等。终端应用环节是整个产业链中规模最大的领域，其产品的开发与生产分散在各个行业领域，同时，此环节具有突出的劳动密集性特点，参与企业数量最多，机器设备投资一般，主要分布在日本、中国台湾和中国大陆等，并逐渐

36、将生产工厂向人力成本低的国家和地区转移。溅射靶材产业分布具有一定的区域性特征，美国、日本跨国集团产业链完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用各个环节，具备规模化生产能力，在掌握先进技术以后实施垄断和封锁，主导着技术革新和产业发展；韩国、新加坡及中国台湾地区在磁记录及光学薄膜领域有所特长。另外由于上述地区芯片及液晶面板产业发展较早，促使服务分工明确，可以为产业链下游的品牌企业提供如焊接、清洗、包装等专业代工服务，将上游基础材料和下游终端应用对接，起到承上启下的作用，并在一定程度上推动上游溅射靶材的产品开发和市场扩展。但是上述地区的靶材服务厂商缺少核心技术及装备，不能够在金属的提纯、组织

37、的控制等核心技术领域形成竞争力溅射靶材的材料即靶坯依然依赖美国和日本的进口。超高纯金属材料及溅射靶材在我国还属于较新的行业，以芯片制造厂商、液晶面板制造企业为代表的下游溅射镀膜和终端用户正在加大力度扩展产能。从全球来看，芯片及液晶面板行业制造向中国大陆转移趋势愈演愈烈，中国正在迎来这一领域的投资高峰。为此高端溅射靶材的应用市场需求正在快速增长。由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要的溅射靶材产品性能要求高、专业应用性强，因此，长期以来全球溅射靶材研制和生产主要集中在美国、日本少数几家公司，产业集中度相当高。以霍尼韦尔（美国）、日矿金属（日本）、东曹（日本）等跨国集团为代表的溅射靶材生产商较早涉足该

38、领域，经过几十年的技术积淀，凭借其雄厚的技术力量、精细的生产控制和过硬的产品质量居于全球溅射靶材市场的主导地位，占据绝大部分市场份额。这些企业在掌握溅射靶材生产的核心技术以后，实施极其严格的保密措施，限制技术扩散，同时不断进行横向扩张和垂直整合，将业务触角积极扩展到溅射镀膜的各个应用领域，牢牢把握着全球溅射靶材市场的主动权，并引领着全球溅射靶材行业的技术进步。受到发展历史和技术限制的影响，溅射靶材行业在我国起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业。与国际知名企业生产的溅射靶材相比，我国溅射靶材研发生产技术还存在一定差距，市场影响力相对有限，尤其在半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域，全球高纯溅

39、射靶材市场依然被美国、日本的溅射靶材生产厂商所控制或垄断。随着溅射靶材朝着更高纯度、更大尺寸的方向发展，我国溅射靶材生产企业只有不断进行研发创新，具备较强的产品开发能力，研制出适用不同应用领域的溅射靶材产品，才能在全球溅射靶材市场中占得一席之地。半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游工业对产品的品质和稳定性等方面有较高的要求，为了严格控制产品质量，下游客户尤其是全球知名厂商在选择供应商时，供应商资格认证壁垒较高，且认证周期较长。我国高纯溅射靶材企业要进入国际市场，首先要通过部分国际组织和行业协会为高纯溅射靶材设置的行业性质量管理体系标准，例如，应用于汽车电子的半导体厂商普遍要求上游溅射靶材供

40、应商能够通过ISO/TS16949质量管理体系认证，应用于电器设备的溅射靶材生产商需要满足欧盟制定的RoHS强制性标准；其次，半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等下游知名客户均建立了十分完善的客户认证体系，在高纯溅射靶材供应商满足行业性质量管理体系认证的基础上，下游客户往往还会根据自身的质量管理要求再对供应商进行合格供应商认证。认证过程主要包括技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等几个阶段，认证过程相当苛刻，从新产品开发到实现大批量供货，整个过程一般需要2-3年时间。为了降低供应商开发与维护成本，保证产品质量的持续性，溅射靶材供应商在通过下游客户的资格认证后，下游客户会与溅射靶材

41、供应商保持长期稳定的合作关系，不会轻易更换供应商，并在技术合作、供货份额等方面向优质供应商倾斜。近年来，受益于国家从战略高度持续地支持电子材料行业的发展及应用推广，我国国内开始出现不少专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业，并成功开发出一批能适应高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。通过将溅射靶材研发成果产业化，积极参与溅射靶材的国际化市场竞争，我国溅射靶材生产企业在技术和市场方面都取得了长足的进步，改变了高纯溅射靶材长期依赖进口的不利局面。目前，包括长沙鑫康在内的一些国内企业已经掌握了高纯溅射靶材生产的关键技术，积累了较为丰富的产业经验，拥有了一定

42、的市场知名度，获得了全球知名客户的认可。第三章 产业调研分析一、靶材行业分析溅射靶材是利用物理气相沉积技术制备电子薄膜材料的被轰击材料，广泛应用于半导体芯片、太阳能电池、平板显示、信息存储等领域，其中半导芯片用溅射靶材技术要求最高，具有规模化生产能力的企业数量也相对较少，主要分布在美国、日本等国家和地区。中国溅射靶材行业起步较晚，目前仍然属于一个较新的行业，受益于国家战略的支持，已经开始出现少量专业从事高纯溅射靶材研发和生产的企业(如江丰电子，有研新材等)，并成功开发出一批高端应用领域的溅射靶材，为高纯溅射靶材大规模产业化提供了良好的研发基础和市场化条件。靶材全球市场预计16-19复合增速13

43、%。2016年全球溅射靶材市场容量达113.6亿美元，相比于2015年的94.8亿美元增长20%。预测2016-2019年均复合增长率达13%，到2019年全球高纯溅射靶材市场规模将超过163亿美元。2016年全球靶材市场的下游结构中，半导体占比10%、平板显示占34%、太阳能电池占21%、记录媒体占29%，靶材性能要求依次降低。市场集中度高，日、美占据80%高端靶材市场。溅射靶材由于其高技术、高投资、高客户壁垒，具有规模化生产能力企业较少，以霍尼韦尔、日矿金属、东曹、普莱克斯等为代表的靶材龙头企业2017年占据全球约80%靶材市场。美、日等跨国企业产业链较为完整，囊括金属提纯、靶材制造、溅射

44、镀膜和终端应用各个环节，主导高端的半导体靶材市场；韩国、新加坡及中国台湾地区擅长磁记录及光学薄膜领域，原料多从国外进口；中国靶材产业正处于起步阶段，逐步切入以原料以进口为主的全球主流半导体、显示、光伏等龙头企业客户。预计2018-2020年国内显示靶材需求增速维持20-25%增速。中国大陆从上世纪80年代开始进入液晶显示领域，在政府政策导向和产业扶植下，我国大陆液晶显示产业快速发展，成为平板显示行业发展速度最快的地区。2016年中国平板显示器件产业整体规模达到1500亿元，同比增长25.99%；2012-2016年国内平板显示增速基本保持在25%以上。此外考虑到国内LCD国产替代进程加速、再加

45、上OLED渗透率有望快速提升，预计2018-2020年国内平板显示产业增速将至少维持在20-25%；对应到国内显示靶材的需求也将相应增加。靶材应用的战略高地17-20年全球半导体增速有望超预期，17年国内半导体增速24.81%。半导体靶材性能要求位居各类应用之首。半导体行业所需溅射靶材主要用于晶圆制造材料和封装测试材料。芯片制造对溅射靶材纯度要求很高，通常需达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半导体产业超预期增速21.62%，从下游需求结构看，17年增长主要源于半导体的主要应用是集成电路中的存储器，增速达到61.49%，增量来源于人工智能、大数据、汽车电子

46、等领域对高性能芯片需求快速提升。从15年开始国内半导体产业维持20%左右增速，渐成常态。半导体产业从台湾向国内转移的趋势比较确定，国内政策、资金、税收等各方面也在扶持半导体产业。国家集成电路产业基金第一期规模1,387亿元。，至少带动省市地方基金共4,651亿元，拉动国内企业内生增长和海外并购。未来第二期基金计划启动，也将持续拉动国内半导体产业增长。2011-2016全球半导体用靶材年复合增长率3.17%，预计2018-2020国内半导体靶材需求增速在20%左右。国际半导体产业协会(SEMI)全球半导体用溅射靶材销售额从2011年的10.1亿美元到2016年为11.7亿美元，年均复合增长率为3

47、.17%，其中晶圆制造用溅射靶材年均复合增长率为2.07%，封装测试用溅射靶材年均复合增长率为4.65%。2016年我国集成电路用溅射靶材市场规模约14亿元，年增速达20%。供给端，随着国产溅射靶材技术成熟，尤其是国产溅射靶材具备一定性价比优势，并且符合溅射靶材国产化的政策导向；需求端，半导体产业向国内转移的趋势已基本确立，国内半导体产业崛起将推动国内半导体靶材需求的提升。预计2018-2020年我国溅射靶材的市场规模有望持续扩大，复合增速将维持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太阳能用靶材增速保持20%以上。太阳能光伏产业的快速发展给太阳能电池用溅射靶材市场带来了可观的成

48、长空间，2016年全球太阳能电池用溅射靶材市场规模23.4亿美元，在全球靶材市场中占比约21%。2011-2016年全球太阳能靶材规模增速一直保持在20%以上。国内靶材需求和供给反差悬殊，国产替代进程加速。2015国内靶材需求全球占比近25%，年速约20%；但国内靶材企业市场份额不到2%，供需比例反差明显。随着国内溅射靶材技术的成熟和高纯铝生产技术的提高，我国靶材生产成本优势明显，靶材原料之一高纯铝的国内进出口量差距也在逐步缩小。随着2019年国家进口靶材免税期结束，国内靶材企业优势更加突出。预计2018-2020年国内靶材需求将维持20%以上高速增长，市场份额有望进一步扩大。二、靶材市场分析

49、预测靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光

50、碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。日本。就美国而言.约有50家中小规模的靶材制造商及经销商，其中最大的公司员工大约有几百人。不过为了能更接近使用

51、者，以便提供更完善的售后服务，全球主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间，亚洲的一些国家和地区，如台湾.韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。对靶材厂商而言，这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增，不断的扩大自己的规模和生产技术，国内一线生产制造靶材的品牌已经达到国外最顶尖的技术水平。2010年，日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地，可以满足台湾50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商业咨询公司)最新的统计报告指出，全球靶材市场将以8.8%的年平均增长

52、率(AAGR)在今后的5年内持续增长，估计销售额将从1999年的7.2亿美元增加到2004年的11亿美元。靶材是一种具有高附加价值的特种电子材料，主要使用在微电子，显示器，存储器以及光学镀膜等产业上，用以溅射用于尖端技术的各种薄膜材料。BCC的报告显示：全球的上述产业在1999年使用了2.88百万公斤靶材。换算为面积，则溅射了363百万平方米的薄膜。而若以单位靶材来计算，全球在1999年则大约使用了37400单位的靶材。这里所要指出的是，随着应用产业的不同，靶材的形状与大小也有所差异，其直径从15Gm到3m都有，而上述的统计资料，则是平均化后的结果。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的

53、品质要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995%(4N5)纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求，而未米的0.18um艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。平面显示器(FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO

54、靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种.一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取第一种方法生产ITO靶材，利用LIRF反应溅射镀膜.靶材具有沉积速度快.且能精确控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l。但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。在储存技术方面，

55、高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。第四章 项目规划分析一、产品规划（一）产品放方案项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。该项目主要产品为靶材，具体品种将根