低噪声放大器的国内外研究现状

1、低 噪 声 放 大 器 的 国 内 外 研 究 现 状 目前在无线通信技术领域，射频（RF）频段通常是指VHFX波段，这个频段也是 目前大多数集总元件所能达到的工作频段。L、S波段的频率范围分别为12GHz、 24GHz,处于微波频率的低端，主要用于卫星通信、雷达、数字音频广播（DAB）、 无线局域网、无线路由和蓝牙等抄）。低噪声放大器的发展比较久，设计理论比较成熟， 主要由晶体管放大器、输入、输出匹配网络以及直流偏置电路构成。国外在该领域的研 究比较早，技术相对成熟。本文列出目前国外具有代表性公司近几年研制的L、S频段低 噪声放大器产品分别见表1.1、表1.2、表1.3、表1.4、表1.5所

2、示。 表1.1MITEQ公司部分L、S波段的LNA模块 型号 频带 (GHz) 最小 增益 （dB） 增益平 坦度 （土 dB） NF (dB) P-ldB (dBm) O1P3 (dBm) VSWR in VSWR out 工作电 流（mA） 15V AFS4-010002 0O-05-10P-6 12 46 1 0.5 10 20 2 2 175 AFS4-005002 004)8-15P-4 0.5 2 46 1 0.8 15 25 2 2 175 AFS3-020004 00-06-10P-4 24 32 1 0.6 10 20 2 2 125 AMF-2F-001 00200-16-

3、15P 02 30 0.75 1.6 15 25 2 2 135 AFD3-02402 6-08 2.4 2.6 32 0.35 0.8 10 20 1.5 1.5 125 表1.2Narda Microwave-West公司部分L、S波段的LNA模块 型号 频帶 (GHz) 增益平 坦度 （士 dB） NF (dB) P-ldB (dBm) OIP3 (dBm) VSWR in VSWR out 工作电 流（mA） 12V DBS 2520N4 *20 2.0 2.5 30 0.5 2.0 20 30 2 2 275 DBL-0102N2 10 0.5-2 28 03 1.8 10 15 /

4、 2 1.8 125 DBL-0204N3 10 24 28 1 1.8 10 20 2 2 150 DBS-3025N4 20 2.5-3 30 0.5 2 20 30 2 2 275 DBS-3530N4 20 3.0 3.5 30 03 2 20 30 2.2 2 275 3 / 3 表1.3 Microsemi-RFIS公司部分L. S波段的LNA模块 型号 频带 (GHz) 蠶 增益平 坦度 （dB） NF (dB) P-ldB (dBm) OIP3 (dBm) VSWR in VSWRout 工作电 流（mA） 】5V AML12P450 1 1.424 45 L5 1 25 35

5、 L8 1.8 250 AML22U80 1 2.2 2.4 48 1 1 15 23 1.5 1.5 90 AMLUL500 4 1.85 1.95 50 1 0.9 10 20 1.5 1.5 120 AML12U80 1 12 48 1.5 0.6 10 20 2 2 150 AML24L440 1 24 44 1.5 0.8 10 20 2 2 150 表1.4WENTEQMicrowave公司部分L、S波段的LNA模块 型号 频带 (GHz) 小益B) 最增2 增益平 坦度 （土dB） NF (dB) P-ldB (dBm) O1P3 (dBm) VSWR in VSWRout 工作

6、电 流（mA） 12V ALN0195-11- 3007 172.2 27 1 0.65 16 1.5 1.5 60 ALN0230-26- 4807 2.0 2.6 45 13 0.7 16 30 1.5 1.5 140 ALN0390-15- 4007 364.2 40 I 0.7 10 20 2 2 90 ABL0200-50- 4010 12 37 1 0.8 11 25 1.7 1.6 120 ABL0400-50- 4013 24 33 1 1.3 12 22 1.7 1.7 90 表1.5 Nextec Microwave & RF公司部分L、S波段的LNA模块 型号 頻带 (G

7、Hz) 小益B) 最增(d 增益平 坦度 （dB） NF (dB) P-ldB (dBm) OIP3 (dBm) VSWR in VSWRout 工作电 流（mA） 12V NLC00553 1.424 30 2.0 3.0 25 2.0 2.0 370 NLC00545 344.2 25 OS 1.7 15 1.5 1.5 120 NBL00551 12 20 L5 1.8 10 2 2 130 NBL00442 24 50 1 2.0 15 2.5 2.5 200 与欧美发达国家相比，由于加工工艺起步较晚，国内微波元器件的发展相对缓慢， 很多器件的技术指标由于工艺技术受到了限制，大部分元器

8、件尤其是放大器的芯片和晶 体管还需进口。但近年来随着国家对无线通信领域的重视、大量资金和人才的投入，国 内微波元器件发展较为显著，有些产品已达国外同类产品的技术指标，但我们仍需努力, 争取达到国际领先水平。本文査找岀目前国内部分公司和研究所研发的低噪声放大器产 品分别见表16、表1.7和表1.8所示。 表L6十三所部分L. S波段的LNA集成芯片 型号 频带 (GHz) 囂(dB) 增益平 坦度 (土 dB) NF (dB) P-ldB (dBm) OIP3 (dBm) VSWR in VSWR out 工作电 流(mA) 5V HE553L/HEM5 53L7HES553L 1.417 23

9、 1 1.1 12 1.6 1.6 60 HE554L/HEM5 54L 2025 22 1 1 10.5 1.8 1.8 65 HE554BIVHE M554BL 2.4 2.8 22 1 1.2 10.5 1.8 1.8 65 HEM554E 2.7 3.0 12 0.4 0.7 9.0 1.4 1.4 45 表1.7成都武华科技公司部分L、S波段的LNA模块 型号 频带 (GHz) 一小益Br 一最增 增益平 坦度 (dB) NF (dB) P-ldB (dBm) OIP3 (dBm) VSWR in VSWR out 工作电 流(mA) 5V LNA1418L30 1.4 1.8 30

10、 0.5 1 17 2.0 1.8 120 LNA1822L30 1.822 30 0.5 1.1 17 2.0 1.8 120 LNA2227L30 2.2 2.7 30 OS 1.2 17 2.0 1.8 120 LNA2730L30 2.730 30 03 1.2 17 2.0 1.8 120 表1.8南京恒电电子公司部分L S波段的LNA模块 型号 频带 (GHz) 最小 增益 (dB) 增益平 坦度 仕dB) NF (dB) P-ldB (dBm) OIP3 (dBm) VSWR in VSWR out 工作电 流(mA) 12V HD018022N30 15 1.8-2.2 30 1