封装调研个人总结

1、LED封装 材料和配件 封装结构 失效模式 HV-AC芯片 COB，SIP 材料和配件 封装配件：透镜，支架，键合线 封装材料：固晶胶，密封胶，荧光粉 LED支架 A.PPA高温尼龙，耐温更高，吸湿更少,热稳定,光稳定,热变形温度约在300度， 可过回流焊肯定没问题共晶焊制程，基本也能承受 共晶焊 B.LCP塑胶支架，液晶树脂，可满足温度高的共晶焊，有长期耐黄变性，但无 法做到PPA能的白度，初始亮度较差而无法大量推广。 C.陶瓷LED支架散热性好，价格较为昂贵，约为PPA支架的10倍 支架镀银：提高光反射率 失效模式：银层与空气中硫化氢、 氧化合物、 酸、碱、盐类反应，或经紫外线照射，发黄发

2、 黑，并导致密封胶和支架剥离 键合线 金线：电导率大、耐腐蚀、韧性好，最大优点是抗氧化，常用键合线 金银合金线：适用于LED直插和SMD产品封装焊线 镀钯铜线：适用于LED直插和集成电路封装焊线 铜线：高纯铜,适用于功率器件封装焊线，价格金线10%-30%,电导热导 机械性能，焊点可靠性大于金 金线失效模式： 1. 虚焊脱焊，工艺不当，芯片表面氧化 2. 和铝的金属间化合物：“紫斑”（AuAl2）和“白斑” （Au2Al）， Au和Al两种元素的扩散速率不同， 导致界面处形成柯肯德尔孔洞以及裂纹。降低了 焊点力学性能和电学性能 铜线失效模式： 1. 铜容易被氧化，键合工艺不稳定 2. 硬度、屈

3、服强度等物理参数高于金和铝，键合时 需要更大的超声能量和键合压力，硅芯片造成损 伤 透镜 1. 硅胶透镜:耐温高(可过回流焊)，体积较小，直径3-10mm; 2.PMMA透镜：光学级PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，即亚克力)， 塑胶类材料，优点： 生产效率高(注塑);透光率高(3mm时93%);缺点：耐温差(热变形温度90度，PMMA灯罩 须增加光源和灯罩的距离，或降低光源功率); 3.PC透镜：光学级尼龙料 (PC)聚碳酸酯，塑胶类材料，优点：生产效率高(注塑); 耐温高(130度以上);缺点：透光率稍底(87%); 4.玻璃透镜光学玻璃材料，具有透光率高(97%)耐温高等特点，缺点：易碎、非球

4、面 精度不易实现、生产效率低、成本高等。 一次透镜：PMMA,硅胶 二次透镜：PMMA,玻璃 灌封胶，固晶胶 硅胶 按分子链基团的种类分： 1.甲基系有机硅胶（大部分，耐侯性更好） 2.苯基系有机硅胶（成本高，折射率更好） 按使用领域分： 1.透镜填充硅胶 2.LED固晶硅胶 按硫化条件分： 1.高温硫化型LED硅胶（聚硅氧烷，分子量4080万） 2.室温硫化型LED硅胶（分子量36万，双组分和单组分包装） 灌封胶作用： 1. 对芯片进行机械保护，应力释放 2. 一种光导结构 3. 折射率介于芯片和空气之间，扩大全反射角，减少光损失 硅胶优点： 1耐温 SiO键为主链结构，键能121千卡/克分

5、子，高于CC82.6，热稳定性高，高温或辐射 化学键不断裂，也耐低温，化学，物理，机械性能，随温度的变化小。 2耐候性 主键为SiO，无双键，不易被紫外光和臭氧分解。自然环境下可使用几十年。 3电气绝缘性能 介电损耗、耐电压、耐电弧、耐电晕、体积电阻系数和表面电阻系数好，电气性能受温 度和频率的影响很小。良好拒水性，在湿态条件下使用具有高可靠性。 4低表面张力和低表面能 疏水、消泡、泡沫稳定、防粘、润滑、上光等性能优异。 在LED上的应用 （1）固晶：混合银粉以提高导热效果，称为固晶银胶。 （2）混荧光粉硅胶 （3）表面填充LED硅胶：保护LED芯片，大功率LED透镜内填充、透镜模封、贴片式平

6、面 封装、COB式大面积不规格封装等。 硅胶失效模式硅胶失效模式 非法添加造成的硅胶失效： 1.添加环氧树脂，对PPA的附着会提高，对固化，透光折射和MOD硬度没影响，但会造成胶 层的黄变，苯基类的硅胶也会引起变黄。 2.添加荧光粉，添加填充物达到要求的硬度，胶层在固化后发生黄边，为了控制颜色的发黄 ，所以添加荧光粉，半年时间就会失效 硅胶使用中遇到的各种问题： 1.固化后表面起皱，由收缩所引起胶中添加有溶剂型的硅树脂造成。 2.出现界面层。采用同类物质想近的原理，改变硅胶与其的亲合力。 3.荧光粉发生沉淀，室温固化型的胶，因为在硅胶中为了保持其透光性，折射率等，所以不 能添加任何的悬浮剂进去

7、，换成升温固化的产品，可以解决这个问题。 4.固化后表面不够光滑，这是因为胶遇到S、P等中毒引起，需清洗下模具等系列工具 环氧树脂 成形性、耐热性、良好的机械强度及电器绝缘性。 添加剂： 为满足各种要求，需添加硬化剂、促进剂、抗燃剂、偶合剂、脱模剂、 填充料、颜料、润滑剂 失效模式： 1. 环氧树脂在短波照射或者长时间高温下会变黄。 2. 过回流焊时，环氧耐高温性能差导致环氧与衬底分离，产生光衰死灯等 情况，所以应用在大功率照明上时寿命很短。 环氧树脂因为价格低廉（和硅胶完全不是一个级别），而且储存、使用和可 加工性也较硅胶优越，所以低功率LED和一些光感元器件依然使用环氧树脂 封装 荧光粉荧

8、光粉 白光的几种实现形式 1.蓝色LED芯片上涂敷能被蓝光激发的黄色荧光粉 460nm波长的蓝光芯片上涂一层YAG荧光粉，利用蓝光LED激发荧光粉以产生 与蓝光互补的555nm波长黄光，并将互补的黄光、蓝光混合得到白光。 2.蓝色LED芯片上涂覆绿色和红色荧光粉 芯片发出的蓝光与荧光粉发出的绿光和红光复合得到白光。 3.紫光或紫外光LED芯片上涂敷三基色或多种颜色的荧光粉 利用该芯片发射的长波紫外光(370nm-380nm)或紫光(380nm -410nm)来激发 荧光粉而实现白光发射。 失效模式： 1. 荧光粉的材质对白光LED的衰减影响很大。有加速老化白光LED的作用 2. 不同厂商的荧光

9、粉对光衰的影响程度也不相同，这与荧光粉的原材料成分 关系密切。 3. 选用最好材质的白光荧光粉，才有利于衰减控制。 几种荧光粉的比较 1.石榴石型氧化物： 优点：亮度高，发射峰宽，成本低，应用广泛 缺点：只能做出黄粉，激发波段窄，光谱中缺乏红光的成分，显色指数不 高，很难超过85 专利：日亚化学垄断 2. 硅酸盐荧光粉： 优点：激发波段宽，绿粉和橙粉较好 缺点：发射峰窄，对湿度较敏感，缺乏好的红粉，不太耐高温，不适合做 大功率LED，适合用在小功率LED 专利：仍为丰田合成、日亚化学、欧司朗光电半导体等公司所拥有 3. 氮化物与氮氧化物荧光粉： 优点：激发波段宽，温度稳定性好，非常稳定红粉、绿

10、粉较好，蓝色到红色 的全部色域 缺点：制造成本较高，发射峰较窄 专利：荷兰Eindhoven大学、日本 材料科学国家实验室(NIMS)、三菱化学公 司、Ube工业与欧司朗光电半导体，北京宇极科技。 芯片结构和衬底 对衬底的要求： 1、结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、 晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。 2、接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。 3、化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分 解和腐蚀。 4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。 5、导电性好，能制成上下结构。 6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。 7、机械性能好，器件容易加工，包括

11、减薄、抛光和切割 等。 8、价格低廉。 9、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 衬底材料 导热系数 W/(mK) 膨胀系数 (x10E- 6) 稳定性导热性成本ESD (抗静电) 碳化硅(SiC)490-1.4良好高好 蓝宝石(Al2O3)461.9一般差为SiC的1/10一般 硅(Si)150520良好 为蓝宝石的 1/10 好 LED衬底的趋势 不确定是Si，SiC， 蓝宝石中的一种 但可能会是完全剥离 原来的生长衬底，并 与新基底结合的趋势 LED芯片衬底 三种衬底比较 SiC衬底衬底 化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光 价格太高、晶体质量难以达到Al2O3和Si那么好、

12、机械加工性能比较差 吸收380 nm以下的紫外光，不适合380 nm以下的紫外LED。 优异的的导电性能和导热性能，不需要像Al2O3衬底上功率型氮化镓LED器件采 用倒装焊技术解决散热问题，而是采用上下电极结构 硅衬底 硅衬底的芯片电极有两种接触 方式，分别是L接触（Laterial , 水 平接触）和V接触（Vertical，垂直 接触），LED芯片内部电流可以是 横向也可以是纵向流动的。电流可 以纵向流动，因此增大了LED的发 光面积，从而提高了LED的出光效 率。因为硅是热的良导体，所以器 件的导热性 能可以明显改善，从而 延长了器件的寿命。 普瑞光电8英寸硅衬底芯片色温为4700K时

13、， 光效已达到160lm/W；色温为3000K时,光效 已达到125lm/W，显色指数可达到80。 欧司朗标准Golden Dragon Plus LED封装 中的蓝光UX:3芯片在3.15V时亮度可达 634mW，如果再结合标准封装中的传统荧 光粉转换，这些白光LED原型在350mA电流 下亮度将达到140lm，色温为4500K时将实 现127lm/W的光效。 晶能光电2英寸硅衬底量产芯片，色温为 5000K时，350mA下普遍光效超过110lm/W， 6寸硅衬底芯片研发取得重大进展，性能和2 寸片相当，目前正筹备6寸量产制程设备。 飞利浦、三星也均在硅衬底方面展开研究， 而三星从8英寸大尺

14、寸入手 硅衬底上生长的GaN基LED与其他 衬底相比，性能上有差距，发光效 率和可靠性有待进一步提高和验证。 硅衬底研发水平最好达到160lm/W， 而蓝宝石目前普遍水平能达到 110lm/W，研发水平也达到了 249lm/W， 蓝宝石衬底 化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟； 不足方面虽然很多，但均被克服， 1. 很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服 2. 导电性能差通过同侧P、N电极所克服 3. 机械性能差不易切割通过雷射划片所克服 4. 很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂 但差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功率型器件大电 流工作下问题十分突

15、出。 Sapphire N-GaN 晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加 工工艺造成困难。 正装结构 P型GaN传导性能不佳，需在P区 表面蒸镀一层Ni-Au金属电极层。 P区为获得好的电流扩展，Ni-Au 金属电极层不能太薄，器件的发 光效率受到很大影响，要同时兼 顾电流扩展与出光效率二个因素。 金属薄膜的存在，总会使透光性 能变差。引线焊点的存在也使器 件的出光效率受到影响。 GaN LED倒装芯片的结构可以从 根本上消除上面的问题。 倒装结构 1. 基材是硅； 2. 电气面及焊凸在元件下表面； 3. 组装在基板后需要做底部填充 或者完全去掉衬底材料 直接和

16、金属衬底接触 例如台湾旭明光电 铟锡氧化物(Indium Tin Oxide; ITO)电流传输层。 覆晶结构(Flip-chip) 。 光输出表面粗糙化。 垂直电极(Vertical Electrode) 。 使用22底切側壁。 图形化蓝宝石基板。 电流阻挡层(Current Block Layer) 。 使用氧化镍/铟锡氧化物欧姆接触。 在MQW与p-GaN层之间多做一层p-AlGaN。 如何克服蓝宝石衬底的缺点 解析LED发光效率 68电能转化为热量 相关指标： 1.內部量子效率(Internal Quantum Efficiency)：电流转化为光子的能力 2.光取出率(Light E

17、xtraction Efficiency)：将光子从半导体中萃取出来的能力 3.外部量子效率(External Quantum Efficiency)：电流转化为萃取出来的光子的能力 内量子效率提高（与芯片更相关）： 1. 电流分布均匀 A. 覆晶结构导电弱的P型材料接触衬底 代表：飞利浦lumileds，深圳晶科 B. 改Au/Ni电极为ITO ITO的特点：硬度高，有很高的电子传导率，光学吸收系数低 代表：晶元光电，上海蓝光 C. 改为小面积多晶组合的HV 晶面被分割后，电流分布均衡，防止局部过热 代表：晶元光电 D. 垂直电极结构 电流分布更均匀 代表： 旭明-衬底彻底剥离后直接附着金属

18、电极 CreeSiC导电衬底 晶能导电硅电极 2. 降低Vf和电极接触处电阻损耗 氧化镍/铟锡氧化物欧姆接触 欧姆接触，降低Vf，降低电阻损 耗，提高了内量子效率 内量子效率技术现状： 现在内量子效率一般超过90%，因此已经不 是提升的重点。 3.外延材料的设计 A. 双异质结结构 B. 激活层(AL：Active layer)掺杂 C. 包覆层（CL:Cladding layer）掺杂 D. 晶格匹配 E. PN结移位 F. 非辐射复合中心 代表：华灿光电拥有的核心技术在外延生长、量子 阱技术、外量子效率以及芯片工艺与制造方面 都取得了突破性的进展 提高外量子效率（提高外量子效率（与封装的关

19、系更为密切）： 1、换为透明衬底或在有吸收功能的衬底上加反射镜（反射镜一般采用高反 光金属材料如AL和Ag） 旭明光电： 1. 垂直结构，电流分布均匀 2. 金属反射层，提高光萃取率 3. 表面图形电极，提高光萃取率 4. 金属衬底，提高散热 外量子现状效率： 目前30%-40%，是重点提高 的对象 2、采用半圆形球面（一般LED 光因临界角被限制而不易射出， 做成半圆形球面使光不受临界角 限制） GaN折射率2.3，全反射角29，出 光率Al2O3树脂空气） C. 抗UV,防黄变特性 D. 高的耐温和应力特性 B. 匹配良好的折射率 GaN类倒装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层

20、（n=2.4） 蓝宝石（n=1.8）环氧树脂（n=1.5）空气（n=1）； GaN类正装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4） 环氧树脂（n=1.5）空气（n=1） 采用倒装芯片封装的LED的出光通道折射率匹配比正装芯片要好，出光效 率更高。 7. 荧光材料 A. 荧光粉涂覆方式 B. 荧光粉效率 LEDLED失效模式失效模式 失效原因 A封装失效：支架锈蚀、连接线断裂、封装材料 （固晶胶、封装胶等）结构变化（退化）、荧光 粉失效等引起的失效。 B芯片失效：芯片材料缺陷、电极材料劣化、PN 结结构损伤、芯片电极欧姆接触不良及芯片污染 等引起的失效。 C电应力失效：由过电流

21、过电压冲击、过驱动、 静电损伤等引起的失效。 D热应力失效：结温过高、恶劣环境等引起的失 效。 E装配失效：指的是焊接不良、装配不当等引起 的失效。 失效现象及原因 A.开路 应力， 工艺引起的间歇性电连接 过流，过功率引起的烧毁 B.短路 过流，过功率引起的烧毁 芯片表面离子污染 C.漏电 芯片表面存在污染 工艺缺陷（空洞，裂纹） 1. 荧光粉高温下性能衰退 2. 蓝光LED自身快速衰退 3. LED支架导热不良 4. 封装其他材料如固晶胶，密封胶等 5. 封装工艺 6. 应用不当（供电，散热等） 7. 紫外辐射等 1. 荧光粉 受温度影响严重。散热不好，更易老化，量子效率降低，黄光成分减少

22、，并 导致光输出的减少和颜色的漂移 A. 初始光通1000小时内上升，与胶的混合作用 B. 荧光粉自身衰减，30%的总体衰减，芯片只占百分之几 C. 与胶混合的混合反应也有衰减作用 2. 蓝光LED自身衰减 A. 和衬底有关，没有晶格匹配的衬底，制作出的芯片缺陷率比较高。 B. GaN自身是N型半导体，说明两种离子尺寸相差过大，本身容易产生缺陷 C. 正向电压随老化时间增加而增大，IV特性出现退化。欧姆接触和P型GaN 层的表面受大电流和高温影响而退化，缺陷增多，导致寄生串联电阻增加 光衰问题 3. 支架导热不良 A. 热电不分离 B. 光反射层腐蚀导致支架和灌封胶剥落 4. 封装其他材料 A

23、. 环氧树脂绝缘胶导热性差，但亮度高 B. 硅树脂绝缘胶导热效果稍好，亮度高，但固晶片时旁边残留的硅树脂与环氧 树脂结合产生隔层，冷热冲击剥离死灯； C. 银胶导热好，可延长芯片寿命，但光吸收比较大，亮度低。双电极蓝光晶片 用银胶固晶时，需严格控制胶量，否则易产生短路，影响良品率 5. 封装工艺不当 6. 应用不当 A. 恒压供电 B. 散热（出光率低，散热材料） 7. 紫外辐射 光学材料黄化，硅胶比环氧树脂抗UV能力强且硅胶散热效果比环氧树脂好； 色漂问题 2. 湿度影响荧光粉性能 1. 高温影响荧光粉性能 经过1000小时高温存储后，荧光粉色 温发生不同程度的漂移，但和不同厂家 有很大关系

24、 湿度对荧光粉性能有一定影响 3. 高温对胶体透光性能的影响 高温可使胶的透光 率下降30%左右 高温对添加了荧光粉的胶体的影响 高色温无论透光性还是色温的漂移都高于低色温 原因：高色温荧光粉量少，胶体多，凸显了胶体对色温漂移的影响 结论：色温漂移的机理主要与温度有关，但高温对荧光粉漂移影响不大， 主要是荧光胶的胶体在高温下透明性能变差，造成色温漂移，光效下降 LED散热性能对失效模式及程度有很大影响 散热有芯片散热和集成散热 芯片散热： 1. SiC衬底，Si衬底 2. 蓝宝石衬底：覆晶结构（新衬底为Si，或者金属） 散热设计原则： 1.热源与散热器的大接触面设计； 2.灌胶，作用：散热绝缘

25、固定； 3.空隙部位导热膏的灵活运用； 4.散热器表面处理方式（阳极黑色阳极原色及基于阳极的处理方式电 镀普通铝）； 5.合理的系统散热设计（外壳孔位，表面积。）； 6. 减小PCB与散热器的接触面粗糙度； 7.散热设计的同时需兼顾结构。 集成散热 1. MCPCB板 绝缘高导热层 2. FR4 PCB上敷铜，金属化过孔 Cree热电分离，因此可以用FR4加 金属化过孔导热 3. 热沉，翅片 铝挤压技术铝压铸技术热管技术 4. 半导体制冷的大功率LED 模组 华南师范大学 华中科技大学利用该技术封装出了220W和 1500W的超大功率LED白光光源 5. 微喷主动散热技术 HV-AC HV的不

26、同观点 怀疑-茅于海 1. 同样输出功率，高压LED耗散功率要远低于低压LED，散热铝外壳的成本可大 大降低-耗散功率的大小由LED的发光效率决定 2. 输入和输出压差越低，AC到DC的转换效率就越高。-AC/DC转换器的效率 几乎是和最后的输出电压没有什么关系。可能变压器次级的电流大了会增加一 些铜损，不至于影响到散热器的设计；为了提高整流二极管的效率最好采用肖 特基二极管，而如果输出是200V高电压，很难买到这种高压肖特基二极管， 价格很高，如果采用普通整流二极管，效率不可能提高。 3. 高压LED减小了LED的面积。从散热的观点来看就未必是优点。背板改用紫铜， 和它直接接触的散热器部分也

27、必须采用紫铜而不能采用铝（膨胀系数不同，直 接接触会产生缝隙而影响导热）；采用热管，增加散热器的成本。 4.高压LED可以不需要变压器不用恒流源以后都会使LED的使用寿命大大降低。LED 伏安特性的负温度系数，使得LED的正向电流随着LED的温升而增高，从而使得LED的结 温升高，而降低了LED的寿命。 5.发光效率-晶元推出发光效率高达160lm/W的冷白光LED，而暖白光的LED发光效率将 高达150lm/W，而且显色系数（CRI）高达90%。但未必是高压带来的提升 6.成本低-分立串联的小功率比单独大功率价格低。 Cree 1. 将驱动的效率提高10%-20% 2. 将驱动的价格降低10

28、%-20% 武汉迪源 1. 芯片级实现微晶粒串并联，低电流高电压，简化芯片固晶，键合数量，封装成本降低。 2.单位面积内形成多颗微晶粒集成，避免芯片间BIN内波长电压亮度跨度带来的不一致； 3.小电流下驱动的功率型芯片，可以与红光LED芯片集成+黄色荧光粉形成暖白光，比 LED+红粉+黄粉的暖白出光效率高，缩短暖白与冷白封装光效的差距，更易实现高显指； 4.封装成品工作电压接近市电，提高了驱动电源的转换效率；由于工作电流低，线路损耗 低于传统DC功率LED芯片。 支持的观点 正装结构存在电流分布不均的情况 原因是P型层平面导电困难 GaN是具有自补偿特性的N型半导体 N型可以重掺杂，导电性好

29、P型重掺杂难以实现，只能轻掺杂，所以导电性差 为了提高电极平面导电性， A.生长透明导电玻璃ITO（降低光透过率） B.优化电极分布图案（减少发光面积，电流分布不均） 结论： A. 在驱动方面 1.降低驱动价格 2.提高驱动效率 B. 对芯片本身效率的提高方面，对以晶 元为代表的正装芯片有较大提高 GaN基LED结构示意 晶元光电是最早推出HV LED 概念的企业，也得益于企业 优秀的红光芯片表现，晶元 光电通过红蓝光的组合实现 兼具发光效率及显色表现的 白光LED，并通过蓝红光芯 片组合实现HV LED，实验室 数据已达到168lm/w。 采用HV-LED 将芯片表面分割 1. 电流分布平均

30、，发热降低，克服光衰 2. 电流分布平均，降低欧姆电阻，提高内量 子效率 3. 功率可以提高 4. 芯片面积可以做大 5. 切割边缘可以出射光子，光子提取率提高 电流分布不均的后果 1. 芯片局部过热，降低光效，加速光衰 2. 内量子效率低 3. 电流不能很大 4. 芯片不能做大 5. 垂直出射的光子少，提取率低 电流分布平均，降低欧姆电阻， 即Vf，提高内量子效率 电流分布平均， 发热降低，克 服光衰 切割边缘可以 出射光子，光 子提取率 以晶元光电为例 J (A/mm2) 0.35 0.7 1.0 IQE; electrical 2.PMMA透镜：光学级PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，即亚克力

31、)， 塑胶类材料，优点： 生产效率高(注塑);透光率高(3mm时93%);缺点：耐温差(热变形温度90度，PMMA灯罩 须增加光源和灯罩的距离，或降低光源功率); 3.PC透镜：光学级尼龙料 (PC)聚碳酸酯，塑胶类材料，优点：生产效率高(注塑); 耐温高(130度以上);缺点：透光率稍底(87%); 4.玻璃透镜光学玻璃材料，具有透光率高(97%)耐温高等特点，缺点：易碎、非球面 精度不易实现、生产效率低、成本高等。 一次透镜：PMMA,硅胶 二次透镜：PMMA,玻璃 铟锡氧化物(Indium Tin Oxide; ITO)电流传输层。 覆晶结构(Flip-chip) 。 光输出表面粗糙化。 垂直电极(Vertical Electrode) 。 使用22底切側壁。 图形化蓝宝石基板。 电流阻挡层(Current Block Layer) 。 使用氧化镍/铟锡氧化物欧姆接触。 在MQW与p-GaN层之间多做一层p-AlGaN。 如何克服蓝宝石衬底的缺点 内量子效率提高（与芯片更相关）： 1. 电流分布均匀 A. 覆晶结构导电弱的P型材料接触衬底 代表