单晶炉操作规程

1、浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09单晶炉操作规程版本号:A/1页码：第1页共35页生效日期：2008年5月30日、目的:为正确、规范地操作单晶炉，确保生产作业正常进行，特制订本规程。适用于FT-CZ2008型单晶炉的操作。图1 FT-CZ2008型单晶炉图2操作柜依据:依据为直拉法生长硅单晶的工艺和 FT-CZ2008型单晶炉的性能。批准审核编制修改履历页码内容状态备注浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09单晶炉操作规程A肩* 口 八页码：第2页共35版本号：A/1页生效日期：2008年5月30日四、权责单位： 本规程的权责单位为浙江昱辉阳光能源有限公司硅单晶三厂技术部。五

2、、作业流程： 作业内容：八、1作业准备进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。、开炉前，按工艺要求检查水、电、气，确认无异常后方能开炉。、准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。、准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。、准备取单晶用的专用取棒车、装石墨件的不锈钢长条车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车，并处理干净。用毛巾将炉体从上到下擦扫一遍，擦扫时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏，并把炉子周围清扫干净。2、取单晶和籽晶、点击【氩气】进入氩气控制菜单，在【MFC流量值】中分步递增到100.0SLM，并先后点击【MFC】和【上炉体气阀】的【开

3、启】按钮。炉体压力达到760Torr后，先后点击【上炉体气阀】和【MFC】的【关闭】按钮。版本号：A/1 生效日期：2008年5月30日浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09页码：第3页共35页单晶炉操作规程图3【氩气】操作界面、拧开上炉体螺母，将操作手柄上的【HOIST】旋钮打向UP位置点动上升炉筒至适 当位置，将操作手柄上的【SEED】旋钮打向UP位置上升晶棒到翻板阀室以上，顺时针转动翻板阀手柄，关闭翻板阀。 图4隔离阀手柄、上升上炉体至上限位，上升晶体至上炉体内。转动晶棒托架，通过【SEED】UP/DOWN键调整晶棒的高度，使其与托架接触，但不承重。生效日期：2008年5月30

4、日浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09版本号：A/1页码：第4页共35页单晶炉操作规程图5晶棒托架、打开上炉体定位开关，转动上炉体到一侧，放下上炉体定位开关，便于取晶棒。 图6定位开关、将操作手柄上的【SEED!按钮打向UP位置，上升晶棒，转动托架。再将【SEED! 打向DOWN下降晶体，用晶棒专用车承接晶棒，每进入一格，用锁扣锁住。下降晶棒使其与晶棒车有充分接触，但不全部承重到晶棒车上。操作者一手拿住籽晶一手用钳子将籽晶从细颈处钳断，钳断籽晶后，应稳定重锤，防止重锤快速转动，损坏钢丝绳。、将籽晶从重锤上取下，观察籽晶积渣情况和有无机械损伤，取下的籽晶放在指定场所，再将重锤升至付室

5、内适当位置。、将晶棒移到中转区，及时、准确的将晶棒编号写在晶棒上，观察晶棒颜色并做相应记录，待晶棒自然冷却后，由生产检验人员对晶棒进行各项参数检测并做好记录。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09单晶炉操作规程版本号：A/1页码：第5页共35 页生效日期：2008年5月30日图7晶棒中转专用车3、石墨件取出冷却、石墨小件的取出 、打开上炉体定位开关，旋转到炉盖上方，合上上炉体定位开关，将操作手柄上的【HOIST】按钮打向DOWN位置下降上炉体至炉盖，拧紧上炉体螺母，将【HOIST】 按钮打向UP位置，上升至限位，打开上炉体定位开关，再旋转炉盖到侧面，合上 上炉体定位开关。 、戴好耐高温

6、手套按顺序取出导流筒及保温盖放在装石墨件的不锈钢长板车上，注意要拿稳并轻放。 、观察石英坩埚的埚口积渣情况，然后戴好耐高温手套用钳子夹住石英坩埚的上端 部分提起，使其松动，将石英坩埚取出。若石英坩埚能将埚底料全部带出，则直接 放入不锈钢筒；若不能，则将先取出石英坩埚，然后将大块料拿出放入不锈钢筒， 剩下的埚底料随石墨三瓣埚一并取出后， 再将埚底料放入不锈钢筒内。取出埚底料 时要观察埚底是否有渗硅情况并做相应记录。若出现闷炉等意外情况则用钳子像装 料一样一块块取出，直至彻底取出。最后将不锈钢筒放在埚底料推车上移到指定地 方，并写上单晶编号，自然冷却。冷却后对埚底料进行重量检测并作好记录。图8埚底

7、料筒与埚底料推车浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09页码：第7页共35页单晶炉操作规程版本号：A/1生效日期：2008年5月30日 、戴好耐高温手套依次取出石墨三瓣埚、石墨埚托放在装石墨件的不锈钢长板车上，放上后要注意放稳当，观察三瓣埚是否有微裂纹并做相应记录。 、取出的石墨件一并放在不锈钢长板车上，在不锈钢长板车边挂上石墨件所属炉号牌，移到指定的位置，自然冷却，移动过程中注意石墨件放置，防止坠落。、石墨大件的取出（一般3炉做一次，需作好大清记录） 、取出上成型碳毡和上保温筒放在不锈钢长板车上。 、将操作手柄上的【CHAMBER】按钮打向UP位置，升起炉筒至限位，旋转炉筒到一侧。 、

8、取出中成型碳毡和中保温筒放在不锈钢长板车上。 、先取下加热器螺丝盖，用专用工具取下加热器螺丝后，取下加热器放在不锈钢长板车上。 、依次取出石墨托柄、坩埚轴挡料罩、排气套管、底保温板、下保温筒、炉底防漏板、石英电极环、石墨电极、炉底板、坩埚轴护套、底保温支撑环、炉底碳 毡等放在不锈钢长板车上。在小车边挂上石墨件炉号牌，移到指定的位置，自 然冷却，移动过程中注意石墨件放置，防止坠落。图9主要石墨件4、真空过滤器清扫准备好吸尘刷、吸尘管、酒精、纸巾、扳手，带好手套、防尘口罩。、打开波纹管和真空过滤器顶盖的连接法兰，拧开真空过滤器顶盖螺丝，取出过滤网。、用吸尘刷仔细清扫过滤网及过滤器内的挥发物。、将清

9、扫后的过滤网缓慢放进过滤器内。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09页码：第10页共35页单晶炉操作规程版本号：A/1、用吸尘刷清扫过滤器盖，用沾酒精的纸巾擦净密封圈，并检查密封圈是否完全就位，防止出现脱落或出槽影响抽空。、盖好过滤器顶盖并用扳手拧好过滤器顶盖螺丝，拧上波纹管和过滤器顶盖的连接法兰。图10真空泵与真空泵房5、真空泵油检查与更换、确认关闭主泵手阀和真空泵，在放油单晶炉上挂检修牌，将废油桶置于真 空泵放油口下方，打开上下腔放油开关，放完油后关闭上下腔放油阀，废油倒 入指定油桶。、清扫真空泵（每3炉清扫一次），用扳手打开真空泵侧盖，置于适当位置, 用毛巾彻底清理真空泵腔、侧

10、盖和下腔滤油网的油污，清扫完毕后，安装好滤 网，安装好侧盖。侧盖在打开、安装时小心操作，防止损坏侧盖及油封而漏油。 泵腔内禁止遗留纸屑或其它异物，不然会造成油路的堵塞导致真空泵卡死。清 理真空泵的废弃物放入指定垃圾桶。、打开真空泵注油口，将真空泵油注入真空泵注油孔，观察真空泵油位至油 位观察窗1/2位置，停止注油，打开泵侧的油路管道阀门向下腔放油，关闭油 口。、启动真空泵工作5min后关闭泵侧的油路管道阀门，察看油位是否处于油位 观察窗1/3-1/2位置，关闭真空泵，在放油单晶炉上移去检修牌。若低于下限 重复（四）、（五）操作。6、石墨件清扫、石墨件清扫 、石墨件必须在指定的通风厨室进行清扫，

11、准备好清扫用品（吸尘刷、纸巾、吸尘管、研磨布、除硅粒的专有工具、放石墨件的洁净长板车等）戴好手套、 防尘口罩。清扫好清扫台及周围环境。 、依次用吸尘刷清扫各类石墨件直至确认无污物，沟槽及接口等吸附挥发物较多的部位要用研磨布认真打磨后再吸尘清扫。、清扫时注意检查各石墨件是否有损坏及粘硅，有损坏及粘硅要及时更换和 处理。、操作时要轻拿轻放以免造成石墨件的损坏。、清理完毕的石墨件放到事先准备好的洁净不锈钢长板车上。禁止叠加，移动不锈钢小车要稳当。、清扫后垃圾放入垃圾指定处，清扫好清扫台及周围环境。、石墨大件炉内清扫（适用于每炉小清，石墨大件未取出时在炉内清扫）、用吸尘刷吸净炉筒、保温筒和加热器上沿拆

12、炉时掉落的残渣。、用吸尘刷仔细清扫保温筒和加热器所能触及到的部位。、取出加热器螺丝盖，检查电极螺丝是否松动、脱落或粘硅。有松动须拧紧, 有脱落或粘硅须更换。然后盖好加热器螺丝盖。在拆炉时不小心引起热场移动或转动，一定要检查热场是否对称，测温孔要重新校正。如果测温孔与温度传感器没有对准，会导致无法对炉内温度 进行自动控制，无法成晶。图11测温装置、检查底保温板H盘和加热器电极脚的距离是否对称，若距离不一致要调整间距。检查是否有石墨碎屑伸出；若有，要将碎屑吸除。 、两段式的石墨托柄，要检查是否松动和机械损伤，若发现松动，要拧紧。检查石墨托柄和坩埚轴护套四周间隙是否一致。 、用吸尘刷吸净底保温板、排

13、气孔和排气套筒内的附尘及残渣。 、用带有酒精的纸巾清理炉壁上部。生效日期：2008年5月30日7、单晶炉室清扫、上炉体的清扫安装、准备好清扫棒、纸巾、酒精。 、在清扫棒上缠上沾有酒精的纸巾，清扫上炉体内部至上部，直至确认无污物。 、快速降下籽晶夹头，用沾有酒精的纸巾认真擦扫重锤及钼夹头。需要时要将重锤摘下用研磨布认真打磨，并清扫干净。摘下重锤时要慎重作业，防止钢 丝绳上弹造成钢丝绳出槽。清扫钢丝绳时要检查其接头部位是否老化或损坏， 若有应截去一截钢丝绳，防止在拉晶过程中单晶掉下。清扫后，上升重锤到 一定位置，升重锤时，不要使重锤晃动，防止重锤挂住上炉体下沿，拉断钢 丝绳。、炉盖清扫 、观察炉颈

14、处的积渣情况，然后用纸巾擦扫内壁 （氧化物过多先用吸尘刷清理）。 、小孔部位、观察窗部位、照相机部位、阀口部位各处的接口及焊接口等不易清扫的部位要用沾有酒精的纸巾认真擦扫，直至确认无污物。 、硅粉强力附着时或炉盖局部发黑、发白时要用研磨布认真研磨直至炉盖整个内壁出现光亮无污物。 、观察窗、相机窗口要认真清理，所有小孔的位置要把纸巾卷成卷以便伸进气孔内部更容易清理直至没有污物。、用沾有酒精的纸巾认真擦扫抽气口、其它小孔及翻板阀四周及转轴。打开翻 板阀，翻板阀的沟槽部位及焊缝处先用纸巾卷成利于操作的形状再认真擦扫。 检查翻板阀对中情况和翻板阀冷却水。、炉筒清扫 、先用纸巾擦扫内壁（氧化物过多先用吸

15、尘刷清理）。 、取光孔部位要用沾有酒精的纸巾认真擦扫，直至确认无污染。 、硅粉强力附着时或炉筒局部发黑、发白时要用研磨布认真研磨直至炉筒整个内壁出现光亮无污物。、抽气管道清扫。 、打开抽气管道上的封盖螺圈，取下封盖和密封圈。 、用一头缠钢丝球的长棒伸入管道抽动，另一头用吸尘刷吸除抽气管道内的挥发物。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09单晶炉操作规程版本号：A/1页码：第10页共35页生效日期：2008年5月30日、用沾有酒精的纸巾认真擦扫封盖和密封圈，再安装好。8、石墨件安装、清扫后的石墨大件安装（一般 3炉做一次）、将清理完毕的石墨大件不锈钢长板车移到单晶炉旁边，移动过程要稳当。

16、 依次装好石墨电极、炉底碳毡、底保温支撑环、坩埚轴护套、炉底板、炉底 防漏板、坩埚轴挡料罩、下保温筒、底保温板、排气套管、石英电极环。安 装电极时，要检查电极柱冷却水，然后检查电极接触面是否平整，上下接触 面要放一层石墨纸，防止热场打火。、将清扫后的加热器装好，拧上石墨螺丝，要拧紧，两边受力均匀，并盖上石 墨螺丝盖。、检查底保温板H盘和加热器电极脚的距离是否对称，若距离不一致要调整间 距。检查是否有石墨碎屑伸出；若有，要将碎屑吸除。 、将清扫后的中保温筒装好，卡口接到位。并校正与加热器的间距，要均匀一致，否则需调整好。然后放中成型碳毡。若转动了保温筒，需重新校正加热器 电极脚和底保温板的间隙。

17、 、用沾有酒精的纸巾擦扫下炉筒上部的结合部和中炉筒下部的结合部，同时转动炉筒到适当位置。 、将【CHAMBER】按钮打向DOWN位置，炉筒降到位后，校对测温孔，防止测光信号过小无法温度自控。 、将清扫后的上保温筒装好，并卡口接到位，然后放上成型碳毡。、清扫后石墨小件的安装。 、装好石墨托柄，一定要拧紧石墨托柄，防止因松动造成液面晃动。检查石墨托柄和坩埚轴护套四周的间隙是否一致。检查石墨托柄是否拧紧。 、依次装好石墨埚托、石墨三瓣埚。安装时要确认埚杆、埚托、三瓣埚是否尺寸配合，要认真、细心，防止碰坏保温材料或加热器。 、装好后要打开埚转旋转一下，以检查三瓣埚与加热器间距是否一致。若不一浙江昱辉阳

18、光能源有限公司文件编号：Q02- 09单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日致，需及时调整。升降坩埚，检查是否有异常响声。图13热场组装!注意：热场组装到位后，要检查操作屏幕上【原点】是否为红色显示，若没有红色显示，则需进行【初始化】操作。9、石英坩埚安装、炉筒、炉盖的外侧及周遍，用沾有酒精的纸巾擦扫平干净，炉体周围地面认真打扫。、从指定的场所将指定石英坩埚取来。穿好洁净的专用工作服及工作帽，戴好防尘口罩和装料用的洁净手套。、检查石英坩埚包装上标识与配料单上是否一致， 打开石英坩埚包装，对光确认有无裂纹、污物、气泡、黑点。若有异常及时处理并报告班长或主任。、在石墨三瓣埚内装好石英坩埚，注

19、意保证四周间隙和高度一致。、在操作记录单上记好所用石英坩埚的生产厂家、编号和高度，同时保管好石英坩埚标签号，放入指定地方。10、硅料安装、取来装料不锈钢小车和硅料，仔细核对配料单的各项内容是否与单晶炉号、配料实物一致，若有异常及时处理并报告班长或主任。、双手各戴上1副棉手套，再戴上3至5副一次性手套，如有母合金，先放入石英坩埚，将 版本号：A/1页码：第13页共35页袋留下，以便及时将所装入的母合金填写在操作记录单上。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日、在石英坩埚高度的1/3以下尽量使硅料采用面接触，料的高度达到石英坩埚的2/3 后，尽

20、量使硅料与石英坩埚点接触。大块硅料不要装在底部。装料时要慎重作业， 轻拿轻放，防止碰撞石英坩埚，不要使料掉在保温筒的缝隙，以免造成打火。、装料时注意不要使硅料探出石英坩埚， 否则会在熔料过程中引起硅液流下， 损坏石墨件，甚至焖炉。、装料完成后打开埚转旋转一下，确认四周间隙一致，再快速将埚降至下限，停止旋转。、三瓣埚上部、加热器上部、保温筒上部再用干净吸尘刷吸净浮尘及硅渣。、依次装好保温大盖、导流筒，保温大盖和导流筒用无尘纸擦拭干净。安装保温罩、导流时要相互吻合，安装导流筒时要慎重作业，如果与硅料发生接触时要调整硅 料的摆放，防止在化料过程中发生粘硅。11、籽晶安装、将操作手柄上的【SEED】按

21、钮打向DOWN位置，下降籽晶夹头至适当位置。、从指定的场所将腐蚀好的籽晶取来，用沾有酒精的纸巾认真擦扫籽晶。!注意：不要直接用手接触籽晶，防止汗渍污染籽晶。、将重锤取下，使籽晶吊绳处于自由状态，观察籽晶吊绳的弯曲状态，观察其是否处于自由弯曲、是否有折痕或铆接处毛刺等。图14籽晶吊绳确认籽晶和籽晶吊绳没有异常后， 把籽晶装在夹头上，装好钼销。用力向下拉一下籽晶使其牢固，稳定好籽晶后把【SEED!按钮打向UP，上升至适当位置。!注意：安装籽晶时不要旋转籽晶，装好后垂直下拉籽晶，防止有间距在拉晶时晶棒下滑。、用沾有酒精的纸巾擦扫炉盖和炉筒接合部的密封圈，打开上炉体定位开关，旋转至炉筒上部。、将操作手

22、柄上的【HOIST】按钮打向DOWN位置，降下炉盖，降炉盖时要注意螺丝吻合。炉盖降到位后确认炉盖是否合好，防止漏气。12、抽空、检漏、打开真空泵电源,然后点击【压力】操作菜单下的【打开】按钮。、缓慢打开手动阀,炉内压力在 400Torr以下完全打开手动阀。图15手动阀图16【压力】操作菜单、抽空后炉内压力达到400Torr时，充氩气15秒左右，抽真空1小时左右，使炉内压力v40mTorr。、待炉内压力v40mTorr后，关闭手动阀30秒后，按下【泄漏检测】按钮，打开检漏菜单，按下【开始】按钮，开始检漏，检漏时间 5分钟，按下【停止】按钮,此时屏幕上的漏气量和时间就是检测结果。要求炉子漏气速率v

23、0.8mTorr/min （即5分钟小于4mTorr），检漏合格进入加热熔料工序。、若炉子极限真空40mTorr,需重复1、2、3步骤；若炉子漏气速率0.8mTorr/min，则需重复1、2、3、4步骤进行抽空检漏，若不合格报告维修人员处理。并进行 相应记录。13、充氩气、升功率、熔料、抽空检漏合格后，点击【压力】菜单下的【打开】按钮，然后缓慢打开手动阀。、调节【MFC流量值】为3050SLM，分别点击MFC【开】和上炉体气阀【打开】 按钮，【压力设定】值为1015Torr,然后点击【自动】按钮。!注意：若打开的氩气流量值比较大时，要采用分布递增的方法逐渐增大氩气流量，停止时则分步递减，这样做

24、可以使氩气流量计不会因为流量突然变化太大，而发生零点偏移。、点击控制面板上的加热开关。、将操作屏幕旁边的状态控制旋钮打到自动档，按下屏幕下方的【工序开始】，屏幕 中会跳出是否执行化料程序的确认对话框，点击【接受】，开始自动化料程序。、在熔料过程中，要观察硅料的熔化过程，是否有挂边，是否有不熔性杂质，检查电流值是否稳定，功率值是否 、若手动熔料，将操作屏幕旁旋钮打到手动档，调出【加 单，根据参考表1,分步增 功率均作相应记录。对加热 应小心操作，防止功率迅速 变压器负荷过大，或对整个 瞬间电流过大而打火或损 加热顺序进行加热，否则可 上升造成石英坩埚破裂、漏时间功率0mi n30KW20min6

25、0KW50min80KW70min90KW100min98KW稳定。边的状态控制 热器】控制菜 加功率。每次加 器功率的使用 增大，瞬时造成 加热回路造成 坏。应严格按照 能会温度突然 硅。表1分步升功率参考、熔料过程中注意观察炉内的情况，若无异常塌料后点击操作屏幕上【坩埚】，给定埚转为2r/min，使用操作手柄上的【CRUCIBLE】键，打向【UP】上升适当埚位。原则上炉内条件允许，能开埚转尽量开埚转；能升埚位，尽量升埚位，并进行相应记录。升埚时注意不要使硅液面触到导流筒下沿，两者之间保持一个安全距离。升完埚位后，通过对屏幕上坩埚位置的确认，保证坩埚无动作，方可完成，否则会使导流筒粘硅，发生

26、跳硅。、熔料过程中，注意观察有无挂边、漏硅等情况，若发现要及时处理。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09版本号：A/1页码：第17页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日图17【加热器】菜单图18操作手柄图19【坩埚】菜单14、温度稳定、观察炉内硅料是否完全熔化，是否有挂边。如有挂边，要及时处理，按下屏幕下方的【工序复位】按钮，在弹出的对话框中选择【接受】，然后将操作面板旁边的状态旋钮打向手动档，将操作手柄上的【CRUCIBLE】打向DOWN位置，降低坩埚至适当位置，按屏幕上的【加热器】按钮，在【功率】中输入适当的高功率值，点击【DC功率控制】的【开】按钮；挂边消失后

27、,浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09版本号：A/1页码：第16页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日迅速按屏幕上的【加热器】按钮，在【功率】中输入适当的低功率值，点击【 DC功率控制】的【开】按钮，然后将操作手柄上的【CRUCIBLE】打向【UP】位置，上 升坩埚至适当位置，升埚时注意不要使硅液面触到导流筒下沿，升完石英坩埚后通 过检查屏幕上的坩埚位置确认坩埚无动作，方可完成，否则会使导流筒粘硅，发生 跳硅；挂边处理完后，手动进入【温度稳定】工序。如无挂边，则按【下一步】进入【温度稳定】工序。、自动熔料时间已到还没有熔完料，炉台会有提示音，弹出是否结束熔料工序的对话

28、框，待料完全熔化后，点击【接受】按钮，进入【温度稳定】工序。、若手动进行温度稳定，则按下操作面板上的【工序复位】，点击【接受】按钮,将状态控制按钮打向手动档。、点击屏幕上的【坩埚】键，调出坩埚控制菜单，在【旋转速度】中分步输入坩埚 转速，然后点击旋转栏中的【ON】按钮，直到坩埚转速为目标值 610r/min。、通过调整操作手柄上的【CRUCIBLE】UP键，使坩埚位置停留在引晶埚位，即液面与导流筒的距离在20mn左右，引晶埚位可在上炉埚位基础上根据投料量增加 /减少量，来确定本次引晶埚位，具体可参照附录a引晶位置变化参考表，并进行相应记录。、调出功率控制菜单，参考上炉引晶功率，输入本炉稳定所需

29、的引晶功率值，点击DC温度控制】5C以上，否则会由【DC功率控制】的【开】按钮，进入功率稳定时期；根据上炉引晶温度，在【加热器温度控制】中输入本炉所需的温度稳定的引晶温度值，点击【的【开】按钮，开始温度稳定。!注意：打开温度稳定时，设定温度值要分多次慢降，实际温度相对于设定温度不要大于 于功率到零而发出报警。15、引晶和缩颈、取样测电阻率 、在手动状态下，将操作手柄上的【SEED】键打向DOWN位置，下降籽晶停留在从主观察窗刚能看到的位置， 并点击操作面板上的【SEED!键进入籽晶控制菜单，在【旋转速度】栏中分布输入晶转速度，点击【旋转】的【开】按钮, 直到晶转速度为目标值810r/min。

30、、10分钟后，降籽晶至距液面10mm处预热。20分钟后，降籽晶使之与硅液面 接触，浸润10分钟，根据接触光圈的形状，确定引晶温度是否合适，若合适开 始引晶；若不合适，通过调整温度或埚转，10分钟后开始引晶。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09单晶炉操作规程版本号:A/1页码：第17页共35页生效日期：2008年5月30日 、适当引晶到一定长度，降S/L为0.5mm/min左右，进入自动放肩程序，放肩至直径5060mm，将【操作手柄】上的【SEED!键打向UP位置，提离液面 上升到导流筒中部停留5分钟，然后提升到上炉体内，缓慢调节籽晶转速为0r/min，确认吊肩升过翻板阀室后，缓慢顺时

31、针关闭隔离阀，当传感器灯亮时 停止关闭动作。 、点击【氩气】，调出氩气控制菜单，在【MFC流量值】栏中输入100,并依 次点击【MFC】的【开】按钮，【上炉体气阀】的【打开】按钮，【下炉体气 阀】的【打开】按钮。、当上炉体的压力到达760Torr时，点击【上炉体气阀】的【关闭】按钮，停止上炉体的氩气供应。然后调节氩气流量为50SLM。、拧开上炉体与翻板阀室的连接螺母，将操作手柄上的【 HOIST】旋钮打向UP位置点动上升上炉体至适当位置，打开上定位开关，旋转上炉体至一侧，下降 籽晶至适当位置。 、用钳子取出籽晶下放肩部位，取籽晶时要慎重作业，不可用手直接接触籽晶,防止烫伤等冷却后测电阻率。 、

32、待籽晶冷却后用纸巾擦扫干净，并顺势向下拽拉籽晶。 、清洁翻板阀室和上炉体连接法兰的密封圈，并检查是否完好，旋转上炉体至炉盖上方，将操作手柄上的【HOIST】旋钮打向DOWN位置下降上炉体和炉盖40mn以合紧，合紧过程中注意入孔要吻合，合上炉体定位开关，拧上上炉体和炉盖的 连接螺母。!注意：在打开和合拢上炉体之前要确认坩埚升降动作停止，且保证导流筒和液面之间的距离在上。、上炉体抽空作业、打开辅泵电源。、慢慢打开上炉体抽气球阀，直至全开。、用辅泵将上炉体的压力抽到100Torr时，点击【上炉体气阀】的【开】按钮,当压力充至650Torr时，点击【上炉体气阀】的【关】按钮。如此反复三次,将上炉体的压

33、力抽至与下炉体接近时，关闭上炉体球阀，然后关闭辅泵电源。 、缓慢打开翻板阀，打开翻板阀时要缓慢操作，防止损坏或挤出阀口密封圈。 、重新输入氩气流量值为4050，点击【MFC的【开】按钮，依次点击【下炉体气阀】的【关闭】按钮，【上炉体气阀】的【打开】按钮。 、补掺母合金浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09版本号：A/1页码：第18页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日、若电阻率测试结果在目标范围时，可进行下一步预热接触引晶；若有偏离,须补掺母合金，由相关人员根据电阻率测试结果和投料量计算出补掺母合金的 类型和数量，并去取出称量，进行补掺，作好相应记录。 、补掺过程同A取

34、样测电阻率一样，只是放肩放到 100150mm,尽量放平肩。 、将上炉体旋转到一侧后，不取下籽晶，将已称量的母合金放在平肩上。放母合金时要慎重作业，不可用手直接接触籽晶，防止烫伤。、再按B上炉体抽空作业后，适当调节熔硅温度，把籽晶和母合金降到液面中,使其熔化掺入。、再重复A取样测电阻率，B上炉体抽空作业，C补掺母合金，直到电阻率测试合格进入下一工序。、预热接触、电阻率合格后，将操作手柄上的【SEED】键打向DOWN位置，下降籽晶停留在从主观察窗刚能看到的位置，在【旋转速度】栏中分步输入晶转速度，点 击【旋转】的【开】按钮，直到晶转速度为目标值810r/min。!注意：为防止籽晶由0转速到大转速

35、而产生晃动的话，可以分多次增加转速。、20分钟后,将操作手柄上的【SEED!键打向DOWN，降籽晶至距液面10mm处预热。、20分钟后,降籽晶使之与硅液面接触，浸润 20分钟，若不合适，通过屏幕上的【加热器】控制菜单下的【DC温度控制】和【坩埚】转速调整温度，20分钟后开始引晶。!注意：必须预热，不然会由于籽晶由低温区到高温区、由固态到液态转变时，温差太大造成籽晶产生位错。、籽晶快速上升或下降的位置必须确认，升降操作方可完成，否则会溶掉籽晶 甚至重锤，升至上限时会导致重锤掉下进入溶硅内，造成漏硅或整炉料彻底报废，无法再次利用。、引晶、点击【工序参数】进入参数修改画面，将【NECK目标直径】中的

36、直径值设定到接近籽晶粗细的值，并按【执行】按钮。、将状态控制按钮打向自动档，点击【工序开始】键，弹出对话框，点击【确认】键，进入自动模式。点击【工序控制】进入程序控制画面，选择【引晶模式】并按【执行】，进入浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09单晶炉操作规程版本号：A/1页码：第19页共35页生效日期：2008年5月30日 、自动引晶模式。 、程序会通过控制拉速自动往设定的直径控制，若进一步减小直径，可以多次修改【工序参数】中【NECK目标直径】的设定籽晶直径值。!注意：由于实际直径与设定直径偏差过大会导致拉速变化过大而将所引细晶拉断，每次只做小量的修改（0.2mm/次左右）。 、可以

37、点击【籽晶】调出籽晶控制菜单，在【低拉速值】中输入需要对拉速进行微调的量，点击【低拉速】栏下的【+】和【一】按钮，对拉速进行微调。 、引晶过程中若温度不适，可通过【加热器】和【坩埚】适当进行温度的调整，但不宜过大。引晶开始时，应先引10mm左右直径较粗的细颈，可作为下次接 触使用，这样避免籽晶的浪费。图20引晶 、引晶过程中若籽晶熔断，则重新进行引晶温度的调整，籽晶插入液面，重新进行引晶。作好相应记录。 、若自动引晶不理想，可以随时考虑进入手动状态来手动引晶。点击【工序复位】，在弹出的对话框中选择【确认】，随后将状态控制旋钮打到【手动】档。 、通过操作手柄上的籽晶拉速键来调整拉速，使籽晶的直径

38、达到理想值。也可以点击【SEED!键调出籽晶控制菜单，在【低拉速值】中输入所要的拉速，然 后点击【低拉速】栏中的【UP】键，执行所设定的籽晶拉速值。可通过【加热 器】和【坩埚】适当进行温度的调整，但不宜过大。6寸参考引晶直径在3mm左右，长度不低于150mm； 8寸参考引晶直径在5mm左右，长度不低于200mm。浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02- 09版本号：A/1页码：第20页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日16放肩、弓I晶达到预定的长度后，如果在自动引晶状态下，点击【下一步】，在弹出的对 话框中点击【确认】，进入自动放肩程序。引晶达到预定的长度后，如果在手动引晶

39、状态下，将状态控制旋钮打到自动档， 点击【工序开始】，在弹出的对话框中选择【确认】，进入自动模式。点击【工序控制】进入程序控制画面，选择【放肩模式】并按【执行】键，进入 自动放肩程序。、在自动放肩过程中，晶体的直径会慢慢变大，用观察窗上的测径仪测量晶体的实 际直径，并比较相机的读数直径，计算两者的差别。放肩尽量要放平肩。注意放肩的形态，放肩时要时刻观察肩的形状，放肩过快过 慢时应及时进行适当地温度或拉速调整。图21放肩、点击【工序参数】调出工序控制菜单，在参数【转肩提升直径】中输入开始转肩 时相机所要达到的数值，点击【执行】按钮。注意：输入的数值和相机读数的差值要与此时的实际直径和所需的目标直

40、径的差值一致。、放肩坏时，则重新进行温度的调整，插入液面，熔去放肩和引晶部位，再引晶。 若料较脏时，将肩放至直径150160mm提离液面上升到导流筒中部停留 5分钟, 然后上升到上炉体，缓慢调节籽晶转速为 点击【氩气】，调出氩气控制菜单，在【 击【MFC】的【开】按钮，【上炉体气阀】【打开】按钮。当上炉体的压力到达760Torr时，点击【上炉体气阀】的【关闭】按钮，停止上炉 体的氩气供应，然后调节氩气流量为 50SLM。0r/min，顺时针缓慢关闭隔离阀。MFC流量值】栏中输入100,并依次点 的【打开】按钮，【下炉体气阀】的浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09版本号：A/1页码：第

41、24页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日(11)、拧开上炉体和炉盖的连接螺母，将操作手柄上的【HOIST】旋钮打向UP位置上升 上炉体至适当位置，打开上炉体定位开关，旋转上炉体至一侧，下降籽晶至适当位 置。(12)、取出不成晶品放到指定位置待其冷却后做好标识放入指定场所。17、转肩、根据目标直径的不同，将肩放到合适直径，达到【转肩提升直径】的设定直径值 时，自动进入转肩程序、转肩后，程序自动进入等径程序，此时相机的读数会有所变化。图22相机、点击【工序参数】进入参数修改页，将【等径目标直径】中的值修改成此时的相机读数值，并按【执行】按钮执行。!注意：若此时晶棒直径的实际值与目

42、标值有偏差，可以通过多次设定接近目标值的方法来达到目标直径。、密切关注单晶的生长速度，适当调整拉速。图23转肩、待单晶生长到目标直径时点击【工序参数】进入参数修改页，在【坩埚进度比率】中输入坩埚跟进比率。坩埚跟进比率的设定可参照附录B埚跟比参考表。(6)、一定要注意单晶生长的起始阶段直径是否稳定。!注意：若等径起始阶段直径生长不稳定，可以尝试手动待直径稳定后，再切换到自动，但需点击【工序参数】进 入参数修改页，将【Body起始长度】的值修改为手动稳定的长度值。18、等径生长、正常等径控制 、等径过程中应时常观察炉内单晶生长情况， 每隔10分钟对炉内巡视1次，确认有无异常，每隔1小时对炉内晶体测

43、量一次直径。等径过程中每 1个小时做1次Body目标拉晶记录。注意观察硅液面与导流筒之间的距离。 、若有直径偏大或偏小现象，点击【工序参数】进入参数修改页，将【直径】的值往需要的直径修改，需变大则在此时的相机读数上加大，需变小则在 此时的相机读数上减小，并按【执行】键。若实际直径与目标直径偏差较大，可 以分次修改，待前次的修改值达到后再行修改。图24等径 、根据情况的不同，等径至硅料液面下降到石英坩埚内径变小处时，应该适当增大坩埚跟进比率。!注意：自动状态下的手动修订，只能在原数据的基础上进行加减操作，且在拉晶恢复正常时，务必将原来设 定参数上的加减项去掉，否则会影响程序的正常拉晶控制。 、若

44、需要直接手动修订拉速、坩埚埚随、温度等拉晶条件，可以点击【0PRATION】进入手动干预菜单，分别选择需要修改的项目，如【籽晶】、【加热器】，点击 其中一项则会出现各自的操作界面，在各自的值中输入需要修改的参数的差值, 然后点击【+】/【】来对原来的参数进行修订。、在自动等径过程中，可以点击【工序参数】和【子参数表】进入各自的操作画 面，进行相应的修改，然后按【执行】键执行。、等径断棱时回熔、6寸单晶在300mm内，8寸单晶在400mm以内断棱时，进行回熔处理。作好相应记录。、点击【工序复位】，在弹出的对话框中选择【确认】按钮，然后将状态控制按钮打向手动档。、点击【坩埚】键调出坩埚控制菜单，在

45、【旋转速度】中输入 2r/min，点击【旋转】的【开】按钮；点击【低速升降】的【关】按钮，将坩埚的升降停止，下降坩埚到高温区。、点击【籽晶】键调出籽晶控制菜单，在【旋转速度】中输入 2r/min，点击【旋、转】的【开】按钮；点击【低速升降】的【关】按钮，将籽晶的升降停止。点击【加热器】键调出加热器控制菜单，点击【DC温度控制】的【关】按钮,关闭温度控制。在【功率】中输入比引晶功率高出1015KW的功率值，点击【DC功率控制】的【开】按钮。、观察炉内状态，慢慢下降晶体进行回熔，晶体过长需要熔化一段后，经确认经已熔化后，再慢慢下降一段晶体进行回熔，直到全部回熔。!注意：观察回熔过程中和回熔结束后液

46、面和导流筒之间的距离，适当调整坩埚位置，不要涮导流筒。、回熔完成后重新开始引晶操作工序。、等径断棱时晶体收尾提出、6寸单晶在300mm以上断棱，8寸单晶在400mm以上断棱时，且估计本次晶体提前收尾并提出后还能正常等径 6寸在300mm或以上，8寸在400mm或以上时应将单晶提前收尾并提出。收尾过程见十九收尾工序。、提前收尾要求收尾长度在100120mm。收尾长度计算是从实际晶体断棱处到收小后晶体提出处的距离。、收好尾后点击【工序复位】按钮，在弹出的对话框中选择【确认】，然后将状态控制按钮打向手动档。、点击【籽晶】键调出籽晶控制菜单，缓慢降低旋转速度到5r/min，点击【低速升降】的【停浙江昱

47、辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09版本号：A/1页码：第24页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日止】按钮；点击【坩埚】键调出坩埚控制菜单，缓慢降低旋转速度到2r/min，点击【低速升降】的【停止】按钮;、使用操作手柄上的【CRUCIBLE】DOWN下降坩埚液面40mm,点击【籽晶】调出籽晶控制菜单，在【低速度值】中输入4.0mm/min,点击【低速升降】的【上】 按钮，上升2.5小时，作好相应记录。而后用操作手柄上的【SEED! UP键上升晶棒到上炉体内，等1小时后关闭隔离阀。、点击【氩气】调出氩气控制菜单，设定【MFC流量值】为100,并依次点击【MFC】的【开】按钮

48、、【上炉体气阀】和【下炉体气阀】的【打开】按钮。、当上炉体压力达到760Torr时，点击【上炉体气阀】的【关闭】按钮。同二 .2.8步骤，取出断棱单晶。作好相应记录。 、对籽晶、上炉体和炉盖的密封圈进行 、根据断棱单晶的长度，修改【子参数表】中下次等径的起始长度、寻找再次引晶放肩的温度。 、重新开始引晶准备和引晶操作。、等径断棱时晶体收尾停炉、6寸晶体等径在300mm以上，8寸晶体等径在400mm以上断棱时，且估计本次晶体提前收尾并提出后已不能再正常等径 6寸300mm或8寸400mm时，可进行提前收尾停炉。收尾过程见十九收尾工序。 、提前收尾要求收尾长度在100120mm。收尾长度计算是从实

49、际晶体断棱处到收小后晶体提出处的距离。 、收好尾后转入二十降功率、停炉冷却工序。19、收尾、当晶体等径长度达到【工序参数】里的【收尾提升等径长度】设定的预定长度（根据埚内实际剩料多少计算，可参照附录 C晶体收尾长度参考表）时，自动进入【收尾模式】；断棱或其它异常情况需要提前收尾时，点击【下一步】，直接进入【收尾模式】。、进入【收尾模式】后,每半小时记录一次收尾数据，查看收尾情况，通过【op eration】下的【籽浙江昱辉阳光能源有限公司文件编号：Q02-09版本号：A/1页码：第25页共35页单晶炉操作规程生效日期：2008年5月30日晶】和【加热器】对拉速和温度做适当调整，注意液面是否结晶

50、、液体所剩料是否足够收尾、尾巴直径是否在变小等情况。图25收尾、正常收尾长度应为晶体等径直径的大小， 收成尖尾后使单晶脱离液面，转入二十降功率、停炉冷却工序。、若自动收尾不理想，可以转入手动收尾。通过操作手柄上【 SEED!键调节拉速,通过屏幕上的【加热器】调节温度。20、降功率、停炉冷却、收尾完成或收断，晶棒与液体脱离后。点击【下一步】进入停炉冷却阶段。、进入【冷却模式】后籽晶会上升一定距离，籽晶转速和坩埚转速会慢慢停止，氩气继续保持。30mn左右）!注意：若收尾结束后，观察液面与导流筒接近且剩料比较多时，应转为手动将坩埚下降一段距离（ 且确认坩埚下降动作停止。、超过【冷却模式】程序设定的时

51、间，机器会报警提示冷却过程可以结束。从而转入下一轮拉晶。、若手动降功率、停炉：在收尾完成或收断后，下降埚位30mm后确认埚降动作停止。、晶升拉速调整到1.0mm/min,使单晶自动上升。、缓慢调节晶转为5r/min，缓慢调节埚转为2r/min。、温度控制退出自动，分步降低功率，作好操作记录。0.5小时后功率降至0,关闭加热电源。作好操作记录。21、热态检漏、冷却2.5小时后关闭埚转，进行热态检漏，将状态控制旋钮打向手动档，点击【氩气】进入氩气控制菜单，点击【MFC】然后分步递减【MFC流量值】至30.0SLM后点击【关闭】按钮，并点击【上炉体气阀】的【关闭】按钮，开始抽高真空。浙江昱辉阳光能源

52、有限公司文件编号：Q02- 0 9单晶炉操作规程版本号:A/1页码：第26页共35页生效日期：2008年5月30日、待炉内压力到达极限（要求达到 40mTorr以下）后，先关闭手动阀，然后关闭真空泵电源，按下操作屏幕上的【泄漏检测】按钮，打开检漏菜单，进行检漏，并作相应记录。、检漏要求5分钟，漏气速率v0.80mTorr/min（5分钟漏4mTorr以下）为正常，同时作好漏气速率记录。检漏极限真空和漏气速率合格后， 充氩气至600Torr后，让晶体随炉自然冷却。、若极限真空不合格，贝M故相应记录，拧紧手柄，关闭真空泵电源，充氩气至600Torr后，停止氩气供应让晶体随炉自然冷却；若漏气速率不合格，则做相应记录，充氩气至600Torr后，停止氩气供应，关闭真空泵电源，让晶体随炉自然冷却。通知设备科人员进行确认，停炉后检修。（5）、冷却5小时后，缓慢调节晶转为0,关闭晶转。转入下一轮拉晶。!注意：从【引晶模式】到【冷却模式】过程的操作中，均可以进行手动和自动的切换。高真空-HIGHVACUUM熔料-MELT;稳定-STABILIZE