南通半导体器件项目投资计划书（可编辑模板）

1、泓域咨询/南通半导体器件项目投资计划书南通半导体器件项目投资计划书泓域咨询 MACRO摘要半导体芯片是科技创新的硬件基础，站在5G+AI这新一轮全球科技创新周期的起点，半导体芯片将是科技创新发展确定的方向之一，全球的半导体指数表现优异。半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业，随着技术的不断突破，越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导体技术发展和应用里，北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发源地和主要消费市场。该半导体芯片项目计划总投资16588.14万元，其中：固定资产投资12248.41万元，占项目总投资的73.84%；流动资金4339.73万元，占项目总投资的26.1

2、6%。本期项目达产年营业收入41818.00万元，总成本费用33117.57万元，税金及附加325.78万元，利润总额8700.43万元，利税总额10226.27万元，税后净利润6525.32万元，达产年纳税总额3700.95万元；达产年投资利润率52.45%，投资利税率61.65%，投资回报率39.34%，全部投资回收期4.04年，提供就业职位596个。南通半导体器件项目投资计划书目录第一章 概况一、项目名称及建设性质二、项目承办单位三、战略合作单位四、项目提出的理由五、项目选址及用地综述六、土建工程建设指标七、设备购置八、产品规划方案九、原材料供应十、项目能耗分析十一、环境保护十二、项目建

3、设符合性十三、项目进度规划十四、投资估算及经济效益分析十五、报告说明十六、项目评价十七、主要经济指标第二章 项目建设背景及必要性分析一、项目承办单位背景分析二、产业政策及发展规划三、鼓励中小企业发展四、宏观经济形势分析五、区域经济发展概况六、项目必要性分析第三章 项目市场研究第四章 产品规划分析一、产品规划二、建设规模第五章 项目建设地分析一、项目选址原则二、项目选址三、建设条件分析四、用地控制指标五、用地总体要求六、节约用地措施七、总图布置方案八、运输组成九、选址综合评价第六章 工程设计说明一、建筑工程设计原则二、项目工程建设标准规范三、项目总平面设计要求四、建筑设计规范和标准五、土建工程设

4、计年限及安全等级六、建筑工程设计总体要求七、土建工程建设指标第七章 项目工艺技术一、项目建设期原辅材料供应情况二、项目运营期原辅材料采购及管理二、技术管理特点三、项目工艺技术设计方案四、设备选型方案第八章 项目环境保护分析一、建设区域环境质量现状二、建设期环境保护三、运营期环境保护四、项目建设对区域经济的影响五、废弃物处理六、特殊环境影响分析七、清洁生产八、项目建设对区域经济的影响九、环境保护综合评价第九章 企业安全保护一、消防安全二、防火防爆总图布置措施三、自然灾害防范措施四、安全色及安全标志使用要求五、电气安全保障措施六、防尘防毒措施七、防静电、触电防护及防雷措施八、机械设备安全保障措施九

5、、劳动安全保障措施十、劳动安全卫生机构设置及教育制度十一、劳动安全预期效果评价第十章 项目风险应对说明一、政策风险分析二、社会风险分析三、市场风险分析四、资金风险分析五、技术风险分析六、财务风险分析七、管理风险分析八、其它风险分析九、社会影响评估第十一章 项目节能情况分析一、节能概述二、节能法规及标准三、项目所在地能源消费及能源供应条件四、能源消费种类和数量分析二、项目预期节能综合评价三、项目节能设计四、节能措施第十二章 进度计划一、建设周期二、建设进度三、进度安排注意事项四、人力资源配置五、员工培训六、项目实施保障第十三章 投资估算与资金筹措一、项目估算说明二、项目总投资估算三、资金筹措第十

6、四章 项目经济效益可行性一、经济评价综述二、经济评价财务测算二、项目盈利能力分析第十五章 项目招投标方案一、招标依据和范围二、招标组织方式三、招标委员会的组织设立四、项目招投标要求五、项目招标方式和招标程序六、招标费用及信息发布第十六章 项目结论附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表第

7、一章 概况一、项目名称及建设性质（一）项目名称南通半导体器件项目（二）项目建设性质该项目属于新建项目，依托xx经济园区良好的产业基础和创新氛围，充分发挥区位优势，全力打造以半导体芯片为核心的综合性产业基地，年产值可达42000.00万元。二、项目承办单位xxx有限责任公司三、战略合作单位xxx投资公司四、项目提出的理由庞大信息社会的根基是一枚枚小巧的集成电路，通常被人们称为“芯片”。别看芯片“身材小”，他们“喂养”着现代工业，手机、电脑、家电、高铁、电动车、机器人、医疗仪器等离开他们根本无法运转。半导体芯片是指在半导体片材上进行浸蚀、布线、制成的能实现某种功能的半导体器件，通常也可称为集成电路

8、。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料。半导体制造的过程就是“点石成金”的过程，主要是对硅晶圆的一系列处理，简单来说就是通过外延生长、光刻、刻蚀、掺杂和抛光，在硅片上形成所需要的电路，将硅片变成芯片。五、项目选址及用地综述（一）项目选址方案项目选址位于xx经济园区,地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，建设条件良好。南通，简称通，古称通州，别称静海、崇州、崇川，江苏省地级市，长江三角洲中心区27城之一，国务院批复确定的中国长三角北翼经济中心、现代化港口城市。截至2019年末，全市辖3个区、1个县、代管4个县级市，总面积8544平方千米，建成区

9、面积246平方千米，常住人口731.8万人，城镇人口498.4万人，城镇化率67.1%。南通地处中国华东地区、江苏东南部，东抵黄海、南濒长江，是扬子江城市群的重要组成部分、上海大都市圈北翼门户城市、中国首批对外开放的14个沿海城市之一，集黄金海岸与黄金水道优势于一身，拥有长江岸线226千米，据江海之会、扼南北之喉，被誉为北上海。南通是国家历史文化名城，自后周显德三年（956年）建城至今已有一千多年历史。在中国近代文化科教史上，南通创办第一所师范学校、第一座民间博物苑、第一所纺织学校、第一所刺绣学校、第一所戏剧学校、第一所中国人办的盲哑学校和第一所气象站等七个第一，被称为中国近代第一城。南通是精

10、神文明南通现象的发源地，是中国、江苏省重大精神文明先进典型最多的地区之一，连续四次被评为全国文明城市，并先后入选国家智慧城市试点、宽带中国示范城市。截至2014年，南通人口平均预期寿命达80.71岁，百岁寿星多达1031位。2014年5月，南通被国际自然医学会、世界长寿乡认证委员会授予全球首个世界长寿之都。2018年10月，获评首届健康中国年度标志城市。2018年中国百强城市排行榜中，位列第22位。（二）项目用地规模项目总用地面积45442.71平方米（折合约68.13亩），土地综合利用率100.00%；项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照半导体芯片行业生产规范和要求进行科学设计、合理布

11、局，符合规划建设要求。六、土建工程建设指标项目净用地面积45442.71平方米，建筑物基底占地面积28528.93平方米，总建筑面积56803.39平方米，其中：规划建设主体工程44906.80平方米，项目规划绿化面积2861.77平方米。七、设备购置项目计划购置设备共计109台（套），主要包括：xxx生产线、xx设备、xx机、xx机、xxx仪等，设备购置费4051.61万元。八、产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：半导体芯片xxx单位/年。综合考xxx有限责任公司企业发展战略、产品市场定位、资金筹措能力、产能发展需要、技术条件、销售渠道和策略、管理经验以及相应配套设备、人

12、员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、xxx有限责任公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”原则提出产能发展目标。九、原材料供应项目所需的主要原材料及辅助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx等，xxx有限责任公司所选择的供货单位完全能够稳定供应上述所需原料，供货商可以完全保障项目正常经营所需要的原辅材料供应，同时能够满足xxx有限责任公司今后进一步扩大生产规模的预期要求。十、项目能耗分析1、项目年用电量492915.23千瓦时，折合60.58吨标准煤，满足南通半导体器件项目项目生产、办公和公用设施等用电需要2、项目

13、年总用水量26381.16立方米，折合2.25吨标准煤,主要是生产补给水和办公及生活用水。项目用水由xx经济园区市政管网供给。3、南通半导体器件项目项目年用电量492915.23千瓦时，年总用水量26381.16立方米，项目年综合总耗能量（当量值）62.83吨标准煤/年。达产年综合节能量18.77吨标准煤/年，项目总节能率28.65%，能源利用效果良好。十一、环境保护项目符合xx经济园区发展规划，符合xx经济园区产业结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。项目设计中采用了清洁生产工

14、艺，应用清洁原材料，生产清洁产品，同时采取完善和有效的清洁生产措施，能够切实起到消除和减少污染的作用。项目建成投产后，各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。十二、项目建设符合性（一）产业发展政策符合性由xxx有限责任公司承办的“南通半导体器件项目”主要从事半导体芯片项目投资经营，其不属于国家发展改革委产业结构调整指导目录（2011年本）（2013年修正）有关条款限制类及淘汰类项目。（二）项目选址与用地规划相容性南通半导体器件项目选址于xx经济园区，项目所占用地为规划工业用地，符合用地规划要求，此外，项目建设前后，未改变项目建设区域环境功能区划；在落实该项目提出的各项污染防治措施后，可

15、确保污染物达标排放，满足xx经济园区环境保护规划要求。因此，建设项目符合项目建设区域用地规划、产业规划、环境保护规划等规划要求。（三）“三线一单”符合性1、生态保护红线：南通半导体器件项目用地性质为建设用地，不在主导生态功能区范围内，且不在当地饮用水水源区、风景区、自然保护区等生态保护区内，符合生态保护红线要求。2、环境质量底线：该项目建设区域环境质量不低于项目所在地环境功能区划要求，有一定的环境容量，符合环境质量底线要求。3、资源利用上线：项目营运过程消耗一定的电能、水，资源消耗量相对于区域资源利用总量较少，符合资源利用上线要求。4、环境准入负面清单：该项目所在地无环境准入负面清单，项目采取

16、环境保护措施后，废气、废水、噪声均可达标排放，固体废物能够得到合理处置，不会产生二次污染。十三、项目进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。科学组织施工平行流水作业，交叉施工，使施工机械等资源发挥最大的使用效率，做到现场施工有条不紊，忙而不乱。将整个项目分期、分段建设，进行项目分解、工期目标分解，按项目的适应性安排施工，各主体工程的施工期叉开实施。实行动态计划管理，加强施工进度的统计和分析工作，根据实际施工进度，及时调整施工进度计划，随时掌握关键线路的变化状况。十四、投资估算及经济效益分析（一）项目总投资及资金构成项目预计总投资16588.14万元，其中：固定资产投资12248.41万元，占

17、项目总投资的73.84%；流动资金4339.73万元，占项目总投资的26.16%。（二）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（三）项目预期经济效益规划目标项目预期达产年营业收入41818.00万元，总成本费用33117.57万元，税金及附加325.78万元，利润总额8700.43万元，利税总额10226.27万元，税后净利润6525.32万元，达产年纳税总额3700.95万元；达产年投资利润率52.45%，投资利税率61.65%，投资回报率39.34%，全部投资回收期4.04年，提供就业职位596个。十五、报告说明对于初步确立投资意向的项目，在市场调查的基础上，对市场、投资、政策、企业等方面

18、进行客观的机会分析，重点在于投资环境的分析及投资前景的判断，并提供项目提案和投资建议。包括：对投资环境的客观分析（市场分析、产业政策、税收政策、金融政策和财政政策）；对企业经营目标与战略分析和内外部资源条件分析（技术能力、管理能力、外部建设条件）；项目投资者或承办者的优劣势分析等。提供包括政策指引、产业分析、市场供需分析与预测、行业现有工艺技术水平、项目产品竞争优势、营销方案、原料资源条件评价、原料保障措施、工艺流程、能耗分析、节能方案、财务测算、风险防范等内容。十六、项目评价1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xx经济园区及xx经济园区半导体芯片行业布局和结构调整政策；项目的

19、建设对促进xx经济园区半导体芯片产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。2、xxx实业发展公司为适应国内外市场需求，拟建“南通半导体器件项目”，本期工程项目的建设能够有力促进xx经济园区经济发展，为社会提供就业职位596个，达产年纳税总额3700.95万元，可以促进xx经济园区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极的贡献。3、项目达产年投资利润率52.45%，投资利税率61.65%，全部投资回报率39.34%，全部投资回收期4.04年，固定资产投资回收期4.04年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。4、引导民间投资参与制造业重大项目建设，

20、国务院办公厅转发财政部发展改革委人民银行关于在公共服务领域推广政府和社会资本合作模式指导意见，要求广泛采用政府和社会资本合作（PPP）模式。为推动中国制造2025国家战略实施，中央财政在工业转型升级资金基础上整合设立了工业转型升级（中国制造2025）资金。围绕中国制造2025战略，重点解决产业发展的基础、共性问题，充分发挥政府资金的引导作用，带动产业向纵深发展。重点支持制造业关键领域和薄弱环节发展，加强产业链条关键环节支持力度，为各类企业转型升级提供产业和技术支撑。undefined综上所述，项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。十七、主要经济指标主要经

21、济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米45442.7168.13亩1.1容积率1.251.2建筑系数62.78%1.3投资强度万元/亩179.781.4基底面积平方米28528.931.5总建筑面积平方米56803.391.6绿化面积平方米2861.77绿化率5.04%2总投资万元16588.142.1固定资产投资万元12248.412.1.1土建工程投资万元4663.622.1.1.1土建工程投资占比万元28.11%2.1.2设备投资万元4051.612.1.2.1设备投资占比24.42%2.1.3其它投资万元3533.182.1.3.1其它投资占比21.30%2.1.4固定资产投

22、资占比73.84%2.2流动资金万元4339.732.2.1流动资金占比26.16%3收入万元41818.004总成本万元33117.575利润总额万元8700.436净利润万元6525.327所得税万元1.258增值税万元1200.069税金及附加万元325.7810纳税总额万元3700.9511利税总额万元10226.2712投资利润率52.45%13投资利税率61.65%14投资回报率39.34%15回收期年4.0416设备数量台（套）10917年用电量千瓦时492915.2318年用水量立方米26381.1619总能耗吨标准煤62.8320节能率28.65%21节能量吨标准煤18.77

23、22员工数量人596第二章 项目建设背景及必要性分析一、项目承办单位背景分析（一）公司概况公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。我们将不断超越自我，继续为广大客户提供功能齐全，质优价廉的产品和服务，打造一个让客户满意，对员工关爱，对社会负责的创新型企业形象！公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观

24、念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司认真落实科学发展观，在国家产业政策、环境保护政策以及相关行业规范的指导下，在各级政府的强力领导和相关部门的大力支持下，将建设“资源节约型、环境友好型”企业，作为企业科学发展的永恒目标和责无旁贷的社会责任；公司始终坚持“源头消减、过程控制、资源综合利用和必要的未端治理”的清洁生产方针；以淘汰落后及节能、降耗、清洁生产和资源的循环利用为重点；以强化能源基础管理、推进节能减排技术改造及淘汰落后装备、深化能源循环利用为措施，紧紧依靠技术创新、管理创新，突出节能技术、节能工艺的应用与开发，实

25、现企业的可持续发展；以细化管理、对标挖潜、能源稽查、动态分析、指标考核为手段，全面推动全员能源管理及全员节能的管理思想；在项目承办单位全体职工中树立“人人要节能，人人会节能”的节能理念，达到了以精细管理促节能，以精细操作降能耗的目的；为切实加快相关行业的技术改造，提升产品科技含量等方面做了一定的工作，提高了能源利用效率，增强了企业的市场竞争力，从而有力地促进了项目承办单位的高速、高效、健康发展。公司自建成投产以来，每年均快速提升生产规模和经济效益，成为区域经济发展速度较快、综合管理效益较高的企业之一；项目承办单位技术力量相当雄厚，拥有一批知识丰富、经营管理经验精湛的专业化员工队伍，为研制、开发

26、、生产项目产品奠定了良好的基础。公司高度重视技术人才的培养和优秀人才的引进，已形成一支多领域、高水平、稳定性强、实战经验丰富的研发管理团队。公司团队始终立足自主技术创新，整合公司市场采购部门、营销部门的资源，将供应市场的知识和经验结合到研发过程，及时响应市场和客户的需求，打造公司研发队伍的核心竞争优势。强有力的人才队伍对公司持续稳健发展具有重大的支持作用。公司一直注重科研投入，具有较强的自主研发能力，经过多年的产品研发、技术积累和创新，逐步建立了一套高效的研发体系，掌握了一系列相关产品的核心技术。公司核心技术均为自主研发取得，支撑公司取得了多项专利和著作权。（二）公司经济效益分析上一年度，xx

27、x实业发展公司实现营业收入33964.86万元，同比增长23.28%（6414.72万元）。其中，主营业业务半导体芯片生产及销售收入为29613.85万元，占营业总收入的87.19%。上年度主要经济指标序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入7132.629510.168830.868491.2233964.862主营业务收入6218.918291.887699.607403.4629613.852.1半导体芯片(A)2052.242736.322540.872443.149772.572.2半导体芯片(B)1430.351907.131770.911702.806811.192

28、.3半导体芯片(C)1057.211409.621308.931258.595034.352.4半导体芯片(D)746.27995.03923.95888.423553.662.5半导体芯片(E)497.51663.35615.97592.282369.112.6半导体芯片(F)310.95414.59384.98370.171480.692.7半导体芯片(.)124.38165.84153.99148.07592.283其他业务收入913.711218.281131.261087.754351.01根据初步统计测算，公司实现利润总额7297.65万元，较去年同期相比增长1260.92万元，增

29、长率20.89%；实现净利润5473.24万元，较去年同期相比增长1130.86万元，增长率26.04%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元33964.86完成主营业务收入万元29613.85主营业务收入占比87.19%营业收入增长率（同比）23.28%营业收入增长量（同比）万元6414.72利润总额万元7297.65利润总额增长率20.89%利润总额增长量万元1260.92净利润万元5473.24净利润增长率26.04%净利润增长量万元1130.86投资利润率57.69%投资回报率43.27%财务内部收益率26.14%企业总资产万元37117.92流动资产总额占比万元34.32%

30、流动资产总额万元12740.50资产负债率26.81%二、半导体芯片项目背景分析半导体芯片是科技创新的硬件基础，站在5G+AI这新一轮全球科技创新周期的起点，半导体芯片将是科技创新发展确定的方向之一，全球的半导体指数表现优异。2019年12月份全球半导体销售额为361.0亿美金，同比下滑5.5%，同比增速大幅改善。分地区来看，中国的销售额恢复较快，2019年12月份销售额同比已经实现0.8%的正增长，亚太（除中国、日本外）、欧洲、日本和美洲均有所下降，分别降低了7.5%、7.8%、8.4%和10.5%，较前几个月的同比数据来看正处于改善过程中。半导体设备与材料则从上游源头反射行业景气度的变化趋

31、势。北美半导体设备制造商月度出货数据自2018年11月起同比增速为负，2019年10月份出货同比增速首度转正为3.9%，2020年1月份出货额同比增长23.6%；日本半导体设备制造商月度出货数据自2019年2月开始双位数下滑，2020年1月同比增速达到3.1%，行业先行指标快速恢复增长预示行业未来景气度高。当前台积电最先进的工艺为7nm制程，主要用于生产手机处理器、基带芯片、高性能运算等对性能及功耗要求均非常高的产品，客户主要包括华为、苹果、高通、AMD和MTK。由于苹果iPhone11系列销售情况优于预期，A13应用处理器委由台积电以7纳米制程量产，而苹果早就预订了台积电大部分7纳米产能，目

32、前仍然维持计划投片，导致华为海思、赛灵思（Xilinx）、超微（AMD）、联发科等大厂都拿不到足够的7纳米产能，目前交期已经超过100天，2019Q4的营收占比达到35%，预期2020Q1高端制程的产能仍然紧张。5G手机芯片、人工智能（AI）、高效能运算（HPC）处理器、网络处理器、IOT芯片等在内的需求强劲，将拉动半导体行业快速复苏。2019年全球半导体营收超过4100亿美元，其中中国地区销售额占比为35%，是占比最高的国家和地区。根据海关数据，2019年中国集成电路进口额为3050亿美元。功率器件是分立器件的重要组成部分，典型的功率半导体处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。

33、功率半导体几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业控制等一系列电子领域。由于功率半导体在电源或者电能转换模块中必不可少，所以称之为电子产品的必需品。在小功率（几W至几千W）领域，从计算机、电视机、洗衣机、冰箱、空调等电器的电源中均有使用；在中等功率范围（10000W到几兆瓦），功率器件向机车、工业驱动、冶炼炉等设备中的电机提供电能；在吉瓦的大功率范围内，高压直流输电系统中需要超高电压功率半导体器件。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既有MOSFE

34、T的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，是未来应用发展的主要方向。IGBT芯片经历了6代升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场截止型（FS-Trench），芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT是新能源汽车和高铁等轨道交通车辆动力系统“核心中的核心”，为业界公认发展最为迅速的新型功率器件品种。新能源汽车及其配套设施快速增长将为IGBT等

35、高端功率半导体市场规模的加速扩张提供有力的保障。预计，电动汽车用IGBT市场到2022年将占整个IGBT市场的40左右。目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据，虽然我国IGBT市场需求增长迅速，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚。预计2022年全球IGBT市场将超过55亿美元，主要增长来自电动汽车IGBT功率模块；预计2018年国内IGBT市场达到153亿元。从市场格局来看，由于国内IGBT产业链基础薄弱，目前只有少数企业能够参与竞争，国内百亿的IGBT市场主要被外资品牌所占据。从国内IGBT的供需情况来看，2018年国内IGBT产量仅占需求的约14%，即86%左

36、右的需求依赖对外资品牌的采购。随着国内相关企业在IGBT领域的持续突破，IGBT国产化比率逐年提高，从2014年的9%提升至2018年的15%，虽然由于技术差距较大导致整体国产化比率仍然偏低，但是未来国产化趋势比较明确。一方面，IGBT属于工业核心零部件并且具备关键技术，在“自主可控”的大背景下，预计有望得到国家层面的持续重点支持，目前国网、中车等集团也在不断投入研发；另一方面，国内企业具备成本、服务优势，若未来技术差距缩小，存在一定的替代可行性。未来随着国产化的不断提升，国内自主品牌所面临的IGBT行业需求将保持持续较快增长。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体因禁带宽度和击穿电

37、压高，未来在功率半导体领域有很大的应用潜力，这一领域可以说是传统硅基功率半导体的全方位升级。目前第三代半导体功率器件发展方向主要有SiC和GaN两大方向，SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术，而GaN高电子迁移率和饱和电子速率、成本更低的优点，两者的不同优势决定了应用范围上的差异，GaN的市场应用偏向高频小电力领域，集中在600V以下；而SiC适用于1200V以上的高温大电力领域。碳化硅器件比硅器件具备更高的电流密度，在功率等级相同的条件下，采用碳化硅器件可将电体积缩小化，满足功率密度更高、设计更紧凑的需求。未来5-10年在汽车中使用SiC功率器件将推动行业的快速发展，SiC在汽车中的应用包括

38、主逆变器、车载充电器及DC/DC转换器等。据Yole统计，截至2018年，有超过20家汽车厂商已经准备好将在车载充电器中应用SiC肖特基二极管或者SiCMOSFET。SiC的出现符合未来能源效率提升的趋势，也是产业链努力的结果，未来市场空间必将越来越大。GaN功率器件的定位为小体积、成本敏感、功率要求低的电源领域，如轻量化的消费电子电源适配器、无人机用超轻电源、无线充电设备等。对于充电器，一个很重要的功能是将220V的市电变为设备可接受的电压，220V交流电整流后先经过开关管（一个速度很快的开关）然后才到变压器，由于开关管的高频开启和关闭，所以输入电压是高频变动的。如果提高开关的频率，则意味着

39、每次电磁变化转换的能量一样的情况下可以使单位时间内能量转换的次数增加，所以导致转换功率增加。反过来说就是总功率一定时，频率越高，变压器的体积可以更小。氮化镓充电器小的关键原因是继续提高了开关频率，对比传统硅开关，GaN的开关速度可高100倍。GaN固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和EMI。开关损耗会随着开关管大小的增大而增加，导通损耗会随着开关管大小（体积V）的增大而减小，两者曲线的交叉点就是传统MOSFET的功率损耗，在功率损耗一致的情况下

40、GaN开关的体积要比传统MOSFET要小。GaN充电器相比传统快充充电器，其最大的优势便是在同等功率的情况下重量、体积、价格上均有优势，对于消费电子充电器品类有着较强的渗透能力，未来100-200元区间的GaN充电器将进一步对现有传统充电器乃至传统快充充电器进行替代，全面利好产业链。存储器构筑了智能大时代的数据基石。随着5G技术的逐渐落地，人工智能应用的场景化多点开花，工业智造+家居智能+社会智理的全面智联时代即将拉开帷幕，这其中支撑智能时代的不仅是人工智能的大脑算法&高效能运算芯片，感知器官传感器，血管筋络传输网络，还有一切智能产生的根基与开端数据&存储器。存储器是计算机系统中用来存储程序和

41、各种数据的记忆设，计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。存储器主要有SRAM、DRAM和FLASHMEMORY。SRAM的一个存储单元需要较多的晶体管，价格昂贵，容量不大，多用于制造CPU内部的Cache；DRAM即我们通常所说的内存大小，用于我们通常的数据存取；FLASHMEMORY寿命长、体积小、功耗低、抗振性强，并具有在线非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）等优点，为嵌入式系统中典型的存储设备，多用于数码相机、手机、平板电脑、MP3等。FLASHMEMORY又分为NORFLASH和NANDFLASH，NORFLASH的

42、传输效率高，容量小，程序可以在芯片内部执行，价格较昂贵，因此适合频繁随机读写的场合；NANDFLASH生产过程简单，容量大，价格较低，因此主要用来存储资料。存储器竞争以海外龙头为主，三星、东芝、西部数据、SK海力士、镁光等拥有先发优势的行业龙头掌握了绝大多数的存储器市场。未来，随着半导体产业链的逐步转移，我国如合肥长鑫、长江存储等存储器企业的技术及产能的不断推进，叠加国内智能手机、物联网、车载系统等需求释放在即，未来存储器国产化机遇十分充足。三、半导体芯片项目建设必要性分析庞大信息社会的根基是一枚枚小巧的集成电路，通常被人们称为“芯片”。别看芯片“身材小”，他们“喂养”着现代工业，手机、电脑、

43、家电、高铁、电动车、机器人、医疗仪器等离开他们根本无法运转。西方发达国家一直对出口到中国的集成电路制造装备和材料以及工艺技术严格审查和限制。这对我国集成电路产业发展构成了严重制约，问题日益凸显。与此同时，随着我国国民经济的快速发展尤其是信息化进程的加快，对集成电路产品的需求持续快速增长，从2006年开始，集成电路产品超过石油成为我国最大宗进口产品，2013年至今，每年进口额均超过2000亿美元，逐年递增。2008年，我国启动实施“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（简称集成电路装备专项）。10年来，集成电路高端制造装备和材料从无到有填补产业链空白，制造工艺与封装集成由弱渐强、

44、走向世界参与国际竞争，集成电路产业开始驶入自主创新发展的快车道。鉴于下游IC设计业快速成长带来晶圆代工刚需，大陆代工厂产能规模及本地化优势依旧稳固，光大证券认为：大陆晶圆代工厂通过把握现有制程市场仍能实现快速成长，预计未来三年大陆晶圆代工业复合增速在15%以上。俗称“芯片”行业的集成电路产业，其重要性可以用“工业粮食”来形容。然而，集成电路（芯片）行业是我国发展的痛点之一，是我国进口额最大的商品，连续四年进口额超2000亿美元。没有自己的“中国芯”，也是国家安全的重大隐患。因此，国家多年来在税收、资金补贴等政策扶持该产业发展。尽管当前产业技术实现多点突破，产业链各方面得到全面提升，但仍然存在整

45、体技术水平不高、核心产品创新不力、严重依赖进口等问题。尽管我国是半导体消费大国，但长期以来相关产品严重依赖进口，进口额逐年攀升。而比巨额进口费更令人担忧的是芯片严重依赖西方发达国家带来的国家信息安全和国家战略压力。作为国家的“工业粮食”，芯片几乎是所有设备的“心脏”。如果一味依赖外国的产品，不能在芯片上实现独立自主，国家信息安全必将时刻处于威胁之下。随着外部贸易环境恶化，对于关乎国民经济和国家安全的战略型产业，半导体领域的进口替代迫在眉睫。国内集成电路产业销售增长迅速。在设备领域，中国电子专用设备工业协会副秘书长金存忠指出，2018年-2020年国产集成电路设备销售的年均增长率将超过15%。到

46、2020年销售额将达到50亿元左右。2018年1月中国半导体销售额增长18.3%，并有持续增长趋势。根据中国制造2025规划，到2025年中国集成电路自给率提升到70%。但目前我国上游相关电子材料自给率低，国产化替代空间巨大。这对集成电路产业来说无疑是利好的，但中国该产业尚处于起步阶段，通过海外并购是实现迭代升级的重要途径，而愈演愈烈的贸易保护主义限制了相关领域的技术转让等，如果这些领域完全靠自主研发，势必将使得我国快速突破核心技术的难度成倍增加。因此，此次税收政策是鼓励企业向更高制程与更先进工艺的集成电路产业投资，重点扶持优质半导体产业资产。通过鼓励与引导国内集成电路理性投资，进而推动集成电

47、路产业健康有序发展。减免税收政策增厚公司盈利空间，反哺公司资金再投入带来的技术提升与盈利能力增长，从而缩短我国半导体产业和国外先进产业之间的差距。国家集成电路产业投资基金是由国开金融、中国烟草总公司、中国移动、上海国盛等知名股东共同出资设立，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业，实施市场化运作、专业化管理。截至2017年底，大基金首期募集资金1387亿元已基本投资完毕，累计有效决策投资67个项目，涉及上市公司23家。目前大基金的投资覆盖了集成电路制造、封装测试、设计、设备、材料、生态建设以及第三代半导体、传感器等领域，实现了产业链上的完整布局。第三章 项目市场研

48、究一、半导体芯片行业分析半导体芯片是指在半导体片材上进行浸蚀、布线、制成的能实现某种功能的半导体器件，通常也可称为集成电路。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体材料。半导体制造的过程就是“点石成金”的过程，主要是对硅晶圆的一系列处理，简单来说就是通过外延生长、光刻、刻蚀、掺杂和抛光，在硅片上形成所需要的电路，将硅片变成芯片。从20世纪90年代初开始，国际半导体巨头纷纷来华创办独资或合资企业，转移生产能力。跨国公司向我国本土转移生产线，更贴近中国市场，市场反应更加灵敏和迅速，同时利用国内廉价的原材料和劳动力资源，增强了自身的竞争能力。跨国公司再凭借其先进的技术、雄厚的资本以及

49、灵活的经营方式，确立了市场领先地位，在竞争中处于较为有利的地位。目前，中国芯片企业在封装领域已具备一定的市场与技术核心竞争能力。在中低端芯片器件封装领域，中国芯片封装企业的市场占有率较高;在高端芯片器件封装领域，部分中国企业有较大突破，形成了一大批具有一定规模的封装企业，如深圳雷曼光电、厦门华联、佛山国星等，这些企业已打入高端显示屏、背光源、照明器件等门槛较高领域，避开同低端厂商的价格战，依靠提供稳定可靠、品质更高的产品和服务获得较高的品牌溢价。2017全年中国集成电路产量达到1564.9亿块，与2016年的1329亿块相比增长17.8%。在一系列政策措施扶持下，中国集成电路行业保持快速发展的

50、势头，产业规模持续扩大，技术水平显着提升，预计2018年中国集成电路产量将进一步增长，达到1813.5亿块，同比增长率为15.9%。数据显示，2017年中国集成电路产业全年产业规模达到5430.2亿元，同比增长20.2%。预计2018年中国集成电路产业规模将超6000亿元，达到6489.1亿元，同比增长19.5%。近年来，在国家和产业的大力投入下，我国集成电路制造业得到了快速发展，2016年产值首度超过1000亿元，达到1126.9亿元。2017年我国集成电路制造业继续保持良好成长势头，产业规模达到1415.4亿元。从近几年的发展情况来看，我国半导体芯片行业的发展整个处于上升态势，行业的毛利率

51、一直维持在20%左右的水平，以华微电子的为例，2014-2017年，华微电子的毛利率一直维持在20%左右的水平，净利润则是处于缓慢增长状态，并于2017年实现了高速增长。二、半导体芯片市场分析预测半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业，随着技术的不断突破，越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导体技术发展和应用里，北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发源地和主要消费市场。美国作为全球半导体技术最发达的国家，它称霸这个产业数十年，2018年，美国在最先进的芯片制造工艺7nm上首次落后台积电，但是美国半导体产业依旧亮点十足。2018年7月，英特尔宣布收购eASIC，加速FPGA

52、，降低对CPU业务的依赖，eASIC位于英特尔公司总部所在地美国加利福尼亚州圣克拉拉，是一家生产可定制eASIC芯片的无晶圆厂半导体公司（IC设计商），其芯片可用于无线和云环境。近日，英特尔全球最大的FPGA创新中心落户重庆，为英特尔的FPGA在中国落地开路。英特尔公司和加州大学伯克利分校的研究者发表了他们研究的新型半导体器件，适用于逻辑门电路和存储电路，这是一种具有创新意义的半导体器件，甚至有望取代CMOS成为应用最广泛的半导体器件。近年来，中国的半导体技术发展迅速，2018年7月，华为发布昇腾310芯片，这是一款高能效、灵活可编程的人工智能处理器，突破人工智能芯片设计的功耗、算力等约束，大

53、幅提升了能效比，为自动驾驶、云业务和智能制造等应用场景提供全新的解决方案。前不久，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，该光刻机完全由中国自主研制，分辨率达到了22纳米，未来还能用于制造10纳米级别的芯片，这是中国在芯片生产上的重大突破。高端芯片一直是“中国芯”的痛点，2018年5月，中国科学家不断努力，终于研制出了一款不逊于大国重器的产品中国“魂芯二号A”芯片。据OFweek电子工程网编辑了解到，“魂芯二号A”是中国电科38所纯自主设计研制的高端电子芯片，该芯片整体水平绝对领先于国际上同类产品很多倍，它可以与高速ADC、DAC直接互连，也能在1秒内完成千亿次浮点的操作运算，

54、成功实现P波段射频直采软件的无线电处理形态。第四章 产品规划分析一、产品规划（一）产品放方案项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。该项目主要产品为半导体芯片，具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算，根据确定的产品方案和建设规模及预测的半导体芯片产品价格根据市场情况，确定年产量为xxx，预计年产值41818.00万元。（二）营销策略通过对国内外市场

55、需求预测可以看出，我国项目产品将以内销为主并扩大外销，随着产品宣传力度的加大，产品价格的降低，产品质量的提高和产品的多样化，项目产品必将更受欢迎；通过对市场需求预测分析，国内外市场对项目产品的需求量均呈逐年增加的趋势，市场销售前景非常看好。随着全球经济一体化格局的形成，相关行业的市场竞争愈加激烈，要想在市场上站稳脚跟、求得突破，就要聘请有营销经验的营销专家领衔组织一定规模的营销队伍，创新机制建立起一套行之有效的营销策略。通过以上分析表明，项目承办单位所生产的项目产品市场风险较低，具有较强的市场竞争力和广阔的市场发展空间，因此，项目产品市场前景良好，投资项目建设具有良好的经济效益和社会效益，其市场可拓展的空间巨大，倍增效应显著，具有较强的市场竞争力和广阔的市场空间。产品方案一览表序号产品名称单位年产量年产值1半导体芯片A单位xx18818.102半导体芯片B单位xx10454.503半导体芯片C单位xx6272.704半导体芯片D单位xx3345.445半导体芯片E单位xx2090.906半导体芯片F单位xx836.36合计单位xxx41818.00二、建设规模（一）用地规模该项目总征地面积45